TW201349252A - 放射線影像檢測裝置 - Google Patents

Abstract

閃爍器20具有包含CsI：Tl的多個柱狀結晶31，且將X射線轉換為可見光並從柱狀結晶31的前端部31a射出。表面保護膜23包含聚對二甲苯，且覆蓋閃爍器20的表面，柱狀結晶31的前端部31a侵入該表面保護膜23。光電轉換面板21包含玻璃基板21a、及形成在玻璃基板21a上的元件部21b。元件部21b具有多個畫素，並且與柱狀結晶31的前端部31a對向配置，在各畫素的受光區域檢測從前端部31a射出並透射表面保護膜23的可見光並將該可見光轉換為電荷。為提高訊雜比，前端部31a向表面保護膜23的侵入量P與各畫素的受光區域的面積A設定為滿足0＜P/A≦1.4×103m-1的關係。

Description

放射線影像檢測裝置

本發明是有關於一種檢測放射線影像的放射線影像檢測裝置。

近年來，在醫療領域中，為進行影像診斷而使用放射線檢測裝置，該放射線檢測裝置是從放射線源向患者的攝影部位進行放射，檢測透射攝影部位的放射線(例如X射線)並將該放射線轉換為電荷，基於該電荷來生成表示攝影部位的放射線影像的影像資料(data)。該放射線檢測裝置存在將放射線直接轉換為電荷的直接轉換方式者、及暫時將放射線轉換為可見光、且將該可見光轉換為電荷的間接轉換方式者。

間接轉換方式的放射線影像檢測裝置包括：閃爍器(scintillator)(螢光體層)，將放射線轉換為可見光；以及光電轉換面板(panel)，檢測可見光並將該可見光轉換為電荷。對閃爍器使用碘化銫(cesium iodide，CsI)或氧化釓硫(gadolinium oxide sulfur，GOS)。

CsI與GOS相比製造成本高，但從放射線向可見光的轉換效率高，且具有柱狀結晶構造，藉由光導效應(light guide effect) 而使影像資料的訊雜(signal to noise，SN)比提高，因此尤其是作為面向高端(high end)的放射線影像檢測裝置的閃爍器來使用。但是，若僅為CsI則發光效率低，因此在CsI中添加鉈(thallium，Tl)或鈉(natrium，Na)等活化劑。柱狀結晶構造是如下的結構，即多個柱狀結晶屹立在基板上，且空氣處在鄰接的柱狀結晶之間。

CsI般的柱狀結晶構造的閃爍器存在具有潮解性的問題。因此，對於柱狀結晶構造的閃爍器，為防止潮解而以聚對二甲苯(polyparaxylene)等的具有防潮性的表面保護膜覆蓋(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1中，將柱狀結晶構造的閃爍器蒸鍍形成在基板上，並以表面保護膜覆蓋基板及閃爍器，其後，使閃爍器的柱狀結晶的前端側對向於光電轉換面板。此外，在專利文獻1記載的放射線檢測裝置中，在柱狀結晶的前端側，表面保護膜的一部分進入鄰接的柱狀結晶之間。

專利文獻1中記載有如下情況，即由於表面保護膜與空氣相比折射率更接近於柱狀結晶的折射率，由此因表面保護膜處在鄰接的柱狀結晶之間(間隙部)而導致光容易從柱狀結晶洩露至間隙部，從而光導效應降低。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-8741號公報

然而，由於可見光從柱狀結晶的前端部向光電轉換面板呈放射狀擴散並射出，因此考慮藉由使柱狀結晶的前端部以某程度侵入表面保護膜，而抑制可見光從前端部擴散，從而訊雜比提高。專利文獻1中，無與可見光從前端部的擴散相關的記載，僅記載不使表面保護膜處在柱狀結晶的間隙部中為佳。

