TW201503980A - 雷射照射設備 - Google Patents

Abstract

提供一種雷射照射設備。該雷射照射設備包含被配置以產生雷射光之雷射光產生器；被配置以選擇性地傳送雷射光之狹縫單元；被配置以改變選擇性傳送的雷射光之路徑以照射選擇性傳送的雷射光至處理標的上之鏡單元；第一光學系統，其中第一部分選擇性傳送的雷射光穿透鏡單元且被投射至第一光學系統；以及一第二光學系統，其中第二部分選擇性傳送的雷射光穿透鏡單元且被投射至第二光學系統。

Description

雷射照射設備 【0001】

本揭露係關於一種雷射照射設備。

【0002】

薄膜電晶體廣泛使用於液晶顯示器(LCD)及有機發光二極體(OLED)顯示器的開關裝置。

【0003】

薄膜電晶體通常包含由半導體材料形成的通道。半導體材料可包含矽。矽取決於其結晶狀態可一般分為非晶矽及結晶矽。非晶矽及結晶矽的特性簡述如下。

【0004】

非晶矽的優點係為可在相對低溫下沉積作為薄膜。然而，非晶矽不具規則的原子排列且其粒徑無法增加。結果，非晶矽具相對差的電性。

【0005】

不同於非晶矽，結晶矽的粒徑可增加，促使其電性可改善。因此，結晶矽的電性相較於非晶矽可改善。例如，結晶矽的電流相較於非晶矽可改善超過100倍。

【0006】

如同上述，薄膜電晶體一般包含由半導體材料形成的通道。熱處理可施行於半導體材料，以改善半導體材料之電性及物性。例如，包含非晶矽之半導體材料可使用熱處理結晶成多晶矽。

【0007】

LCD或OLED顯示裝置通常包含一絕緣基板。該絕緣基板可由具有低熔點(如玻璃)的材料形成。在製造顯示裝置時，非晶矽薄膜設置於絕緣基板上，非晶矽薄膜接著改變成結晶矽薄膜，例如使用熱處理。

【0008】

熱處理可包含指引高能雷射光(如激元雷射)向非晶矽薄膜。雷射光可由光源產生。雷射光可穿透狹縫單元。可由鏡單元反射通過狹縫單元之雷射光之一部分。所反射之雷射光可照射至其中設置非晶矽薄膜之基板部分。

【0009】

在一些實例中，偵測雷射光的分析工具可被提供。特別是，分析工具可監測雷射光照射至基板的狀態。常規分析工具可在雷射照射過程完成後或雷射照射過程期間間歇性地測定雷射光之狀態。

【0010】

然而，常規分析工具一般無法即時測定及分析雷射光狀態。結果，常規分析工具可能無法在製程缺陷或偏離發生時準確地測定確切點。

【0011】

本揭露係針對解決雷射照射設備中即時監測雷射光狀態相關之至少上述問題。

【0012】

根據本發明概念的一些實施例，提供一種雷射照射設備。雷射照射設備包含配置以產生雷射光之雷射光產生器；被配置以選擇性地傳送雷射光之狹縫單元；被配置以改變選擇性傳送的雷射光的路徑以照射選擇性傳送的雷射光至處理標的上之鏡單元；第一光學系統，其中第一部分選擇性傳送的雷射光穿透鏡單元且被投射至第一光學系統；以及第二光學系統，其中第二部分選擇性傳送的雷射光穿透鏡單元且被投射至第二光學系統。

【0013】

在一些實施例中，第一光學系統可具有第一焦距且第二光學系統具有第二焦距。

【0014】

在一些實施例中，第一焦距可配置使位在狹縫單元的選擇性傳送的雷射光被投射至第一光學系統，且其中第二焦距可配置使被照射至處理標的上且從處理標的上反射之選擇性傳送的雷射光投射至第二光學系統。

【0015】

在一些實施例中，雷射照射設備可進一步包含連結於第一光學系統之第一監測單元，其中第一監測單元被配置以取得第一部分選擇性傳送的雷射光圖像；以及連結於第二光學系統之第二監測單元，其中第二監測單元被配置以取得第二部分選擇性傳送的雷射光圖像。

