TW201514479A - 缺陷觀察裝置及其方法 - Google Patents

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Abstract

存在如下問題：某些缺陷種類盡管可高感度作檢測，惟其以外的種類之缺陷係感度會降低。此外，在機械方式的濾波器之切換方面，係存在取得檢測條件不同的複數個影像時花費時間這樣的課題。 一種缺陷觀察裝置，具備SEM、光學顯微鏡、控制部，特徵在於：前述光學顯微鏡具備照射系統及檢測系統，該照射系統係對於樣品以光作照射，該檢測系統係對於基於來自藉前述照射系統而照射之該樣品的光之訊號作檢測，具有可電性對於偏光狀態作控制之分布偏光元件與可電性對於空間形狀作控制之空間濾波器，前述控制部係生成同步訊號(202)，基於該所生成之同步訊號而對於前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀作控制而電性切換(207、206)，對於在複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下之藉前述檢測系統而檢測之影像作處理(123)。

Description

缺陷觀察裝置及其方法
有關於缺陷觀察裝置及缺陷觀察方法。
半導體製程中之半導體晶圓上的異物缺陷、圖案缺陷等之缺陷檢查，係藉採用了外觀檢查裝置之缺陷位置檢測、採用了缺陷觀察裝置之缺陷觀察而進行，基於缺陷的觀察結果而精細化應當應對之程序。半導體圖案的微細化進展，微細之缺陷亦對於良率帶來影響，故在觀察裝置方面係使用SEM(Scanning Electron Microscope：掃描型電子顯微鏡)。外觀檢查裝置與SEM式之觀察裝置係不同的裝置而有工作台座標的偏差，故僅使用以外觀檢查裝置作檢測之缺陷位置資訊，而在SEM式之觀察裝置的視野中進行缺陷的定位係困難的。
尤其在無圖案晶圓的檢查裝置方面，係為了提升檢查的處理量，而將供以對於半導體基板表面作暗視野照明用的雷射光束之光點尺寸增大而對於半導體基板表面作掃描而照射，故根據對於半導體基板表面作掃描之雷射光束光點的位置而求得之位置座標的準確度，係含有大 的誤差成分。欲基於如此之含有大的誤差成分之缺陷的位置資訊而採用SEM以詳細對於缺陷作觀察時，變得難以將缺陷收納於以遠高於光學式之異物檢查裝置的倍率作觀察之SEM的視野內。
作為解決此之方法在專利文獻1(日本發明專利公開2011-106974號公報)，係揭露以下方法：在進行採用了SEM之無圖案晶圓的缺陷觀察時，以搭載於觀察裝置之暗視野光學顯微鏡進行缺陷的位置檢測，利用所檢測之位置座標而進行SEM的觀察影像之攝像。另外在高感度對於在無圖案晶圓上之缺陷作檢測之方法方面，已揭露：在暗視野顯微鏡的檢測光路徑上加入分布偏光元件、空間濾波器之後對於晶圓上的缺陷位置作檢測之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本發明專利公開2011-106974號公報
採用了SEM之無圖案晶圓的缺陷觀察，係期望：用於採用了光學顯微鏡之缺陷定位的再檢測可高感度且高處理量對於所有缺陷種類執行。
在專利文獻1中，係揭露：搭載了暗視野光 學系統的缺陷觀察用之電子顯微鏡的構成，該暗視野光學系統係將分布偏光元件及空間濾波器設於檢測光路徑的光瞳面。
然而，在專利文獻1中，係缺陷的檢測僅揭露以特別指定的濾波器之檢測，為此存在如下問題：某特別指定的缺陷儘管可高感度作檢測，惟其以外的種類之缺陷係感度會降低。此外，切換濾波器而對於檢測條件不同的影像作攝像之情況下，不存在將分布偏光元件與空間濾波器雙方同時切換之方法的揭示，另外在所揭露之機械上的濾波器之切換方法方面，係存在取得複數個檢測條件不同的影像時花費時間這樣的課題。