由此，本發明的目的在於，提供一種可使訊雜比提高的放射線影像檢測裝置。

為解決上述課題，本發明的放射線影像檢測裝置的特徵在於包括：閃爍器，具有多個柱狀結晶，將放射線轉換為可見光並從柱狀結晶的前端部射出；表面保護膜，覆蓋閃爍器的表面，且柱狀結晶的前端部侵入表面保護膜中；以及光電轉換面板，具有多個畫素，並且與柱狀結晶的前端部對向配置，在各畫素的受光區域檢測從前端部射出並透射表面保護膜的可見光且將上述可見光轉換為電荷；在將前端部向表面保護膜的侵入量設為P、將各畫素的受光區域的面積設為A的情形時，滿足0<P/A≦1.4×10³m^-1的關係。進而，侵入量P與面積A較佳為滿足0.1×10³≦P/A≦1.0×10³m^-1的關係。

再者，閃爍器較佳為包含添加有活化劑的鹼金屬的鹵化物。閃爍器尤佳為包含在碘化銫中添加有鉈(thallium)的碘化銫。此外，表面保護膜較佳為包含聚對二甲苯。

此外，在將表面保護膜的折射率設為n₁、將閃爍器的折 射率設為n₂的情形時，較佳為滿足n₂-0.3≦n₁≦n₂+0.2的關係。表面保護膜的折射率n₁與閃爍器的折射率n₂更佳為滿足n₂-0.2≦n₁≦n₂+0.1的關係。

此外，各畫素的受光區域較佳為正方形狀。

此外，較佳為，在光電轉換面板的表面形成有黏著層，且閃爍器經由黏著層而貼合在光電轉換面板上。

此外，較佳為，上述放射線影像檢測裝置包括支撐閃爍器的支撐基板，且支撐基板相對於閃爍器而配置在與光電轉換面板為相反的側。較佳為，在該支撐基板上具有基板保護膜，且在基板保護膜上蒸鍍形成有閃爍器。

此外，較佳為，閃爍器包含：非柱狀結晶，形成在基板保護膜上；以及柱狀結晶，形成在非柱狀結晶上。

此外，較佳為，支撐基板包含鋁(aluminium)，基板保護膜包含聚對二甲苯。

此外，較佳為，上述放射線影像檢測裝置包括端部密封材，上述端部密封材覆蓋閃爍器、支撐基板及黏著層的側部。

此外，較佳為，光電轉換面板包括玻璃基板、及形成在玻璃上的元件部，元件部具有多個畫素，且對向於閃爍器。

此外，較佳為，各畫素包括：光電二極體(photo diode)，吸收可見光而生成電荷；電容器(capacitor)，儲存光電二極體產生的電荷；以及薄膜電晶體(transistor)，用以使儲存在電容器中的電荷輸出至外部。

此外，較佳為，光電轉換面板配置在較光電二極體更靠放射線的入射側。

根據本發明的放射線影像檢測裝置，在將閃爍器的柱狀結晶的前端部侵入表面保護膜的侵入量設為P、將各畫素的受光區域的面積設為A的情形時，滿足0<P/A≦1.4×10³m^-1的關係，藉此可提高訊雜比。

