TW201514185A - 有機電發光裝置 - Google Patents

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Christof Pflumm
Amir Hossain Parham
Thomas Eberle
Philipp Stoessel
Jonas Valentin Kroeber
Anja Jatsch
Heinrich Becker
Rouven Linge
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Merck Patent Gmbh
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Abstract

本發明關於有機電發光裝置，其包含銥錯合物與三□或嘧啶化合物之混合物於發光層中。

Description

有機電發光裝置
本發明關於有機電發光裝置，其包含銥錯合物與三或嘧啶化合物之混合物於發光層中。
其中有機半導體被用作為功能性材料的有機電發光裝置(OLED)的結構說明於例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中。此處所使用的發光材料愈來愈多為顯出磷光而非螢光的有機金屬錯合物(M.A.Baldo等人之Appl.Phys.Lett.1999,75,4-6)。由於量子力學的原因，使用有機金屬化合物作為磷光發光體有可能使能量及功率效率增加多達四倍。
磷光OLED的性質不僅由所使用的三重態發光體來決定。所使用的其他材料(特別亦為基質材料)在此亦具有特別的重要性。該等材料或亦特別為三重態發光體與基質材料之組合的改進因此亦可能導致OLED性質的顯著改進。
特別對磷光黃色OLED及依序組合黃色發光與其它顏色以獲得例如白色光之OLED的操作壽命之改進仍有需 求。此應用於尤其是關於以白色+有色濾鏡技術為基礎之TV應用，因為有色濾鏡的使用在此意指所發射的光很大部分被吸收且基本的黃色或白色OLED必須以增加的亮度來操作，其轉成對操作壽命的增加要求。此同樣地應用於照明應用，因為在過去數年證明目前的趨勢是遠離1000cd/平方公尺之光拼片(light tile)而向高達5000cd/平方公尺範圍內之越來越高的發光密度。
本發明根據之技術目的因此為提供具有改進壽命之OLED，特別為黃色-及白色-發光OLED。
驚訝地發現包含具有隨意地經取代之苯并喹啉配位基的銥錯合物及三或嘧啶化合物於發光層中的有機電發光裝置達成此目的且導致高達1百萬小時之範圍的極佳壽命。壽命因此比其他的基質材料更好到3至5倍。
在本發明的意義中，苯并喹啉具有以下結構：
具有苯并喹啉配位基的銥錯合物係從例如EP 1353388、EP 1267428或US 2001/0019782已知。未曾揭示或建議使用該等錯合物與三或嘧啶配位基之組合。特別地，既未曾以其它基質獲得如本發明例子的壽命增加，亦未曾從先前技術預測能以此類型增加壽命。
本發明因此關於包含此類型之混合物的有機電發光裝 置。
本發明因此關於包括含有至少一個隨意地經取代之苯并喹啉配位基的銥錯合物與具有至少350公克/莫耳、較佳為至少400公克/莫耳之分子量的三或嘧啶衍生物之混合物於發光層中的有機電發光裝置。
三或嘧啶衍生物於下文更詳細說明：三衍生物較佳為以下式(1)之化合物且嘧啶衍生物較佳為以下式(2)之化合物， 其中下列者係用於所使用的符號：R 於每次出現係相同或不同地選自由下列者所組成之群組：H、D、F、CN、N(Ar)2、N(R1)2、C(=O)Ar、C(=O)R1、P(=O)(Ar)2，具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基，或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基，或具有2至40個C原子的烯基或炔基，每個該等基團可經一或多個R1基取代，其中一或多個不相鄰的CH2基團可經R1C=CR1、C≡C、Si(R1)2、C=O、C=S、C=NR1、P(=O)(R1)、SO、SO2、NR1、O、S或CONR1替換，及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2替換，具有5至80個、較佳為5至60個芳族環原 子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代，具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或多個R1基取代，或具有5至60個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R1基取代，其中二或多個相鄰的取代基R可隨意地形成單環或多環脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R1基取代；先決條件為至少一個R基團代表依照上述定義之芳族或雜芳族環系統；R1 於每次出現係相同或不同地選自由下列者所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2、N(Ar)2、N(R2)2、C(=O)Ar、C(=O)R2、P(=O)(Ar)2，具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基，或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基，或具有2至40個C原子的烯基或炔基，每個該等基團可經一或多個R2基取代，其中一或多個不相鄰的CH2基團可經R2C=CR2、C≡C、Si(R2)2、C=O、C=S、C=NR2、P(=O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2替換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2替換，具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R2基取代，具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或多個R2 基取代，或具有5至60個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基，其中二或多個相鄰的取代基R1可隨意地形成單環或多環脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代；Ar 於每次出現係相同或不同地為具有5-30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個非芳族R2基取代；在此與相同的N原子或P原子鍵結的兩個Ar基亦可藉單鍵或選自N(R2)、C(R2)2、O或S之橋彼此橋連；R2 係選自由下列者所組成之群組：H、D、F、CN，具有1至20個C原子的脂族烴基，具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I或CN替換，其中二或多個相鄰的取代基R2可彼此形成單-或多環脂族、芳族或雜芳族環系統。
