TW201350895A - Ｘ光平面檢測器之製造方法及ｘ光平面檢測器用ｔｆｔ陣列基板 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題係提高X光平面檢測器之製造中途之TFT陣列之檢查精度。本發明係製造如下之X光平面檢測器用TFT陣列基板30：於成為X光平面檢測器之TFT陣列21之部分之周圍設置共通配線環32，且經由極性彼此相反之2個並聯連接之保護二極體34之對而連接於信號線53及掃描線54。在檢查該X光平面檢測器用TFT陣列基板30時，自設置於上述信號線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部之附近之外部電壓施加焊墊施加與檢查電路之放大器相同之基準偏壓電壓，且對掃描線連接焊墊24賦予將薄膜電晶體41接通之信號，從而自信號線連接焊墊23讀取流通於信號線53之電性信號。
Description
實施形態係關於一種X光平面檢測器之製造方法及X光平面檢測器用TFT陣列基板。
近年來，在醫療領域中，患者利用複數個醫療機關之事較為常見。在如此之情形時，存在若沒有其他醫療機關之資料則無法進行準確之治療行為之可能性。因此，為迅速且準確地進行治療，正向使患者之醫療資料資料庫化之方向發展。
對X光攝影之圖像資料亦存在資料庫化之要求。隨之，期望X光攝影圖像之數位化。在醫用X光診斷裝置中，先前使用銀鹽膠片進行攝影。為使銀鹽膠片所攝像之圖像資料數位化，有必要在使所攝影之膠片顯影後再度以掃描器等進行掃描，從而花費精力與時間。
最近，已實現使用1寸左右之CCD攝像機直接使圖像數位化之方式。但，在進行例如肺之攝影之情形時，為攝影40cm×40cm左右之區域，需要使光集光之光學裝置，導致裝置大型化。
作為解決該等2方式之問題之方式，有人提出使用非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)之間接轉換方式之X光平面檢測器。該X光平面檢測器係將入射之X光以螢光體等轉換為可視光線，且將經轉換之光以各像素之光電轉換膜改變成電荷之間接轉換方式之X光平面檢測器。
在X光平面檢測器中，於縱橫之各邊以陣列狀排列有數百個至數千個像素。各像素係以包含a-Si之開關TFT、光電轉換膜及電容器構
成。以陣列狀排列之像素亦稱為TFT陣列。
〔專利文獻1〕日本特開2009-290171號公報
在於X光平面檢測器中使用之TFT陣列中，為針對陣列製作步驟中產生之靜電防止劣化、破壞而形成有靜電保護二極體。另一方面，由於在TFT陣列中存在種種像素、配線之缺陷，故實施檢測該等而除去不良之陣列之檢查。由於在將不良陣列投入至下一步驟之情形時，會產生在步驟及下一步驟中所使用之零件之損耗，故必須除去不良陣列。但，由於保護二極體本身具有洩漏電流，故存在使檢查之精度下降，而導致流入不良品之可能性。
因此，本實施形態之目的在於提高X光平面檢測器之製造中途之TFT陣列之檢查精度。
為達成上述目的，根據實施形態，X光平面檢測器之製造方法包含：製造X光平面檢測器用TFT陣列基板之面板製造步驟，該X光平面檢測器用TFT陣列基板包含：絕緣基板；複數個像素，其係於上述絕緣基板之表面包含薄膜電晶體及光電轉換膜且二維排列；掃描線，其係相對於上述複數個像素之各列而設置；信號線，其係相對於上述複數個像素之各行而設置；掃描線連接焊墊，其設置於上述掃描線之端部；信號線連接焊墊，其設置於上述信號線之端部；共通配線環，其包圍上述複數個像素；保護二極體，其分別設置於上述掃描線及上述信號線與上述共通配線環之間；及外部電壓施加焊墊，其連接於上述信號線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部、與上
述掃描線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部之間；及檢查步驟，其對上述外部電壓施加用焊墊施加基準偏壓電壓，且對上述掃描線連接焊墊賦予將上述薄膜電晶體接通之信號，而自上述信號線連接焊墊讀取流通於上述信號線之電性信號，從而檢查上述X光平面檢測器用TFT陣列基板。
