JP2008305959A - 放射線画像検出器の補修方法、画像処理方法、放射線画像検出器および画像処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放射線画像検出器において、検出器を構成する光導電層中の不良に起因して生じる画像上の欠陥がある場合に、長期に亘る検出器の使用により、欠陥を拡大させないようにする。
【解決手段】記録光の照射を受けることにより電荷が発生する記録用光導電層１２と、記録用光導電層１２等に電圧を印加するための複数の配線１５ａとを備え、配線１５ａの配列に基づいて複数の画素が構成される放射線画像検出器において、配線１５ａには記録用光導電層１２等と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部を形成しておくとともに、予め検出された画像上の欠陥に対応する配線１５ａを、取出部において切断する。
【選択図】図３

Description

本発明は、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備えてなる放射線画像検出器において、画像上の欠陥が生じた場合の補修方法、補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理方法、画像上の欠陥が生じた場合に補修を行なった放射線画像検出器および補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理装置に関するものである。

今日、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線画像検出器（以下単に検出器ともいう）を使用する放射線画像情報記録読取装置が各種提案されている。この装置において使用される放射線画像検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）方式のものと検出器に読取光（読取用の電磁波）を照射して読み出す光読出方式のものがある。

本出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線画像検出器として、特許文献１、特許文献２、特許文献３において、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる光（以下記録光という）に対して透過性を有する第１の導電層、記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第１の導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷蓄積層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する信号出力用線状配線を含む第２の導電層を、この順に積層して成り、画像情報を担持する潜像電荷（静電潜像）を電荷蓄積層に蓄積する検出器を提案している。

そして、上記特許文献２および特許文献３においては、特に、第２の導電層の配線を多数の読取光に対して透過性を有する信号出力用線状配線からなるストライプ配線とすると共に、電荷蓄積層に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の補助線状配線を、前記信号出力用線状配線と交互にかつ互いに平行となるように設けた検出器を提案している。

このように、多数の補助線状配線からなるサブストライプ配線を併設して第２の導電層とすることにより、電荷蓄積層とサブストライプ配線との間に新たなコンデンサが形成され、記録光によって電荷蓄積層に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブストライプ配線にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ配線と電荷蓄積層との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブストライプ配線を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させると共に、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができるようになっている。
特開２０００−１０５２９７号公報 特開２０００−２８４０５６号公報 特開２００１−３４９９４７号公報

上記放射線画像検出器の光導電層の成膜は、別の工程で形成された電荷収集電極を有する基板上に，真空中で光導電層の材料を加熱蒸発させた真空蒸着等により行なわれる。この基板の製造工程、基板の搬送、蒸着のための蒸着装置への基板セットなどの各工程で、ゴミが基板表面に付着する機会が生じる。このゴミを付着させたまま蒸着を行うと、これが原因で画像上の欠陥が生じて問題になる。特に光導電層をアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）を主成分とするものにした場合の光導電層の成膜時においては、紛れ込んだゴミや突沸等に起因して結晶型セレンが生じることがある。放射線画像検出器では記録時等に光導電層に対して電界を印加するが、画像上の欠陥の生じた放射線画像検出器に電界を印加すると、結晶化部とアモルファス部で導電性が異なり、またゴミとセレンで誘電率が異なること等から結晶化部近傍への電界集中が起こる。この結晶型セレンを起点として発生する突発的な電荷注入により、放射線画像検出器中に電荷が過剰に蓄積もしくは過剰に流れることが原因となり画像上の欠陥は拡大する傾向がある。

さらに、この電界集中はその領域に対して電流を集中させるために発熱を引き起こし、周囲のａ−Ｓｅに対して結晶化を引き起こさせるため、放射線画像検出器の使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返されることで結晶化部を拡大させて、次第に欠陥範囲が拡大することが見出されている。

すなわち、初期にはゴミや突沸等を起点として発生した結晶型のセレンが、放射線画像の記録および読取りを繰り返し行うことにより次第に大きくなり、この拡大にともない画像上の欠陥も拡大していくことが問題となっている。

