CN110945435B

CN110945435B - 对用于缺陷优化的掩模版放置的控制

Info

Publication number: CN110945435B
Application number: CN201880049194.0A
Authority: CN
Inventors: A·贾奇; A·本迪克塞; P·J·里索迪亚戈
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2017-07-21
Filing date: 2018-06-28
Publication date: 2023-05-26
Anticipated expiration: 2038-06-28
Also published as: WO2019015930A1; US11422478B2; CN110945435A; KR102656123B1; NL2021195A; KR20200026906A; US20200166855A1

Abstract

一种设计用于将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的***，包括照相机模块、致动器和控制器。照相机模块被设计成捕获图案形成装置的背面的图像数据。致动器被耦接到多个突节中的至少一个突节，并且被设计为移动所述至少一个突节。控制器被设计为接收来自照相机模块的被捕获的图像数据，并根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。所述控制器还被设计为控制所述致动器，以基于所确定的污染物部位，使所述多个突节中的所述至少一个突节被移动远离所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位。

Description

对用于缺陷优化的掩模版放置的控制

相关申请的交叉引用

本申请要求在2017年7月21日提交的美国临时专利申请号62/535,508的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种用于支撑物体，例如光刻设备中的图案形成装置和/或衬底，的静电夹具以及一种用于将物体耦接到静电夹具的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置可被用来生成与所述IC的单层对应的电路图案，并且该图案可被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。通常，单个衬底将包含连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过所述束在给定方向(“扫描”方向)上来扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底上。

光刻术被广泛地认为是IC和其它器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制作的特征的尺寸变得更小，光刻术正变成使得能够制造微型IC或其它器件和/或结构的更关键的因素。

图案印刷极限的理论估计可以由分辨率的瑞利准则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影***的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是被印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。根据等式(1)可以得出，可以按照三种方式获得特征的最小可印刷尺寸的减小：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA、或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，因此减小最小可印刷尺寸，已经提出了使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如在13-14nm范围内，例如在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。

然而，由这种源产生的辐射将不仅仅是EUV辐射，并且所述源还可以发射包括红外(IR)辐射和深紫外(DUV)辐射的其它波长。DUV辐射可能对光刻***有害，因为它可能导致对比度的损失。此外，不需要的IR辐射会对***内的部件造成热损害。因此，已知使用光谱纯度滤光器来增加EUV在透射后的辐射中的比例，并减少或甚至消除不需要的非EUV辐射，例如DUV和IR辐射。

使用EUV辐射的光刻设备可能需要EUV辐射束路径或至少其主要部分在光刻操作期间必须保持在真空中。在光刻设备的这种真空区域中，静电夹具可以用于将诸如图案形成装置和/或衬底之类的物体分别夹持到诸如图案形成装置台和/或衬底台之类的光刻设备的结构。

静电夹具和物体之间的界面在静电夹具和物体中的一个或两个上的接触点处受到磨损。当在静电夹具和物体之间存在污染物粒子时，这个问题变得更糟。对于将来的光刻***，预计部件增加的加速度、加热和其它因素会加剧该问题。此外，在图案形成装置和静电夹具之间污染物粒子的存在可能会导致重叠问题、对图案形成装置的损坏、或对静电夹具的损坏。

发明内容

因此，需要一种静电夹具，其能够被配置成牢固地保持物体并且防止或最小化由于污染物而引起的磨损，并且需要一种将物体耦接到静电夹具以防止或最小化由于污染物而引起的磨损的方法。

根据实施例，光刻设备包括照射***、支撑结构、投影***和控制器。照射***被设计成接收极紫外(EUV)辐射并将EUV辐射朝向图案形成装置引导，使得图案化的EUV辐射被从图案形成装置反射。支撑结构包括多个突节，并且被设计为将图案形成装置支撑在多个突节上。投影***被设计成接收图案化的EUV辐射并将图案化的EUV辐射朝向衬底引导。控制器被设计成接收对应于图案形成装置的背面的图像数据，并根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。所述控制器还被设计成确定所述图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得所述图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位与所述支撑结构上的多个突节中的任一突节未对准。

在另一实施例中，光刻设备包括照射***、支撑结构、致动器、投影***和控制器。照射***被设计成接收极紫外(EUV)辐射并将EUV辐射朝向图案形成装置引导，使得图案化的EUV辐射被从图案形成装置反射。支撑结构包括多个突节，并且被设计为将图案形成装置支撑在多个突节上。致动器被耦接到多个突节中的至少一个突节，并且被配置为在与支撑结构的最大表面垂直的方向上移动至少一个突节。投影***被设计成接收图案化的EUV辐射并将图案化的EUV辐射朝向衬底引导。控制器被设计成接收对应于图案形成装置的背面的图像数据，并根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。控制器还被设计为致动所述致动器，以使至少一个突节被移动远离图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。

在又一实施例中，一种被设计为将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的***包括照相机模块、机械臂和控制器。照相机模块被设计成捕获图案形成装置的背面的图像数据。机械臂被设计为支撑图案形成装置，并使图案形成装置与支撑结构上的多个突节接触。控制器被设计为接收来自相机模块的被捕获的图像数据，并根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。所述控制器还被设计成确定所述图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得所述图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位与所述支撑结构上的多个突节中的任一突节未对准。基于所确定的位置，控制器还控制机械臂以将图案形成装置与支撑结构耦接。

在又一实施例中，一种被设计为将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的***包括照相机模块、致动器和控制器。照相机模块被设计成捕获图案形成装置的背面的图像数据。致动器被耦接到多个突节中的至少一个突节，并且被设计为在与支撑结构的最大表面垂直的方向上移动至少一个突节。控制器被设计为接收来自相机模块的被捕获的图像数据，并根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。所述控制器还被设计为控制所述致动器，以基于所确定的污染物部位，使所述多个突节中的所述至少一个突节被移动远离所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位。