又，根據實施形態，X光平面檢測器用TFT陣列基板包含：絕緣基板；複數個像素，其係於上述絕緣基板之表面包含薄膜電晶體及光電轉換膜且二維排列；掃描線，其係相對於上述複數個像素之各列而設置；信號線，其係相對於上述複數個像素之各行而設置；掃描線連接焊墊，其設置於上述掃描線之端部；信號線連接焊墊，其設置於上述信號線之端部；共通配線環，其包圍上述複數個像素；保護二極體，其分別設置於上述掃描線及上述信號線與上述共通配線環之間；及外部電壓施加焊墊，其連接於上述信號線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部、與上述掃描線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部之間。
10‧‧‧X光平面檢測器
11‧‧‧玻璃基板
12‧‧‧閘極電極
13‧‧‧絕緣膜
14‧‧‧不摻雜a-Si層
15‧‧‧n+a-Si層
17‧‧‧保護膜
18‧‧‧輔助電極
20‧‧‧像素
21‧‧‧TFT陣列
22‧‧‧電路基板
23‧‧‧連接焊墊
24‧‧‧連接焊墊
25‧‧‧連接焊墊
26‧‧‧遮蔽板
27‧‧‧焊墊
28‧‧‧焊墊
30‧‧‧X光平面檢測器用TFT陣列基板
31‧‧‧玻璃板
32‧‧‧共通配線環
33‧‧‧外部電壓施加用焊墊
34‧‧‧保護二極體
35‧‧‧配線電阻
36‧‧‧連接配線
41‧‧‧薄膜電晶體
42‧‧‧光電轉換膜
43‧‧‧電容器
47‧‧‧閘極驅動器
48‧‧‧信號處理部
51‧‧‧偏壓電源
52‧‧‧偏壓線
53‧‧‧信號線
54‧‧‧掃描線
62‧‧‧n+a-Si層
63‧‧‧p+a-Si層
64‧‧‧ITO層
65‧‧‧保護膜
66‧‧‧保護膜
67‧‧‧保護絕緣膜
69‧‧‧螢光體
70‧‧‧差動放大電路
71‧‧‧AD轉換電路
80‧‧‧讀取IC
81‧‧‧積分放大器
82‧‧‧復位取樣部
83‧‧‧信號取樣部
84‧‧‧復位多工器
85‧‧‧信號多工器
86‧‧‧復位開關
87‧‧‧復位取樣開關
88‧‧‧信號取樣開關
91‧‧‧復位取樣電容器
92‧‧‧信號取樣電容器
圖1係第1實施形態之X光平面檢測器之模式性立體圖。
圖2係第1實施形態之X光平面檢測器之電路圖。
圖3係第1實施形態之TFT陣列之部分放大剖面圖。
圖4係第1實施形態之X光平面檢測器之放大電路之電路圖。
圖5係第1實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
圖6係第2實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
圖7係第3實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
圖8係第4實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
以下，對若干實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列，參照圖式予以說明。另，對相同或類似之構成標註相同符號，且省略重複之說明。
圖1係第1實施形態之X光平面檢測器之模式性立體圖。圖2係本實施形態之X光平面檢測器之電路圖。圖3係本實施形態之TFT陣列之部分放大剖面圖。圖4係本實施形態之X光平面檢測器之放大電路之電路圖。
X光平面檢測器10具有二維排列之複數個像素20。該等像素20係於縱橫之各邊以陣列狀排列有數百個至數千個。將像素20以陣列狀排列於玻璃基板11上者稱為TFT陣列21。各像素20包含轉換元件即薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)41、光電轉換膜(PD：Photo Diode)42、及電容器43。另，可代替設置電容器43，而使用光電轉換膜之電容及其他元件或配線之雜散電容。
在光電轉換膜42中，自偏壓電源51經由偏壓線52施加負偏壓電壓。薄膜電晶體41連接於信號線53及掃描線54。閘極驅動器47經由掃描線54控制薄膜電晶體41之接通/斷開。信號線53之終端連接於信號處理部48。