本発明は、上記の事情に鑑み、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備えてなる放射線画像検出器において、画像上の欠陥が生じた場合に上記のような結晶型のセレンの拡大にともなう画像上の欠陥の拡大を抑制することが可能な放射線画像検出器の補修方法、補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理方法、画像上の欠陥が生じた場合に補修を行なった放射線画像検出器および補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理装置を提供することを目的とする。

本発明による放射線画像検出器の補修方法は、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、配線には光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部が形成されるとともに、配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器に対して、予め検出された画像上の欠陥に対応する配線を、取出部において切断することを特徴とする方法である。

また、本発明による画像処理方法は、上記の補修方法により補修された放射線画像検出器から出力された信号に基づいて画像信号を生成する画像処理方法であって、切断された配線に対応した画素データに対して補正処理を行うことを特徴とする方法である。

また、本発明による放射線画像検出器は、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、配線には光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部が形成されるとともに、配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器であって、予め検出された画像上の欠陥に対応する配線が、取出部において切断されたものであることを特徴とするものである。

さらに、本発明による画像処理装置は、上記の放射線画像検出器から出力された信号に基づいて画像信号を生成する画像処理装置であって、切断された配線に対応した画素データに対して補正処理を行うものであることを特徴とするものである。

通常、放射線画像検出器では二次元状の画像を構成するように画素データが送出されるが、本願発明は、例えば一次元状の画像を構成するように画素データが送出されるもの等、複数の画素データが送出されるものであればどのようなものにも適用できる。

ここで、画像上の欠陥を検出する方法は、特に限定されるものではなく、例えば均一露光に対して画像検出を行い、これにより得られた画像中において輝度が局所的に他の部分と異なる点を画像上の欠陥とみなす方法等、どのような方法を用いてもよい。

また、補正処理とは、切断された配線に対応した画素（二次元検出器の場合は画素列）が、他の正常な画素と比べて目立たないようにする処理、もしくは切断された配線に対応した画素（画素列）を除いて画像を形成する処理を意味する。

なお、異常画素（画素列）を目立たなくする処理も、特に限定されるものではなく、一次元画素の放射線画像検出器では例えば異常画素に隣接する２つの画素の平均値を取る等、二次元画素の放射線画像検出器では例えば異常画素列中の各画素について異常画素列が延びる方向と直交する方向に隣接する２つの画素の平均値を取る等、どのような方法を用いてもよい。

上記において「画像検出器」とは、被写体の画像情報を担持する記録光、例えば放射線を検出して被写体に関する放射線画像を表す画像信号を出力する検出器であって、入射した放射線を直接または一旦光に変換した後に電荷に変換し、この電荷を外部に出力させることにより、被写体に関する放射線画像を表す画像信号を得ることができるものである。

この画像検出器には種々の方式のものがあり、例えば、放射線を電荷に変換する電荷生成プロセスの面からは、放射線が照射されることにより蛍光体から発せられた蛍光を光電変換素子で検出して得た信号電荷を画像信号（電気信号）に変換して出力する光変換方式の放射線画像検出器、あるいは、放射線が照射されることにより放射線導電体内で発生した信号電荷を電気信号に変換して出力する直接変換方式の放射線画像検出器等、あるいは、電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面からは、蓄電部と接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を走査駆動して読み出すＴＦＴ読出方式のものや、読取光（読取用の電磁波）を検出器に照射して読み出す光読出方式のもの等、さらには、前記直接変換方式と光読出方式を組み合わせた本願出願人による上記特許文献１や上記特許文献２において提案している改良型直接変換方式のもの等がある。

本発明の放射線画像検出器の補修方法および放射線画像検出器によれば、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器において、配線には光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部を形成しておくとともに、予め検出された画像上の欠陥に対応する配線を、取出部において切断することにより、放射線画像検出器の使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返された場合でも、光導電層の画像上の欠陥に対応する部分（例えば光導電層にアモルファスセレンを用いた場合では結晶化セレン部）には電界が形成されなくなるため、欠陥部の拡大を防止することができる。

また、本発明の画像処理方法および画像処理装置によれば、切断された配線に対応した画素データに対して補正処理を行うことにより、画像上の欠陥を有する放射線画像検出器から出力された画像信号であっても画質を向上させることができる。