在本發明的意義中，芳基含有6至60個C原子；在本發明的意義中，雜芳基含有2至60個C原子及至少一個雜原子，其先決條件為C原子與雜原子之總和為至少5個。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此意指單純的芳族環(亦即苯)，或單純的雜芳族環(例如，吡啶、嘧啶、噻吩等等)，或縮合(稠合(anellated))的芳基或雜芳基(例如，萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等等)。相反地，藉由單鍵彼此連結的芳族基團(諸如聯苯基)不稱為芳基或雜芳基，反而為芳族環系統。
在本發明的意義中，芳族環系統含有6至80個C原子且不含有芳族雜原子於環系統中。在本發明的意義中，雜芳族環系統含有2至60個C原子及至少一個雜原子於環系統中，其先決條件為C原子與雜原子之總和為至少5個。雜原子較佳地選自N、O及/或S。雜芳族環系統在此含有一、二、三、四或五個雜原子。就本發明的目的而言，芳族或雜芳族環系統意欲取其意指未必只含有芳基或雜芳基之系統，而是，另外，其中複數個芳基或雜芳基可藉由非-芳族單元(諸如C、N或O原子)連接。因此，例如，諸如茀、9,9‘-螺聯茀(9,9‘-spirobifluorene)、9,9-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯等等之系統亦意欲取其為本發明的目的之芳族環系統，同樣意欲為其中二或多個芳基藉由例如低碳烷基連接之系統。
就本發明的目的而言，可含有1至40個C原子且其中，另外，個別的H原子或CH2基團可經上述基團取代之脂族烴基或烷基或烯基或炔基，較佳地意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、新戊基、環戊基、正己基、新己基、環己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。具有1至40個C原子的烷氧基較佳地意 指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、第二戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40個C原子的硫烷基特別地意指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基、第二戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。依照本發明的烷基、烷氧基或硫烷基通常可為直鏈、支鏈或環狀，其中一或多個不相鄰的CH2基團可經上述基團替換；此外，一或多個H原子亦可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2、較佳地經F、Cl或CN、更佳地經F或CN、特別佳地經CN替換。
亦在各情況中可經上述R、R1或R2基取代之分別具有5-30或5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統特別意指自下列者所衍生之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、芘、(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、聯伸二苯 (biphenylene)、聯三苯、聯伸三苯、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、順-或反-茚并咔唑、順-或反-吲哚并咔唑(indolocarbazole)、三茚并苯(truxene)、異三茚并苯、螺三茚并基、螺異三茚并苯(spiroisotruxene)、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻、啡、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、啡并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡并咪唑(pyrazinimidazole)、喹啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、唑、苯并唑、萘并唑(naphthoxazole)、蒽并唑(anthroxazole)、啡并唑(phenanthroxazole)、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒、六氮雜聯伸三苯、苯并嗒、嘧啶、苯并嘧啶、喹啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡、啡、啡、啡噻、螢紅環(fluorubin)、啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、喋啶、吲和苯并噻二唑或自該等 系統的組合所衍生之基團。
在式(1)或式(2)化合物中，如上述之取代基R中之至少一者代表芳族或雜芳族環系統。在式(1)中，較佳的是所有三個取代基R皆代表芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代。在式(2)中，特別佳的是一、二或三個取代基R代表芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代，及其他的取代基R代表H。特別佳的實施態樣為以下式(1)及(2a)至(2d)之化合物， 其中R係相同或不同地代表具有5至80個芳族環原子、較佳為5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代，且R1基具有上述意義。