本發明之目的，係在於提供一種缺陷檢測裝置與方法及利用了其之缺陷觀察裝置，可在以半導體晶圓外觀檢查裝置作檢測之缺陷的採用了SEM之詳細觀察中，對於以外觀檢查裝置作檢測之缺陷，不受限於其種類而高感度且高速作再檢測，基於再檢測位置而使缺陷確實落入SEM的觀察視野內。
為了解決上述課題，採用例如記載於申請專利範圍之構成。
本案係含有複數個解決上述課題之手段，惟舉其一例時，特徵在於：前述光學顯微鏡，係具備照射系統及檢測系統，該照射系統係對於樣品以光作照射，該檢 測系統係對於基於來自藉前述照射系統而照射之該樣品的光之訊號作檢測，具有可電性對於偏光狀態作控制之分布偏光元件與可電性對於空間形狀作控制之空間濾波器，前述控制部係生成同步訊號，基於該所生成之同步訊號而對於前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀作控制而電性切換，對於在複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下之藉前述檢測系統而檢測之影像作處理。
依本發明，即可提供可高感度且高速進行缺陷位置的檢測之缺陷觀察裝置及其方法。
101‧‧‧晶圓
102‧‧‧SEM
103‧‧‧光學顯微鏡
104‧‧‧工作台
105‧‧‧真空槽
106‧‧‧控制部
107‧‧‧終端
108‧‧‧記憶裝置
109‧‧‧網路
110‧‧‧光源
111‧‧‧真空密封窗
112‧‧‧鏡
113‧‧‧接物鏡
114‧‧‧真空密封窗
115‧‧‧成像光學系統
116‧‧‧攝像元件
117‧‧‧分布偏光元件
118‧‧‧空間濾波器
119‧‧‧工作台控制電路
120‧‧‧SEM攝像系統控制電路
121‧‧‧光學攝像系統控制電路
122‧‧‧外部輸出入I/F
123‧‧‧CPU
124‧‧‧記憶體
125‧‧‧匯流排
201‧‧‧資料I/F
202‧‧‧同步控制電路
203‧‧‧同步訊號產生電路
204‧‧‧影像資訊記憶部
205‧‧‧濾波器狀態控制電路
206‧‧‧分布偏光元件控制電路
207‧‧‧空間濾波器控制電路
208‧‧‧內部匯流排
[圖1]本發明相關之缺陷觀察裝置的構成圖。
[圖2]對於本發明相關之缺陷觀察裝置的光學攝像系統控制電路121之詳細構成作繪示的圖。
[圖3]本發明相關之缺陷觀察方法中的光學顯微鏡影像攝像步驟之流程圖。
[圖4]本發明相關之缺陷觀察方法中的光學顯微鏡影像攝像之時序圖。
[圖5]對於本發明相關之缺陷觀察裝置的光學顯微鏡之詳細構成作繪示的圖。
[圖6]本發明相關之缺陷觀察方法中的缺陷座標計算步驟之流程圖。
[圖7]本發明相關之缺陷觀察方法的整體流程圖。
[實施例1]
以下，利用適當圖式詳細說明有關於本發明的實施形態。
圖1，係本發明相關之缺陷觀察裝置的構成圖。
本實施形態的缺陷觀察裝置，係對於在半導體裝置的製程中發生之晶圓上的缺陷作觀察之裝置。
101係被檢查對象的晶圓。102係對於晶圓1作詳細觀察之電子顯微鏡(以下記作SEM)，103係以光學方式對於晶圓1上的缺陷作檢測而取得其缺陷位置資訊之光學顯微鏡。104係可載置晶圓1的工作台，可使晶圓1的任意之場所移動於SEM 102及光學顯微鏡103的視野內。105係真空槽，SEM 102、工作台104、光學顯微鏡103的接物鏡113係收納於此中。
對於光學顯微鏡103的內部作說明。110係照明光源。藉照明光源110而射出之雷射光係通過真空密封窗111，以對於照明位置作控制之鏡112作反射，照射於晶圓101表面上之任意的位置。113係供以對於從樣品101所反射之散射光作採光的接物鏡。通過接物鏡113之 光係通過真空密封窗114，藉成像光學系統115而成像於攝像元件116。成像光學系統115係具備可電性對於偏光狀態及空間形狀作控制之分布偏光元件117與空間濾波器118。