10‧‧‧X射線影像檢測裝置

11‧‧‧平板檢測器

12‧‧‧基座

12a‧‧‧腳部

13‧‧‧電路

14‧‧‧框體

14a‧‧‧頂板

14b‧‧‧主體

14c‧‧‧開口部

15‧‧‧顯示部

20‧‧‧閃爍器

21‧‧‧光電轉換面板

21a‧‧‧玻璃基板

21b‧‧‧元件部

22‧‧‧支撐基板

22a‧‧‧基板保護膜

23‧‧‧表面保護膜

24‧‧‧黏著層

25‧‧‧端部密封材

26‧‧‧接著層

27‧‧‧電子基板

28‧‧‧撓性電纜

30‧‧‧非柱狀結晶

31‧‧‧柱狀結晶

31a‧‧‧前端部

32‧‧‧空氣層

40‧‧‧畫素

41‧‧‧光電二極體

41a‧‧‧受光區域

42‧‧‧電容器

43‧‧‧薄膜電晶體

44‧‧‧閘極配線

45‧‧‧資料配線

46‧‧‧閘極驅動器

47‧‧‧信號處理部

L₁‧‧‧行方向的長度

L₂‧‧‧列方向的長度

P‧‧‧侵入量

δ‧‧‧臨界點

圖1是X射線影像檢測裝置的局部切斷立體圖。

圖2是X射線影像檢測裝置的概略剖面圖。

圖3是表示閃爍器的詳細構成的概略剖面圖。

圖4是表示光電轉換面板的元件部的構成的電路圖。

圖5是說明訊雜比相對於柱狀結晶的前端部向表面保護膜的侵入量的特性的圖。

圖6是表示畫素的受光區域的形狀的概略圖。

圖7是表示訊雜比相對於以受光面積使侵入量標準化而得的值的模擬結果的圖。

圖8是表示訊雜比相對於表面保護膜的折射率的模擬結果的圖。

圖1中，X射線影像檢測裝置10包括平板檢測器(flat panel detector，EPD)11、基座12、電路13及收容該等構件的框體14。框體14包括頂板14a及扁平的箱形狀的主體14b。

頂板14a將形成在主體14b上部的開口部14c密封。頂板14a的上表面為從X射線產生器(未圖示)射出並透射被攝體(患者)的攝影部位的X射線照射的照射面。因此，頂板14a包含X射線的透射性高的碳(carbon)等。主體14b包含丙烯晴-丁二烯-苯乙烯(acrylonitrile butadiene styrene，ABS)樹脂等。

X射線影像檢測裝置10與現有的X射線膠片暗盒(film cassette)相同具有可移動性，可代替X射線膠片暗盒使用而稱作電子暗盒。

在框體14內，自頂板14a側依序配置有平板檢測器11、基座12。基座12固定在框體14的主體14b上。平板檢測器11安裝在基座12上。電路13配置在框體14內的沿短邊方向的一端側。電路13收容有微電腦(micro computer)及電池(battery)(均未圖示)。

在頂板14a上設置有包含多個發光二極體(light emitting diode，LED)的顯示部15。在顯示部15上顯示X射線影像檢測裝置10的動作模式(mode)(例如「就緒(ready)狀態」或「資料發送中」等)、及電路13內的電池的剩餘容量等動作狀態。再者，顯示部15亦可由LED以外的發光元件、液晶顯示器或有機電致發光(electroluminescence，EL)顯示器等構成。

圖2中，平板檢測器11包括閃爍器20及光電轉換面板 21。閃爍器20是藉由在支撐基板22上蒸鍍CsI：Tl(添加有鉈的碘化銫)而形成者，且具有柱狀構造。支撐基板22包含例如厚度為約300 μm的鋁。在支撐基板22的形成有閃爍器20的表面上，形成有基板保護膜22a。基板保護膜22a包含例如厚度為約10 μm的聚對二甲苯。作為該聚對二甲苯，更具體而言使用派瑞林C(parylene C)(日本派瑞林(Parylene)股份公司製造的商品名；「派瑞林」為註冊商標)。

在閃爍器20與支撐基板22的露出至外部的整個表面上，形成有表面保護膜23以謀求閃爍器20的防潮。表面保護膜23包含例如厚度為約20 μm的聚對二甲苯。作為該聚對二甲苯，更具體而言使用派瑞林C(日本派瑞林股份公司製造的商品名；「派瑞林」為註冊商標)。閃爍器20的折射率為1.81，基板保護膜22a及表面保護膜23的折射率為1.64。

光電轉換面板21配置在閃爍器20的頂板14a側，光電轉換面板21與閃爍器20經由黏著層24貼合。黏著層24包含對於可見光為透明的樹脂(例如丙烯酸樹脂(acrylic resin))，且例如具有約30 μm的厚度。此外，閃爍器20、支撐基板22及黏著層24的側部由端部密封材25覆蓋。端部密封材25包含紫外線硬化樹脂。進而，光電轉換面板21經由接著層26而貼附在頂板14a上。

基座12以腳部12a固定在主體14b的底面上。在基座12的與閃爍器20為相反側的面上，安裝有進行光電轉換面板21的 驅動及信號處理等的電子基板27。電子基板27與光電轉換面板21經由撓性電纜(flexible cable)28而電性連接。