上記のように、画像上の欠陥に対応する配線を切断することにより、この配線に対応した１ラインは画像上の欠陥となるが、欠陥がある放射線画像検出器を使用し続けて欠陥が二次元状に広範囲に拡大した場合と比べた場合には、１ラインの欠陥の方が欠陥の補正を容易かつ正確に行うことができるため、欠陥がある放射線画像検出器に対しては本発明を適用することにより経時的な画質の劣化を防止することが可能となるという顕著な効果を奏する。

以下、図面を参照して本発明の画像撮像装置の好ましい実施の形態について説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の放射線画像検出器の概略構成を示す上面図、図２は図１中のII−II線断面図、図３は上記放射線画像検出器の第２の導電層の構成を示す上面図である。

放射線画像検出器１は、被写体の放射線画像を担持した放射線を透過する第１の導電層１１、第１の導電層１１を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層１２、記録用光導電層１２において発生した潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、且つその潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層１３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層１４、および読取光を透過する第２の導電層１５をガラス基板２０上にこの順に積層してなるものである。記録用光導電層１２内で発生した潜像電荷は電荷蓄積層１３に蓄積される。また、支持部材となるガラス基板２０は透明で剛性のあるガラス、例えばソーダライムガラスにより厚さ１．８ｍｍで形成されている。

第１の導電層１１としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜（ＳｎＯ₂）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができ、また、１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕなども用いることもできる。

図３に示す通り、第２の導電層１５は、記録用光導電層１２や読取用光導電層１４等が重なる領域において、多数の信号出力用線状配線１５ａと多数の共通線状配線１５ｂとが交互に複数平行に配列された構造となっている。各線状配線の長手方向と直交する方向の幅は例えば信号出力用線状配線１５ａが１０μｍ、共通線状配線１５ｂが２０μｍである。信号出力用線状配線１５ａおよび共通線状配線１５ｂは、ガラス基板２０側から照射される読取光に対して透明である例えばＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の材料により厚さ０．２μｍの平坦な線状に形成されている。また、共通線状配線１５ｂは、記録用光導電層１２や読取用光導電層１４等と重ならない領域において、互いに電気的に接続されており、共通電位となるように構成されている。

共通線状配線１５ｂのガラス基板２０側には、所定の波長の光だけを透過させるカラーフィルター１５ｃが形成されており、共通線状配線１５ｂとカラーフィルター１５ｃの間には透明有機絶縁層が形成されている。カラーフィルター１５ｃは、顔料を分散させた感光性のレジスト、例えばＬＣＤのカラーフィルターに用いられる赤色レジストにより厚さ１．２μｍで形成されている。さらに、このカラーフィルター層による段差を無くすため、ＰＭＭＡ (メタクリル樹脂)等の透明有機絶縁層が、例えば１．８μｍの厚さで形成されている。

記録用光導電層１２は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているａ−Ｓｅを主成分とするものを使用するのが好ましい。本願では記録用光導電層１２として、厚さ２００μｍのａ−Ｓｅを用いる。

電荷蓄積層１３としては、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性の膜であれば良く、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、ＢＣＢ、ＰＶＡ、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーやＡｓ２Ｓ３、Ｓｂ２Ｓ３、ＺｎＳ等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。更には、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により３桁以上差がある物質が好ましい。

好ましい化合物としては以下のものを挙げることができる。

・Ａｓ２Ｓｅ３
・Ａｓ２Ｓｅ３にＣｌ、Ｂｒ、Ｉを５００ｐｐｍから２００００ｐｐｍまでドープしたもの
・Ａｓ２Ｓｅ３のＳｅをＴｅで５０％程度まで置換したＡｓ２（ＳｅｘＴｅ１−ｘ）３（０．５＜ｘ＜１）
・Ａｓ２Ｓｅ３のＳｅをＳで５０％程度まで置換したもの
・Ａｓ２Ｓｅ３からＡｓ濃度を±１５％程度変化させたもの
・アモルファスＳｅ−Ｔｅ系でＴｅを５−３０ｗｔ％のもの
この様なカルコゲナイド系元素を含む物質を用いる場合、電荷蓄積層の厚みは０．４μｍ以上３．０μｍ以下であること好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。この様な電荷蓄積層は、一度の製膜で形成しても良いし、複数回に分けて積層しても良い。