在又一实施例中，一种将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的方法包括：捕获图案形成装置的背面的图像，以及根据所捕获的图像确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。该方法还包括确定图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位与支撑结构上的多个突节中的任一突节未对准；以及基于所确定的位置将图案形成装置定位在多个突节的上方。

在又一实施例中，一种将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的方法包括：捕获图案形成装置的背面的图像，以及根据所捕获的图像确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位。该方法还包括致动多个突节中的一个或更多个突节，使得一个或更多个突节被移动远离图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位；以及将图案形成装置定位在多个突节的上方。

下面将参照附图详细描述本发明的另外的特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于这里描述的具体实施例。本文中提供的这些实施例仅用于说明性目的。基于本文包含的教导，另外的实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。

附图说明

附图被结合在本文中并形成为说明书的一部分，其示出了本发明，并且与描述一起进一步用于解释本发明的原理并能够使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1是根据本发明的实施例的反射式光刻设备的示意性示图。

图2是根据本发明的实施例的反射式光刻设备的更详细的示意性示图。

图3A是与支撑结构耦接的物体的侧视图。

图3B是横跨支撑结构的表面的多个突节的俯视图。

图3C是与存在污染物的支撑结构耦接的物体的侧视图。

图4是根据实施例的物体的背面的所捕获的图像的示例性表示。

图5A是根据实施例的物体与支撑结构耦接以避免与污染物接触的侧视图。

图5B是根据实施例的物体与支撑结构耦接以避免与污染物接触的俯视图。

图6是根据实施例的正被致动器移动的突节的示意性示图。

图7是根据实施例的物体与具有被缩回的突节的支撑结构耦接的侧视图。

图8是根据实施例的被设计成将物体耦接到支撑结构的***的图示。

图9是根据本发明的实施例的将物体耦接到支撑结构的过程的流程图。

图10是根据本发明的实施例的将物体耦接到支撑结构的过程的流程图。

图11是根据本发明的实施例的将物体耦接到支撑结构的过程的流程图。

当结合附图时，本发明的特征和优点将从下面阐述的详细描述中变得更加明显，其中，相似的参考符号始终标识相应的元件。在附图中，相似的参考数字通常表示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。元件首次出现的附图由相应的参考数字中最左边的数字表示。除非另有指示，否则本公开中提供的附图不应被解释为缩放附图。

具体实施方式

本说明书公开了结合本发明特征的一个或更多个实施例。所公开的(一个或更多个)实施例仅仅是本发明的示例。本发明的范围不限于所公开的(一个或更多个)实施例。本发明由随附与其的权利要求限定。

所描述的(一个或更多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用指示所描述的(一个或更多个)实施例可包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可不必须包括该特定特征、结构或特性。此外，这些短语不必须指代相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，结合其它实施例实现这种特征、结构或特性在所属领域的技术人员的知识内，无论是否明确描述。

然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现其中可以实现本发明的实施例的示例性环境是有指导意义的。

示例性反射式光刻***

图1示意性地示出了根据本发明实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。该设备包括：照射***(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，EUV辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如，掩模或掩模版)MA，并连接到被配置用于精确地定位图案形成装置的第一***PM；衬底台(例如，晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并连接到被配置用于精确地定位衬底的第二***PW；以及投影***(例如，反射式投影***)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

照射***可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用于引导、成形、或控制辐射。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计和其它条件(例如，诸如图案形成装置是否保持在真空环境中)的方式保持图案形成装置MA。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台，例如其可以根据需要是固定的或是可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影***处于期望的位置。

术语“图案形成装置”应当被广义地解释为表示能够用于在辐射束的横截面上赋予辐射束图案以在衬底的目标部分中生成图案的任何装置。赋予辐射束的图案可以对应于在目标部分中生成的器件中的特定功能层，例如集成电路。

图案形成装置可以是反射式的(如在图1的光刻设备100中)或透射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元相移掩模类型、交替相移掩模类型和衰减相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独倾斜，以在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

投影***，像照射***一样，可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，如适合于所使用的曝光辐射、或适合于诸如使用真空之类的其它因素。可能期望使用用于EUV辐射的真空，因为其它气体可能会吸收太多的辐射。因此，可以借助于真空壁和真空泵为整个束路径提供真空环境。

如这里所描述的，光刻设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或者可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，照射器IL接收来自源收集器设备SO的极紫外辐射束。产生EUV辐射的方法包括，但不必限于，将材料转换成等离子体状态，该材料具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。在一种这样的方法中，常常称为激光产生等离子体(“LPP”)，可以通过使用激光束辐照燃料，例如具有期望的线发射元素的材料的液滴、流或簇，来产生所需等离子体。源收集器设备SO可以是EUV辐射***的一部分，包括图1中未示出的用于提供激发燃料的激光束的激光器。所得到的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，使用设置在源收集器设备中的辐射收集器收集所述输出辐射。激光器和源收集器设备可以是分立的实体，例如当CO₂激光器被用于提供用于燃料激发的激光束时。

在这样的情况下，不认为激光器是形成光刻设备的一部分，并且激光束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***从激光器传递到源收集器设备。

在一种常常称为放电产生等离子体(“DPP”)的替代方法中，通过使用放电来蒸发燃料而产生EUV发射等离子体。燃料可以是诸如氙、锂或锡之类的元素，其具有EUV范围内的一个或更多个发射线。放电可以由电源产生，该电源可以是形成源收集器设备的一部分或者可以是经由电连接连接到源收集器设备的单独实体。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜和光瞳反射镜装置。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过图案形成装置来图案化。在辐射束B从图案形成装置(例如，掩模)MA被反射之后，辐射束B通过投影***PS，投影***PS将该束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二***PW和位置传感器PS2(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以精确地移动，例如以将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一***PM和另一位置传感器PS1可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2被对准。

