TW201308058A - 電腦主機板及其電壓調節電路 - Google Patents

Abstract

一種電壓調節電路，用於調節一電腦的記憶體的電壓，該電壓調節電路包括南橋、IC芯片、CPLD、記憶體供電電路和阻值模塊。該記憶體供電電路依次透過該IC晶片和一第一電阻連接該記憶體，該阻值模塊的第一端連接於該IC晶片和該第一電阻之間的節點，該阻值模塊的第二端連接該CPLD。上述電壓調節電路只需透過普通的IC晶片即可提供合適的工作電壓給不同類型的記憶體，成本低。本發明還涉及一種電腦主機板。

Description

電腦主機板及其電壓調節電路

本發明涉及一種電腦主機板及其電壓調節電路。

電腦的記憶體的記憶體標準一直在更新，記憶體的工作電壓也一直在變化，從DDR（Double Data Rate，雙倍速率同步）記憶體的2.5伏降至DDR2記憶體的1.8伏，再降至DDR3記憶體的1.5伏，目前，市場上還推出了工作電壓為1.35伏的DDR3記憶體，如此，電腦需根據記憶體的不同記憶體標準提供不同的記憶體工作電壓，目前，主要是透過帶有SMBUS（System Management Bus，系統管理匯流排）的DDR IC晶片控制記憶體的工作電壓，成本較高。

鑒於以上內容，有必要提供一種成本低且可根據記憶體類型自動調節記憶體的工作電壓的電壓調整電路及電腦主機板。

一種電壓調節電路，用於根據電腦主機板上安裝的記憶體的類型調節輸出至該記憶體的電壓，該電壓調節電路包括：

一南橋，用於偵測該記憶體的類型，並輸出偵測結果；

一複雜可編程邏輯器，用於接收來自該南橋的偵測結果，並根據該偵測結果輸出相應的控制訊號；

一記憶體供電電路；

一IC晶片，與該記憶體供電電路相連，還透過一第一電阻連接該記憶體，用於將該記憶體供電電路的輸出電壓處理為穩定的電壓；以及

一包括第一端和第二端的阻值模塊，該阻值模塊的第一端連接於該IC晶片和該第一電阻之間的節點，該阻值模塊的第二端連接該複雜可編程邏輯器以接收該控制訊號，該阻值模塊用於根據該複雜可編程邏輯器的控制訊號產生不同的阻值以調節該IC晶片輸出至該記憶體的電壓為該記憶體的額定工作電壓。

一種電腦主機板，包括電壓調節電路以及與該電壓調節電路相連的記憶體。

上述電壓調節電路透過該複雜可編程邏輯器調節該阻值模塊的等效阻值使得該記憶體供電電路只需透過普通的IC晶片即可提供合適的工作電壓給不同類型的記憶體，成本低。

請參閱圖1，本發明電壓調節電路100用於根據電腦主機板200上安裝的記憶體90的類型調節提供給該記憶體90的電壓。該電壓調節電路100的較佳實施方式包括南橋80、多工器70、CPLD（Complex Programmable Logic Device，複雜可編程邏輯器）60、IC晶片50、記憶體供電電路40和包括第一和第二端的阻值模塊30。

該南橋80與該CPLD 60相連，還透過該多工器70連接該記憶體90，該記憶體供電電路40依次透過該IC晶片50和電阻R1連接該記憶體90，該阻值模塊30的第一端連接於該IC晶片50和該電阻R1之間的節點，該阻值模塊30的第二端連接該CPLD 60。

該南橋80用於偵測該記憶體90的類型如額定電壓為1.5V的DDR記憶體，並將偵測結果發送至該CPLD 60。本實施例中，該南橋80透過讀取該記憶體90的資料引腳SD以及時鐘引腳SC的資訊判斷該記憶體90的類型。

該CPLD 60用於根據所接收的偵測結果輸出相應的控制訊號。

該多工器70用於輔助該南橋80與若干記憶體90之間的通信。故，在其他實施例中，只有一記憶體90時可不需要該多工器70。

該記憶體供電電路40的電路和功能與現有技術的一樣，用於為該記憶體90提供電壓。

該IC晶片50用於將該記憶體供電電路40的輸出電壓處理為一穩定的電壓。本實施例中，該IC晶片50為一普通的IC晶片如ISL6341。

該阻值模塊30包括場效應電晶體Q、電阻R2和R3。該場效應電晶體Q的閘極（即該阻值模塊30的第二端）連接該CPLD 60，汲極（即該阻值模塊30的第一端）與該IC晶片50和該電阻R1之間的節點相連，還透過電阻R3接地，源極透過該電阻R2接地。該阻值模塊30用於根據該CPLD 60的控制訊號產生不同的阻值以調節流經該電阻R1的電流。其他實施例中，該場效應電晶體Q的數量不限於一個，可以為一個以上的其他數量，對應地，該電阻R2的數量與該場效應電晶體Q相同，且每一場效應電晶體Q的連接關係均與本實施例中的場效應電晶體Q的連接關係一樣，即每一場效應電晶體Q均透過一對應的電阻R2接地。