【0016】

在一些實施例中，每一第一光學系統及第二光學系統可包含選自包括凹透鏡、凸透鏡及柱狀透鏡之群組之至少一透鏡。

【0017】

在一些實施例中，至少一透鏡可由熔融矽石形成。

【0018】

在一些實施例中，雷射照射設備可進一步包含被設置在第一光學系統之前側之第一聚焦控制器，其中第一聚焦控制器被配置以控制第一光學系統中的雷射光焦距；被設置在第二光學系統之前側之第二聚焦控制器，其中第二聚焦控制器被配置以控制第二光學系統的雷射光焦距；及被設置在分束器之前側之第三聚焦控制器，其中第三聚焦控制器被配置以控制分束器的雷射光之焦距。

【0019】

在一些實施例中，每一第一聚焦控制器、第二聚焦控制器及第三聚焦控制器可包含複數個透鏡。

【0020】

在一些實施例中，雷射照射設備可進一步包含分束器配置以分散穿透鏡單元之第一及第二部分選擇性傳送的雷射光，使得第一部份被投射至第一光學系統且第二部份被投射至第二光學系統。

【0021】

在一些實施例中，雷射照射設備可進一步包含一分析單元配置以分析分別投射至第一及第二光學系統之第一及第二部份選擇性傳送的雷射光圖像。

【0022】

在一些實施例中，雷射照射設備可進一步包含控制器配置以基於被分析單元分析的圖像而控制雷射光產生器。

【0023】

根據本發明概念的一些其他實施例，提供一種用於監測雷射照射設備的雷射光之方法，其中雷射光由雷射光產生器產生。該方法包含選擇性傳送雷射光通過狹縫單元；使用鏡單元改變選擇性傳送的雷射光的路徑，以照射選擇性傳送的雷射光至處理標的上；投射穿透鏡單元之第一部份選擇性傳送的雷射光至第一光學系統；投射穿透鏡單元之第二部份選擇性傳送的雷射光至第二光學系統；及取得第一及第二部份選擇性傳送的雷射光圖像。

【0024】

在一些實施例中，該方法可進一步包含使用分束器分散穿透鏡單元之第一及第二部份選擇性傳送的雷射光，使第一部份被投射至第一光學系統及第二部份被投射至第二光學系統。

【0025】

在一些實施例中，取得第一及第二部份選擇性傳送的雷射光之圖像可包含使用第一監測單元取得被投射至第一光學系統之第一部份的選擇性傳送的雷射光圖像；及使用第二監測單元取得被投射至第二光學系統的第二部份選擇性傳送的雷射光圖像。

【0026】

在一些實施例中，第一光學系統可具有第一焦距且第二光學系統可具有第二焦距。在一些實施例中，第一焦距被配置使位在狹縫單元的選擇性傳送的雷射光被投射至第一光學系統，且其中第二焦距可被配置使被照射至處理標的上並從處理標的上反射之選擇性傳送的雷射光被投射至第二光學系統。

【0027】

在一些實施例中，第一部分選擇性傳送的雷射光圖像可包含位在狹縫單元的選擇性傳送的雷射光圖像，且第二部分選擇性傳送的雷射光圖像可包含被照射至處理標的上並從處理標的上反射之選擇性傳送的雷射光圖像。

