TW201302478A - 陶瓷生胚片製造工程用剝離膜 - Google Patents
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Abstract
具有基材11,層積於基材11的第1表面上、含有導電性高分子、厚度為30~290nm之樹脂層12,以及層積於樹脂層12上的剝離劑層13,剝離劑層13的表面之最大凸起高度(Rp)為10~100nm之陶瓷生胚片製造工程用剝離膜1,較佳為基材11的第2表面之算術平均粗度(Ra)為5~50nm,最大凸起高度(Rp)為40~300nm者。此述之剝離膜1可得到剝離劑層13的高平滑性且有效地抑制靜電,同時可抑制剝離劑層13的脫落。
Description
本發明係關於製造陶瓷生片工程用的剝離膜。
一般電子機器根據最近對小型化、輕量化的市場要求,而必須將構成電子機器的零件薄膜化或輕量化。因此,陶瓷生片的厚度從現在的1~5μm,進展為更薄膜化,製造厚度未滿1μm的陶瓷生片。陶瓷生片成為如此薄,無法對應於仍是習知的加工膜,而且高性能加工膜,亦即具有優良的陶瓷生片塗佈性及陶瓷生片剝離性,以及沒有熱收縮的皺紋等及表面沒有影響片的厚度的突起之極高平滑性的加工膜有其必要。
過去加工膜一般使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜作為基材塗佈加成反應型矽氧樹脂(silicone resin)形成剝離劑層的剝離膜。但是,年年所要求的剝離劑層表面平滑性增加,使用表面具有極高平滑性的基材,使得難以得到矽氧樹脂的固著(anchor)效果,剝離劑層對基材的密合性降低。因此在輥狀捲取時捲軸的中心發生因捆捲而使剝離劑層從基材脫落等的問題。
習知以來,為了增加剝離劑層對基材的密合性,建立了對基材施行電漿處理的手法。例如將金屬矽化合物及矽烷偶合劑所構成的底塗層預先塗佈於PET膜上,其上再塗佈加成反應型的矽氧化合物之方法。
然而,塗佈矽氧樹脂的高平滑性剝離膜因為高平滑性的要求而容易發生阻斷(blocking),因此,或發生捲取不良或捲出時帶電性增加的種種問題檯面化。例如,因為表內面的平滑性過高,發生表內面密合而無法正常捲取。或者,因捲出時帶電而使剝離劑層表面黏附異物,成為塗佈於該剝離劑層上的陶瓷漿料發生針孔等缺點的原因。又因為剝離膜表面帶電,使得已塗佈的陶瓷生片發生搖動或縮孔,無法成型為均勻的薄膜片。再者,成型於剝離劑層上的陶瓷生片從剝離膜剝離的步驟中,因剝離劑層的帶電而發生剝離不良、片破裂等而無法正常剝離的問題。
因此,例如進行將矽烷氧化物的部分水解物事先塗佈於PET膜上,設置二氧化矽層,再於其上設置剝離劑層的手法,以賦予對基材的密合性及防帶電性。然而,在長期
保存的情形或在高濕度下保存的情形,二氧化矽層與基材的密合性低,結果造成剝離劑層剝落。
又為了賦予防帶電性,已知在基材製膜時以壓縮塗佈(inline coat)塗佈防帶電性高的烷基銨鹽等,設置防帶電層的基材(專利文獻1、2)。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】特開平6-172562號公報
【專利文獻2】特公平7-68388號公報
但是,將加成反應型矽氧樹脂塗佈於上述防帶電層的表面時,該防帶電層對觸媒有害而在矽氧樹脂的硬化性或密合性發生問題。又在基材的上述防帶電層的另一側表面設置剝離劑層,無法得到高平滑性基材與剝離劑層的密合性,又防帶電層的塗膜強度低且表面難以光滑,因此在塗佈剝離劑時及裁斷時,因與校正輥(guide roll)等接觸而發生防帶電層脫落。因此,在以輥狀捲取剝離膜時,脫落的防帶電層成為異物混入,為形成凹痕的原因。又捲取的剝離膜中所混入的異物在陶瓷生片塗佈時堆積於操作步驟中的校正輥等,這些變成操作步驟中的污染,成為陶瓷生片塗佈不良的原因。