下面對本發明的較佳實施方式的工作原理進行說明：

該南橋80透過該多工器70偵測該電腦主機板200上安裝的記憶體90的類型，假設該南橋80所偵測到的結果為額定電壓為1.5伏的DDR3記憶體，則該南橋80發送一第一偵測訊號至該CPLD 60，使得該CPLD 60輸出一高電平訊號至該場效應電晶體Q的閘極，繼而使得該場效應電晶體Q導通，從而使得該IC晶片透過該電阻R2接地，此時，該電阻R2和R3組成一並聯電路，使得該阻值模塊30的等效阻值為第一阻值（即電阻R2和R3並聯後的阻值），從而使得該記憶體供電電路40輸出1.5V的工作電壓至該記憶體90。

假設該南橋80所偵測到的結果為額定電壓為1.35伏的DDR3記憶體，則該南橋80發送一第二偵測訊號至該CPLD 60，使得該CPLD 60輸出一低電平訊號至該場效應電晶體Q的閘極，繼而使得該場效應電晶體Q截止，從而使得該IC晶片50與該電阻R2之間的連接斷開，此時，該阻值模塊30的等效阻值變為第二阻值(即電阻R3的阻值)，從而使得該記憶體供電電路40輸出1.35V的工作電壓至記憶體90。

由上述可知，本實施方式中，場效應電晶體Q起電子開關的作用，故，其他實施方式中，場效應電晶體Q可採用其他類型的電晶體如三極管來代替，甚至其他具有電子開關功能的電子元件如電子開關晶片，或電子開關元件均可。

上述電壓調節電路100透過該CPLD 60調節該阻值模塊30的等效阻值使得該記憶體供電電路40只需透過普通的IC晶片50即可提供合適的工作電壓給不同類型的記憶體90，成本低。

綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。

100．．．電壓調節電路

200．．．電腦主機板

90．．．記憶體

80．．．南橋

70．．．多工器

60．．．CPLD

50．．．IC晶片

40．．．記憶體供電電路

Q．．．場效應電晶體

R1-R3．．．電阻

30．．．阻值模塊

圖1為本發明電壓調節電路與記憶體相連的較佳實施方式的電路圖。

100．．．電壓調節電路

200．．．電腦主機板

90．．．記憶體

80．．．南橋

70．．．多工器

60．．．CPLD

50．．．IC晶片

40．．．記憶體供電電路

Q．．．場效應電晶體

R1-R3．．．電阻

30．．．阻值模塊

Claims (6)

1. 一種電壓調節電路，用於根據電腦主機板上安裝的記憶體的類型調節輸出至該記憶體的電壓，該電壓調節電路包括：
   一南橋，用於偵測該記憶體的類型，並輸出偵測結果；
   一複雜可編程邏輯器，用於接收來自該南橋的偵測結果，並根據該偵測結果輸出相應的控制訊號；
   一記憶體供電電路；
   一IC晶片，與該記憶體供電電路相連，以及透過一第一電阻連接該記憶體，用於將該記憶體供電電路的輸出電壓處理為穩定的電壓；以及
   一包括第一端和第二端的阻值模塊，該阻值模塊的第一端連接於該IC晶片和該第一電阻之間的節點，該阻值模塊的第二端連接該複雜可編程邏輯器以接收該控制訊號，該阻值模塊用於根據該複雜可編程邏輯器的控制訊號產生不同的阻值以調節該IC晶片輸出至該記憶體的電壓為該記憶體的額定工作電壓。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節電路，其還包括一多工器，該多工器連接於該南橋和該記憶體之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節電路，其中該阻值模塊包括至少一電子開關、與該電子開關數量相同的第二電阻和一第三電阻，每一電子開關包括第一至第三端，每一電子開關的第一端連接該複雜可編程邏輯器，每一電子開關的第二端與該IC晶片相連，還透過一對應的第二電阻接地，每一電子開關的第三端透過該第三電阻接地。
4. 如申請專利範圍第3項所述之電壓調節電路，其中該電子開關為場效應電晶體，該電子開關的第一至第三端對應為場效應的閘極、汲極和源極。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電壓調節電路，其中該南橋透過讀取該記憶體的資料引腳和時鐘引腳所輸出的資料判斷該記憶體的類型。
6. 一種電腦主機板，包括如申請專利範圍1-5中任意一項所述的電壓調節電路以及與該電壓調節電路相連的記憶體。