【0028】

在一些實施例中，該方法可進一步包含分析第一及第二部份選擇性傳送的雷射光圖像。

【0029】

在一些實施例中，分析第一及第二部份選擇性傳送的雷射光圖像可包含對比第一及第二部份選擇性傳送的雷射光圖像。

【0030】

在一些實施例中，該方法可進一步包含基於對比第一及第二部份選擇性傳送的雷射光圖像之結果來控制雷射光產生器。

80‧‧‧基板

100‧‧‧雷射光產生器

200‧‧‧狹縫單元

300‧‧‧鏡單元

400‧‧‧分束器

410‧‧‧第三聚焦控制器

500‧‧‧第二光學系統

500c‧‧‧平凹透鏡

510‧‧‧第二監測單元

530‧‧‧第二聚焦控制器

600‧‧‧第一光學系統

500a 、600a、600b‧‧‧柱狀透鏡

600c‧‧‧負彎月形透鏡

600d‧‧‧對稱雙凸透鏡

500b、500d 、600e‧‧‧平凸透鏡

610‧‧‧第一監測單元

630‧‧‧第一聚焦控制器

700‧‧‧分析單元

800‧‧‧控制器

S100、S200、S300、S400、S500、S311、S312、S313、S321、S322、S323‧‧‧步驟

【0031】

第1圖係為根據本發明概念實施例之雷射照射設備之示意圖。

【0032】

第2圖係為根據例示性實施例描述穿透狹縫單元之雷射光之示意圖。

【0033】

第3圖係為根據例示性實施例描述使用第一光學系統及第二光學系統之雷射光之監測圖。

【0034】

第4圖係為描述第3圖之第一光學系統之示例配置之示意圖。

【0035】

第5圖係為描述第3圖之第二光學系統之示例配置之示意圖。

【0036】

第6圖係為根據發明概念之另一例示性實施例之雷射照射設備之示意圖。

【0037】

第7圖係為根據例示性實施例之監測雷射光之方法之流程圖。

【0038】

第8圖及第9圖係為進一步描述第7圖之步驟S300之詳細流程圖。

【0039】

本發明觀念將參考其中繪示本發明概念之例示性實施例之附圖於下文中作更完整的描述。所屬技術領域中具有通常知識者將理解，在不背離本發明概念之精神或範疇下可對實施例作各種修改。圖及描述意在用於本質說明性而不應詮釋為限制發明概念。在說明書中相同參考符號指相同要件。

【0040】

應注意圖中各配置之要素大小及厚度可為了進一步說明而被誇大。

【0041】

第1圖係為根據本發明概念之例示性實施例之雷射照射設備之示意圖。參照第1圖，雷射照射設備包含雷射光產生器100、狹縫單元200、鏡單元300及分束器400。雷射照射設備進一步包含第一光學系統600及第二光學系統500。

【0042】

雷射光產生器100產生雷射光。雷射光可用於結晶設置於基板80上之非晶矽薄膜(未顯示)。基板80可被稱為處理標的。雷射光之波長、波幅及能量密度可透過雷射光產生器100控制。因此，雷射光產生器100可被配置為產生具適當參數之雷射光以成功結晶非晶矽薄膜。

【0043】

此外，雷射光產生器100可動態地控制雷射光方向。在第1圖之例中，雷射光產生器100指引雷射光向狹縫單元200。然而，若雷射光方向因震動或其他外因改變，雷射光產生器100可移動雷射光回去其原來方向(向狹縫單元200)，如說明書之後所述。

【0044】

雷射光產生器100可包含所屬技術領域中具有普通技能者所知的雷射光產生器。例如，雷射光產生器100可包含激元雷射照射設備。

【0045】

如第2圖所示，狹縫單元200選擇性地傳送部分從雷射光產生器100發射的雷射光。例如，一開口可形成於狹縫單元200使部分雷射光選擇性地傳送。因此，傳送的雷射光寬度可由改變狹縫單元200的開口之大小來控制。

【0046】

參照第1圖，鏡單元300改變通過狹縫單元200之雷射光方向。特別是，該鏡單元300改變雷射光方向，以指引雷射光朝向處理標的(亦即，基板80)。

【0047】

在第1圖之實施例中，鏡單元300由改變雷射光反射角以控制雷射光方向。如第1圖所示，穿過狹縫單元200之雷射光由鏡單元300反射，且接著指引向基板80。

【0048】

在一些實施例中，鏡單元300可具有約99%的反射率(非所有雷射光都會反射)。因此，其他實施例中，雷射光衝射到鏡單元300上之部分可部分地穿透鏡單元300。參照第3圖，穿透鏡單元300之雷射光之部分包含：(1)穿過狹縫單元200之雷射光；以及(2)從基板80照射(及反射)回至鏡單元300之雷射光。

【0049】

雷射光的狀態可使用穿透鏡單元300之雷射光之部分來監測。例如，(1)雷射光穿透狹縫單元200之狀態，及/或(2)雷射光照射至基板80(及從基板80反射)之狀態可被監測，如同說明書之後描述。

【0050】

參照第3圖，穿透狹縫單元200之雷射光可投射至第一光學系統600。照射至基板80(及從基板80反射)回至鏡單元300之雷射光可被投射至第二光學系統500。前述的雷射光之投射可使用第3圖描述之設置完成。

【0051】

參照第3圖，位在狹縫單元200之雷射光被設置為相離第一光學系統600(例如，以第一距離)。同樣，照射至基板80(或從基板80反射)之雷射光被設置為相離第二光學系統500(例如，以第二距離)。

【0052】

在例示性實施例中，雷射光穿透狹縫單元200之狀態以及雷射光照射至基板80(及從基板80反射)之狀態可在被設置離開狹縫單元200及基板80的位置被即時觀察到。

【0053】

參照第1圖及第3圖，來自狹縫單元200之雷射光穿透鏡單元300，後來又被分束器400分散。被分散的雷射光(來自狹縫單元200)接著又被投射至第一光學系統600。第一光學系統600具有第一焦距，該第一焦距使分散的雷射光(從狹縫單元200)被投射至第一光學系統600。