在式(2)化合物之中，以式(2b)和(2d)化合物特別佳，特別為式(2d)化合物。
較佳的芳族或雜芳族環系統含有5至30個芳族環原子、特別為6至24個芳族環原子，且可經一或多個R1基取代。芳族或雜芳族環系統在此較佳地不含有其中超過兩個芳族6-員環彼此直接縮合的縮合芳基或雜芳基。該等環系統特別佳地絕對不含有其中芳族6-員環彼此直接縮合的芳基或雜芳基。此優先選擇係由於此類型的取代基較高的 三重態能量。因此，較佳的是R不含有例如萘基或高碳縮合芳基，且同樣地不含有喹啉基、吖啶基等等。相反地，可能的是R含有例如茀基、咔唑基、二苯并呋喃基等等，因為在該等結構中沒有6-員芳族或雜芳族環彼此直接縮合。
較佳的取代基R係選自由下列者所組成之群組：苯，鄰-、間-或對-聯苯，鄰-、間-、對-或支鏈聯三苯，鄰-、間-、對-或支鏈聯四苯(quaterphenyl)，1-、2-、3-或4-茀基，1-、2-、3-或4-螺聯茀基(spirobifluorenyl)，1-或2-萘基，吡咯，呋喃，噻吩，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，1-、2-或3-咔唑，1-、2-或3-二苯并呋喃，1-、2-或3-二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，2-、3-或4-吡啶，2-、4-或5-嘧啶，吡，嗒，三，菲，聯伸三苯或該等基團中之二或三者的組合，每個該等基團可經一或多個R1基取代。
尤其佳的是至少一個R基團選自以下式(3)至(29)之結構，
其中R1和R2具有上述意義，虛線鍵代表至式(1)中的三單元或至式(2)中的嘧啶單元之鍵，且另外：X 於每次出現係相同或不同地為CR1或N，其中較佳地每一環最多2個符號X代表N；Y 於每次出現係相同或不同地為C(R1)2、NR1、O、S或BR1； n 為0或1，其中n等於0意指沒有Y基團於此位置上鍵結，反而R1基與對應之碳原子鍵結。
在上述式(3)至(29)的較佳基團中，每一環最多1個符號X代表N。符號X特別佳地於每次出現係相同或不同地代表CR1、特別是代表CH。
較佳的Y基團於每次出現係相同或不同地選自NR1、C(R1)2或O。
若式(3)至(29)之基團含有複數個Y基團，則來自Y之定義的所有組合皆適合於此目的。優先選擇為其中一個Y基團代表NR1且其他的Y基團代表C(R1)2，或其中兩個Y基團代表NR1，或其中兩個Y基團代表O的式(3)至(29)之基團。在式(21)至(24)之基團中，較佳為一個Y基團代表NR1且其他的Y基團代表C(R1)2。
在本發明更佳的實施態樣中，在式(3)至(29)中至少一個Y基團於每次出現係相同或不同地代表C(R1)2或NR1。
此外，較佳地，在該等基團中與氮原子直接鍵結之取代基R1代表具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其亦可經一或多個R2基取代。在特別佳的實施態樣中，此取代基R1於每次出現係相同或不同地代表具有6至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其不含有縮合芳基且其不含有其中二或多個芳族或雜芳族6-員環基團彼此直接縮合之縮合雜芳基，且其亦可在各情況中經一或多個R2基取代。
若Y代表C(R1)2，則R1較佳地於每次出現係相同或不同地代表具有1至10個C原子的直鏈烷基，或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，或具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其亦可經一或多個R2基取代。R1最特別佳地代表甲基或苯基。與相同的碳原子鍵結之兩個R1基團在此亦可彼此形成環，且因此形成螺(spiro)系統，其可經一或多個R2基取代。在本發明較佳的實施態樣中，兩個R1基團代表苯基，其係彼此連結且因此形成螺系統，且其可隨意地經一或多個R2基取代。因此，螺聯茀係從例如式(4)至(7)之結構形成。
此外，可較佳的是上述式(3)至(29)之基團與式(1)中的三或式(2)中的嘧啶不直接鍵結，反而經由橋連(bridging)基團V鍵結。此橋連基團V於是較佳地選自具有5至24個芳族環原子、特別具有6至12個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代。以例如鄰-、間-或對-伸苯基特別適合，每個該等基團可經一或多個R1基取代。
在式(1)及(2a)至(2d)中不代表式(3)至(29)中之一的基團之R基團較佳地代表具有6至24個芳族C原子的芳族環系統，其可經一或多個R1基取代。芳族環系統在此較佳地不含有其中超過兩個6-員環彼此直接縮合的芳基。芳族環系統特別佳地絕對不含有縮合芳基。
上述實施態樣可如所欲而彼此組合。上述的優先選擇較佳地同時發生。
較佳的式(1)或(2)化合物之實例為以下化合物。
具有隨意地經取代之苯并喹啉作為配位基的銥錯合物之較佳的實施態樣說明於下文。
銥錯合物較佳為下式(30)之化合物，Ir(L)m(L‘)o 式(30)其中Ir(L)m代表下式(31)之結構， 其中R具有上述意義，但是相鄰的R基不可以形成芳族 環系統，且另外：L‘ 於每次出現係相同或不同地為二牙單陰離子配位基(bidentate monoanionic ligand)；m 為1、2或3；o 為3-m。
在本發明較佳的實施態樣中，式M(L)m之單元係選自下式(31a)之結構， 其中所使用的符號及標號具有上述意義。
在本發明更佳的實施態樣中，m=2或3，且o對應為1或0。特別佳地，m=3及o=0。
