TW201312763A - 晶片封裝件 - Google Patents

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Abstract

一種晶片封裝件，其包括：一電路板，一形成在該電路板上的襯墊，一黏著於該襯墊上的膠層，以及一黏著於該膠層上的晶片。該電路板包括一基板及形成在該基板上的電路層。該襯墊包括一電性連接區電性連接於該電路層，及一個延展區自該電性連接區周緣延展出並落於該基板範圍內。該晶片包括兩個相間隔的晶片區，及一個擴充區自每個該晶片區周緣延伸出並朝遠離該電路層的方向延伸，每個該晶片區內含一個發光元件或一個接光元件電性連接於該電性連接區。

Description

晶片封裝件
本發明涉及晶片封裝，尤其涉及光纖連接傳輸系統中使用之一種晶片封裝件。
光纖連接傳輸技術（Light Peak）是英特爾（Intel）計畫下一世代的傳輸介面，計畫將成為USB4.0，其優點甚多，最重要的是其高傳輸速率。
Light Peak所使用的每個發光或接收光的晶片，如雷射二極體（Laser diode，LD）或光電二極體（Photo-Diode，PD）的面積都非常小，例如一種常用的LD尺寸約為200um × 200um，在晶片封裝的製程還需要使用到膠，在晶片較小的情況之下，晶片下的襯墊（PAD）亦會很小，如此塗膠將會非常困難，塗膠量會相當難以控制，溢膠問題亦會相當嚴重，再加上膠有流動性，在膠固化的過程中，可能會使晶片位置產生偏移，或是產生嚴重的傾斜，這對光通訊的訊號來說非常嚴重，因為Light Peak需要非常高的精度，因此膠的問題可能會造成整個產品的良率嚴重下降。
有鑒於此，有必要提供一種晶片封裝件。
一種晶片封裝件，其包括：一電路板，一形成在該電路板上的襯墊，一黏著於該襯墊上的膠層，以及一黏著於該膠層上的晶片。該電路板包括一基板及形成在該基板上的電路層。該襯墊包括一電性連接區電性連接於該電路層，及一個延展區自該電性連接區周緣延展出並落於該基板範圍內。該晶片包括兩個相間隔的晶片區，及一個擴充區自每個該晶片區周緣延伸出並朝遠離該電路層的方向延伸，每個該晶片區內含一個發光元件或一個接光元件電性連接於該電性連接區。
相對於先前技術，本發明提供的晶片的擴充區使得晶片的整體面積增加，襯墊的面積亦增大，如此有利於晶片塗膠固定於襯墊上，即降低塗膠的難度，有利於控制塗膠量，避免溢膠。該擴充區朝遠離電路層的方向延伸，如此不會影響整個晶片封裝件的線路佈置及晶片的高頻特性。
請參閱圖1至圖3，本發明第一實施方式提供的晶片封裝件100包括一個電路板10，一形成在電路板10上的襯墊20，一黏著於該襯墊上的膠層30，以及一黏著於該膠層30上的晶片40。
該電路板10具有一個基板11及一形成於該基板11上的電路層12，該電路層12可以用銅線鍍制於該基板11上。該襯墊20可以通過焊接形成於該電路板10上。該晶片40可以通過打線連接於該襯墊20上，以和電路板10電性連接。
該襯墊20包括一電性連接區22電性連接至該電路層12，以及一延展區24自該電性連接區22周緣延展並落於該基板11範圍之內。該延展區24材質可以與該電性連接區22材質相同或不同。為與該電路板10電性連接，該電性連接區22含有金屬性的材質或由金屬性材質製成。
該晶片40包括兩個相間隔的晶片區44及一個擴充區42。每個該晶片區44內含一個發光元件或一個接光元件。發光元件可以為雷射二極體（Laser diode，LD），接光元件可以為光電二極體（Photo-Diode，PD）。本實施例中，該兩個晶片區44均含發光元件，每個發光元件為LD，其尺寸約為200um × 200um。該擴充區42由膠質填充物或金屬性填充物自每個該晶片區44的周緣延伸出並進一步朝遠離該電路層12的方向延伸。
該晶片區44電性連接至該襯墊20的電性連接區22。由於具有擴充區42及延展區24，該晶片40的長、寬尺寸可以分別與該襯墊20的長、寬尺寸大致相同，且該晶片40與該襯墊20的長、寬對齊放置。
每個PD或LD的頻寬約為10Gb/s，上述兩個PD或LD並排共同工作可以達到17Gb/s以上的傳輸速度，可以符合Intel的Light Peak設計要求。在其他的實施例中，可以有多於兩個的PD或LD並排共同工作，以達到更高的傳輸速度。
該晶片40的擴充區42使得晶片40的整體面積增加，襯墊20的面積亦增大，如此有利於晶片40塗膠固定於襯墊20上，即降低塗膠的難度，有利於控制塗膠量，避免溢膠。該擴充區42朝遠離電路層12的方向延伸，如此不會影響整個晶片封裝件100的線路佈置及晶片40的高頻特性。
在該增加晶片40及襯墊20的面積情況下，該膠層30的面積可以與該晶片40的面積大致相同，或比該晶片40的面積略小。
請參閱圖4，本發明第二實施方式提供的晶片封裝件200與第一實施方式提供的晶片100的區別在於：晶片40的整體面積小於該襯墊20的面積，該晶片40周圍塗有適量的封膠50，以更牢固地固定封裝於該襯墊20上。該晶片40及襯墊20增加的面積同樣有利於該周圍封膠50的塗施。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
100，200．．．晶片封裝件
10．．．電路板
20．．．襯墊
30．．．膠層
40．．．晶片
11．．．基板
12．．．電路層
44．．．晶片區
42．．．擴充區
22．．．電性連接區
24．．．延展區
50．．．封膠
圖1係本發明第一實施方式提供的晶片封裝件的立體示意圖。
圖2係圖1沿II-II線的剖示圖。
圖3係圖1沿III-III線的剖示圖。
圖4係本發明第二實施方式提供的晶片封裝件的剖示圖。
100．．．晶片封裝件
20．．．襯墊
30．．．膠層
40．．．晶片
11．．．基板
12．．．電路層
44．．．晶片區
42．．．擴充區
22．．．電性連接區
24．．．延展區