【0054】

同樣，照射至基板80(或從基板80反射)之雷射光穿透鏡單元300且接著被分束器400分散。被分散的雷射光(從基板80)可投射至第二光學系統500。第二光學系統500具有第二焦距，該第二焦距使分散的雷射光(從基板80)被投射回第二光學系統500。

【0055】

來自狹縫單元200及基板80的雷射光可由控制第一焦距及第二焦距分別投射至第一光學系統600及第二光學系統500。

【0056】

第4圖係為描述第3圖之第一光學系統600之例示性設置之示意圖。

【0057】

參照第4圖，第一光學系統600可包含複數個透鏡。該複數個透鏡可包含凸透鏡、凹透鏡或柱狀透鏡。在一些實施例中，第一光學系統600可包含至少一個透鏡，該透鏡選自包括凸透鏡、凹透鏡及柱狀透鏡之群組。

【0058】

凸透鏡可包含對稱雙凸透鏡、非對稱雙凸透鏡、平凸透鏡或正彎月形透鏡。

【0059】

凹透鏡可包含對稱雙凹透鏡、非對稱雙凹透鏡、平凹透鏡或負彎月形透鏡。

【0060】

第一光學系統600可包含以上提及之透鏡之任何組合。例如，如第4圖所示，第一光學系統600可包含柱狀透鏡600a及600b、負彎月形透鏡600c、對稱雙凸透鏡600d及平凸透鏡600e。

【0061】

柱狀透鏡600a及600b、負彎月形透鏡600c、對稱雙凸透鏡600d及平凸透鏡600e可依順序地被安排在第一光學系統600中。且如同第4圖所示，在第一光學系統 600中的透鏡可具有不同半徑、厚度、焦距等。

【0062】

應注意在第一光學系統600之透鏡類型及順序不須被限制於第4圖所述之實施例。所屬領域中具有普通技術者將容易理解的是，其他實施例中不同類型之鏡頭可被安排為不同配置。

【0063】

第一光學系統600之鏡頭配置成第一光學系統600具一焦距(對應至第一焦距)以觀察位在狹縫單元200的雷射光。

【0064】

第一光學系統600之鏡頭可由熔融矽石形成。熔融矽石包含非晶矽，該非晶矽對熱衝擊具高阻抗性且適於傳送高溫雷射光。然而，透鏡材料並不限於熔融矽石。例如，可抵抗高溫的其他種類材料可用以形成光學透鏡。

【0065】

如同上述，在例示性實施例中，位在狹縫單元200的雷射光被投射至第一光學系統600。然而，在一些實施例中，除了位在狹縫單元200的雷射光，其他雷射光(由雷射照射設備產生)可被投射至第一光學系統600。

【0066】

第5圖係為描述第3圖之第二光學系統500之例示性設置之示意圖。

【0067】

參照第5圖，第二光學系統500可包含複數個透鏡。複數個透鏡可包含凸透鏡、凹透鏡或柱狀透鏡。在一些實施例中，第二光學系統500可包含選自包括凸透鏡、凹透鏡及柱狀透鏡之群組之至少一個透鏡。

【0068】

凸透鏡可包含對稱雙凸透鏡、非對稱雙凸透鏡、平凸透鏡或正彎月形透鏡。

【0069】

凹透鏡可包含對稱雙凹透鏡、非對稱雙凹透鏡、平凹透鏡或負彎月形透鏡。

【0070】

第二光學系統500可包含上述透鏡之任何組合。例如，如第5圖所示，第二光學系統500可包含柱狀透鏡500a、平凸透鏡500b及500d及平凹透鏡500c。

【0071】

柱狀透鏡500a、平凸透鏡500b、平凹透鏡500c及平凸透鏡500d在第二光學系統500中依順序排列。如第5圖所示，第二光學系統500中的透鏡可具有不同半徑、厚度、焦距等。

【0072】

應注意在第二光學系統500之透鏡類型及順序不須被限制於第5圖所描述之實施例。所屬領域中具有普通技術者將輕易理解的是，其他實施例中各種類型之透鏡可以不同配置排列。

【0073】

第二光學系統500之透鏡被設置成該第二光學系統500具一焦距(對應至第二焦距)以觀察被照射至基板80(及從基板80反射)之雷射光。

【0074】

第二光學系統500之透鏡可由熔融矽石形成。熔融矽石包含非晶矽，該非晶矽對熱衝擊具高阻抗性，且適於傳送高溫雷射光。然而，透鏡材料並不限於熔融矽石。例如，可抵抗高溫的其他種類材料可用以形成光學透鏡。