在式(31)或(31a)之結構中，較佳的取代基R於每次出現係相同或不同地選自由下列者所組成之群組：H、D、F、CN、N(Ar)2、N(R1)2、C(=O)Ar，具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基，或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基，或具有2至10個C原子的烯基，每個該等基團可經一或多個R1基取代，其中一或多個不相鄰的CH2基團可經R1C=CR1或O替換，且其中一或多個H原子可經D或F替換，具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代，具有5至24個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基， 其可經一或多個取代R1基，或具有5至24個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R1基取代，其中二或多個相鄰的取代基R可隨意地形成單環或多環脂族環系統，其可經一或多個R1基取代。
在式(31)或(31a)之結構中，特別佳的取代基R於每次出現係相同或不同地選自由下列者所組成之群組：H、F、CN，具有1至6個C原子的直鏈烷基，或具有3至6個C原子的支鏈或環狀烷基，每個該等基團可經一或多個R1基取代，或具有5至14個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代，其中二或多個相鄰的取代基R可隨意地形成單環或多環脂族環系統，其可經一或多個R1基取代。
在此較佳的是在配位基L中最多三個取代基R、特別佳為最多兩個取代基R、最特別佳為最多一個取代基R不為氫。尤其佳地，所有的取代基R皆代表H。
如上述所定義，配位基L'為二牙單陰離子配位基。較佳的配位基L'係選自：自1,3-二酮(諸如乙醯丙酮、苄醯丙酮、1,5-二苯基乙醯丙酮、二苄醯基甲烷、雙(1,1,1-三氟乙醯基)甲烷、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二銅)衍生之1,3-二酮酸根(1,3-diketonate)、自3-酮基酯(諸如乙醯乙酸乙酯)衍生之3-酮酸根、自胺基羧酸(諸如吡啶-2-羧酸、喹啉-2-羧酸、甘胺酸、N,N-二甲基甘胺酸、丙胺酸、N,N-二甲胺基丙胺酸)衍生之羧酸根、及自水楊醯亞胺(諸如甲基水楊醯亞胺、乙基水楊醯亞胺、苯基水楊醯亞胺)衍生之水楊 醯基亞胺酸根(salicyliminate)。
此外，優先選擇為與金屬形成具有至少一個金屬-碳鍵之環金屬化5-員環或6-員環、特別為環金屬化5-員環之二牙單陰離子配位基L'。該等特別為通常在有機電發光裝置的磷光金屬錯合物之領域中所使用的配位基，亦即苯基吡啶、萘基吡啶、苯基喹啉、苯基異喹啉等等類型之配位基，其各者可經一或多個R基取代。此等配位基的多重性為熟習磷光電發光裝置之領域者已知，且他毋需創造步驟便能選擇更多此類型的配位基作為式(30)化合物的配位基L’。兩個以下式(32)至(59)所示的基團之組合通常特別適合於此目的，其中一個基團係經由中性氮原子或碳烯碳原子鍵結及另一基團係經由帶負電荷之碳原子或帶負電荷之氮原子鍵結。配位基L’於是可從式(32)至(59)之基團藉由該等基團在各情況中於以#表示之位置彼此鍵結而形成。基團與金屬配位之位置以*表示。
在此所使用的符號具有與上述相同的意義，且較佳的是在各基團中最多三個符號X代表N、特別佳是在各基團中最多兩個符號X代表N、最特別佳是在各基團中最多一個符號X代表N。尤其佳地，所有的符號X皆代表CR。
在上述式(32)至(59)之結構中，作為取代基存在於X上之較佳的R基與上述作為在配位基L上之較佳的R基為相同的取代基。
式(30)之錯合物可為面形(facial)或擬面形(pseudofacial)，或該等可為經向(meridional)或擬經向 (pseudomeridional)。
上述實施態樣可如所欲而彼此組合。上述的優先選擇較佳地同時發生。
適合的式Ir(L)m(L‘)o之銥錯合物係示於以下表中。
上述較佳的實施態樣可如所欲而彼此組合。在本發明特別佳的實施態樣中，上述較佳的實施態樣同時適用。尤其是，較佳的有機電發光裝置因此包含上述較佳的式(1)或(2)之三或嘧啶衍生物中或者更佳的三或嘧啶衍生物之至少一者，及上述較佳的式(30)之銥錯合物或者更佳的銥錯合物中之至少一者。
根據本發明的有機電發光裝置包括以包含發光體與基質材料之整體混合物為基準計之介於1與99體積%之間、較佳為介於2與90體積%之間、特別佳為介於3與40體積%之間、特別為介於5與15體積%之間的銥錯合物。混合物相應地包括以包含發光體與基質材料之整體混合物為基準計之介於99與1體積%之間、較佳為介於98與10體積%之間、特別佳為介於97與60體積%之間，特別為介於95與85體積%之間的三或嘧啶衍生物。
根據本發明的有機電發光裝置較佳地包括陽極、陰極及至少一個發光層。除了該等層以外，該裝置亦可包含另外的層，例如在各情況中的一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層及/或電荷產生層。具有例如激子阻擋功 能的中間層同樣地可引入兩個發光層之間。然而，應指出各該等層中未必都存在。
有機電發光裝置在此可包括一個發光層或其可包括複數個發光層。若有複數個發光層存在，則該等層較佳地總計具有複數個介於380奈米與750奈米之間的發光最大值，導致整體為白色發光，亦即將能夠發螢光或磷光的各種發光化合物用於發光層中。較佳的實施態樣為兩層系統，其中該兩層顯出藍色和黃色發光。特別以此類型的系統較佳，因為依照本發明的發光層在黃色發光的例子中顯出特別好的性質。兩層系統特別有利於照明應用。然而，白色發光電發光裝置亦可用作為顯示器之背光，或與有色濾鏡作為顯示器。更佳的實施態樣為三層系統，其中三層顯出藍色、黃色和紅色發光。
在本發明較佳的實施態樣中，除了三或嘧啶衍生物以外，有機電發光裝置包括至少一種另外的基質材料。通常，就此目的，可使用依照先前技術已知為三重態(triplet)基質材料的所有材料。基質材料的三重態能級較佳地可與發光體的三重態能級相比或更高。另外的基質材料在此可具有電子傳輸性質或電洞傳輸性質，或其可為具有大的能帶間隙之材料，其為實質的電惰性且不參與電荷傳輸或不以顯著程度參與，如例如在WO 2010/108579中所述。