本發明為有鑒於此述實際狀況所完成之發明,目的在
於提供可獲得剝離劑層的高平滑性且有效抑制帶電,同時可抑制剝離劑層脫落的剝離膜。
為了達到上述目的,第一,本發明提供具有基材,層積於上述基材的第1表面上,含有導電性高分子,厚度為30~290nm之樹脂層,以及層積於上述樹脂層上的剝離劑層,其特徵在於,上述剝離劑層的表面之最大凸起高度(Rp)為10~100nm之陶瓷生胚片製造工程用剝離膜(發明1)。
根據上述發明(發明1)所述之剝離膜,可在最大突起高度(Rp)被抑制之剝離劑層得到高平滑性,且藉由含有導電性高分子的樹脂層的存在,可有效抑制在捲出時等的帶電。又藉由在基材與剝離劑層之間設置樹脂層,即使在長期保存也可抑制剝離劑層的脫落。藉由此述的剝離膜,可良好製造無針孔的薄膜陶瓷生片。
上述發明(發明1)中,較佳為上述基材的第2表面之算術平均粗度(Ra)為5~50nm,最大凸起高度(Rp)為40~300nm(發明2)。
上述發明(發明1、2)中,較佳為上述樹脂層包含選自由聚酯樹脂、聚氨酯樹脂及丙烯樹脂所構成之族群中之至少1種(發明3)。
上述發明(發明1~3)中,較佳為上述樹脂層包含選自由聚噻吩系導電性高分子、聚苯胺系導電性高分子及聚吡咯系導電性高分子所構成之族群中之至少1種作為上述導電性高分子(發明4)。
上述發明(發明1~4)中,較佳為上述剝離劑層由加成反應型矽氧樹脂為主成分之剝離劑所構成(發明5)。
上述發明(發明1~5)中,較佳為對上述剝離劑層之日東電工公司製之聚酯膠帶No.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力X,使用學振型摩擦堅牢度試驗機,以上述基材的第2表面作為研磨片,在加重1kg、來回10次的條件下研磨上述剝離劑層的表面,對該研磨面之日東電工公司製之聚酯膠帶No.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力Y,以下式(剝離力X/剝離力Y)×100%
所示之剝離劑保持率為85%以上(發明6)。
上述發明(發明1~6)中,較佳為將輥狀捲取的寬400mm、長5000m的上述剝離膜,以100m/分捲出後立即測量上述剝離劑層的表面帶電量為10kV以下(發明7)。
根據本發明所述之剝離膜,可得剝離劑層的高平滑性,且有效抑制捲出時等的帶電,同時即使長期保存也可抑制剝離劑層的脫落,可良好製造無針孔的薄膜陶瓷生片。
以下說明本發明之實施型態。
如第1圖所示,本實施型態所述之剝離膜1由具有基材11,與層積於基材11的第1表面(第1圖的上表面)上、含有導電性高分子的樹脂層12,以及層積於上述樹脂層12
上的剝離劑層13所構成。本實施型態之剝離膜1係用於製造陶瓷生片的工程。
基材11,沒有特別限制,可從習知之中適當選擇任意者使用。此述基材11例如聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯、聚丙烯或聚甲基戊烯等的聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙酸乙烯酯等的塑膠所構成的膜,可為單層,也可為相同或不同的2層以上的多層。這些之中較佳為聚酯膜,更佳為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜,再更佳為二軸延伸的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。聚對苯二甲酸乙二醇酯膜在加工、使用時等難以發生粉塵等,因此可有效防止因粉塵等所引起的陶瓷生片塗佈不良等。