【0075】

第6圖係為根據本發明概念之另一例示性實施例之雷射照射設備之示意圖。

【0076】

第6圖之雷射照射設備包含第1圖及第3圖所描述之要件。參照第6圖，雷射照射設備進一步包含第一監測單元610、第二監測單元510、分析單元700、控制器800、第一聚焦控制器630、第二聚焦控制器530及第三聚焦控制器410。

【0077】

第一監測單元610被連結至第一光學系統600。第一監測單元610係配置以監測被投射至第一光學系統600之雷射光(來自狹縫單元200)。

【0078】

第一監測單元610可取得及儲存雷射光圖像。例如，第一監測單元610可取得投射至第一光學系統600的雷射光圖像。如先前所述，來自狹縫單元200的雷射光被投射至第一光學系統600。因此，第一監測單元610可取得位在狹縫單元200的雷射光圖像，即使第一監測單元610及第一光學系統600被設置為遠離狹縫單元200。

【0079】

第一監測單元610可即時取得投射至第一光學系統600的雷射光圖像。例如，第一監測單元610能在預定時間間隔取得雷射光圖像。時間間隔可相應地改變以控制第一監測單元610的觀察週期。

【0080】

第一監測單元610可包含所屬技術領域中普通技術者所知的照相機裝置。例如，第一監測單元610可包含電荷耦合裝置(CCD)相機。

【0081】

第二監測單元510被連結至第二光學系統500。該第二監測單元510係配置以監測被投射至第二光學系統500之雷射光(來自基板80)。

【0082】

第二監測單元510可取得及儲存雷射光圖像。例如，第二監測單元510可取得投射至第二光學系統500的雷射光圖像。如先前所述，被照射至基板80(及從基板80反射)的雷射光被投射至第二光學系統500。因此，即使在第二監測單元510及第二光學系統500被設置為遠離基板80，第二監測單元510仍可取得位在基板80的雷射光圖像。

【0083】

第二監測單元510可即時取得被投射至第二光學系統500的雷射光圖像。例如，第二監測單元510可在預定時間間隔取得雷射光圖像。時間間隔可相應地改變以控制第二監測單元510的觀察週期。

【0084】

第二監測單元510可包含所屬技術領域中具有普通技術者所知的照相機裝置。例如，第二監測單元510可包含電荷耦合裝置(CCD)相機。

【0085】

參照第6圖，分析單元700被連結至第一監測單元610及第二監測單元510。該分析單元700被配置以分析由第一監測單元610及第二監測單元510所取得的雷射光圖像，且基於圖像測定雷射光狀態。例如，分析單元700可配置以分析雷射光之波長、波幅、一致性及/或其他參數。另外，在一些實施例中，分析單元700可分析在第一光學系統600及第二光學系統500中的透鏡損壞程度。

【0086】

如同先前所述，由第一監測單元610取得的雷射光圖像包含在狹縫單元200的雷射光圖像。由第二監測單元510取得的雷射光圖像包含被照射至基板80(及從基板80反射)的雷射光圖像。因此，分析單元700可分析分別位在狹縫單元200及基板80的雷射光狀態。藉由分析雷射光狀態，分析單元700可即時測定自雷射光產生器100產生的雷射光是否有任何變化(如雷射光的方向變化)。

【0087】

在一些實施例中，分析單元700可分析及比較由第一監測單元610及第二監測單元510取得的雷射光圖像。因此，分析單元700可分析及比較位在狹縫單元200及基板80的雷射光狀態。例如，分析單元700可分析及比較每一雷射光的波長、波幅及/或一致性。藉由分析及比較雷射光的狀態，分析單元700可即時測定被照射至基板80的雷射光狀態是否改變。結果，分析單元700可測定被照射至基板80的雷射光是否與期望特性相符合。

【0088】

參照第6圖，控制器800被連結至分析單元700及雷射光產生器100。控制器800被配置以使用分析單元700的分析結果來控制雷射光產生器100。例如，若分析結果指出雷射光偏移，控制器800可控制雷射光產生器100去校正雷射光中的偏移。