所描述的设备可以用于以下模式中的至少一种：

在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT基本保持静止，同时赋予辐射束的整个图案被一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动衬底台WT，从而可以曝光不同的目标部分C。

在扫描模式中，当赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上时，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向可以通过投影***PS的(缩小率)放大率和图像反转特性来确定。

在另一模式中，保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模台)MT基本上保持静止，并且衬底台WT被移动或被扫描，同时将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要被更新可编程图案形成装置。该操作模式可以被容易地应用于利用可编程图案形成装置的无掩模光刻术中，例如上面提到的可编程反射镜阵列类型。

还可以采用上述使用模式或者完全不同的使用模式的组合和/或变化。

图2更详细地示出了包括源收集器设备SO、照射***IL和投影***PS的光刻设备100。源收集器设备SO被构造和布置成使得可以在源收集器设备SO的封闭结构220中保持真空环境。EUV辐射发射等离子体210可以通过放电产生的等离子体源形成。EUV辐射可以通过气体或蒸汽例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽产生，其中生成极高温的等离子体210以发射在EUV电磁光谱的范围内的辐射。例如，通过放电引起至少部分电离的等离子体来生成极高温的等离子体210。例如，为了辐射的有效产生，可能是需要10帕的氙气、锂、锡蒸气或任何其它合适的气体或蒸气的分压。在实施例中，提供被激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。

由高温等离子体210发射的辐射被从源腔室211经由可选的气体阻挡件或污染物陷230(在一些情况下也称为污染物阻挡件或箔片捕获器)进入收集器腔室212中，该气体阻挡件或污染物捕获器定位在源腔室211的开口中或开口后面。污染物捕获器230可以包括通道结构。污染物捕获器230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件与通道结构的组合。如本领域已知的，在本文中进一步指出的污染物捕获器或污染物阻挡件230至少包括通道结构。

收集器腔室212可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以被光栅光谱滤光器240反射，以聚焦在虚源点IF。虚源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚源点IF是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光器240特别用于抑制红外(IR)辐射。

随后，辐射横穿照射***IL，照射***IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，该琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置成在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望的角分布和期望的强度均匀性。当辐射束221在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，形成图案化的束226，并且图案化的束226由投影***PS通过反射元件228、230成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。

在照射光学单元IL和投影***PS中通常可以存在比所示更多的元件。依赖于光刻设备的类型，光栅光谱滤光器240可以可选地存在。此外，可以存在比图中所示的反射镜更多的反射镜，例如，可以在投影***PS中存在与图2中示出的相比1-6个附加的反射元件。

如图2所示，收集器光学器件CO被描述为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴对称地设置，并且这种类型的收集器光学部件CO优选地与放电产生的等离子体源(常常称为DPP源)结合使用。

图3A示出了可以实现为光刻设备100的一部分的支撑结构302的横截面的示意性示图。支撑结构302可以被设计为经由支撑结构302上的多个突节306支撑物体304。物体304可以是图案形成装置或晶片。物体304可以是可以在光刻设备100内使用的任何其它部件，例如诸如透镜或反射镜。

如图3A所示，物体304在Z方向上朝向支撑结构302，以经由与物体304的背面接触的突节306被静电地夹持。在这种内容背景下，物体304的背面是面向支撑结构302的表面，而物体304的正面是背朝支撑结构302的相对的表面。在物体304是图案形成装置的示例中，物体304的前侧包括图案化的反射表面以反射入射的EUV辐射。

图3B示出了支撑结构302的俯视图，以示出横跨其表面的突节304的阵列。每个突节304的高度可以介于1微米与20微米之间。在一个示例中，每个突节304的高度为大约10微米。在另一示例中，每个突节304的高度小于5微米。支撑结构302可以包括横跨其表面的多达5000、4000、3000、2000或1000个突节304。每个突节304可以彼此等距地布置，或者可以以特定的重复图案布置。每个突节304的横截面形状可以是任意形状，包括正方形(如图所示)、圆形、三角形等。

图3C示出了物体304与支撑结构302耦接的另一侧视图，其中存在污染物308。污染物308可以是外来物质的粒子或粒子的结块。如图3C所示，当物体304的背面上的污染物与任一突节306对准时，其生成可能损坏物体304或图案形成装置302的磨损部位。此外，污染物308的存在会影响物体304和支撑结构302之间的总耦接角，或者物体304的在污染物位点附近的表面的平整度中引起局部干扰。当物体304是图案形成装置时，物体304的位置和平整度的这些微小的偏移可能对物体304精确反射EUV辐射的能力具有负面影响。

根据实施例，成像装置或耦接到成像装置的控制器可用于确定存在于物体304的背面上的任何污染物部位。然后，该信息可以用于调整物体304的位置，使得当物体304被夹持到支撑结构302时，污染物不与突节306中的任一突节接触。例如，物体304可以在平行于支撑结构302的最大表面的X-Y平面中对准，然后与支撑结构302的突节306接触，使得存在的任何污染物落在突节的阵列之间。

图4示出了根据实施例的可以由成像装置提供的示例性图像402。图像402是横跨物体304的背面取得的，并且可以在图像402内识别一个或更多个污染物部位404。捕获图像402的成像装置可以包括电荷耦接器件(CCD)或MOSFET图像传感器。如从图像402中可以看出的，可以在图像402内识别各种尺寸的许多污染物部位。

可通过多种技术识别一个或更多个污染物部位404。在一个示例中，由于光从存在于正在被成像的物体的背面上的粒子散射出来，一个或更多个污染物部位404被提供为图像402中较亮的斑。在另一示例中，图像识别算法可以用于确定由于污染物的存在所引起的任何反常区域。

在实施例中，基于所确定的一个或更多个污染物部位404可原位清洁物体304的背面。各种清洁方法可涉及背面表面的物理“擦拭”清洁、超声波清洁或使用硬块材料(清洁石)磨掉污染物。在另一示例中，使用单独的清洁用掩模版来清洁物体304的背面。