控制部106，係由工作台控制電路119、SEM攝像系統控制電路120、光學系統控制電路121、外部輸出入I/F 122、CPU 123、記憶體124而構成，工作台控制電路119至記憶體124之各構成係連接於匯流排125，成為可相互進行資訊的輸出入。藉工作台控制電路119而進行工作台104的控制，藉SEM攝像系統控制電路120而進行SEM102的控制及檢測影像訊號之往記憶體124的記憶。光學系統控制電路121，係進行光學顯微鏡103的攝像元件116、分布偏光元件117與空間濾波器118的控制，及將從攝像元件116所得之影像訊號往記憶體124作記憶。外部輸出入I/F 122，係進行往終端107之顯示資訊輸出、及來自終端107之資訊輸入、往記憶裝置108之資訊輸出入，透過網路109而進行與不圖示之缺陷檢查裝置或上位管理系統等之資訊輸出入。記憶於記憶體124之影像資料係藉CPU 123而作演算處理。
在如以上方式而構成之缺陷觀察裝置中，尤其成為如下構成：光學顯微鏡103係具有利用以缺陷檢查裝置(不圖示)而檢測之缺陷的位置資訊而對於晶圓101上之缺陷的位置作再檢測(以下記作檢測)之功能，控制部106係具有作為基於以光學顯微鏡103作檢測之缺陷的 位置資訊而對於缺陷之位置資訊作修正的位置修正手段之功能，SEM 102係具有基於以控制部106作修正之缺陷位置資訊而對於缺陷作觀察之功能。對於往記憶體124記憶之從光學顯微鏡所得之影像訊號以CPU 123處理而檢測出缺陷的位置，從而對於記憶在記憶體124之從缺陷檢查裝置所輸出之缺陷的位置資訊作修正。工作台104，係成為如下構成：可移動成以光學顯微鏡103作檢測之缺陷能以SEM 102作觀察。
圖2，係對於本發明相關之缺陷觀察裝置的光學攝像系統控制電路121之詳細構成作繪示的圖。
光學攝像系統控制電路121係具備資料I/F 201、同步訊號控制電路202、影像資訊記憶部204、濾波器狀態控制電路205、分布偏光元件電路206、空間濾波器控制電路207而構成，此等係連接於內部匯流排208。資料I/F 201，係連接於內部匯流排208、控制部106內之匯流排125，進行在光學攝像系統控制電路121、及控制部106之中的119~124之其他處理部之間的資料授收。在同步訊號控制電路202內之同步訊號產生電路203所產生之同步訊號，係通過同步訊號控制電路202而使用於：攝像元件116的攝像開始之觸發訊號、或用於從攝像元件116所得之影像訊號的往影像資訊記憶部204之記憶開始的觸發訊號。分布偏光元件電路206，係進行分布偏光元件117的控制，空間濾波器控制電路207係對於空間濾波器118作控制者。濾波器狀態控制電路205，係對於分布 偏光元件控制電路206、空間濾波器控制電路207，將分布偏光元件117及空間濾波器118的控制狀態同步於同步訊號控制電路202之訊號而作指示。
對於示於圖2之電路及光學系統的動作，藉圖3的處理流程與圖4之時序圖而作說明。以下，採取：濾波器狀態P係指分布偏光元件117的偏光狀態、或為了將分布偏光元件117控制成該狀態而給予分布偏光元件控制電路206之資料，濾波器狀態S係指空間濾波器118的濾波器之空間形狀的狀態、或者為了將空間濾波器118控制成該狀態而給予空間濾波器控制電路207之資料。此外，(Pk,Sk)(k=1、...、N)，係供以明示濾波器狀態Pk與Sk以一組被處理的情形用之標記，濾波器狀態(Pk,Sk)，係指使濾波器狀態Pk與濾波器狀態Sk為1組之資料。
圖4，係本發明相關之缺陷觀察方法中的光學顯微鏡影像攝像之時序圖。