閃爍器20吸收X射線而產生可見光，該X射線是在透射攝影部位並照射至頂板14a之後，透射頂板14a、接著層26、光電轉換面板21、黏著層24及表面保護膜23而入射至上述閃爍器20。藉由閃爍器20而產生的可見光，透射表面保護膜23及黏著層24並入射至光電轉換面板21。光電轉換面板21將入射的可見光轉換為電荷，並基於該電荷而生成表示放射線影像的影像資料。

圖3中，閃爍器20包含非柱狀結晶30與柱狀結晶31。非柱狀結晶30為粒子狀，遍及整個支撐基板22上而形成。柱狀結晶31是以非柱狀結晶30為基礎，而在非柱狀結晶30上結晶成長而得者。柱狀結晶31在非柱狀結晶30上形成有多個，非柱狀結晶30與柱狀結晶31相互隔著空氣層32而分開。柱狀結晶31的直徑沿其長邊方向為大致均一(數μm程度)。

X射線從光電轉換面板21側入射至閃爍器20，因此對於在閃爍器20內產生可見光而言，主要是在柱狀結晶31的光電轉換面板21側產生可見光。以閃爍器20產生的可見光，藉由柱狀結晶31的光導效應而在柱狀結晶31內朝向光電轉換面板21傳輸，且從前端部31a向光電轉換面板21射出。前端部31a為大致圓錐狀，其頂部的角度為銳角(例如40°~80°)。

以柱狀結晶31產生的可見光，藉由光導效應亦向支撐基 板22側傳輸。在柱狀結晶31內朝向支撐基板22側傳輸的可見光到達非柱狀結晶30，該可見光的大部分在非柱狀結晶30上反射並射向光電轉換面板21側。因此，以閃爍器20產生的可見光的損失少。

柱狀結晶31的前端部31a侵入表面保護膜23。該前端部31a向表面保護膜23的侵入量P為10 μm左右。自前端部31a至光電轉換面板21的距離，等於使表面保護膜23的厚度與黏著層24的厚度相加而得的厚度，該距離為約50 μm。

光電轉換面板21包括玻璃基板21a、及形成在玻璃基板21a上的元件部21b。玻璃基板21a配置在較元件部21b更靠X射線入射側，例如具有700 μm的厚度。

圖4中，元件部21b藉由多個畫素40排列為二維矩陣(matrix)狀而構成。各畫素40包括光電二極體(photodiode，PD)41、電容器42及薄膜電晶體(thin transistor，TFT)43。光電二極體41包含非晶矽(amorphous silicon)，且光電二極體41吸收自閃爍器20入射的可見光而生成電荷。電容器42儲存光電二極體41所生成的電荷。薄膜電晶體43是用以將儲存在電容器42中的電荷輸出至各畫素40的外部的開關(switching)元件。

各畫素40連接於閘極(gate)配線44與資料配線45。閘極配線44沿行方向延伸，且沿列方向排列有多個。資料配線45沿列方向延伸，且以與閘極配線44相交的方式沿行方向排列有多個。閘極配線44連接於薄膜電晶體43的閘極端子。資料配線45 連接於薄膜電晶體43的汲極(drain)端子。

閘極配線44的一端連接於閘極驅動器(gate driver)46。資料配線45的一端連接於信號處理部47。閘極驅動器46及信號處理部47設置在電子基板27上。閘極驅動器46依序對各閘極配線44提供閘極驅動信號，而使與各閘極配線44連接的畫素40的薄膜電晶體43接通(on)。若薄膜電晶體43接通，則儲存在電容器42中的電荷輸出至資料配線45。

信號處理部47針對每個資料配線45而具有積分放大器(integrating amplifier)(未圖示)。輸出至資料配線45的電荷藉由積分放大器進行積分並轉換為電壓信號。此外，信號處理部47包括類比數位(analog to digital，A/D)轉換器(未圖示)，將藉由各積分放大器生成的電壓信號轉換為數位信號而生成影像資料。