根据实施例，一旦从所捕获的图像402知晓与物体304的背面上的任一污染物的位置相关的数据，则物体304可以在支撑结构302上方被对准，使得污染物不与突节306中的任一突节接触，如图5A中示意性地示出的。如果物体304如虚线箭头所示的那样正对准支撑结构302的上方，则粒子308将被捕获在突节306和物体304之间。然而，因为粒子308的部位可以由于所捕获的图像402而预先知晓，所以物体304可以在平行于支撑结构302的最大表面的X-Y平面中移动，使得任何污染物粒子308不与突节306中的任一突节接触。如图5A的底部所示，物体304能够与突节306中的每个突节接触，而不会由于污染物引起任何破坏。

图5B示出了根据实施例的物体304对准支撑结构306的上方的俯视图。物体304已经在X-Y平面中移动，使得每个污染物部位308与突节306中的任一突节未对准。物体304和支撑结构302之间的移动可以仅在微米量级或纳米量级。在一些实施例中，物体304还可以围绕Z轴旋转某一确定角度，以避免或最小化每个污染物部位308在任一突节306的上方的对准。

在一些实施例中，由于污染物部位的数目、污染物的尺寸或两者，可能无法避免所有污染物部位与一个或更多个突节对准。在这种情况下，物体304可以被移动到使存在的任一污染物和突节306之间的接触最小化的位置。

突节306中的一个或更多个可以能够移动，使得突节可以在Z方向上移动，以朝向支撑结构302的表面缩回或背离支撑结构302的表面延伸出。图6示出了根据实施例的耦接到致动器602的单个突节306，该致动器可以使突节306移动回到凹部604中。致动器602可以利用任何类型的致动机构，例如致动器602可以包括压电元件、热电元件或磁致伸缩元件。

致动器602可以被设计为在两个位置之间移动突节306，如图6的顶部所示的，一个位置完全在凹部604内，另一个位置完全伸出。在另一示例中，致动器602被设计为以更模拟的方式使致动器306移动到完全伸出和完全缩回之间的任何位置。致动器602可以提供纳米量级或微米量级的移动分辨率。为了清楚起见，在图6中仅示出了单个突节306，并且应当理解，横跨支撑结构302的任意数目的突节306都可以具有其自身的致动器，使得每个突节是可单独寻址的。在另一实施例中，突节组可以一起耦接到单个致动器，使得该组中的每个突节306将一起移动。例如，多达10个突节、15个突节、20个突节、25个突节或50个突节可以利用单个致动器分组在一起以基本上同时移动。给定的突节组可以各自被定位为彼此接近，或者该突节组可以随机地分散在横跨支撑结构302的全部数目的突节之中。

通过使某些突节或突节组缩回，可以避免存在于物体304的背面上的污染物。图7示出了根据实施例的物体304可以如何经由突节306耦接到支撑结构302，其中某些突节已经被缩回到凹部604中。被缩回的突节是如果没有被缩回则将与污染物308接触的突节。被缩回的突节可以完全缩回到凹部604中，或者仅缩回足够远以不与污染物308接触。如前所述，与物体304的背面上的污染物308的位置相关的数据可以从物体304的背面的图像中检索。然后，可以使用关于污染物308位置的该信息来确定要使哪些突节或突节组缩回，以使得没有突节与污染物308接触。在另一实施例中，其上存在污染物或被损坏的突节可以被缩回以避免损坏或污染物体304。

图8示出了根据实施例的被设计成将物体802耦接到支撑结构804的示例性***800。***800可以设置在光刻设备例如光刻设备100内。物体802可以表示可能需要定位在光刻设备内的任何数目的各种部件，例如图案形成装置或晶片。支撑结构804可以包括如上参考图3A-3B所述的多个突节。机器人臂810可以用于以至少三个自由度(X平移、Y平移、Z平移)和至多六个自由度(包括关于X轴、关于Y轴和关于Z轴的倾斜)移动物体802。机器人臂810可以用于将物体802与支撑结构804对准并且朝向支撑结构804移动物体802。在一个实施例中，一旦物体802已经与支撑结构804接触，物体802就被静电地夹持到支撑结构804。

***800包括控制器806，控制器用于控制***800的各种部件的动作，并用于处理从照相机808收集的数据。照相机808可以用于捕获物体802的背面的图像，以确定一个或更多个污染物部位。照相机808可以包括CCD元件或多个MOSFET图像传感器。照相机808可以利用白光来捕获图像，或者可以利用只包括单个可见颜色的光的更窄的光谱。在其它实施例中，照相机808利用红外辐射来捕获物体802的背面的图像。

控制器806可被设计成从照相机808接收图像数据，并从图像数据确定一个或更多个污染物部位。例如，控制器806可以使用一种或多种图像处理技术来确定污染物部位，如上文参照图4所讨论的。在实施例中，控制器806使用机器人臂810并且基于分析的图像数据来定位物体802，以避免支撑结构804的突节中的任一突节与污染物接触。在另一实施例中，控制器806向耦接到支撑结构上的突节的一个或更多个致动器发送信号，以使支撑结构804上的特定数目的突节缩回。控制器806可以使用接收到的图像数据来确定要使哪些突节或突节组缩回以避免与污染物接触。

图9示出了根据实施例的用于将图案形成装置耦接到支撑结构的方法900。方法900的步骤可以以不同的顺序执行，或者依赖于具体应用而不执行。方法900的各个步骤可以由***800的不同部件执行，诸如由与照相机808和机器人臂810协作的控制器806执行。

在步骤902中，根据实施例，从物体的背面捕获图像。所述物体可以是图案形成装置，例如EUV掩模版。该图像可以使用CCD照相机或从具有多个MOSFET图像传感器的装置来捕获。

