JP4498283B2 - 撮像装置、放射線撮像装置及びこれらの製造方法 - Google Patents
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Description
1) その上下にアモルファスシリコンの空乏化電圧がかかる領域とかからない領域が混在する。
2) 変換素子の個別電極となる下電極から電荷を収集できない領域が発生する。
という2点から、変換素子の機能が低下してしまうためである。また、図11に示すように、スイッチ素子上の変換素子のアモルファスシリコンを除去した場合では、スイッチ素子上では完全に光電変換素子としての機能はなくなり、感度の低下につながってしまう。
前記複数の画素は、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記光電変換素子とが接続されている第1の画素と、前記第1の画素のコンタクトホール部に対応する領域において、前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極となる導電層とが共に除去されることによって、前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタとの電気的な接続が分離された第2の画素と、を有することを特徴とする。
前記複数の画素は、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記変換素子とが接続されている第1の画素と、前記第1の画素のコンタクトホール部に対応する領域において、前記変換素子と前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極となる導電層とが共に除去されることによって、前記変換素子と前記薄膜トランジスタとの電気的な接続が分離された第2の画素とを有することを特徴とする。
前記複数の画素の各々において、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記光電変換素子とを接続する工程と、
前記複数の画素のうち、欠陥画素を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部の少なくとも一部を除去し、前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタとの接続を分離する工程と、を有することを特徴とする。
前記複数の画素の各々において、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記変換素子とを接続する工程と、
前記複数の画素のうち、欠陥画素を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部の少なくとも一部を除去し、前記変換素子と前記薄膜トランジスタとの接続を分離する工程と、を有することを特徴とする。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
1) レーザー光照射時に、除去膜の再付着によるショート防止のため
2) TFT24と変換素子25との間に形成する容量を小さくし、ノイズの小さな変換素子を提供するため
3) 反射型光学顕微鏡による位置認識精度向上のため
このため、第二の絶縁層6の膜厚は1.0μm以上であることが望ましい。図2(c)のように、第二の絶縁層6が平坦化性を持っていない場合でも、絶対段差が大きいコンタクトホール部26の位置検出が行ないやすいため、コンタクトホール部26をレーザー光により除去することで、安定して欠陥部を電気的に分離することが可能になる。
先ず、本発明の第2の実施形態について説明する。
図12は本発明による放射線撮像装置のX線診断システムへの応用例を示したものである。
2 第一の絶縁層
3 第一の半導体層
4 第一の不純物半導体層
5 第二の導電層
6 第二の絶縁層
7 第三の導電層
8 第三の絶縁層
9 第二の半導体層
10 第二の不純物半導体層
11 第四の導電層
12 第五の導電層
13 保護層
14 レーザー光照射領域
15 再付着膜
21 ゲート配線
22 信号配線
23 バイアス配線
24 TFT
25 光電変換素子
26 コンタクトホール部
31 第一のゲート配線
33 リセット配線
34 第一のTFT
36 第一のコンタクトホール
37 第二のTFT
38 第二のゲート配線
39 第二のコンタクトホール
50 基板
51 信号処理回路部
52 ゲートドライバー回路部
53 共通電極ドライバー回路部
54 シンチレータ
Claims (9)
- 絶縁基板上に配置された、ソース電極とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された光電変換素子と、前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子との間に配置された絶縁膜と、を有する画素を複数有する撮像装置であって、
前記複数の画素は、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記光電変換素子とが接続されている第1の画素と、前記第1の画素のコンタクトホール部に対応する領域において、前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極となる導電層とが共に除去されることによって、前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタとの電気的な接続が分離された第2の画素と、を有することを特徴とする撮像装置。 - 前記除去は前記コンタクトホール部のテーパー部を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記薄膜トランジスタは前記光電変換素子から電気信号を転送する信号転送用薄膜トランジスタと、前記光電変換素子をリセットするためのリセット用薄膜トランジスタとからなる請求項1又は2に記載の撮像装置。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の撮像装置を用いた放射線撮像装置であって、前記光電変換素子上に配置された、放射線を光に変換するシンチレータを有することを特徴とする放射線撮像装置。
- 絶縁基板上に配置された、ソース電極とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された、放射線を直接電気信号に変換する変換素子と、前記薄膜トランジスタと前記変換素子との間に配置された絶縁膜と、を有する画素を複数有する放射線撮像装置であって、
前記複数の画素は、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記変換素子とが接続されている第1の画素と、前記第1の画素のコンタクトホール部に対応する領域において、前記変換素子と前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極となる導電層とが共に除去されることによって、前記変換素子と前記薄膜トランジスタとの電気的な接続が分離された第2の画素と、を有することを特徴とする放射線撮像装置。 - 絶縁基板上に配置された、ソース電極とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された光電変換素子と、前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子との間に配置された絶縁膜と、を有する画素を複数有する撮像装置の製造方法であって、
前記複数の画素の各々において、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記光電変換素子とを接続する工程と、
前記複数の画素のうち、欠陥画素を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部の少なくとも一部を除去し、前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタとの接続を分離する工程と、を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 請求項6に記載の製造方法を用いた放射線撮像装置の製造方法であって、
前記コンタクトホール部を除去した後に、前記光電変換素子上に、放射線を光に変換するシンチレータを配置することを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - 絶縁基板上に配置された、ソース電極とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された、放射線を直接電気信号に変換する変換素子と、前記薄膜トランジスタと前記変換素子との間に配置された絶縁膜と、を有する画素を複数有する放射線撮像装置の製造方法であって、
前記複数の画素の各々において、前記絶縁膜に配置されたコンタクトホール部を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース電極又はドレイン電極と前記変換素子とを接続する工程と、
前記複数の画素のうち、欠陥画素を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部を認識する工程と、
前記欠陥画素の前記コンタクトホール部の少なくとも一部を除去し、前記変換素子と前記薄膜トランジスタとの接続を分離する工程と、を有することを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - 請求項4又は5に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
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