此基材11中,為了提高與設置於該基材第1表面的樹脂層12的密合性之目的,可在第1表面上施行經氧化法等的表面處理,或者底塗處理(primer treatment)。上述氧化法例如電暈放電處理、電漿放電處理、鉻酸化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等,這些表面處理法可視基材膜種類而適宜選擇,但從效果及操作性的層面來看,一般較佳使用電暈放電處理法。
基材11的厚度,通常為10~300μm,較佳為15~200μm,更佳為20~125μm。
基材11的第1表面的最大突起高度(Rp)較佳為10~100nm,更佳為20~50nm。基材11的第1表面的最大突起高度(Rp)設定於此述範圍者,剝離劑層13的表面的最大突起高度(Rp)容易落於後述的範圍內。
另一方面,基材11的第2表面(第1表面的相反面,第1圖的下表面)的算術平均粗度(Ra)較佳為5~50nm,更佳為10~30nm。又基材11的第2表面的最大突起高度(Rp)較佳為40~300nm,更佳為60~220nm。
基材11的第2表面的算術平均粗度(Ra)過小時,該第2表面過於平滑而使得剝離膜1在捲取時基材11的第2表面與高度平滑的剝離劑層13密合,容易發生阻斷。另一方面,當基材11的第2表面的算術平均粗度(Ra)過大時,基材11的第2表面的最大突起高度(Rp)難以落在上述較佳的低範圍內。
當基材11的第2表面的最大突起高度(Rp)過大,在陶瓷生片成型後捲取時,密合於該陶瓷生片的基材11的第2表面的突起形狀會轉印至陶瓷生片,恐使得陶瓷生片的厚度部分變薄。另一方面,當基材11的第2表面的最大突起高度(Rp)過小,基材11的第2表面的凹凸均一,該第2表面變得平坦,因此在形成剝離劑層13的步驟等容易使基材11在與輥接觸的面上捲入空氣。結果使得搬運中的基材11蛇行,或者發生在輥狀捲取時無法捲起。
如後所述,本實施型態所述之剝離膜1的樹脂層12中,作為防帶電劑所添加的導電性高分子的添加量增加時,有可能發生剝離劑層13的密合性降低等的問題。因此,減少添加量者為佳,但是在此種情形中無法獲得充分的防帶電性,恐在後述剝離劑層1的捲出帶電量增加。基材11的第2表面的算術平均粗度(Ra)及最大突起高度(Rp)
為上述範圍時,可抑制阻斷,因此更發揮抑制本實施型態所述之剝離膜1在捲出時的帶電之效果。
如上所述,基材11的第1表面的最大突起高度(Rp)的較佳範圍與第2表面的最大突起高度(Rp)的較佳範圍不同,因此基材11較佳為基材11的第1表面的最大突起高度(Rp)與第2表面的最大突起高度(Rp)不同,亦即表內面不同粗度者為佳。
獲得表內面不同粗度的基材11之方法,例如將形成第1表面之含第1填料之樹脂熔融物與形成第2表面之含第2填料之樹脂熔融物,使用複數層成型的模具口,共同流動於模具口以押出成片狀,經冷卻後使其延伸共壓而製膜的方法。
含第1填料之樹脂熔融物含有第1填料。第1填料較佳為耐樹脂熔融溫度的無機填料,此種無機填料例如氧化鋁粒子、碳酸鈣粒子、二氧化矽等。第1填料的平均粒徑較佳為0.01~1μm,更佳為0.05~0.7μm。第1填料可單獨使用,也可組合2種以上使用。含第1填料之樹脂熔融物中,第1填料的含量,相對於樹脂原料單體的總量100質量部,為0.03~2質量部。
含第2填料之樹脂熔融物含有第2填料。較佳作為第2填料的材料與第1填料相同。第2填料的平均粒徑較佳為0.05~2μm,更佳為0.1~1μm。第2填料可使用單獨1種,也可組合2種以上使用。含第2填料之樹脂熔融物中,第2填料的含量,相對於樹脂原料單體的總量100質量部,