有機膜を用いた好ましい電荷蓄積層としては、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、ＢＣＢ、ＰＶＡ、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーに対し、電荷輸送剤をドープした化合物が好ましく用いられる。好ましい電荷輸送剤としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリアルキルチオフェン、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、トリフェニレン（ＴＮＦ）、金属フタロシアニン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、液晶分子、ヘキサペンチロキシトリフェニレン、中心部コアがπ共役縮合環あるいは遷移金属を含有するディスコティック液晶分子、カーボンナノチューブ、フラーレンからなる群より選択される分子を挙げることができる。ドープ量は０．１から５０ｗｔ％の間で設定される。

読取用光導電層１４としては、読取光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、ａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine）、ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）などのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。本願では読取用光導電層１４として、厚さ１０μｍのａ−Ｓｅを用いる。

なお、放射線画像検出器１の層構成は上記のような層構成に限らず、その他の層を含むものとしてもよく、また各層の材料についても上記各層の作用と同等の作用を有するものであれば上記以外の材料を利用するようにしてもよい。

電流検出部３０は、フレキシブル基板３２上に信号検出用ＩＣ（チャージアンプＩＣ）３１を実装した複数のＴＣＰ（Tape Carrier Package）を備えており、図１および図３に示す通り、ＴＣＰの一方の端部はガラス基板２０上において放射線画像検出器１の線状配線１５ａおよび共通線状配線１５ｂと接続されており、ＴＣＰの他方の端部は画像処理基板３３に接続されている。

線状配線１５ａおよび共通線状配線１５ｂには、記録用光導電層１２や読取用光導電層１４等と重ならない領域においてＴＣＰとの所定の接続位置まで延びた取出部が形成されている。また、取出部には、ＴＣＰと重ならない領域において各線状配線を個別に切断可能な切断領域Ａが設けられている。

なお、図３においては各配線とＴＣＰが接続される様子を分かり易く示すために、一つのＴＣＰに対して５本の配線が接続された態様を示しているが、実際の放射線画像検出器では一つの信号検出用ＩＣには２５６個のチャージアンプ３１が集積されており、各線状配線１５ａ毎にフレキシブル基板３２によりチャージアンプ３１に接続されている。

画像処理基板３３は、各線状配線１５ａより出力され信号検出用ＩＣ３１により検出されたアナログ信号をデジタル信号（画像信号）に変換するための不図示のＡ／Ｄ変換器等を備えている。

次に、上記放射線画像検出器１の作用について説明する。

まず、第１の導電層１１と第２の導電層１５との間に電界を形成する。本実施の形態においては第１の導電層１１と信号出力用線状配線１５ａおよび共通線状配線１５ｂとの間に不図示の高圧電源を接続し、両者の間にバイアス電圧を印加する。この状態で記録用光導電層１２に画像情報を担持する放射線が照射されると、記録用光導電層１２内に正と負の電荷が発生し、そのうちの負電荷が上記電圧の印加により形成された電界分布に沿って第２の導電層１５の各線状配線に集中せしめられ、電荷蓄積層１３に潜像電荷として蓄積される。潜像電荷の量は照射放射線量に略比例し、この潜像電荷の量が放射線画像を示すことになる。一方、記録用光導電層１２内で発生する正電荷は第１の導電層１１に引き寄せられて、電圧源から注入された負の電荷と結合して消滅する。

次に、上記のようにして放射線画像検出器１に記録された放射線画像を読み取る際には、信号出力用線状配線１５ａの延びる方向と直交する方向に延びる線状の読取光により、信号出力用線状配線１５ａの長手方向に沿って放射線画像検出器１の全面を走査することによって、読取光の走査位置に対応する読取用光導電層１４内に正負の電荷対が発生し、読取用光導電層１４に生じた正電荷は電荷蓄積層１３の潜像電荷に引きつけられ、電荷蓄積層１３で潜像電荷と電荷再結合し消滅する一方、読取用光導電層１４に生じた負電荷は信号出力用線状配線１５ａの正電荷と電荷再結合し消滅する。この読取りの際に各画素に対応して発生した潜像電荷に基づく画像信号をＴＣＰに出力させ、チャージアンプ３１により検出することにより、潜像電荷が担持する放射線画像を読み取ることができる。