示於圖4之同步訊號係以圖2的同步訊號產生電路203而生成之訊號，命令訊號係如下者：同步於同步訊號而從同步控制電路202輸出至濾波器狀態控制電路205、影像資訊記憶部204、攝像元件116，對於示於圖3之處理步驟作控制。示於圖4之分布偏光元件117的偏光狀態，係表示在各時刻之分布偏光元件117的狀態，對於該狀態以P1~P3作表示。示於圖4之空間濾波器118的空間形狀，係表示在各時刻之空間濾波器118的狀態，對 於該狀態以S1~S3作表示。此外，示於圖4之攝像元件116的動作，係表示在各時刻之攝像影像的內容，對於該內容記作影像1~影像3而作表示，影像資訊記憶部204的記憶動作，係表示在各時刻之記憶影像的內容，對於該內容記作影像1~影像3而作表示。以攝像元件116作攝像之影像資料，係攝像結束後，同步於下個同步訊號而轉送至影像資訊記憶部204而記憶。示於圖4之影像資料的往記憶體124之轉送，係表示影像資料的從影像資訊記憶部204往記憶體124之轉送時序。
在圖4係在同步訊號的降緣，變更分布偏光元件117的偏光狀態、空間濾波器118的空間形狀，同時開始以攝像元件118之攝像，惟在同步訊號的升緣從濾波器狀態控制電路205讀取濾波器狀態(Pk,Sk)，變更分布偏光元件117的偏光狀態、空間濾波器118的空間形狀，從同步訊號的降緣開始以攝像元件116之攝像亦可。藉此，可期待在以攝像元件118之攝像開始時間點在分布偏光元件117及空間濾波器118的濾波器之狀態穩定後開始攝像之情形。
圖3，係本發明相關之缺陷觀察方法中的光學顯微鏡影像攝像步驟之流程圖。
首先，濾波器狀態控制電路205將濾波器狀態(Pk,Sk)(k=1、...、N)作記憶(S301)。濾波器狀態(Pk,Sk)係將記憶於接合於預先記憶體124、或記憶裝置108、或網路109之未記載於圖1的記憶媒體者轉送至 濾波器狀態控制電路205，予以記憶。
接著，在示於圖4之時刻t1(S302)，從濾波器狀態控制電路205讀取濾波器狀態(Pk,Sk)，將濾波器狀態資料Pk輸出至分布偏光元件控制電路206，將濾波器狀態資料Sk輸出至空間濾波器控制電路207，同時將分布偏光元件117的偏光狀態、空間濾波器118的空間形狀作變更(S303)。此變更係來得及於藉攝像元件116之影像1的攝像開始即可，分布偏光元件117、空間濾波器118的狀態之變更係可為同時，亦可為不同時。
同樣在時刻t1，依藉光源110之照射而以攝像元件116開始晶圓101的攝像(影像1)，將所攝像之影像1的影像資料依時刻t2之命令訊號而記憶於影像資訊記憶部204(S304)。
將S303與S304重複濾波器狀態(Pk,Sk)(k=1、...、N)之部分(S305、S306)。此處理的重複，係如示於圖4，同步於命令訊號而進行。圖4係繪示N=3之例，惟N係並非限定於3者。
濾波器狀態(Pk,Sk)(k=1、...、N)的影像資料之往影像資訊記憶部204的記憶結束後，影像資料係從影像資訊記憶部204轉送至記憶體124(S307)。在圖4中，係以轉送時序在往影像資訊記憶部204之影像資料記憶後同步於下個同步訊號而開始的形式作繪示，惟轉送開始係只要為往影像資訊記憶部204之影像資料記憶後則可為任意的時刻，非限於圖4所示。此外，示於圖4之 轉送時間，係依轉送之影像資料容量、內部匯流排208、匯流排125、控制部106的CPU 123、記憶體124等之硬體的規格而變化。
最後，對於記憶於記憶體124之影像資料以CPU 123作處理，特別指定缺陷位置(S308)，將該缺陷位置寫入記憶體124。在以SEM之缺陷攝像時，CPU 123係將所特別指定之缺陷座標(位置資訊)從記憶體124讀取，將此轉換成工作台座標，將此工作台座標給予工作台控制電路119，使得工作台可移動往所修正之缺陷位置。。關於S308的處理內容係利用圖6於後作敘述。
以上，將以圖3所示之處理整體稱作S300，在以圖7繪示之處理流程中作參照。