本案申請人發現，上述影像資料的訊雜比，取決於上述的柱狀結晶31的前端部31a向表面保護膜23的侵入量P，並如圖5所示般變化。具體而言，在將侵入量P除以光電二極體41的受光面積A而得的P/A處於自0至臨界點δ的範圍內時，與前端部31a未侵入表面保護膜23的情形(P/A=0)相比，訊雜比提高。會在下文詳細敍述，臨界點δ為約1.4×10³m^-1。

上述訊雜比的特性是因兩個因素的交疊(crossover)而產生。第1因素為：若前端部31a不侵入表面保護膜23(P=0)，且前端部31a的周圍被空氣層32覆蓋，則藉由光導效應而在柱狀結晶31內朝向前端部31a傳輸而來的可見光，從前端部31a擴散 並射出，產生多個不朝向與前端部31a對向的光電二極體41的雜訊成分，但若前端部31a侵入表面保護膜23，則由於前端部31a的周圍被折射率接近於空氣層32的折射率的表面保護膜23覆蓋，因此上述可見光從前端部31a擴散並射出，不朝向與前端部31a對向的光電二極體41的雜訊成分降低，從而訊雜比提高。第2因素為：若侵入量P過大，則柱狀結晶31的光導效應減弱，可見光容易傳輸至鄰接的柱狀結晶31，從而雜訊成分上升，訊雜比降低。

作為相對於訊雜比的參數(parameter)而使用以受光面積A使侵入量P標準化而得的值(P/A)的理由為，即便侵入量P相同，若光電二極體41的受光面積A變大，則自柱狀結晶31的前端部31a射出的可見光容易被光電二極體41接收，從而訊雜比亦會降低。本實施方式中，如圖6所示，光電二極體41的受光區域41a為矩形狀，行方向的長度L₁、列方向的長度L₂分別為約150 μm。該情形時，成為受光面積A=L₁*L₂。再者，為提高影像的清晰度，受光面積A越小越好。

本實施方式中，受光面積A為2.25×10^-8m²，侵入量P為10 μm，因此P/A為4.44×10²m^-1。因此，本實施方式中，P/A為圖5所示的圖的大致峰值(peak)位置，訊雜比最為提高。

圖7是使P/A作為參數而變化的情形時的利用模擬所得的訊雜比的計算結果。該模擬中，改變受光區域41a的大小，對L₁=L₂=150 μm的情形、及L₁=L₂=300 μm的情形計算訊雜比。再 者，閃爍器20的折射率設為1.81，表面保護膜23的折射率設為1.64。

上述訊雜比表示如下比例，即，在使1個受光區域41a對向於直徑6 μm、長度650 μm的1個柱狀結晶31的情形時，自柱狀結晶31射出的可見光被該受光區域41a接收的比例。假定上述受光區域41a以外的周圍為100%吸收體，而不考慮可見光的反射。

根據上述模擬結果得知，訊雜比與P=0的情形時大致一致的P/A的值(臨界點δ)，在L₁=L₂=150 μm與L₁=L₂=300 μm的任一情形時均大致一致而為約1.4×10³m^-1。為使訊雜比較P=0的情形時提高，而必須將P/A設定在0<P/A≦1.4×10³m^-1的範圍內。更佳為設定在0.1×10³≦P/A≦1.0×10³m^-1的範圍內。

下面，對平板檢測器11的製造方法進行說明。首先，準備鋁製的支撐基板22，以氣相成膜法將聚對二甲苯成膜在支撐基板22上，藉此形成具有約10 μm的厚度的基板保護膜22a。然後，將形成有基板保護膜22a的支撐基板22放入蒸鍍裝置(未圖示)的腔室(chamber)內，控制腔室內的壓力與基板溫度，藉此在基板保護膜22a上，形成厚度為約650 μm的包含CsI：Tl的閃爍器20。在該閃爍器20上形成有柱狀結晶31。