TFT陣列21之表面係以保護絕緣膜67覆蓋。於保護絕緣膜67之一部分形成有開口，而露出設置於偏壓線52、信號線53及掃描線54之端部之連接焊墊23、24、25等。於保護絕緣膜67之表面，形成有螢光體69之層。螢光體69之表面係以Al或TiO2之反射膜(未圖示)覆蓋。又，螢光體69及反射膜係以保護層(未圖示)覆蓋。
偏壓電源51、閘極驅動器47及信號放大電路48係設置於例如電路
基板22上。電路基板22配置於TFT陣列21之背面側。在TFT陣列21與電路基板22之間，配置例如鉛製且遮蔽X光之遮蔽板26。TFT陣列21上之信號線53、掃描線54及偏壓線52、與信號處理部48、閘極驅動器47及偏壓電源51之間，藉由連接於分別設置於信號線53、掃描線54及偏壓線52上之連接焊墊23、24、25之可撓性基板23電性耦合。
信號處理部48包含讀取IC80、差動放大電路70及AD轉換電路71。讀取IC80包含積分放大器81、復位取樣部92、信號取樣部83、復位多工器84及信號多工器85。
積分放大器81連接於信號線53。對於積分放大器81之未連接於信號線53之側之輸入端子89，施加基準偏壓電壓。在積分放大器81中設置有復位開關86。積分放大器81在復位開關86為打開狀態時，將流通於信號線53之電荷積分而輸出。
復位取樣部82與信號取樣部83相互並行地連接於積分放大器81之輸出。復位取樣部62及信號取樣部63分別設置有復位取樣開關87及信號取樣開關88、以及復位取樣電容器91及信號取樣電容器92。
復位多工器84設置於差動放大電路70之一側之輸入與復位取樣部82之間。信號多工器85設置於差動放大電路70之另一側之輸入與信號取樣部83之間。
在圖4中，積分放大器81、復位取樣部82及信號取樣部83雖只揭示有1個，但該等係相對於全部之信號線53而設置。復位多工器84及信號多工器85雖分別連接於1個復位取樣部82及信號取樣部83，但實際上係連接於相對於複數個信號線53而設置之復位取樣部82及信號取樣部83。
若X光入射至螢光膜69，則螢光膜69中照射有X光之螢光體發出螢光。該螢光進入光電轉換膜42。在光電轉換膜42中，螢光轉換成電荷。由於光電轉換膜42中施加有電壓，故所轉換之電荷被吸引至每個像素
20之像素電極，且通過像素電極而累積於電容器43。
本實施形態雖以使用螢光膜之間接轉換型之X光平面檢測器進行說明，但在直接轉換型之X光平面檢測器中亦可獲得同樣之效果。在直接轉換型之X光平面檢測器中，不使用螢光膜及反射膜，而以光電二極體即光電轉換膜42將X光直接轉換成電荷。該情形之n層、p層在施加偏壓為正之情形時為相反之順序。
若以閘極驅動器47驅動掃描線54，而使連接於1個掃描線54之1行轉換用之薄膜電晶體41接通，則經累積之電荷通過信號線53而傳送至信號處理部48。利用薄膜電晶體41於每一像素20將電荷輸入至信號處理部48，該電荷信號轉換成如可顯示於CRT等之顯示器般之點順序信號。
在自連接於某一掃描線54之像素20讀取像素值之情形時，首先，使積分放大器81之復位開關86自關閉狀態變化為打開狀態。藉此，自積分放大器81復位之狀態，成為復位開關86打開而可積分之狀態。此時，賦予掃描線54之閘極信號斷開，即，各像素20之薄膜電晶體41為打開狀態，各像素20之像素值為保持於電容器43之狀態。
接著，將復位取樣部82之復位取樣開關87關閉，且在經過特定時間之後打開，從而對復位信號進行取樣。藉此，在復位取樣電容器91中，對復位狀態之信號進行取樣且予以保持。
如此般完成復位取樣之後，對1條掃描線54賦予接通信號。藉此，連接於該掃描線54之薄膜電晶體41成為關閉狀態，保持於電容器43之電荷以積分放大器81積分。於像素值之取樣經過足夠之時間之後，將閘極信號設定為斷開。藉此，於積分放大器81之電容器中累積對應於像素值之電荷。
累積於像素20之電容器42之電荷之積分結束之後，將信號取樣部83之信號取樣開關88關閉，進而經過特定時間之後打開。藉此，在信
號取樣部83之信號取樣電容器92中，將對應於像素值之電壓進行取樣且保持該電壓。
如此般，在連接於各信號線53之復位取樣部82及信號取樣部83中，對復位信號及像素值信號之積分值進行取樣。在連接於各信號線53之復位取樣部82及信號取樣部83中所取樣之復位信號及像素值信號，依次由復位多工器84及信號多工器85傳達至差動放大電路70。差動放大電路70運算復位信號與像素值信號之差分。利用差動放大電路70進行類比運算之運算結果係傳達至AD轉換電路71，而轉換成數位值。轉換成數位值之運算結果係傳達至外部之機器，而顯示於例如畫面上。