上記の放射線画像検出器１において画像上の欠陥の検出を行なう場合、放射線画像検出器１全体に対して一様な放射線露光を行い、その結果得られた画像に基づいて欠陥の検出を行なう。

図４（Ａ）に欠陥検出により得られた画像の一例を示す。なお、図４（Ａ）では６×６画素の画像を示している。これは図３において各線状配線の配置態様を分かり易く示すために６本のみ信号出力用線状配線１５ａを示し、それに基づいて点線で区画された６×６個の領域が各画素に対応するように示しているためである。実際の放射線画像検出器から得られる画像は多数の画素（例えば４３００×４３００画素等）を有している。なお、後述の図４（Ｂ）〜（Ｄ）においても、図４（Ａ）に倣って６×６画素の画像を示している。

放射線画像検出器１全体に対して一様な放射線露光を行なった場合、通常であれば画面全体で均一な濃度の画像が得られるはずであるが、画像上の欠陥がある場合には図４（Ａ）に示すように欠陥に対応する画素は周囲の欠陥に対応しない画素の濃度と異なる濃度に検出される。この欠陥の検出においては、上記の放射線露光により得られるはずの濃度範囲から極端に外れた濃度を示している部分を欠陥とみなせばよいため、ソフトウェアにより自動的に検出させることが可能である。もちろん使用者により手動で検出を行なってもよい。図４（Ａ）では画素Ｃ５が欠陥となっている。

このような欠陥を生じる主な原因の一つとして、ａ−Ｓｅを主成分とする光導電層（記録用光導電層１２、読取用光導電層１４）の成膜時において紛れ込んだゴミや突沸等に起因して生じる結晶型セレンがある。放射線画像検出器１では記録時等に光導電層に対して電界を形成するが、画像上の欠陥の生じた放射線画像検出器１に電界を形成すると、結晶化部とアモルファス部で導電性が異なったり、またゴミとセレンで誘電率が異なること等から結晶化部への電界集中が起こる。この結晶型セレンを起点として発生する突発的な電荷注入により、放射線画像検出器１中に電荷が過剰に蓄積もしくは過剰に流れることが原因となり画像上の欠陥を生じる。

さらに、この電界集中はその領域に対して電流を集中させるために発熱を引き起こし、周囲のａ−Ｓｅに対して結晶化を引き起こさせるため、放射線画像検出器１の継続的な使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返されることで結晶化部を拡大させて、図４（Ｂ）に示すように当初の欠陥画素Ｃ５を起点として、欠陥範囲が周囲に二次元状に拡大することが見出された。

そのため、本実施の形態においては、予め検出された画像上の欠陥に対応する線状配線を、上記の切断領域Ａにおいて切断し、光導電層の画像上の欠陥に対応する部分には電界が形成されなくなるようにする。

具体的には、画像上の欠陥の位置から放射線画像検出器１における欠陥部の位置は一義的に推測できるため、この欠陥部の位置に対応する信号出力用線状配線１５ａを切断領域Ａにおいて切断する。すなわち、図３に示すように欠陥画素Ｃ５に対応する位置には結晶型セレン等の欠陥部Ｄが存在することが推測されるため、欠陥部Ｄと重なる信号出力用線状配線１５ａを切断する。

切断する方法は、レーザ光を照射して配線を焼き切るレーザリペア等どのような方法を用いてもよい。

その結果、図４（Ｃ）に示すように、切断した信号出力用線状配線１５ａに対応した画素はライン状に欠陥となる。しかしながら、このようなライン状の欠陥に対する補正は、二次元状に広範囲に拡大した欠陥に対する補正と比べて、容易かつ正確に行うことができる。