【0089】

此外，控制器800可控制雷射光產生器100以調節雷射光的波長、波幅及/或其他參數。

【0090】

在一些實施例中，控制器800可產生一警示，該警示指出雷射光的狀態。例如，當異常的雷射光(亦即雷射光與期望特性不相符)被照射至基板80上時，控制器80可產生一警示警告雷射光的異常狀態。

【0091】

在一些進一步的實施例中，若分析單元700的分析結果指出雜質存在於雷射光產生器100中，控制器800可產生警示警告需要清理雷射光產生器100。

【0092】

控制器800進一步被配置以控制第一聚焦控制器630、第二聚焦控制器530及第三聚焦控制器410。特別是，控制器800可被配置為自動控制每一聚焦控制器630、530及410之焦距。

【0093】

第一聚焦控制器630被連結至第一光學系統600。如第6圖所示，第一聚焦控制器630可提供在第一光學系統600之前側。第一光學系統600之前側對應於雷射光被投射在第一光學系統600之側邊。

【0094】

第一聚焦控制器630包含複數個透鏡，第一聚焦控制器630中之該複數個透鏡可由能承受高溫雷射光的材料形成。例如，複數個透鏡可由熔融矽石形成。

【0095】

第一聚焦控制器630包含一焦距。第一聚焦控制器630之焦距可改變。第一聚焦控制器630之焦距可自動控制或手動控制。此處的「自動」指第一聚焦控制器630的焦距由控制器800控制，而「手動」指第一聚焦控制器630的焦距由操作員控制。第一聚焦控制器630的焦距可以類似於控制用於攝影相機的變焦鏡頭的焦距之方式來控制。

【0096】

在第6圖的實施例中，第一光學系統600的複數個透鏡的位置是固定的。結果，第6圖之第一光學系統600的焦距可能無法輕易改變。然而，第一聚焦控制器630的焦距為可改變的。因此，藉由連結第一聚焦控制器630至第一光學系統600之前側，第一光學系統600的焦距可輕易地修正。

【0097】

在一些實施例中，在雷射照射設備之另一位置的雷射光狀態可由使用第一聚焦控制器630控制第一光學系統600的焦距來測定。

【0098】

第二聚焦控制器530被連結至第二光學系統500。如第6圖所示，第二聚焦控制器530可提供在第二光學系統500之前側。第二光學系統500之前側對應於雷射光被投射在第二光學系統500之側邊上。

【0099】

第二聚焦控制器530可包含複數個透鏡。第二聚焦控制器530之複數個透鏡可由能承受高溫雷射光的材料形成。例如，複數個透鏡可由熔融矽石形成。

【0100】

第二聚焦控制器530包含一焦距。第二聚焦控制器530之焦距可改變。第二聚焦控制器530之焦距可自動控制或手動控制。此處的「自動」指第二聚焦控制器530的焦距由控制器800控制，而「手動」指第二聚焦控制器530的焦距由操作員控制。第二聚焦控制器530的焦距可以類似於控制用於攝影相機的變焦鏡頭的焦距之方式來控制。

【0101】

第三聚焦控制器410被連結至分束器400。如第6圖所示，第三聚焦控制器410可提供在分束器400之前側。分束器400之前側對應於鏡單元300的雷射光穿透分束器400處。

【0102】

第三聚焦控制器410可包含複數個透鏡。第三聚焦控制器410之複數個透鏡可由能承受高溫雷射光的材料形成。例如，複數個透鏡可由熔融矽石形成。

【0103】

第三聚焦控制器410包含一焦距。第三聚焦控制器410之焦距可改變。第三聚焦控制器410之焦距可自動控制或手動控制。此處的「自動」指第三聚焦控制器410的焦距由控制器800控制，而「手動」指第三聚焦控制器410的焦距由操作員控制。第三聚焦控制器410的焦距可以類似於控制用於攝影相機的變焦鏡頭的焦距之方式來控制。

【0104】

在第6圖的實施例中，第三聚焦控制器410的焦距可被控制，以使在不同位置的雷射光被投射至第一光學系統600及/或第二光學系統500。亦即，第三聚焦控制器410使不同位置的雷射光(狹縫單元200或基板80外)被投射至第一光學系統600及/或第二光學系統500。

【0105】

第7圖係為使用第6圖的雷射照射設備以監測雷射光之實施方法之流程圖。

【0106】

參照第1圖，如同先前所述，雷射光由雷射光產生器100產生且選擇性地傳送通過狹縫單元200。雷射光的路徑由鏡單元300改變，使雷射光被照射至處理標的上。處理標的如第1圖所示對應至基板80。被照射至處理標的上之部分雷射光被處理標的反射。