可與三或嘧啶衍生物一起用於根據本發明的電發光裝置之適合的另外基質材料為酮、膦氧化物或亞碸和碸(例如，依照WO 2004/013080、WO 2004/093207、 WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如，在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中所揭示之CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)、m-CBP或咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如，依照WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如，依照WO 2010/136109或WO 2011/000455)、氮雜咔唑(例如，依照EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如，依照WO 2007/137725)、矽烷(例如，依照WO 2005/111172)、氮雜硼雜環戊烯(azaborole)或硼酸酯(例如，依照WO 2006/117052)、二氮雜矽雜環戊烯(diazasilole)衍生物(例如，依照WO 2010/054729)、二氮雜磷雜環戊烯(diazaphosphole)衍生物(例如，依照WO 2010/054730)、三衍生物(例如，依照WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如，依照EP 652273或WO 2009/062578)、二苯并呋喃衍生物(例如，依照WO 2009/148015)、橋連咔唑衍生物(例如，依照US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877)或內醯胺(例如，依照WO 2011/116865、WO 2011/137951、WO 2013/064206或未公開之申請案EP 12007040.4)。在較短波長下發光的另外的三重態發光體(例如，綠色-或藍色-發光銥或鉑錯合物)亦可作為與三或嘧啶衍生物一起用於有機電發光裝置中的 另外基質材料。這適合作為具有苯并喹啉配位基之銥錯合物的共基質。
此外，除了含有苯并喹啉配位基之銥錯合物以外，亦較佳的是根據本發明的有機電發光裝置包含在較長波長下發光的另外的三重態發光體。含有苯并喹啉配位基之銥錯合物在此作為具有較長波長的發光光譜之三重態發光體的共基質(co-matrix)。
在本發明進一步的實施態樣中，根據本發明的有機電發光裝置不包含單獨的電洞注入層及/或電洞傳輸層及/或電洞阻擋層及/或電子傳輸層，亦即發光層直接與電洞注入層或陽極相鄰，及/或發光層直接與電子傳輸層或電子注入層或陰極相鄰，如例如在WO 2005/053051中所述。
陰極較佳地包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含各種金屬(諸如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等等))的多層結構。亦適合的是包含鹼金屬或鹼土金屬與銀之合金，例如包含鎂與銀之合金。在多層結構的例子中，除了該等金屬以外，亦可使用具有相對高功函數的另外的金屬，諸如Ag，在該例子中通常使用金屬之組合，諸如Ca/Ag或Ba/Ag。可亦較佳的是在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合此目的的是例如鹼金屬或鹼土金屬氟化物，但亦為對應之氧化物或碳酸鹽(例如，LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等等)。此層的層厚度較佳為介於0.5與5奈米之間。
陽極較佳地包含具有高功函數之材料。陽極較佳地具有相對真空為大於4.5eV之功函數。一方面，適合於此目的的是為具有高氧化還原電位之金屬，諸如Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如，Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)可亦較佳。對某些應用而言，電極中之至少一者必須為透明的或部分透明的，以促進有機材料(O-SC)之照射或光之耦合輸出(OLED/PLED、O-雷射)。較佳的結構係使用透明陽極。較佳的陽極材料在此為導電性混合型金屬氧化物。特別優先選擇為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外，優先選擇為導電性摻雜型有機材料，特別為導電性摻雜型聚合物。
依照先前技術通常所使用的所有材料皆可用於根據本發明的有機電發光裝置之另外的層中，特別為於電洞注入層及電洞傳輸層中，及電子注入層及電子傳輸層中。熟習本技術領域者因此毋需創造步驟便能使用已知用於有機電發光裝置的所有材料與根據本發明的發光層組合。
將裝置對應地結構化(取決於應用而定)，使其具備有接點及最終密封，因為此等裝置的壽命在水及/或空氣的存在下大幅縮短。
此外，優先選擇為有機電發光裝置，其特徵在於一或多個層係利用昇華方法塗佈，其中將材料在真空昇華單元中以低於10-5毫巴(mbar)、較佳為低於10-6毫巴之初壓力蒸氣沈積。然而，初壓力亦可能甚至更低，例如低於10-7毫巴。
同樣地優先選擇為有機電發光裝置，其特徵在於一或多個層係利用OVPD(有機氣相沉積)方法或輔以載體-氣體昇華法(carrier-gas sublimation)塗佈，其中材料係在介於10-5毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴射印刷)方法，其中材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M.S.Arnold等人之Appl.Phys.Lett.2008,92,053301)。
此外，優先選擇為有機電發光裝置，其特徵在於一或多個層係從溶液製得，諸如藉由旋轉塗佈法，或利用任何所欲印刷方法，諸如網版印刷、快乾印刷、平版印刷、LITI(光誘致熱成像、熱轉移印刷)、噴墨印刷或噴嘴印刷。可溶性化合物為此目的所必要的，其係經由例如適合的取代而獲得。該等方法亦特別適合於寡聚物、樹枝狀聚合物和聚合物。
亦可為混合方法，其中例如一或多個層係從溶液施加及一或多個另外的層係藉由蒸氣沉積而施加。
該等方法通常為熟習本技術領域者已知，且其可毋需創造步驟便能施加於包含根據本發明的化合物之有機電發光裝置。
此外，本發明因此關於製造根據本發明的有機電發光裝置之方法，其特徵在於至少一層係利用昇華方法施加，及/或至少一層係利用OVPD(有機氣相沉積)方法或輔以載體-氣體昇華法施加，及/或至少一層係藉由旋轉塗佈或利用印刷方法而從溶液施加。