在步骤904中，根据实施例，从捕获的图像确定一个或更多个污染物部位。所述一个或更多个污染物部位可通过多种技术来识别。在一个示例中，由于光从存在于被成像的物体的背面上的粒子散射出来，一个或更多个污染物部位被提供为所捕获的图像中的较亮的斑。在另一示例中，图像识别算法可以用于确定由于污染物的存在引起的任何反常区域。

在步骤906中，根据实施例，确定与支撑结构相关的物体的位置，使得一个或更多个污染物部位不与支撑结构上的突节中的任一突节接触。所确定的位置可以涉及在平行于支撑结构的最大表面的X-Y平面中移动物体。物体和支撑结构之间的移动可以仅在微米量级上，或者在纳米量级上。在一些实施例中，所确定的位置可以涉及使物体绕垂直于X-Y平面(Z方向)的轴线旋转，以避免或最小化在支撑结构的突节中的任一突节上方的一个或更多个污染物部位中的每一个的对准。

在步骤908中，根据实施例，物体被定位在支撑件上，在该处物体可被支撑件夹持。根据从步骤906确定的位置定位物体。可以使用被设计成以至少三个自由度或至少六个自由度移动物体的机器人臂来定位物体。

图10示出了根据实施例的用于将图案形成装置耦接到支撑结构的另一方法1000。方法1000的步骤可以以不同的顺序执行，或者依赖于具体应用而不执行。方法1000的各个步骤可以由***800的不同部件执行，诸如由与照相机808、机器人臂810和支撑结构804上的致动器协作的控制器806执行。

在步骤1002中，根据实施例，从物体的背面捕获图像。该物体可以是图案形成装置，例如EUV掩模版。该图像可以使用CCD照相机或从具有多个MOSFET图像传感器的装置来捕获。

在步骤1004中，根据实施例，从所捕获的图像确定一个或更多个污染物部位。一个或更多个污染物部位可通过多种技术来识别。在一个示例中，由于光从存在于被成像的物体的背面上的粒子散射出来，一个或更多个污染物部位被提供为所捕获的图像中的较亮的斑。在另一示例中，图像识别算法可以用于确定由于污染物的存在而引起的任何反常区域。

在步骤1006中，根据实施例，基于所确定的一个或更多个污染物部位来致动支撑结构上的一个或更多个突节。突节可以被单独地致动，或者整组突节可以经由单个致动器被一起致动。该致动使突节在与支撑结构的最大表面垂直的方向上移动，使得突节朝向支撑结构的表面缩回。可以使用压电致动器、热电致动器或磁致伸缩致动器来致动突节。突节可以被致动(例如，缩回)使得当物体被夹持到支撑结构时，突节不与物体的背面上的一个或更多个污染物部位中的任意一个接触。

在步骤1008中，根据实施例，物体被定位在支撑件上，在该处物体可被支撑件夹持。可以使用被设计成以至少三个自由度或至少六个自由度移动物体的机器人臂来定位物体。根据实施例，支撑结构上的将与物体背面上的污染物接触的突节被缩回，使得当物体被定位并夹持到支撑结构时，突节不与污染物接触。

在一些情况下，采用多于一种技术来避免物体的背面上的污染物与支撑结构上的突节之间的接触的可能是有利的。例如，找到基本上最小化或消除污染物和突节之间的接触的物体的位置可能是具有挑战性的。如果不能确定基本上最小化或消除污染物和突节之间的接触的物体的位置，则可以使所选择的突节或突节组被缩回以避免污染。在另一实施例中，确定使污染物和突节之间的接触最小化的物体的最佳位置，然后使将仍然与污染物接触的任何突节缩回，从而两种技术一起使用以避免任何污染物部位与突节接触。

图11示出了根据实施例的用于将图案形成装置耦接到支撑结构的另一方法1100，其利用了本文所讨论的两种技术。方法1100的步骤可以以不同的顺序执行或者依赖于具体应用而不执行。方法1100的各个步骤可以由***800的不同部件执行，诸如由与照相机808、机器人臂810和支撑结构804上的致动器协作的控制器806执行。

在步骤1102中，根据实施例，从物体的背面捕获图像。该物体可以是图案形成装置，例如EUV掩模版。该图像可以使用CCD照相机或从具有多个MOSFET图像传感器的装置来捕获。

在步骤1104中，根据实施例，从所捕获的图像确定一个或更多个污染物部位。一个或更多个污染物部位可通过多种技术来识别。在一个示例中，由于光从存在于被成像的物体的背面上的粒子散射出去，一个或更多个污染物部位被提供为所捕获的图像中的较亮的斑。在另一示例中，图像识别算法可以被用于确定由于污染物的存在引起的任何反常区域。

在步骤1106中，根据实施例，确定与支撑结构相关的物体的位置，使得一个或更多个污染物部位不与支撑结构上的突节中的任一突节接触。所确定的位置可以包括在与支撑结构的最大表面平行的X-Y平面中移动所述物体。物体和支撑结构之间的移动可以仅在微米量级或者在纳米量级。在一些实施例中，所确定的位置可以涉及使物体绕垂直于X-Y平面(Z方向)的轴线旋转，以避免或最小化在支撑结构的突节中的任一突节上方的一个或更多个污染物部位中的每一个的对准。

在步骤1108中，根据实施例，使用来自步骤1106的物体的所确定的位置来确定是否可以避免足够的突节。该确定可以依赖于任何给定的应用。例如，可以设定阈值用于能够与污染物接触的突节的最大数目。阈值可以是0，使得不允许突节与污染物接触，或者要求可以不那么严格，使得阈值可以是3个突节或5个突节与污染物接触可能是可接受的。

根据实施例，如果物体的所确定的位置导致没有突节与污染物接触(或小于阈值量)，则方法1100继续到步骤1110，其中基于在步骤1106中所确定的位置，物体被定位在支撑件上。可以使用被设计成以至少三个自由度或至少六个自由度移动物体的机器人臂来定位物体。