【0107】

在一些實施例中，鏡單元300可具有約99%的反射率(亦即，非所有雷射光都會反射)。因此，在那些實施例中，衝射到鏡單元300之部分雷射光可穿透鏡單元300 (步驟S100)。參照回第3圖，穿透鏡單元300之部分雷射光包含：(1)穿過狹縫單元200之雷射光；及(2)照射至基板80 (及自基板80反射)回鏡單元300之雷射光。

【0108】

其次，穿透鏡單元300之雷射光被分束器400分散。分束器400分散且投射雷射光至第一光學系統600及第二光學系統500(步驟S200)。特別是，狹縫單元200的雷射光被投射至第一光學系統600且被照射至處理標的上(且從處理標的上反射)之雷射光係投射至第二光學系統500。

【0109】

其次，取得被分別投射至第一光學系統600及第二光學系統500的雷射光圖像(步驟S300)。狹縫單元200的雷射光圖像接著與被照射至處理標的(及從處理標的反射)的雷射光圖像對比(步驟S400)。若圖像指出處理標的之雷射光狀態不同於狹縫單元200的雷射光狀態，則雷射光產生器100將相應地調節以校正雷射光狀態的變化(步驟S500)。

【0110】

第8圖及第9圖係為進一步描述第7圖的步驟S300之詳細流程圖。特別是，第8圖係為描述取得被投射至第一光學系統600之位在狹縫單元200的雷射光圖像；而第9圖係為描述取得被投射至第二光學系統500位在處理標的之雷射光圖像。

【0111】

參照第8圖，在穿透鏡單元300後，穿透狹縫單元200之雷射光被投射至第一光學系統600(步驟S311)。如同先前所述，第一光學系統600具有第一焦距使狹縫單元200的雷射光被投射至第一光學系統600。

【0112】

其次，被投射至第一光學系統600之雷射光圖像使用第一監測單元610取得(步驟S312)。取得的圖像對應至狹縫單元200的雷射光圖像。第一監測單元610可包含CCD相機。

【0113】

其次，由第一監測單元610取得的雷射光圖像使用分析單元700分析(步驟S313)。分析單元700可基於取得的圖像測定狹縫單元200的雷射光狀態。例如，分析單元700可測定位在狹縫單元200的雷射光的波長、波幅、一致性及/或其他參數。

【0114】

參照第9圖，被照射至處理標的上(及從處理標的上反射) 之雷射光在穿透鏡單元300後被投射至第二光學系統500(步驟S321)。如同先前所述，第二光學系統500具有第二焦距使被照射至處理標的(及從處理標的反射)之雷射光被投射至第二光學系統500。

【0115】

其次，使用第二監測單元510取得被投射至第二光學系統500的雷射光圖像(步驟S322)，取得的圖像對應至被照射至處理標的(及從處理標的反射)的雷射光圖像。第二監測單元510可包含CCD相機。

【0116】

其次，由第二監測單元510取得的雷射光圖像使用分析單元700分析(步驟S323)。分析單元700可基於取得的圖像測定被照射至處理標的(及從處理標的反射)的雷射光狀態。例如，分析單元700可測定位在處理標的的雷射光的波長、波幅、一致性及/或其他參數。

【0117】

參照回第7圖至第9圖，在取得被投射至第一光學系統600及第二光學系統500的雷射光圖像(步驟S300)後，位在狹縫單元200的雷射光圖像與被照射至處理標的(及從處理標的反射)的雷射光圖像作對比(步驟S400)。特別是，分析單元700比較位在狹縫單元200及處理標的的雷射光的波長、波幅及一致性。藉由分析及對比雷射光的狀態，分析單元700可即時測定被照射至基板80的雷射光狀態是否改變。結果，分析單元700可測定被照射至基板80的雷射光是否與期望特性相符合。

【0118】

如同先前所述，控制器800被連結至分析單元700及雷射光產生器100。控制器800被設置以使用分析單元700的分析結果來控制雷射光產生器100。例如，若分析結果指出雷射光偏移，則控制器800可控制雷射光產生器100去校正雷射光之偏移。控制器800亦可控制雷射光產生器100，使狹縫單元200及處理標的的雷射光狀態相同。