分布偏光元件117、空間濾波器118的特性係需要依成為缺陷檢測感度的提升對象之缺陷種類而決定的情形，已揭露於專利文獻1。為此，存在以下問題：對於某一個缺陷種類的檢測感度設定適當的濾波器特性時，對於別的種類之缺陷係無法得到最佳之檢測感度。為了解決此，本手法及裝置係如下者：將分布偏光元件117、空間濾波器118的特性作切換而對於影像作攝像，利用複數個影像而進行缺陷檢測，從而實現獲得不會偏於特別指定的缺陷種類之感度。
需要從光學顯微鏡的觀點作考慮之缺陷種類的變化，係並非如在檢查程序預料會產生之缺陷的種類之良率管理方面的缺陷種類，而是指在以光學顯微鏡作檢測 時應考慮之缺陷的種類，指缺陷形狀依如凹或凸之形狀而被大致區別之變化、或依缺陷的光學特性而被大致區別之變化。為此，可限定應攝像之濾波器狀態(Pk,Sk)的數量。
在可電性控制之分布偏光元件117的一例方面，係存在採用了雙折射會依施加電壓而變化之液晶者。對於由可施加按像素而不同的電壓之複數像素所構成之液晶元件，控制施加電壓，使得可在濾波器面內予以具有期望的光學軸之分布。此外，在可電性控制之空間濾波器118方面係有DMD(Digital Mirror Device)等。圖1、圖2之光學顯微鏡的構成係為了說明而簡略化，惟作為空間濾波器而使用之DMD將光予以反射之光學元件，無法將光予以透射。為此，需要如圖5所示在光路徑方面下工夫。
圖5，係對於本發明相關之缺陷觀察裝置的光學顯微鏡之詳細構成作繪示的圖。
在圖5中，成像光學系統115，係由將接物鏡113的光瞳面501予以成像之透鏡502、將光路徑予以反射於是DMD之空間濾波器118的鏡503、分布偏光元件119、將像予以成像之透鏡504所構成。在接物鏡113的光瞳面501所成像之位置505設置分布偏光元件119。空間濾波器118，係只要有應控制之空間形狀所需之空間分辨度即可，故可置於對於接物鏡113的光瞳面501所成像之位置505在光路徑上散焦之位置。此外，只要對於藉空 間濾波器118、分布偏光元件119而得之缺陷檢測感度的效果無麻煩，亦可將空間濾波器118設置於光瞳面所成像之位置505，將分布偏光元件119設置於光瞳面所成像之位置505的光路徑上附近，或者將空間濾波器118與分布偏光元件119雙方設置於在光路徑上光瞳面所成像之位置505的附近等。
圖6，係本發明相關之缺陷觀察方法中的缺陷座標計算步驟之流程圖。
於圖6繪示利用以濾波器狀態(Pk,Sk)(k=1、...、N)作攝像之N個的影像而特別指定缺陷位置之處理方法。圖6，係圖3的S308之處理的細節。因此，在圖6之處理係全部藉CPU 123而進行。
求出影像k的像素平均濃淡值(平均值k)、標準差的3倍之值(3σk)(S602)。
利用所得之平均值k、3σk而生成正規化影像k(S603)。示於S603之計算式中的α及β係供以將計算結果控制在可取得正規化影像k的像素值之範圍用的係數，可任意設定亦無妨。
將S602、S603重複影像的個數N份，獲得正規化影像k(k=1、...、N)(S605)。在S606使N個正規化影像k的相同座標(i,j)之最大像素值為整合影像(i,j)的像素值。將指定給予最大值之濾波器狀態的k以max_k而記憶於記憶體124。對於缺陷最可表露化之濾波器狀態作記錄，使得以對應於該濾波器之缺陷的性質如 凹凸等之性質在SEM的觀察影像被表露化的方式，在SEM觀察影像之生成中，在利用例如以SEM所檢測之二次電子影像、反射電子影像而生成觀察影像時，對於各影像的混合比按缺陷作變更。
接著，依預定之缺陷檢測閾值TH將整合影像(i,j)作二值化，獲得二值影像(S607)。
從對於此二值影像(i,j)作了標籤化之標籤影像檢測出最大面積的標籤區域，使最大面積標籤的重心為缺陷座標(S608、S609)。
將作為最後所檢測之影像座標而被檢測出的缺陷位置，轉換成工作台座標(S610)。
圖7，係本發明相關之缺陷觀察方法的整體流程圖。對於利用已修正之缺陷座標而收集SEM缺陷影像的順序以流程圖作繪示。
首先，將是觀察對象之晶圓裝載在示於圖1的工作台104(S701)。