Claims (9)

  1. 一種晶片封裝件，其包括：
    一電路板；
    一形成在該電路板上的襯墊；
    一黏著於該襯墊上的膠層；以及
    一黏著於該膠層上的晶片；其改進在於：該電路板包括一基板及形成在該基板上的電路層，該襯墊包括一電性連接區電性連接於該電路層，及一個延展區自該電性連接區周緣延展出並落於該基板範圍內，該晶片包括兩個相間隔的晶片區，及一個擴充區自每個該晶片區周緣延伸出並朝遠離該電路層的方向延伸，每個該晶片區內含一個發光元件或一個接光元件電性連接於該電性連接區。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝件，其中：該兩個晶片區均含有該發光元件或均含有該接光元件。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之晶片封裝件，其中：該發光元件為雷射二極體，該接光元件為光電二極體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝件，其中：該擴充區填充有填充物。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之晶片封裝件，其中：該填充物選自膠質材料或金屬性材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝件，其中：該晶片的長、寬尺寸分別與該襯墊的長、寬尺寸相同，且該晶片與該襯墊對齊放置。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝件，其中：該晶片的面積小於該襯墊的面積。
  8. 如申請專利範圍第6或7項所述之晶片封裝件，其中：該膠層的面積等於或小於該晶片的面積。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之晶片封裝件，其中：該晶片周圍塗有封膠。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI649900B (zh) * 2015-02-04 2019-02-01 億光電子工業股份有限公司 Ｌｅｄ封裝結構及其製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103779242B (zh) * 2014-02-18 2017-02-08 无锡江南计算技术研究所 一种台阶封装基板控胶方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071670A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Fuji Photo Film Co Ltd Ｉｃパッケージ、接続構造、および電子機器
US7271461B2 (en) * 2004-02-27 2007-09-18 Banpil Photonics Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing
TWI374552B (en) * 2004-07-27 2012-10-11 Cree Inc Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming
US7375420B2 (en) * 2004-12-03 2008-05-20 General Electric Company Large area transducer array
WO2007004572A1 (ja) * 2005-06-30 2007-01-11 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光装置
JP2007036104A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US8835952B2 (en) * 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7683475B2 (en) * 2006-03-31 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. LED chip array module
US8110415B2 (en) * 2008-04-03 2012-02-07 International Business Machines Corporation Silicon based microchannel cooling and electrical package
US8372692B2 (en) * 2010-01-27 2013-02-12 Marvell World Trade Ltd. Method of stacking flip-chip on wire-bonded chip
CN102237352B (zh) * 2010-05-04 2013-05-22 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管模块及发光二极管灯具
US8647900B2 (en) * 2010-09-20 2014-02-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-structure phosphor coating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI649900B (zh) * 2015-02-04 2019-02-01 億光電子工業股份有限公司 Ｌｅｄ封裝結構及其製造方法

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