このライン状の欠陥に対する補正は、例えば欠陥画素周囲の画素の濃度の平均値を欠陥画素の濃度とみなすような処理を行ってもよい。また、実際の放射線画像検出器１では非常に多数の画素ライン（例えば４３００ライン）があるため欠陥ラインを全く表示せずこのラインの上下のラインをつなぎあわす処理等を行ってもよい。勿論、上記の処理に限定されるものではなく、どのような画像処理方法で行ってもよい。

本実施の形態では画像処理基板３３上の不図示の画像処理手段により画像上の欠陥周囲の濃度の平均値を欠陥部の濃度とみなすような処理を行い欠陥部を補正することによって、図４（Ｄ）に示すように、正常な画像を取得できるようになる。またこの放射線画像検出器１は、欠陥部の位置に対応した信号出力用線状配線１５ａが切断されているため、放射線画像検出器１の使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返された場合でも欠陥部Ｄには電界が形成されなくなるので、欠陥部Ｄの拡大を防止することができる。

なお、本実施の形態においては画像上の欠陥に対応する信号出力用線状配線１５ａのみを切断したが、欠陥に対応する共通線状配線１５ｂも併せて切断してもよい。

次に、本発明の第２の実施の形態の画像撮像装置について説明する。本実施の形態は上記第１の実施の形態と比べ、放射線画像検出器を光読出方式のものからＴＦＴ読出方式のものに変更したものである。図５は本実施の形態の放射線画像検出器の概略構成を示す上面図、図６は図５中のVI−VI線断面図、図７は上記放射線画像検出器の電荷検出層の構成を示す構成図である。

本実施の形態の放射線画像検出器２は、ガラス基板１２０上に、ａ−Ｓｉ ＴＦＴからなる電荷検出層１１３、Ｘ線の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する光導電層１１２、導電層１１１がこの順に積層されたものである。

図７に示すように、電荷検出層１１３は、具体的には電荷蓄積容量ＰとＴＦＴスイッチＴがマトリクス状に配された構造をしている。ＴＦＴスイッチＴのドレイン電極と電荷蓄積容量Ｐの一方の電極とは接続されている。そして、電荷蓄積容量Ｐの他方の電極は蓄積容量配線Ｖｓに接続されている。ＴＦＴスイッチＴのゲート電極にはスキャン配線Ｖｇが接続されており、ソース電極にはデータ配線Ｓｉｇが接続されている。

スキャン配線Ｖｇには、各スキャン配線Ｖｇに接続されたＴＦＴスイッチＴをオンオフ制御するため制御信号が流される。また、データ配線Ｓｉｇには、各データ配線Ｓｉｇに接続された電荷蓄積容量Ｐに蓄積された電荷信号が流れ出す。なお、上記制御信号は、後述するゲートドライバから出力される。スキャン配線Ｖｇとデータ配線Ｓｉｇとは互いに直交して設けられている。

また、図５および図７に示すように、方形のガラス基板１２０の上辺に沿ってフレキシブル基板１３２上に信号検出用ＩＣ１３１を実装した複数のＴＣＰが配置されており、ＴＣＰの一方の端部はガラス基板１２０上において放射線画像検出器２のデータ配線Ｓｉｇおよび蓄積容量配線Ｖｓと接続されており、ＴＣＰの他方の端部は画像処理基板１３３に接続されている。

また、方形のガラス基板１２０の右辺に沿ってフレキシブル基板１３５上にゲートドライバＩＣ１３４を実装した複数のＴＣＰが配置されており、ＴＣＰの一方の端部はガラス基板１２０上において放射線画像検出器２のスキャン配線Ｖｇと接続されており、ＴＣＰの他方の端部は制御基板１３６に接続されている。