為0.1~3質量部。
只要無損本發明之作用效果,基材11的第1表面的最大突起高度(Rp)與第2表面的最大突起高度(Rp)也可為實質上相同,亦即表內面相同粗度。獲得表內面相同粗度的基材11之方法例如將形成單層基材用的含填料之樹脂熔融物壓出成片狀,經冷卻後延伸的方法,獲得由單層樹脂層所構成的基材11的方法。形成單層基材用的含填料之樹脂熔融物中所含的填料之材料、粒徑及含量較佳與上述第2填料相同。
又獲得第1表面及第2表面的算術平均粗度(Ra)或最大突起高度(Rp)為上述較佳範圍的基材11的方法,不限於押出成型者,例如可藉由在片狀材料的表內面澆鑄含有填料的能量線硬化性組成物,照射能量線使其硬化的方法,或者藉由在片狀材料的表內面澆鑄含有填料的溶劑系組成物,乾燥去除溶劑使其塗佈的方法等,也可獲得基材11。
本實施型態所述之樹脂層12由含有導電性高分子之樹脂組成物所構成。樹脂層12含有導電性高分子者,發揮防帶電性。本實施型態所述之剝離膜1具有此述之樹脂層12,可有效抑制在捲出時等的帶電。又剝離劑層13中即使使用矽氧樹脂系剝離劑等的在聚合(加成反應)中使用金屬觸媒的剝離劑,也難以阻礙聚合反應,容易獲得剝離劑的良好硬化。
樹脂層12較佳含有選自聚酯樹脂、氨酯樹脂及丙烯樹脂所構成的群組中至少1種為主成分者。如此的樹脂層12
對基材11及剝離劑層13兩者皆顯示良好的密合性。具體地說,藉由上述樹脂層12對剝離劑所含的有機溶劑適度地膨潤,剝離劑的樹脂成分與樹脂層12的樹脂成分在交界面混合,因而使密合性增加。藉由此密合性,即使在長期保存也可抑制剝離劑層13的脫落。
上述樹脂可單獨1種使用,也可組合不同的2種使用。其中基材11由聚酯系材料構成的情形,從與剝離劑層13的密合性及上述的膨潤性觀點,構成樹脂層12的主成分較佳含有聚酯樹脂及聚氨酯樹脂。單獨含有聚酯樹脂的情形,雖與聚酯系的基材11的密合性充足,但是因為是較脆的樹脂,容易在裁斷時發生凝集破壞,另一方面,單獨含有聚氨酯樹脂的情形,則與聚酯系的基材11的密合性差。如上述含有聚酯樹脂及聚氨酯樹脂者,可解決上述問題,獲得對聚酯系的基材11密合性優良、且即使裁斷時也難以破壞的樹脂層12。此述「含有聚酯樹脂及聚氨酯樹脂」表示單獨包含1分子中含有聚酯構造及聚氨酯構造之聚合物。
導電性高分子可從習知的導電性高分子中適當選擇任意者使用,但其中較佳為聚噻吩系、聚苯胺系或聚吡咯系的導電性高分子。
聚噻吩系的導電性高分子例如聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙烷磺酸)、聚烷烯二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸酯的混合物等。聚烷烯二氧噻吩例如聚乙烯二氧噻吩、聚丙烯二氧噻吩、聚(乙烯/丙烯)二氧噻吩等。聚苯胺系的導電性高分子例如聚苯胺、聚甲基苯胺、聚甲氧基苯
胺等。聚吡咯系的導電性高分子例如聚吡咯、聚3-甲基吡咯、聚3-辛基吡咯等。這些導電性高分子化合物可單獨1種使用,也可組合2種以上使用。又這些導電性高分子較佳以在水中分散的水溶液形態使用。
樹脂層12中的導電性高分子含量,以固形分換算,較佳為0.1~50質量%,更佳為0.3~30質量%,再更佳為0.3~10質量%。導電性高分子的含量未滿0.1質量%時,有無法獲得充分防帶電性能的情形。另一方面,當導電性高分子的含量超過50質量%時,樹脂層12的強度降低,容易發生凝集破壞,而有損害剝離劑層13的密合性的情形。