接著對於事前以檢查裝置所檢測之缺陷的缺陷座標資料透過整體控制部106之外部輸出入I/F 122而讀入於記憶體124(S702)，從其中選擇作為觀察對象之M點的缺陷(S703)。缺陷的選擇係CPU 123可依預設之程式而執行，亦可操作員透過終端107作選擇。
接著進行晶圓的對準(S704)。此係如下者：基於以晶圓上的座標作記述之缺陷座標的位置而將工作台104作移動時，為了作成是目標之缺陷座標的位置來 到SEM 102的視野、光學顯微鏡103的視野之中央，晶圓上的座標利用既知的定位標示(對準標示)，而將晶圓座標與工作台座標賦予關聯。此賦予關聯結果係作為對準資訊而記憶於記憶體124。
接著針對作為觀察對象而選擇之缺陷1至M，進行缺陷位置的修正(S705、S708、S709)。
首先，將缺陷m移動至光學顯微鏡103的視野(S706)。此移動，係藉以下而進行：根據記憶於記憶體124之缺陷座標資料、對準資訊，以CPU 123計算對應於缺陷m之工作台座標，藉此透過工作台控制電路119，而驅動工作台104。
工作台移動結束後，以示於圖3之處理對於缺陷m的位置作特別指定(S300)，將所特別指定之缺陷的位置作為修正缺陷位置m而記憶於記憶體124(S707)。
將以上之S706、S300、S707的序列對於缺陷m(m=1、...、M)進行。依檢查裝置，亦存在不僅輸出所檢測之缺陷位置座標而亦輸出關於缺陷的特徵之資訊的裝置。例如，只要依缺陷的特徵資訊在事前得知缺陷為凸或凹等，則亦可配合此而對於濾波器狀態按缺陷作變更而設定。為了實現此，係將對應於缺陷的特徵資訊之濾波器狀態預先作成表格而記憶於記憶體124。然後，在將前述之以檢查裝置所檢測之缺陷的缺陷座標資料讀入於記憶體124時，亦讀入缺陷的特徵資訊，藉CPU 123按缺陷而讀取缺陷資訊，與記憶於記憶體124之表格資訊作對照而決 定濾波器狀態，對於濾波器狀態控制電路205傳送濾波器狀態資訊即可。另一方面，針對全部的缺陷，使應用之濾波器狀態(Pk,Sk)(k=1、...、N)相同時，示於圖3之S300內的處理S301比S705之前進行處理亦無妨。
取得全部的缺陷m(m=1、...、M)的修正缺陷位置m之後，將修正缺陷位置m從記憶體124作讀取，將此位置資訊依需要而轉換成工作台座標之後，給予工作台控制電路119從而使缺陷m依序移動至SEM 102的視野(S711)，對於缺陷m的SEM影像作攝像(S712、S713、S714)。在對於缺陷m的SEM影像作攝像時，記憶於記憶體124之濾波器狀態全部的缺陷之SEM影像攝像後，將晶圓作卸載(S715)，結束處理。
根據以上，變得可高感度且高速對於以檢查裝置所檢測之全部的缺陷種類進行缺陷位置之檢測，將所說明之光學檢測系統搭載於SEM缺陷觀察裝置，從而在利用了光學檢測之缺陷檢測位置進行SEM觀察，使得可使缺陷確實落入SEM的觀察視野內，以檢查裝置所檢測之缺陷的SEM觀察影像之自動攝像的成功率會提升，以SEM之缺陷自動攝像的處理量亦提升。
101‧‧‧晶圓
103‧‧‧光學顯微鏡
110‧‧‧光源
112‧‧‧鏡
113‧‧‧接物鏡
115‧‧‧成像光學系統
116‧‧‧攝像元件
117‧‧‧分布偏光元件
118‧‧‧空間濾波器
121‧‧‧光學攝像系統控制電路
125‧‧‧匯流排
201‧‧‧資料I/F
202‧‧‧同步控制電路
203‧‧‧同步訊號產生電路
204‧‧‧影像資訊記憶部
205‧‧‧濾波器狀態控制電路
206‧‧‧分布偏光元件控制電路
207‧‧‧空間濾波器控制電路
208‧‧‧內部匯流排

Claims (12)