根据实施例，如果物体的所确定的位置导致太多突节与污染物接触(即，大于设定的阈值)，则方法1100继续到步骤1112，其中，将与污染物接触的突节被致动。突节可以被单独地致动，或者整个突节组可以经由单个致动器被一起致动。该致动使突节在与支撑结构的最的大表面垂直的方向上移动，使得突节朝向支撑结构的表面缩回。可以使用压电致动器、热电致动器或磁致伸缩致动器来致动突节。突节可以被致动(例如，缩回)，使得当物体被夹持到支撑结构时，突节不与物体背面上的一个或更多个污染物部位中的任意一个接触。

可以使用以下方面来进一步描述实施例：

1、一种光刻设备，配置成使用极紫外(EUV)辐射将图案成像到衬底上，所述光刻设备包括：

照射***，配置成接收EUV辐射并将所述EUV辐射朝向图案形成装置引导，使得图案化的EUV辐射被从图案形成装置反射；

支撑结构，包括多个突节并且被配置为将图案形成装置支撑在多个突节上；

投影***，配置成接收图案化的EUV辐射并朝向衬底引导图案化的EUV辐射；以及

控制器，被配置为：

接收对应于图案形成装置的背面的图像数据，

根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位，以及

确定图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位与支撑结构上的所述多个突节中的任一突节未对准。

2、根据方面1所述的光刻设备，还包括照相机模块，所述照相机模块配置成捕获图案形成装置的背面的图像并且将图像数据提供给控制器。

3、根据方面1所述的光刻设备，还包括机械臂，所述机械臂配置成使图案形成装置与支撑结构接触。

4、根据方面3所述的光刻设备，其中，控制器还配置成基于所确定的位置致动机械臂以将图案形成装置与支撑结构耦接。

5、根据方面1所述的光刻设备，其中，所述多个突节的高度介于1微米与20微米之间。

6、一种光刻设备，配置成使用极紫外(EUV)辐射将图案成像到衬底上，所述光刻设备包括：

支撑结构，包括多个突节并且被配置为将图案形成装置支撑在所述多个突节上；

致动器，被耦接到所述多个突节中的至少一个突节，并且被配置为在与支撑结构的最大表面垂直的方向上移动所述至少一个突节；

控制器，被配置为：

接收对应于图案形成装置的背面的图像数据，

确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位，以及

致动所述致动器，以使所述至少一个突节被移动远离图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位。

7、根据方面6所述的光刻设备，还包括照相机模块，所述照相机模块配置成捕获图案形成装置的背面的图像并且将图像数据提供给控制器。

8、根据方面6所述的光刻设备，还包括机械臂，所述机械臂配置成使图案形成装置与支撑结构接触。

9、根据方面6所述的光刻设备，其中，所述多个突节的高度介于5微米与15微米之间。

10、根据方面6所述的光刻设备，其中，所述致动器包括压电元件、热电元件或磁致伸缩元件。

11、一种被配置为将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的***，包括：

照相机模块，被配置成捕获图案形成装置的背面的图像数据；

机械臂，被配置为支撑图案形成装置并且使图案形成装置与支撑结构上的所述多个突节接触；以及

控制器，被配置为：

接收来自相机模块的被捕获的图像数据，

根据图像数据确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位，

确定图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位与支撑结构上的所述多个突节中的任一突节未对准，以及

基于所确定的位置，控制机械臂以将图案形成装置与支撑结构耦接。

12、根据方面11所述的***，其中，照相机模块包括电荷耦接器件(CCD)照相机。

13、根据方面11所述的***，其中，图案形成装置经由支撑结构上的所述多个突节被静电地夹持到支撑结构。

14、根据方面11所述的***，其中，所述多个突节的高度介于5微米与15微米之间。

15、根据方面11所述的***，其中，图案形成装置包括配置成反射EUV辐射的反射表面。

16、一种被配置为将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的***，包括：

致动器，被耦接到所述多个突节中的至少一个突节，并且被配置为在与支撑结构的最大表面垂直的方向上移动所述至少一个突节；以及

控制器，被配置为：

接收来自照相机模块的被捕获的图像数据，

基于所确定的一个或更多个污染物部位控制致动器，以使所述多个突节中的所述至少一个突节被移动远离图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位。

17、根据方面16所述的***，其中，照相机模块包括电荷耦接器件(CCD)照相机。

18、根据方面16所述的***，其中，图案形成装置经由支撑结构上的所述多个突节被静电地夹持到支撑结构。

19、根据方面16所述的***，其中，致动器包括压电元件、热电元件或磁致伸缩元件。

20、根据方面16所述的***，其中，图案形成装置包括配置成反射EUV辐射的反射表面。

21、一种将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的方法，包括：

捕获图案形成装置的背面的图像；

根据所捕获的图像确定图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位；

确定图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位与支撑结构上的所述多个突节中的任一突节未对准；以及

基于所确定的位置将图案形成装置定位在所述多个突节的上方。

22、根据方面21所述的方法，其中，捕获所述图像包括使用CCD照相机捕获所述图像。

23、根据方面21所述的方法，还包括：致动所述多个突节中的一个或更多个突节，使得所述一个或更多个突节被移动远离图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位。

24、根据方面21所述的方法，还包括：经由所述多个突节将图案形成装置静电地夹持到支撑结构。

25、根据方面21所述的方法，还包括：接收在图案形成装置处的EUV辐射。

26、根据方面21所述的方法，还包括：基于所确定的一个或更多个污染物部位来清洁图案形成装置的背面。

27、一种将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的方法，包括：

捕获图案形成装置的背面的图像；

致动所述多个突节中的一个或更多个突节，使得所述一个或更多个突节被移动远离图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位；以及

将图案形成装置定位在所述多个突节的上方。

28、根据方面26所述的方法，其中，捕获所述图像包括使用CCD照相机捕获所述图像。

29、根据方面26所述的方法，还包括：确定图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位与支撑结构上的所述多个突节中的任一突节未对准。