樹脂層12的厚度為30~290nm,較佳為30~250nm。樹脂層12厚度未滿30nm時,對基材11的表面的造膜性變得不充分,容易發生因縮孔所產生的針孔。又當樹脂層12厚度超過290nm時,樹脂層12的凝集破壞容易發生,有損害剝離劑層13的密合性之情形。
上述樹脂層12的形成,較佳在基材11的第1表面塗佈含有導電性高分子之樹脂組成物的塗佈劑後,使其乾燥。塗佈方法可使用例如凹版塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、旋轉塗佈法、刀塗佈法、輥塗佈法、模具塗佈法等。樹脂組成物的塗佈劑也可含有可溶解或分散該樹脂組成物各成分之溶劑。此溶劑較佳使用醚系溶劑、醇系溶劑、醇系溶劑與精製水的混合溶液等。
構成剝離劑層13的剝離劑,例如,除了矽氧樹脂系剝離劑以外,醇酸樹脂系(alkyd resin)、烯烴樹脂系、丙烯
系、含長鏈烷基的化合物系、橡膠系等的非矽氧系剝離劑。
矽氧樹脂系剝離劑有溶劑型及無溶劑型。溶劑型矽氧樹脂因經溶劑稀釋而成為塗佈液,可從高分子量‧高黏度的聚合物至低黏度的低分子量聚合物(寡聚物)廣泛地使用。因此,相較於無溶劑型,容易控制剝離性,易於設計符合所要求的性能(品質)。又矽氧樹脂系剝離劑有加成反應型、縮合反應型、紫外線硬化型、電子線硬化型等。加成反應型矽氧樹脂的反應性高,生產性優良,相較於縮合反應型,有製造後的剝離力變化小、無硬化收縮等的優點,因此作為構成剝離劑層13的剝離劑使用為佳。
加成反應型矽氧樹脂沒有特別限制,可使用各種者。例如可使用習知熱硬化加成反應型矽氧樹脂剝離劑所慣用者。此加成反應型矽氧樹脂例如分子中具有乙烯基等的烷烯基、氫矽基等的親電子性基之官能基者,但是容易熱硬化的加成反應型矽氧樹脂可使用例如具有此述官能基之聚二甲基矽氧烷或聚二甲基矽氧烷的部分或全部甲基置換為苯基等的芳香族官能基者等。
此矽氧樹脂系剝離劑可視需要添加二氧化矽、矽氧樹脂、防帶電劑、染料、顏料或其他添加劑。
塗佈後的剝離劑之塗膜的硬化,可在塗佈機的烤箱進行加熱處理或者在加熱處理後併用紫外線照射,兩者皆可,但是從防止基材膜的熱收縮皺紋發生、矽氧樹脂的硬化性、剝離劑對基材膜的密合性觀點,以後者為佳。
在塗膜硬化中併用紫外線照射的情形,較佳在剝離劑
中添加光起始劑。光起始劑沒有特別限制,可從經紫外線或電子線照射發生自由基所慣用者中適當選擇任意者。光起始劑例如苯偶因(benzoin)類、苯甲酮(benzophenone)類、苯乙酮(acetophenone)類、α-羥基酮類、α-胺基酮類、α-雙烯酮(α-diketone)類、α-雙烯酮二烷基縮醛類、蒽醌類、噻吨酮類(thioxanthone)等。
醇酸樹脂系剝離劑一般使用具有交聯構造的醇酸樹脂。具有交聯構造的醇酸樹脂層的形成可使用例如加熱硬化由含有醇酸樹脂、交聯劑及視需要含有硬化觸媒的熱硬化性樹脂組成物所形成的層之方法。又醇酸系樹脂也可為長鏈烷基變性醇酸樹脂、有機矽(silicone)變性醇酸樹脂等的變性物。
烯烴樹脂系剝離劑使用結晶性烯烴系樹脂。此結晶性烯烴系樹脂較佳為聚乙烯或結晶性聚丙烯系樹脂等。聚乙烯例如高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯等。結晶性聚丙烯系樹脂例如具有全規(isotactic)構造或間規(syndiotactic)構造的丙烯單獨聚合體、或丙烯-α-烯烴共聚物等。這些結晶性烯烴系樹脂可單獨1種使用,也可組合2種以上使用。
丙烯系剝離劑一般使用具有交聯構造的丙烯系樹脂。丙烯系樹脂也可為長鏈烷基變性丙烯樹脂、有機矽(silicone)變性丙烯樹脂等的變性物。