此外，本發明再關於包含至少一種含有至少一個隨意地經取代之苯并喹啉配位基的銥錯合物與至少一種具有至少350公克/莫耳、較佳為至少400公克/莫耳之分子量的三或嘧啶衍生物之混合物。與上述有機電發光裝置所示之相同的優先選擇在此適用於根據本發明的混合物之組份。
根據本發明的混合物之調配物為從液相加工根據本發明的混合物所必要的。該等調配物可為例如溶液、分散液或乳液。可較佳的是使用二或多種就此目的之溶劑的混合物。適合且較佳的溶劑為例如甲苯，茴香醚，鄰-、間-或對-二甲苯，苯甲酸甲酯，(mesitylene)，四氫萘，藜蘆素(veratrol)，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二烷，苯氧基甲苯(特別為3-苯氧基甲苯)，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯啶酮，3-甲基茴香醚，4-甲基茴香醚，3,4-二甲基茴香醚，3,5-二甲基茴香醚，乙醯苯，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，異丙苯，環己醇，環己酮，環己基苯，十氫萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，二氫茚，苯甲酸甲酯，NMP，對-異丙甲苯，苯***，1,4-二異丙基苯，二苄基醚，二乙二醇丁基甲醚，三乙二醇丁基甲醚，二乙二醇二丁醚，三乙二醇二甲醚，二乙二醇單丁醚，三丙二醇二甲醚，四乙二醇二甲醚，2-異丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或該等溶劑之混合物。其中可製備此等溶液之方式為 熟習本技術領域者已知且說明於例如WO 2002/072714、WO 2003/019694及其中引述之文獻。
此外，本發明因此關於包括根據本發明的混合物及至少一種溶劑、特別為上述溶劑中之一或該等溶劑之混合物的調配物。
根據本發明的有機電發光裝置係以驚人的長且極佳的壽命而與先前技術區別。此優點不伴隨發生對其他電子性質的損害。根據本發明的有機電發光裝置因此不僅非常適合於黃色發光裝置，並亦適合於，尤其是，白色發光裝置。
本發明係由以下的實施例更詳細解釋，但不想因此受其限制。熟習本技術領域者能夠使用發明內容進行在整個揭示範圍內的本發明且毋需創造步驟而製造更多根據本發明的有機電發光裝置。
實施例： 具有苯并喹啉配位基之銥錯合物的合成
以下的合成法係在保護性氣體氛圍下於無水溶劑中進行，除非另有其他指示。金屬錯合物另外以避光或在黃色光下處置。溶劑及試劑可購自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。在方括號中的各個號碼或為個別化合物標示之號碼係與從文獻已知的化合物之CAS號碼有關。
實施例1：fac-參(苯并[h]喹啉-10-基-κC,κN)銥[337526-98-4]
將50公克(103毫莫耳)之[雙乙醯基丙酮根二氯(bisacetylacetonatodichloro)]銥(III)酸鈉[770720-50-8]及148公克(825毫莫耳)之苯并(h)喹啉[230-27-3]懸浮在600毫升1,2-丙二醇中且在回流下加熱4天，在此期間沉澱出橘色固體。接著將混合物冷卻且添加2公升乙醇和400毫升1N氫氯酸。將固體以抽氣濾出，每次以1：1之1N HCl與乙醇的500毫升混合物清洗5次及每次以1：1之乙醇/水的500毫升混合物清洗5次。將產物乾燥且在Soxhlet裝置中以氯苯萃取3天。接著將產物在320℃下在高真空中(p為約10-5毫巴)進行分昇華(fractional sublimation)，得到為橘色固體的32公克(44毫莫耳)，43%之產物。根據HPLC之純度：>99.5%。
以下的化合物可以類似的方式製得：
實施例6：fac-雙(苯并[h]喹啉-10-基-κC,κN)(2-(3-第三丁基苯-1-基吡啶-κC,κN)銥
類似於實施例1之製法，使用64.8公克(100毫莫耳) 之雙(苯并[h]喹啉-10-基-κC,κN)(2,4-戊二酮根(pentanedionato)-κO2,κO4)銥[337526-87-1]代替[雙乙醯基丙酮根二氯]銥(III)酸鈉及使用23.3公克(110毫莫耳)之2-[4-(1,1-二甲基乙基)苯基吡啶[524713-66-4]代替苯并(h)喹啉。將已在Soxhlet裝置中萃取之粗產物以層析術(矽膠，二氯甲烷)純化且在300℃下在高真空中(p為約10-5毫巴)進行分昇華，得到為橘色固體的28.8公克(38毫莫耳)，38%之產物。根據HPLC之純度：>99.5%。
以下的化合物可以類似的方式製得：
OLED之製造
將各種OLED之數據呈示於以下實施例中(參見表1 和2)。
已塗佈上50奈米厚度之結構化ITO(氧化銦錫)的玻璃板構成用於OLED之基板。將基板濕式清潔(洗碗機，Merck Extran之清潔劑)，接著藉由在250℃下加熱15分鐘而乾燥，且在塗佈之前以氧電漿處理。
OLED原則上具有以下的層結構：基板/電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/隨意的電子注入層(EIL)及最後的陰極。陰極係由100奈米厚度之鋁層所形成。OLED之精確結構顯示於表1中。用於製造OLED之所需材料顯示於表3中。
所有的材料係在真空室中以熱蒸氣沉積法施加。發光層在此總是由一或兩種基質材料及作為摻雜劑的發光材料所組成。基質材料係以特定的體積比例藉共同蒸發而與其摻混。諸如H1：YD1(95%：5%)之表述在此意指材料H1係以95%之體積比例存在於層中及YD1係以5%之比例存在於層中。其他的層亦可類似地由材料之混合物所組成。
OLED係以標準方法定性。就此目的而言，測定為發光密度之函數的電發光光譜，電流效率(以cd/A測量)、功率效率(以lm/W測量)和外部量子效率(EQE，以%測量)，從電流/電壓/發光密度特徵線(IUL特徵線)所計算假定Lambert發射特徵，以及壽命。電發光光譜係在1000 cd/平方公尺之發光密度下測定，且由此計算CIE 1931 x和y色座標。在表2中表述的U1000代表1000 cd/平方公尺之 發光密度所需之電壓。CE1000及PE1000分別代表在1000 cd/平方公尺下達成的電流及功率效率。最後，EQE1000代表在1000 cd/平方公尺之操作發光密度下的外部量子效率。