30、根据方面26所述的方法，还包括：经由所述多个突节将图案形成装置静电地夹持到支撑结构。

31、根据方面26所述的方法，还包括：接收在图案形成装置处的EUV辐射。

32、根据方面26所述的方法，还包括：基于所确定的一个或更多个污染物部位来清洁图案形成装置的背面。

尽管在本文中具体参考了静电夹具在光刻设备中的使用，但是应当理解，本文中描述的静电夹具可以具有其它应用，例如用于掩模检查设备、晶片检查设备、空间图像量测设备，并且更一般地用于在真空或环境(非真空)条件下测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备，诸如例如等离子体蚀刻设备或沉积设备。

尽管在本文中具体参考了在IC制造中光刻设备的使用，但是应该理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，例如集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将理解，在这种可替代的应用的内容背景下，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨道或涂覆显影***(典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中处理本文中所指的衬底。在可应用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这样的和其它衬底处理工具。此外，例如为了产生多层IC，衬底可以被处理一次以上，因此本文中使用的术语衬底还可以指已经包含多个已处理层的衬底。

尽管以上已经具体参考了在光学光刻术的内容背景下本发明的实施例的使用，但是应当理解，本发明可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在内容背景允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上生成的图案。图案形成装置的形貌可以被压制到提供到衬底的抗蚀剂层中，从而通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，将图案形成装置移出抗蚀剂，在其中留下图案。

应当理解，这里的措辞或术语是为了描述而不是限制的目的，使得本说明书的术语或措辞由相关领域的技术人员根据这里的教导来解释。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及带电粒子，例如离子束或电子束。

在内容背景允许的情况下，术语“透镜”可以指各种类型的光学部件中的任何一种或组合，包括折射型光学部件、反射型光学部件、磁性型光学部件、电磁型光学部件和静电型光学部件。

如本文所使用的术语“蚀刻(etch或etching)”或“回蚀(etch-back)”一般描述对材料进行图案化的制造过程，使得在蚀刻完成之后保留材料的至少一部分。例如，通常蚀刻材料的过程涉及对材料上的掩模层(例如，光致抗蚀剂或硬掩模)进行图案化、随后去除不再受掩模层保护的材料的区域、以及可选地去除掩模层的剩余部分的步骤。通常，使用“蚀刻剂”进行去除步骤，该“蚀刻剂”对材料具有高于对掩模层的“选择性”。这样，在蚀刻过程完成之后，将保留被掩模保护的材料的区域。然而，提供以上内容是为了说明而非限制的目的。在另一示例中，蚀刻还可指代不使用掩模但在蚀刻过程完成之后仍留下材料的至少一部分的过程。

上述描述用于区分术语“蚀刻”与“去除”。在实施例中，当蚀刻材料时，在过程完成之后，至少一部分材料被保留。相反，当去除材料时，在该过程中基本上去除了所有材料。然而，在其它实施例中，“去除”可并入蚀刻。

本文中所用的术语“沉积”或“设置”描述将材料层施加到衬底的动作。这些术语意在描述任何可能的层形成技术，包括但不限于热生长、溅射、蒸发、化学气相沉积、外延生长、原子层沉积、电镀等。

本文中所用的术语“衬底”描述了其上添加了后续材料层的材料。在实施例中，衬底本身可以被图案化，并且添加到其顶部的材料也可以被图案化，或者可以保持不被图案化。

如本文中所使用的术语“基本上”或“基本接触(in substantial contact)”一般描述在物理上基本上彼此接触并且彼此仅稍微分离的元件或结构，所述分离典型地由制造和/或未对准公差引起。应当理解，本文中所使用的一个或更多个特定特征、结构或特性(例如，“竖直对准”、“基本上接触(substantial contact)”等)之间的相对空间描述仅出于说明的目的，并且本文中所描述的结构的实际实施方式可以包括制造和/或未对准公差，而不脱离本公开的精神和范围。

尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式实施。该描述不是为了限制本发明。

应当理解，具体实施方式章节而非发明内容章节和摘要章节旨在用于解释权利要求。发明内容章节和摘要章节可以阐述(一个或更多个)发明人所预期的本发明的一个或更多个但不是所有的示例性实施例，因此，不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。

上面已经借助于示出了特定功能及其关系的实施方式的功能构建块描述了本发明。为了便于描述，本文中任意定义了这些功能构建块的边界。只要适当地执行指定的功能及其关系，就可以定义替换边界。

上述特定实施例的描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，以使得其他人可以通过应用本领域技术人员的知识，在不偏离本发明的一般概念的情况下，在不进行过度实验的情况下，容易地修改和/或调适这些特定实施例以用于各种应用。因此，基于本文中所呈现的教导和指导，此类调适和修改旨在处于所公开的实施例的等效物的含义和范围内。

本发明的广度和范围不应由任何上述示例性实施例限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。

Claims

1.一种光刻设备，配置成使用极紫外(EUV)辐射将图案成像到衬底上，所述光刻设备包括：

照射***，配置成接收EUV辐射并将所述EUV辐射朝向图案形成装置引导，使得图案化的EUV辐射被从所述图案形成装置反射；

投影***，配置成接收所述图案化的EUV辐射并朝向衬底引导所述图案化的EUV辐射；以及

控制器，被配置为：

接收对应于所述图案形成装置的背面的图像数据，

根据所述图像数据确定所述图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位，

确定所述图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位与所述支撑结构上的所述多个突节中的任一突节未对准，