【0119】

此外，控制器800可控制雷射光產生器100以調節雷射光的波長、波幅及/或其他參數。

【0120】

在一些實施例中，控制器800可產生一警示，該警示指出雷射光的狀態。例如，當異常的雷射光被照射至基板80上時，控制器800可產生一警示警告雷射光的異常狀態。

【0121】

在一些進一步的實施例中，若分析單元700的分析結果指出雜質存在於雷射光產生器100中，則控制器800可產生一警示警告需要清理雷射光產生器100。

【0122】

因此，使用上述例示性雷射照射設備及方法用於監測雷射光，位在狹縫單元及/或處理標的之雷射光可被即時觀察。

【0123】

雖然本發明概念搭配目前考量之例示性實施例來描述，應了解本發明概念不限於本揭露實施例，而是相反的，旨在涵蓋包含在本揭露之精神及範疇內之不同修改及等效配置。

國內寄存資訊【請依寄存機構、日期、號碼順序註記】

無

國外寄存資訊【請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記】

無

無

80‧‧‧基板

100‧‧‧雷射光產生器

200‧‧‧狹縫單元

300‧‧‧鏡單元

400‧‧‧分束器

500‧‧‧第二光學系統

510‧‧‧第二監測單元

600‧‧‧第一光學系統

610‧‧‧第一監測單元

700‧‧‧分析單元

800‧‧‧控制器

Claims (10)

1. 【第1項】

   一種雷射照射設備，其包含：
   一雷射光產生器，被配置以產生一雷射光；
   一狹縫單元，被配置以選擇性傳送該雷射光；
   一鏡單元，被配置以改變選擇性傳送之該雷射光之路徑，以照射選擇性傳送之該雷射光至一處理標的上；
   一第一光學系統，其中一第一部份之選擇性傳送之該雷射光穿透該鏡單元且被投射至該第一光學系統；以及
   一第二光學系統，其中一第二部份之選擇性傳送之該雷射光穿透該鏡單元且被投射至該第二光學系統。
2. 【第2項】

   如申請專利範圍第1項所述之雷射照射設備，其中該第一光學系統具有一第一焦距且該第二光學系統具有一第二焦距。
3. 【第3項】

   如申請專利範圍第2項所述之雷射照射設備，其中該第一焦距被配置使得位在該狹縫單元之選擇性傳送之該雷射光被投射至該第一光學系統，且其中該第二焦距被配置使得被照射至該處理標的並從該處理標的反射之選擇性傳送之該雷射光投射至該第二光學系統。
4. 【第4項】

   如申請專利範圍第1項所述之雷射照射設備，其進一步包含：
   一第一監測單元，被連結至該第一光學系統，其中該第一監測單元被配置以取得該第一部份之選擇性傳送之該雷射光的圖像；以及
   一第二監測單元，被連結至該第二光學系統，其中該第二監測單元被配置以取得該第二部份之選擇性傳送之該雷射光的圖像。
5. 【第5項】

   如申請專利範圍第1項所述之雷射照射設備，其中各該第一光學系統及該第二光學系統包含選自包括一凹透鏡、一凸透鏡及一柱狀透鏡之群組之至少一透鏡，且其中該至少一透鏡由熔融矽石形成。
6. 【第6項】

   如申請專利範圍第1項所述之雷射照射設備，其進一步包含：
   一第一聚焦控制器，被設置在該第一光學系統之前側，其中該第一聚焦控制器被配置以在該第一光學系統控制該雷射光之焦距；
   一第二聚焦控制器，被設置在該第二光學系統之前側，其中該第二聚焦控制器被配置以在該第二光學系統控制該雷射光之焦距；以及
   一第三聚焦控制器，被設置在一分束器之前側，其中該第三聚焦控制器被配置以在該分束器控制該雷射光之焦距。
7. 【第7項】

   如申請專利範圍第6項所述之雷射照射設備，其中各該第一聚焦控制器、該第二聚焦控制器及該第三聚焦控制器包含複數個透鏡。
8. 【第8項】

   如申請專利範圍第1項所述之雷射照射設備，其進一步包括一分束器配置以分散穿透該鏡單元之該第一部份及該第二部份之選擇性傳送之該雷射光，使該第一部份被投射至該第一光學系統而該第二部份被投射至該第二光學系統。
9. 【第9項】

   如申請專利範圍第1項所述之雷射照射設備，其進一步包括一分析單元配置以分析被分別投射至該第一光學系統及該第二光學系統的該第一部份及該第二部份之選擇性傳送之該雷射光之圖像。
10. 【第10項】

    如申請專利範圍第9項所述之雷射照射設備，其進一步包括一控制器配置以基於由該分析單元分析的圖像來控制該雷射光產生器。