根據入射至像素20之光量，產生之電荷量不同，從而放大電路之輸出振幅變化。且，藉由將放大電路之輸出信號以A/D轉換設定為數位信號，可直接設定成數位圖像。由於排列有像素20之像素區域為TFT陣列21，故可製作薄型、大畫面者。
圖5係本實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
接著，利用圖1至圖5，對該X光平面檢測器之製造方法予以說明。在製造X光平面檢測器時，首先，製作X光平面檢測器用TFT陣列基板30。
該X光平面檢測器用TFT陣列基板30具有較TFT陣列21之玻璃基板11(參照圖1)更大之玻璃板31。在該玻璃板31上，形成構成TFT陣列21之信號線53、掃描線54等配線、或薄膜電晶體41、光電轉換膜42、及電容器43等元件。在連接於信號處理部48之連接焊墊23(信號線連接焊墊)之相反側之信號線53之端部亦設置焊墊27。在連接於閘極驅動器47之連接焊墊24(掃描線連接焊墊)之相反側之掃描線54之端部亦設置焊墊28。
在玻璃板31上，於成為TFT陣列21之部分之外周，設置靜電保護用之保護二極體34。以彼此極性相反之方式並聯連接之2個保護二極體34成為一對，且該保護二極體34之對設置於各個信號線53及掃描線54之兩側。二極體34相對信號線53及掃描線54之相反側連接於共通配線環32。共通配線環32包圍成為TFT陣列21之部分及保護二極體34之外周。另，若顯示二極體特性，則保護二極體可為通常之pn或pin之二極體，亦可為將TFT進行二極體連接者。保護二極體之電路可為進一步組合一對反向連接二極體而強化保護效果之電路構成。
在共通配線環32中，設置有外部電壓施加用焊墊33。外部電壓施加用焊墊33在與連接於信號處理部48之側為相反側且連接於信號線53之保護二極體34之附近，隔著該等之保護二極體34與共通配線環32之連接部而設置於2部位。即，外部電源施加用焊墊33連接於信號線53之同一側即圖5中上側之保護二極體34與共通配線環32之連接部，與掃描線54之同一側即圖5中左側或右側之其一之保護二極體34與共通配線環32之連接部之間。在共通配線環32中，存在配線電阻35。
在製造X光平面檢測器用TFT陣列基板30時，首先，使金屬堆積於玻璃板31上，且利用蝕刻除去該金屬之一部分，從而形成作為薄膜電晶體41之閘極電極12之圖案。接著，利用電漿CVD法，堆積SiNx作為絕緣膜13。
再者，於該表面堆積不摻雜a-Sil層14、及導入有n型雜質之非晶矽(n+a-Si)層15。接著，對積層之n+a-Si層15及不摻雜a-Si層14進行蝕刻，從而形成a-Si之島。
接著，將對應於像素區域內外之接觸部之區域之絕緣膜13進行蝕刻，從而形成接觸孔。於其上，將Mo濺鍍約50nm，Al約350nm，接著進而將Mo濺鍍約20nm~約50nm而積層，從而形成輔助電極18或信號線45、及其他配線。
其次，進而堆積SiNx而形成保護膜17。其後，依次堆積像素電極68、n+a-Si層62、a-Si層16、及導入有p型雜質之非晶矽(p+a-Si)層63，且於表面使ITO層64成膜，從而形成光電二極體(PD)。該光電二極體成為光電轉換膜42。
再者，於該等之表面以SiN依次形成保護膜65、66，從而形成與光電轉換膜42之接觸孔。於其上以Al形成偏壓線52，且使其與光電轉換膜42之上部電極即ITO層64接觸。
接著，於該等之表面形成保護絕緣膜67，且於連接焊墊23、24、25或其他焊墊27、28及外部電壓施加用焊墊33部分形成接觸用之孔。
共通配線環32係在與形成閘極電極12相同之步驟內使金屬圖案化而形成。又，保護二極體34係在與製造薄膜電晶體41相同之步驟內對半導體積層而形成。如此般，藉由在製造X光檢測器用TFT陣列基板30之較早階段製造共通配線環32及保護二極體34，可降低其後之步驟中之靜電之影響。
在製造出如此之X光平面檢測器用TFT陣列基板30之後，對成為TFT陣列21之部分進行檢查。在該檢查時，利用探針或其他機構對外部電壓施加用焊墊33施加基準偏壓電壓。