  1. 一種缺陷觀察裝置，具備SEM、光學顯微鏡、控制部，特徵在於：前述光學顯微鏡，係具備：對於樣品以光作照射之照射系統；以及對於基於來自藉前述照射系統而照射之該樣品的光之訊號作檢測，具有可電性對於偏光狀態作控制之分布偏光元件與可電性對於空間形狀作控制之空間濾波器的檢測系統；前述控制部，係生成同步訊號(202)，基於該所生成之同步訊號而對於前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀作控制而電性切換(207、206)，對於在複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下之藉前述檢測系統而檢測之影像作處理(123)。
  2. 如申請專利範圍第1項之缺陷觀察裝置，其中，藉前述控制部而對於在複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下之藉前述檢測系統而檢測之影像作處理從而檢測出缺陷的位置。
  3. 如申請專利範圍第1項之缺陷觀察裝置，其中，前述控制部，係以固定時間間隔生成連續的同步訊號，相對於該同步訊號而連續進行前述分布偏光元件及前述空間濾波器之控制、及在前述複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下之藉前述檢測系統而檢測之影像的檢測。
  4. 如申請專利範圍第1項之缺陷觀察裝置，其中，在前述控制部，係基於該複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合，對於藉前述SEM而檢測之二次電子影像與反射電子影像的混合比作變更。
  5. 如申請專利範圍第1項之缺陷觀察裝置，其中，前述分布偏光元件係液晶濾波器，前述空間濾波器係數位微鏡裝置。
  6. 如申請專利範圍第1項之缺陷觀察裝置，其中，在前述控制部，係基於缺陷裝置的缺陷資訊而決定前述空間濾波器之狀態。
  7. 一種缺陷觀察方法，採用了具備SEM、光學顯微鏡、控制部之缺陷觀察裝置，該缺陷觀察方法具備：對於樣品以光作照射之照射程序；對於基於來自藉前述照射程序而照射之該樣品的光之訊號作檢測，具有可電性對於偏光狀態作控制之分布偏光元件與可電性對於空間形狀作控制之空間濾波器的檢測程序；以及生成同步訊號(202)，基於該所生成之同步訊號而對於前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀作控制而電性切換(207、206)，對於在複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下之藉前述檢測系統而檢測之影像作處理(123)的控制程序。
  8. 如申請專利範圍第7項之缺陷觀察方法，其中，在前述控制程序，係在複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下對於藉前述檢測程序而檢測之影像作處理從而檢測出缺陷的位置。
  9. 如申請專利範圍第7項之缺陷觀察方法，其中，在前述控制程序，係以固定時間間隔生成連續的同步訊號，相對於該同步訊號而連續進行前述分布偏光元件及前述空間濾波器之控制、及在前述複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合下藉前述檢測程序而檢測之影像的檢測。
  10. 如申請專利範圍第7項之缺陷觀察方法，其中，在前述控制程序，係基於該複數個前述分布偏光元件的偏光狀態與前述空間濾波器之空間形狀的組合，對於藉前述SEM而檢測之二次電子影像與反射電子影像的混合比作變更。
  11. 如申請專利範圍第7項之缺陷觀察方法，其中，前述分布偏光元件係液晶濾波器，前述空間濾波器係數位微鏡裝置。
  12. 如申請專利範圍第7項之缺陷觀察方法，其中，在前述控制程序，係基於缺陷裝置的缺陷資訊而決定前述空間濾波器之狀態。
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