其後，自蒸鍍裝置取出在基板保護膜22a上形成有閃爍器20的支撐基板22，將聚對二甲苯以氣相成膜法成膜在整個該支撐基板22上，藉此形成具有約10 μm的厚度的表面保護膜23。此 時，藉由控制聚對二甲苯的成膜條件而可調整上述的侵入量P。例如，以使侵入量P成為約10 μm的方式控制成膜條件。

其次，在光電轉換面板21的元件部21b側的表面上形成黏著層24，以該黏著層24隔著表面保護膜23而對向於閃爍器20的柱狀結晶31的前端部31a的方式，貼附光電轉換面板21與閃爍器20。然後，以覆蓋閃爍器20、支撐基板22及黏著層24的側部的方式形成紫外線硬化樹脂，藉由照射紫外線而使該紫外線硬化樹脂發揮效果來形成端部密封材25。藉由以上步驟而完成平板檢測器11。

圖8是設為P=10 μm、L₁=L₂=150 μm(即P/A=4.44×10²m^-1)、且使表面保護膜23的折射率n₁變化的情形時的利用模擬所得的訊雜比的計算結果。此處，閃爍器20的折射率n₂設為1.81。根據上述模擬結果得知，表面保護膜23的折射率n₁較佳為1.5≦n₁≦2.0(即，n₂-0.3≦n₁≦n₂+0.2)的範圍，在該範圍內訊雜比提高。表面保護膜23的折射率n₁更佳為1.6≦n₁≦1.9(即，n₂-0.2≦n₁≦n₂+0.1)的範圍。

再者，在使用聚對二甲苯以外的材料作為表面保護膜23的情形時，較佳為對於波長550 nm的光的透射率為90%以上。

其次，對本實施方式的作用進行說明。為使用X射線影像檢測裝置10進行放射線影像的攝影，攝影者(例如放射線技師)以使頂板14a對向於攝影部位的方式將X射線影像檢測裝置10***被攝體的攝影部位與基座(未圖示)之間，並進行位置調整。

若位置調整結束，則攝影者操作控制台(console)(未圖示)而指示開始攝影。藉此，自X射線產生器(未圖示)射出X射線，透射攝影部位的X射線照射至X射線影像檢測裝置10的頂板14a。照射至頂板14a的X射線透射頂板14a、接著層26、光電轉換面板21、黏著層24及表面保護膜23而入射至閃爍器20。

閃爍器20吸收入射的X射線而產生可見光。對於以閃爍器20產生可見光而言，主要是在柱狀結晶31內的頂板14a側產生可見光。在柱狀結晶31內產生的光在各柱狀結晶31內傳輸並自前端部31a射出，透過表面保護膜23及黏著層24並入射至光電轉換面板21的元件部21b。

入射至元件部21b的可見光在每個畫素40被轉換為電荷，並輸出至信號處理部47。在信號處理部47中，將各電荷轉換為電壓信號，藉由使該電壓信號數位化而生成表示放射線影像的影像資料。該影像資料藉由無線或有線傳送至控制台，基於該影像資料的影像顯示在與控制台連接的監視器(monitor)(未圖示)等上。

上述實施方式中，自X射線的入射側依序配置有光電轉換面板21、閃爍器20，但亦可與之相反，而自X射線的入射側依序配置有閃爍器20、光電轉換面板21。

此外，上述實施方式中，將各畫素的受光區域41a設為正方形狀(L₁=L₂)，但亦可將受光區域41a設為長方形狀(L₁≠L₂)。進而，受光區域41a並不限定於矩形狀，亦可設為其他多邊形狀。

此外，上述實施方式中，使閃爍器20包含CsI：Tl，但對於閃爍器20的形成材料而言，只要為構成柱狀結晶31的材料即可，且只要為在鹼金屬的鹵化物中添加有活化劑的材料即可。作為活化劑，只要自鉈(Tl)、鈉(Na)、銪(Eu)、釤(Sm)中選擇1種或2種以上即可。

此外，上述實施方式中，藉由氣相成膜法而在閃爍器20形成表面保護膜23，但亦可將片狀的抗潮材(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET，polyethylene terephthalate)片)貼合於閃爍器20而形成表面保護膜23。該情形時，藉由控制將抗潮材貼合於閃爍器20時的壓力而調整上述的侵入量P。