又，對連接於信號處理部48之連接焊墊23之相反側之焊墊27，施加特定之基準偏壓電壓。所謂基準偏壓電壓係施加於信號處理部48之積分放大器81未連接於信號線53之側之輸入端子89之偏壓電壓。該基準偏壓電壓為例如1.5V。在連接於信號處理部48之連接焊墊23中，以探針等其他之機構，連接與信號處理部48同等之信號讀取電路(未圖示)。
在該狀態下，於掃描線54之兩端之連接焊墊24及焊墊28之間施加特定之電壓。該特定之電壓只要選擇X光平面檢測器10之驅動電壓或接近其之電壓且使薄膜電晶體41之反向偏壓之洩漏電流變得夠小之電
壓即可，施加例如9V。藉此，自TFT陣列21上之電容器43經由連接焊墊23將電荷信號輸送至信號讀取電路。利用該電荷信號，確認TFT陣列21上之薄膜電晶體41等元件之健全性。
在檢查TFT陣列21時，若不對共通配線環32施加電壓，則在配置於TFT陣列21之外周之靜電保護用之保護二極體34中會有洩漏電流流動。該洩漏電流會使輸送至信號讀取電路之檢測信號值變化，從而檢查精度惡化。尤其，在處理微弱之電荷信號之X光平面檢測器中，該惡化顯著。
該保護二極體34之洩漏電流可藉由減小施加至保護二極體34之電壓而減少。在本實施形態中，由於對共通配線環32施加有基準偏壓電壓，故對保護二極體34之兩端施加大致相同之電壓。即，施加至保護二極體34之電壓大致為零。藉此流入保護二極體34之電流大致為零或非常小之值。因此，可提高X光平面檢測器之檢查步驟中之檢查精度。
如此般確認TFT陣列21之健全性之後，在設置於信號線53之兩端之連接焊墊23及焊墊27與保護二極體34之間，以及設置於掃描線54之兩側之連接焊墊24及焊墊28之間，將玻璃板31與配線等一起切割。如此般，自玻璃板31切出TFT陣列21。
於如此般形成之TFT陣列21之表面，使CsI；Tl之螢光膜成膜或將GOS之粉末薄片積層而形成螢光體69。進而於螢光體69之表面，以Al或TiO2形成反射膜，且於最上部形成保護膜。在形成保護膜之後，與電路基板22等連接，且收納於框體(未圖示)而完成X光平面檢測器10。螢光體69並非限定於上述之例，亦可使用其他螢光物質。
如此，根據本實施形態，可提高X光平面檢測器之檢測步驟中之檢查精度。其結果，可減小不良之TFT陣列21流入下一步驟之可能性。
圖6係第2實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
本實施形態X光平面檢測器用TFT陣列基板30係對第1實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板30(參照圖5)追加有外部電壓施加用焊墊33者。在本實施形態中，外部電壓施加用焊墊33不僅設置於隔著設置於信號線53之一者之焊墊27側之保護二極體34與共通配線環32之連接部之位置之2部位，亦設置於隔著設置於成為信號線53與信號處理部48(參照圖1)之連接部之連接焊墊23側之保護二極體34與共通配線環32之連接部之2部位。
在檢查時，對任一個外部電壓施加用焊墊33均施加特定之基準偏壓電壓。在對設置於信號線53之一者之焊墊27側之保護二極體34與共通配線環32之連接部，及設置於成為信號線53與信號處理部48(參照圖1)之連接部之連接焊墊23側之保護二極體34與共通配線環32之連接部之一者施加有特定之基準偏壓電壓之情形時，有因共通配線環32存在配線電阻35，而導致在該等信號線53之兩側之共通配線環32之電位不同之情形。
但，在本實施形態中，由於在信號線53之兩側對共通配線環32施加有特定之基準偏壓電壓，故可使在信號線53之兩側之共通配線環32之電位大致一定。其結果，可進一步降低流動於保護二極體34之洩漏電流。因此，可提高X光平面檢測器之檢測步驟中之檢查精度。
又，施加於信號線53之端部之連接焊墊23及焊墊27之電壓、與施加於掃描線54之端部之連接焊墊24及焊墊28之電壓不同。因此，會對施加於信號處理部之放大器之電壓造成影響。
因此，可在連接於設置於信號線53之兩側之各個保護二極體34之群之部分、及連接於設置於掃描線54之兩側之各個保護二極體34之群之部分使共通配線環32為低電阻，在信號線53側之與保護二極體34之