壽命LT係定義為發光密度在以恆定的電流操作時從1000 cd/平方公尺之初發光密度下降至500 cd/平方公尺所經歷的時間。實際的測量在此係在保持於50毫安培/平方公分之恆定電流下及因此在初發光密度S取決於OLED而給定下(通常較高)進行。接著測定發光係下降至S的一半所經歷的時間T。接著經由以下公式加速度指數為1.6獲得在1000 cd/平方公尺之初發光密度所示之LT，其相當於經由加速測量來測定OLED之壽命的標準做法。
LT=T *(S/1000 cd/平方公尺)^ 1.6
將各種OLED的數據總結於表2中。以V代表的實施例為依照先前技術的比較例，而以E代表的實施例顯示根據本發明的OLED之數據。
在下文更詳細解釋一些實施例，以便例證根據本發明的化合物之優點。然而，應指出此僅代表選出在表2中所示之數據。
實施例E1至E11顯示其中發光體YD1係依照本發明於各情況中與一種基質材料H1至H9或ST2混合的OLED。所有的OLED皆展現以下極佳的發光特徵：具有黃色、介於70與100lm/W之間的功率效率、典型地>20%之EQE及特別地在1000 cd/平方公尺之初發光下為於 200,000至350,000小時之範圍內的極佳的操作壽命。
比較例V1至V3使用相同的發光體YD1，但是在此例子中不依照本發明與基質材料CH2、SK或CBP混合。性能數據，與根據本發明的實施例E1-E11比較，顯示明顯下降。
比較例V4至V8類似地顯示在H1或H2及CH2、SK與CBP之間的比較，在此例子中為與不依照本發明的發光體Irppy之混合物。除了發光數據(特別為具有最大66,000小時之操作壽命)比與YD1者明顯更低的等級之事實以外，另一方面H1或H2一方面與CH2、SK及CBP的比較顯示H1或H2(分別參見V4或V5)與其他的基質材料(參見V6至V8)比較的優點，不如在YD1之例子中一樣大(E1、E2相對於V1至V3)。此明確地例證本發明的優點尤其係在於發光體YD1與基質材料H1至H8中之一的組合，並不可以僅以加入發光體或基質材料本身而論的性能優點予以解釋。
根據本發明的更多實施例顯示本發明更多可能的實施態樣。
E12和E13亦包含除了發光體與根據本發明的主體材料之混合物以外的第二主體材料，亦即包含具有混合型基質的組份。該等同樣地展現極佳的發光數據。例如，E13之操作壽命為所有實施例過程中所獲得的最長者。
在E14中，除了根據本發明的YD1與H1之混合物以外，發光層亦包含額外的紅色發光體RD1。在此例子中， OLED同時發射黃色光及紅色光。此類型的發光層可與例如另外的藍色發光層一起為非常引人注目的白色OLED之建構。亦在基質與兩種發光體之混合物的此例子中獲得非常好的發光數據。
發光體YD1總被用於根據本發明的前述實施例E1至E14中，而實施例E15至E22現則顯示使用依照上述合成實施例的替代發光體與H1或H3混合之OLED。YD2在此相當於來自合成實施例2之錯合物，YD3相當於來自合成實施例3之錯合物，等等。

Claims (15)

  1. 一種有機電發光裝置，其包括含有至少一個隨意地經取代之苯并喹啉配位基的銥錯合物與具有至少350公克/莫耳之分子量的三或嘧啶衍生物之混合物於發光層中。
  2. 根據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該三衍生物為式(1)化合物且該嘧啶衍生物為式(2)化合物， 其中下列者係用於所使用的符號：R 於每次出現係相同或不同地選自由下列者所組成之群組：H、D、F、CN、N(Ar)2、N(R1)2、C(=O)Ar、C(=O)R1、P(=O)(Ar)2，具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基，或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基，或具有2至40個C原子的烯基或炔基，每個該等基團可經一或多個R1基取代，其中一或多個不相鄰的CH2基團可經R1C=CR1、C≡C、Si(R1)2、C=O、C=S、C=NR1、P(=O)(R1)、SO、SO2、NR1、O、S或CONR1替換，及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2替換，具有5至80個、較 佳為5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代，具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或多個R1基取代，或具有5至60個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基，其可經一或多個R1基取代，其中二或多個相鄰的取代基R可隨意地形成單環或多環脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R1基取代；先決條件為至少一個R基團代表依照上述定義之芳族或雜芳族環系統；R1 於每次出現係相同或不同地選自由下列者所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2、N(Ar)2、N(R2)2、C(=O)Ar、C(=O)R2、P(=O)(Ar)2，具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基，或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基，或具有2至40個C原子的烯基或炔基，每個該等基團可經一或多個R2基取代，其中一或多個不相鄰的CH2基團可經R2C=CR2、C≡C、Si(R2)2、C=O、C=S、C=NR2、P(=O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2替換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2替換，具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R2基取代，具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或多 個R2基取代，或具有5至60個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基，其中二或多個相鄰的取代基R1可隨意地形成單環或多環脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代；Ar 於每次出現係相同或不同地為具有5-30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個非芳族R2基取代；在此與相同的N原子或P原子鍵結的兩個Ar基亦可藉單鍵或選自N(R2)、C(R2)2、O或S之橋彼此橋連；R2 係選自由下列者所組成之群組：H、D、F、CN，具有1至20個C原子的脂族烴基，具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I或CN替換，其中二或多個相鄰的取代基R2可彼此形成單-或多環脂族、芳族或雜芳族環系統。