次に、上記放射線画像検出器２の作用について説明する。

まず、導電層１１１と電荷検出層１１３との間に電界を形成する。本実施の形態においては導電層１１１と蓄積容量配線Ｖｓとの間に不図示の高圧電源を接続し、両者の間にバイアス電圧を印加する。この状態で図６上方よりＸ線が照射されると、光導電層１１２の内部で電荷対が発生する。その発生した電荷対のうち正電荷は上記電界により電荷検出層１１３方向に移動させられ最終的に電荷蓄積容量Ｐに蓄積される。光導電層１１２はＸ線量に応じて異なる電荷量を発生するため、Ｘ線が担持した画像情報に応じた電荷が各画素の電荷蓄積容量Ｐに蓄積される。その後、スキャン配線Ｖｇを介してＴＦＴスイッチＴをＯＮ状態にする信号を順次加え、データ配線Ｓｉｇを介して各電荷蓄積容量Ｐに蓄積された電荷を取り出す。さらに信号検出用ＩＣ１３１で各画素の電荷量を検出することにより画像情報を読み取ることができる。

このように構成されたＴＦＴ読出方式の放射線画像検出器２においても、上記第１の実施の形態と同様に、画像上の欠陥の検出を行い、欠陥がある場合には欠陥に対応する配線を切断するとともに、これに伴って生じるライン状の欠陥の補正処理を行うことによって、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

本実施の形態においては、バイアス電圧を形成する際に蓄積容量配線Ｖｓに高圧電源を接続する態様としているため、欠陥がある場合には少なくとも欠陥に対応する蓄積容量配線Ｖｓを切断することにより、欠陥部分に電界を形成させないようにすることができるが、欠陥画素に対応するデータ配線Ｓｉｇも併せて切断してもよい。

なお、ＴＦＴ読出方式の放射線画像検出器の場合において切断すべき配線は、ＴＦＴスイッチおよび電荷蓄積容量の接続構成により変化するため、上記以外の構成のＴＦＴ読出方式の放射線画像検出器とした場合には、適宜切断する配線を変更する必要があることは言うまでもない。

以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではない。例えば放射線画像検出器の構成については、直接変換方式に限らず、シンチレーターを用いた間接変換方式のものを用いてもよい。

第１の実施の形態の放射線画像検出器の概略構成を示す上面図 図１中のII−II線断面図 上記放射線画像検出器の第２の導電層の構成を示す上面図 上記放射線画像検出器から得られた画像の一例を示す図（Ａ）、図４（Ａ）の状態から欠陥が拡大した状態を示す図（Ｂ）、図４（Ａ）の状態において画像上の欠陥に対応する配線を切断した場合の画像を示す図（Ｃ）、図４（Ｃ）の状態から画像上の欠陥を補正した画像を示す図 第２の実施の形態の放射線画像検出器の概略構成を示す上面図 図５中のVI−VI線断面図 上記放射線画像検出器の電荷検出層の構成を示す構成図

符号の説明

１、２ 放射線画像検出器
１１ 第１の導電層
１２ 記録用光導電層
１３ 電荷蓄積層
１４ 読取用光導電層
１５ 第２の導電層
２０ ガラス基板
３０ 電流検出部
３１ 信号検出用ＩＣ
３２ フレキシブル基板
３３ 画像処理基板
１１１ 導電層
１１２ 光導電層
１１３ 電荷検出層
１２０ ガラス基板
１３１ 信号検出用ＩＣ
１３２ フレキシブル基板
１３３ 画像処理基板
１３４ ゲートドライバＩＣ
１３５ フレキシブル基板
１３６ 制御基板

Claims (4)

1. 記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、該光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、該配線には前記光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部が形成されるとともに、前記配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器に対して、予め検出された画像上の欠陥に対応する前記配線を、前記取出部において切断することを特徴とする放射線画像検出器の補修方法。
2. 請求項１記載の補修方法により補修された放射線画像検出器から出力された信号に基づいて画像信号を生成する画像処理方法であって、
   切断された前記配線に対応した画素データに対して補正処理を行うことを特徴とする画像処理方法。
3. 記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、該光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、該配線には前記光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部が形成されるとともに、前記配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器であって、
   予め検出された画像上の欠陥に対応する前記配線が、前記取出部において切断されたものであることを特徴とする放射線画像検出器。
4. 請求項３記載の放射線画像検出器から出力された信号に基づいて画像信号を生成する画像処理装置であって、
   切断された前記配線に対応した画素データに対して補正処理を行うものであることを特徴とする画像処理装置。

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