連接部分及掃描線54側之與保護二極體34之連接部分使共通配線環32為高電阻。即，在設置於信號線53之同一側之連接焊墊23及焊墊27之群之內側、及設置於掃描線54之同一側之連接焊墊24及焊墊28之群之內側減小共通配線環32配線電阻，提高在群間之連接部分之共通配線環32之配線電阻。
該點可藉由將每單位長度之配線電阻設定為焊墊群間高於焊墊群內而實現。可行的是，例如低電阻配線係以Al等之低電阻金屬形成，高電阻配線係以ITO等之透明電極形成。
圖7係第3實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
本實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板30係對第1實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板30(參照圖5)追加有連接配線36者。該連接配線36在與外部電壓施加用焊墊33之連接部之附近連接於共通配線環32，且在設置於成為信號線53與信號處理部48(參照圖1)之連接部之連接焊墊23側之保護二極體34與共通配線環32之連接部之附近連接於共通配線環32。該連接配線36之電性電阻係使用例如電阻率較小之金屬等，而小於共通配線環32中存在之配線電阻35。連接配線36中之電位下降期望在1V以下。
在使用如此之X光平面檢測器用TFT陣列基板30之情形時，若於檢查時對外部電壓施加用焊墊33施加特定之基準偏壓電壓，則設置於成為信號線53與信號處理部之連接部之連接焊墊23側之保護二極體34與共通配線環32之連接部之電位亦與外部電壓施加用焊墊33大致相同。其結果，可使流動於保護二極體34之洩漏電流進一步降低。因此，可提高X光平面檢測器之檢查步驟中之檢查精度。
又，由於可使用以於檢查時施加基準偏壓電壓之探針及電路僅為
信號線53之一者之端部側部分，故與第2實施形態相比，可削減檢查裝置等之成本。
圖8係第4實施形態之X光平面檢測器用TFT陣列基板之模式性電路圖。
本實施形態與第2實施形態不同的是外部電壓施加用焊墊33之位置。在本實施形態中，設置於信號線53上之連接焊墊23係以直線狀排列。外部電壓施加用焊墊33係於設置於信號線53上之連接焊墊23之排列之兩端以與連接焊墊23相同之直線狀排列之方式配置。因此，於切出TFT陣列21之後之製品中，殘存外部電壓施加用焊墊33。
又，由於外部電壓施加用焊墊33與共通配線環32之間之一部分殘存於切出之TFT陣列21內，故較難以與信號線53等不同之材料進行配線。因此，外部電壓施加用焊墊33與共通配線環32之間係經由電阻而連接。因此，雖產生略微之電壓下降，但由於該電壓下降之大小可較二極體34之臨限值電壓更低，故實質上不會對檢查造成影響。
即使為如此之X光平面檢測器仍可提高X光平面檢測器之檢查步驟中之檢查精度。其結果，可減小不良之TFT陣列21流入下一步驟之可能性。
又，藉由預先將外部電壓施加用焊墊33與設置於信號線53上之連接焊墊23以相同之直線狀排列，可使檢查用探針簡單地接觸。其結果，容易進行檢查。
連接焊墊23較多為於處理信號之IC之每個處理位元數形成有群之情形。於鄰接之群之間形成有某一程度之間隙。亦可於形成如此之群之連接焊墊23之排列之兩側設置外部電壓施加用焊墊33。
亦可進而自外部電壓施加用焊墊33沿著信號線53延伸有端部開放之配線。藉由設置如此之配線，降低通過信號線53自像素20傳達之
信號中因外部之影響而包含雜訊之可能性。
雖已說明本發明之若干實施形態，但該等實施形態係作為例子提示者，並非意圖限定發明範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態實施，在不脫離發明主旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變形包含在發明範圍或主旨內，且包含在申請專利範圍所揭示之發明及其均等之範圍內。
20‧‧‧像素
21‧‧‧TFT陣列
23‧‧‧連接焊墊
24‧‧‧連接焊墊
27‧‧‧焊墊
28‧‧‧焊墊
30‧‧‧X光平面檢測器用TFT陣列基板
31‧‧‧玻璃板
32‧‧‧共通配線環
33‧‧‧外部電壓施加用焊墊
34‧‧‧保護二極體
35‧‧‧配線電阻
41‧‧‧薄膜電晶體
53‧‧‧信號線
54‧‧‧掃描線
Claims (12)