  3. 根據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該三衍生物係選自式(1)化合物且該嘧啶衍生物係選自式(2a)至(2d)化合物， 其中R係相同或不同地代表具有5至80個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基 取代，且R1具有如申請專利範圍第2項中所述之意義。
  4. 根據申請專利範圍第2項之有機電發光裝置，其中該芳族或雜芳族環系統含有5至30個芳族環原子，且可經一或多個R1基取代，其中該等係較佳地不含其中超過兩個芳族六員環彼此直接縮合之縮合芳基或雜芳基。
  5. 根據申請專利範圍第2項之有機電發光裝置，其中該取代基R係選自由下列者所組成之群組：苯，鄰-、間-或對-聯苯，鄰-、間-、對-或支鏈聯三苯，鄰-、間-、對-或支鏈聯四苯(quaterphenyl)，1-、2-、3-或4-茀基，1-、2-、3-或4-螺聯茀基，1-或2-萘基，吡咯，呋喃，噻吩，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，1-、2-或3-咔唑，1-、2-或3-二苯并呋喃，1-、2-或3-二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑(indolocarbazole)，2-、3-或4-吡啶，2-、4-或5-嘧啶，吡，嗒，三，菲，聯伸三苯或該等基團中之二或三者的組合，每個該等基團可經一或多個R1基取代，及/或其中至少一個R基團係選自式(3)至(29)之結構， 其中R1和R2具有如申請專利範圍第2項中所述之意義，虛線鍵代表至式(1)中的三單元或至式(2)中的嘧啶單元之鍵，且另外： X 於每次出現係相同或不同地為CR1或N，其中較佳地每一環最多2個符號X代表N；Y 於每次出現係相同或不同地為C(R1)2、NR1、O、S或BR1；n 為0或1，其中n等於0意指沒有Y基團於此位置上鍵結，反而R1基與對應之碳原子鍵結。
  6. 根據申請專利範圍第5項之有機電發光裝置，其中一個Y基團代表NR1且其他的Y基團代表C(R1)2，或兩個Y基團代表NR1，或兩個Y基團代表O。
  7. 根據申請專利範圍第5項之有機電發光裝置，其中至少一個Y基團代表NR1，及與氮原子鍵結之取代基R1代表具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代，及/或其中至少一個Y基團代表C(R1)2，及與碳原子鍵結之取代基R1於每次出現代表具有1至10個C原子的直鏈烷基，或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，或具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，該等亦可經一或多個R2基取代，其中與相同的碳原子鍵結之兩個R1基團亦可彼此形成環，且因此形成螺(spiro)系統，其可經一或多個R2基取代。
  8. 根據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該含有至少一個隨意地經取代之苯并喹啉配位基的銥錯合物為式(30)化合物，Ir(L)m(L‘)o 式(30) 其中Ir(L)m代表下式(31)之結構， 其中R具有如申請專利範圍第2項中所述之意義，但是相鄰的R基不可以形成芳族環系統，且另外：L‘ 於每次出現係相同或不同地為二牙單陰離子配位基；m 為1、2或3；o 為3-m。
  9. 根據申請專利範圍第8項之有機電發光裝置，其中該式M(L)m之單元係選自式(31a)之結構， 其中所使用的符號及標號具有如申請專利範圍第8項中所述之意義。
  10. 根據申請專利範圍第8項之有機電發光裝置，其中R於每次出現係相同或不同地選自由下列者所組成之群組：H、F、CN，具有1至6個C原子的直鏈烷基，或具有3至6個C原子的支鏈或環狀烷基，每個該等基團可經 一或多個R1基取代，或具有5至14個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況中可經一或多個R1基取代，其中二或多個相鄰的取代基R可隨意地形成單環或多環脂族環系統，其可經一或多個R1基取代，其中在配位基L中最多三個取代基R不為氫。
  11. 根據申請專利範圍第8項之有機電發光裝置，其中L'係選自自1,3-二酮衍生之1,3-二酮酸根(1,3-diketonate)、自3-酮基酯衍生之3-酮酸根、自胺基羧酸衍生之羧酸根、自水楊醯亞胺衍生之水楊醯基亞胺酸根(salicyliminate)、或與金屬形成具有至少一個金屬-碳鍵之環金屬化五員環或六員環的二牙單陰離子配位基。
  12. 根據申請專利範圍第1至11項中之一項的有機電發光裝置，其中該裝置包含複數個發光層，整體產生白色發光。
  13. 一種製造根據申請專利範圍第1至12項中之一或多項的有機電發光裝置之方法，其特徵在於至少一層係利用昇華方法施加，及/或至少一層係利用有機氣相沉積方法或輔以載體-氣體昇華法(carrier-gas sublimation)施加，及/或至少一層係從溶液、藉由旋轉塗佈或利用印刷方法施加。
  14. 一種混合物，其包含至少一種含有至少一個隨意地經取代之苯并喹啉配位基的銥錯合物，與至少一種具有至少350公克/莫耳之分子量的三或嘧啶衍生物。
  15. 一種調配物，其包含至少一種根據申請專利範圍 第14項之混合物及至少一種有機溶劑。
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