此外，上述實施方式中，使用X射線作為放射線，但亦可使用γ射線或α射線等X射線以外的放射線作為放射線。此外，上述實施方式中，將本發明應用於作為可移動型的放射線影像檢測裝置的電子暗盒，但亦可應用於站姿型或臥姿型的放射線影像檢測裝置、或***攝影(mammography)裝置等。

20‧‧‧閃爍器

21‧‧‧光電轉換面板

21a‧‧‧玻璃基板

21b‧‧‧元件部

22‧‧‧支撐基板

22a‧‧‧基板保護膜

23‧‧‧表面保護膜

24‧‧‧黏著層

30‧‧‧非柱狀結晶

31‧‧‧柱狀結晶

31a‧‧‧前端部

32‧‧‧空氣層

P‧‧‧侵入量

Claims (17)

1. 一種放射線影像檢測裝置，其特徵在於包括：閃爍器，具有多個柱狀結晶，將放射線轉換為可見光並從上述柱狀結晶的前端部射出；表面保護膜，覆蓋上述閃爍器的表面，且上述柱狀結晶的前端部侵入上述表面保護膜中；以及光電轉換面板，具有多個畫素，並且與上述柱狀結晶的前端部對向配置，在上述各畫素的受光區域檢測從上述前端部射出並透射上述表面保護膜的可見光且將上述可見光轉換為電荷；且在將上述前端部向上述表面保護膜的侵入量設為P、將上述各畫素的受光區域的面積設為A的情形時，滿足0<P/A≦1.4×10³m^-1的關係。
2. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述侵入量P與上述面積A滿足0.1×10³≦P/A≦1.0×10³m^-1的關係。
3. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器包含添加有活化劑的鹼金屬的鹵化物。
4. 如申請專利範圍第3項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器包含在碘化銫中添加有鉈的碘化銫。
5. 如申請專利範圍第4項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述表面保護膜包含聚對二甲苯。
6. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中 在將上述表面保護膜的折射率設為n₁、將上述閃爍器的折射率設為n₂的情形時，滿足n₂-0.3≦n₁≦n₂+0.2的關係。
7. 如申請專利範圍第6項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述表面保護膜的折射率n₁與上述閃爍器的折射率n₂滿足n₂-0.2≦n₁≦n₂+0.1的關係。
8. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述受光區域為正方形狀。
9. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中在上述光電轉換面板的表面形成有黏著層，且上述閃爍器經由上述黏著層而貼合在上述光電轉換面板上。
10. 如申請專利範圍第9項所述的放射線影像檢測裝置，其包括支撐上述閃爍器的支撐基板，且上述支撐基板相對於上述閃爍器而配置在與上述光電轉換面板為相反的側。
11. 如申請專利範圍第10項所述的放射線影像檢測裝置，其中在上述支撐基板上具有基板保護膜，且在上述基板保護膜上蒸鍍形成有上述閃爍器。
12. 如申請專利範圍第11項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器包含：非柱狀結晶，形成在上述基板保護膜上；以及柱狀結晶，形成在上述非柱狀結晶上。
13. 如申請專利範圍第12項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述支撐基板包含鋁，且上述基板保護膜包含聚對二甲苯。
14. 如申請專利範圍第13項所述的放射線影像檢測裝置，其 包括端部密封材，上述端部密封材覆蓋上述閃爍器、上述支撐基板及上述粘著層的側部。
15. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述光電轉換面板包括玻璃基板、及形成在上述玻璃上的元件部，且上述元件部具有上述多個畫素，且上述元件部對向於上述閃爍器。
16. 如申請專利範圍第15項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述各畫素包括：光電二極體，吸收可見光而生成電荷；電容器，儲存上述光電二極體產生的電荷；以及薄膜電晶體，用以使儲存在上述電容器中的電荷輸出至外部。
17. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述光電轉換面板配置在較上述光電二極體更靠上述放射線的入射側。