使用所述图案形成装置的所确定的位置来确定是否避免足够的突节，以及

基于将会接触污染物的突节的具体数目与被设定用于能够允许与污染物接触的突节的最大数目的阈值之间的比较来执行以下中的一种：

响应于将会接触污染物的突节的具体数目大于所述阈值的情况，对致动器进行致动以使所述多个突节中的将会接触污染物的突节在与所述支撑结构的最大表面垂直的方向上被移动远离所述图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位至将会与所述污染物脱离接触的位置，并且继而基于所述图案形成装置的所确定的位置来将所述图案形成装置定位在所述支撑结构上；或

响应于将会接触污染物的突节的具体数目小于所述阈值的情况，基于所述图案形成装置的所确定的位置来将所述图案形成装置定位在所述支撑结构上。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括照相机模块，所述照相机模块配置成捕获所述图案形成装置的背面的图像并且将所述图像数据提供到所述控制器。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括机械臂，所述机械臂配置成使所述图案形成装置与所述支撑结构接触。

4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述控制器还被配置成基于所确定的位置致动所述机械臂以使所述图案形成装置与所述支撑结构耦接。

5.一种光刻设备，被配置成使用极紫外(EUV)辐射将图案成像到衬底上，所述光刻设备包括：

照射***，被配置成接收EUV辐射并将所述EUV辐射朝向图案形成装置引导，使得图案化的EUV辐射被从所述图案形成装置反射；

支撑结构，包括多个突节并且被配置为将所述图案形成装置支撑在所述多个突节上；

致动器，被耦接到所述多个突节中的至少一个突节，并且被配置为在与所述支撑结构的最大表面垂直的方向上移动所述至少一个突节；

投影***，被配置成接收所述图案化的EUV辐射并朝向所述衬底引导所述图案化的EUV辐射；以及

控制器，被配置为：

接收对应于所述图案形成装置的背面的图像数据，

响应于将会接触污染物的突节的具体数目大于所述阈值的情况，致动所述致动器以使所述至少一个突节中的将会接触污染物的突节在与所述支撑结构的最大表面垂直的方向上被移动远离所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位至将会与所述污染物脱离接触的位置，并且继而基于所述图案形成装置的所确定的位置来将所述图案形成装置定位在所述支撑结构上；或

6.根据权利要求5所述的光刻设备，还包括照相机模块，所述照相机模块配置成捕获所述图案形成装置的背面的图像并且将所述图像数据提供到所述控制器。

7.根据权利要求5所述的光刻设备，还包括机械臂，所述机械臂配置成使所述图案形成装置与所述支撑结构接触。

8.根据权利要求5所述的光刻设备，其中，所述致动器包括压电元件、热电元件或磁致伸缩元件。

9.一种被配置为将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的***，包括：

照相机模块，被配置成捕获所述图案形成装置的背面的图像数据；

机械臂，被配置为支撑所述图案形成装置并且使所述图案形成装置与所述支撑结构上的所述多个突节接触；以及

控制器，被配置为：

接收来自所述相机模块的被捕获的所述图像数据，

使用所述图案形成装置的所确定的位置来确定是否避免足够的突节，

响应于将会接触污染物的突节的具体数目小于所述阈值的情况，基于所述图案形成装置的所确定的位置来将所述图案形成装置定位在所述支撑结构上，以及

基于所确定的位置，控制所述机械臂以将所述图案形成装置与所述支撑结构耦接。

10.根据权利要求9所述的***，其中，所述照相机模块包括电荷耦接器件(CCD)照相机。

11.根据权利要求9所述的***，其中，所述图案形成装置经由所述支撑结构上的所述多个突节被静电地夹持到所述支撑结构。

12.根据权利要求9所述的***，其中，所述多个突节的高度介于5微米与15微米之间。

13.根据权利要求9所述的***，其中，所述图案形成装置包括被配置为反射EUV辐射的反射表面。

14.一种将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的方法，包括：

捕获所述图案形成装置的背面的图像；

根据所捕获的图像确定所述图案形成装置的背面上的一个或更多个污染物部位；

确定所述图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位与所述支撑结构上的所述多个突节中的任一突节未对准；

15.根据权利要求14所述的方法，其中，捕获所述图像包括使用CCD照相机捕获所述图像。

16.根据权利要求14所述的方法，还包括：致动所述多个突节中的一个或更多个突节，使得所述一个或更多个突节被移动远离所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括：经由所述多个突节将所述图案形成装置静电地夹持到所述支撑结构。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括：接收在所述图案形成装置处的EUV辐射。

19.根据权利要求14所述的方法，还包括：基于所确定的一个或更多个污染物部位来清洁所述图案形成装置的背面。

20.一种将图案形成装置耦接到具有多个突节的支撑结构的方法，包括：

捕获所述图案形成装置的背面的图像；

响应于将会接触污染物的突节的具体数目大于所述阈值的情

况，致动所述多个突节中的将会接触污染物的一个或更多个突节，

使得所述一个或更多个突节在与所述支撑结构的最大表面垂直的方向上被移动远离所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位至将会与所述污染物脱离接触的位置，并且继而基于所述图案形成装置的所确定的位置来将所述图案形成装置定位在所述支撑结构上；或

响应于将会接触污染物的突节的具体数目小于所述阈值的情

况，基于所述图案形成装置的所确定的位置来将所述图案形成装置定位在所述支撑结构上；以及

将所述图案形成装置定位在所述多个突节的上方。

21.根据权利要求19所述的方法，其中，捕获所述图像包括使用CCD照相机捕获所述图像。

22.根据权利要求19所述的方法，还包括：确定所述图案形成装置在X-Y平面中的位置，使得所述图案形成装置的背面上的所述一个或更多个污染物部位与所述支撑结构上的所述多个突节中的任一突节未对准。

23.根据权利要求19所述的方法，还包括：经由所述多个突节将所述图案形成装置静电地夹持到所述支撑结构。

24.根据权利要求19所述的方法，还包括：接收在所述图案形成装置处的EUV辐射。

25.根据权利要求19所述的方法，还包括：基于所确定的一个或更多个污染物部位来清洁所述图案形成装置的背面。