- 一種X光平面檢測器之製造方法，其特徵在於包含：製造X光平面檢測器用TFT陣列基板之面板製造步驟，該X光平面檢測器用TFT陣列基板包含：絕緣基板；複數個像素，其係於上述絕緣基板之表面包含薄膜電晶體及光電轉換膜且二維排列；掃描線，其係相對於上述複數個像素之各列而設置；信號線，其係相對於上述複數個像素之各行而設置；掃描線連接焊墊，其設置於上述掃描線之端部；信號線連接焊墊，其設置於上述信號線之端部；共通配線環，其包圍上述複數個像素；保護二極體，其分別設置於上述掃描線及上述信號線與上述共通配線環之間；及外部電壓施加焊墊，其連接於上述信號線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部、與上述掃描線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部之間；及檢查步驟，其對上述外部電壓施加用焊墊施加基準偏壓電壓，且對上述掃描線連接焊墊賦予將上述薄膜電晶體接通之信號，而自上述信號線連接焊墊讀取流通於上述信號線之電性信號，從而檢查上述X光平面檢測器用TFT陣列基板。
- 如請求項1之X光平面檢測器之製造方法，其中上述保護二極體設置為彼此極性相反且並聯連接之對。
- 如請求項1或2之X光平面檢測器之製造方法，其中上述基準偏壓電壓與賦予至上述檢查步驟中讀取之電性信號之放大電路之偏壓電壓相同。
- 如請求項1至3中任一項之X光平面檢測器之製造方法，其中上述外部電壓施加用焊墊係隔著上述信號線之同一側之上述保護二 極體與上述共通配線環之連接部而設置於兩側。
- 如請求項1至4中任一項之X光平面檢測器之製造方法，其中上述外部電壓施加用焊墊設置於上述信號線之兩側之上述保護二極體與上述共通配線環之各個連接部之附近。
- 如請求項5之X光平面檢測器之製造方法，其中上述共通配線環與上述信號線之同一側之上述保護二極體之連接部分間之電性電阻，小於上述共通配線環與連接於上述信號線之上述保護二極體之連接部分、及上述共通配線環與連接於上述掃描線之上述保護二極體之連接部分之間之電性電阻。
- 如請求項5或6之X光平面檢測器之製造方法，該X光平面檢測器進而包含電性電阻相較於連接上述外部電壓施加用焊墊之附近及上述信號線之相反側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部之附近之上述共通配線環為小之連接配線。
- 如請求項1至7中任一項之X光平面檢測器之製造方法，其中進而包含螢光體形成步驟，其係於上述檢查步驟之後形成覆蓋上述像素之螢光體層。
- 如請求項1至8中任一項之X光平面檢測器之製造方法，其中進而包含面板切割步驟，其將上述X光平面檢測器用TFT陣列基板在上述信號線焊墊及上述掃描線焊墊與上述共通配線環之間切割而切出。
- 如請求項9之X光平面檢測器之製造方法，其中進而包含：於上述面板切割步驟之後對上述掃描線連接焊墊連接驅動上述TFT之閘極驅動電路之步驟；及於上述面板切割步驟之後對上述信號線連接焊墊連接自上述電容器讀取電荷信號之信號讀取電路之步驟。
- 一種X光平面檢測器用TFT陣列基板，其特徵在於包含： 絕緣基板；複數個像素，其係於上述絕緣基板之表面包含薄膜電晶體及光電轉換膜且二維排列；掃描線，其係相對於上述複數個像素之各列而設置；信號線，其係相對於上述複數個像素之各行而設置；掃描線連接焊墊，其設置於上述掃描線之端部；信號線連接焊墊，其設置於上述信號線之端部；共通配線環，其包圍上述複數個像素；保護二極體，其分別設置於上述掃描線及上述信號線與上述共通配線環之間；及外部電壓施加焊墊，其連接於上述信號線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部、與上述掃描線之同一側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部之間。
- 如請求項11之X光平面檢測器之製造方法，該X光平面檢測器進而包含電性電阻相較於連接上述外部電壓施加用焊墊之附近及上述信號線之相反側之上述保護二極體與上述共通配線環之連接部之附近之上述共通配線環為小之連接配線。
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