含長鏈烷基化合物系剝離劑可使用例如由聚乙烯醇系聚合物與碳數8~30的長鏈烷基異氰酸酯反應所得的聚乙
烯基氨基甲酸酯、或由聚乙烯亞胺(polyethyleneimide)與碳數8~30長鏈烷基異氰酸酯反應所得的烷基尿素衍生物等。
橡膠系剝離劑使用例如天然橡膠系樹脂,及丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠等的合成橡膠系樹脂等。
剝離劑層13的厚度沒有特別限定,但是較佳為0.01~1μm,更佳為0.03~0.5μm。當剝離劑層13的厚度未滿0.01μm,根據構成剝離劑層11的材料等有無法充分發揮剝離劑層機能的情形。另一方面,當剝離劑層13的厚度超過1μm,在輥狀捲取剝離膜1時,與基材的第2表面容易發生阻斷(blocking),因此產生捲取不良,引起捲出時帶電性增加等的問題。
剝離劑層13可在基材11的第1表面塗佈由剝離劑及視需要的硬化劑、稀釋劑等所構成的剝離劑溶液後,經由乾燥、硬化而形成。塗佈方法可使用例如凹版塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、旋轉塗佈法、刀塗佈法、輥塗佈法、模具塗佈法等。
剝離劑層13的表面的最大突起高度(Rp)為10~100nm,較佳為20~50μm。剝離劑層13的表面最大突起高度(Rp)在此範圍者,剝離劑層13的表面可成為高度平滑,即使在該剝離劑層13表面成型厚度1μm以下的薄膜陶瓷生片,薄膜陶瓷生片也難以發生針孔或厚度不均的部分,呈現良好的片成型性。
如上所述,本實施形態所述剝離片1中,藉由對基材11及剝離劑層13具有密合性的樹脂層12的存在可抑制剝離劑層13的脫落,具體的為:對剝離劑層13之日東電工公司製之聚酯膠帶No.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力X,使用學振型摩擦堅牢度試驗機,以上述基材11的第2表面作為研磨片,在加重1kg、來回10次的條件下研磨上述剝離劑層13的表面,對該研磨面之日東電工公司製之聚酯膠帶No.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力Y,以下式(剝離力X/剝離力Y)×100%
所示之剝離劑保持率較佳為85%以上,更佳為90%以上。
剝離劑層保持率在上述範圍者,在陶瓷生片製造之時的捲出時、裁斷時、漿料塗佈工程中的搬送時等,剝離劑層13難以從剝離膜1脫落。因此,沒有因剝離劑層13的脫落產生異物的發生,可防止因該異物所造成的凹痕等的陶瓷生片塗佈不良。特別是,當剝離劑層保持率低時,雖在通常條件下保存剝離膜1的情形中沒有漿料塗佈的問題,但是在溫度及/或濕度較高的惡劣條件下保存的情形中,有上述漿料塗佈工程的搬送時等的剝離劑層13的脫落發生。當剝離劑層保持率在上述範圍時,即使是在惡劣條件下保存剝離膜1的情形,上述漿料塗佈工程的搬送時等的剝離劑層13的脫落也難以發生。
又本實施形態所述剝離片1藉由含導電性高分子的樹脂層12可發揮防帶電性。具體地說,其性能較佳為將輥狀捲取的寬400mm、長5000m的剝離膜1,以100m/分捲出後立即測量上述剝離劑層的表面帶電量(捲出帶電量),較佳為10kV以下,更佳未滿8kV。
剝離劑層13的捲出帶電量在上述範圍者,可得較佳的防帶電性。因此,可防止因捲出時的帶電造成異物附著在剝離劑層13的表面而使得塗佈於該剝離劑層13上的陶瓷生片的膜發生針孔等的缺陷。又可防止因為帶電使得已塗佈的陶瓷生片發生搖動或縮孔,而可成型均勻的陶瓷生片。再者,即使在將成型於剝離劑層13上的陶瓷生片從剝離膜1剝離的工程,可防止因帶電所造成的剝離不良,使陶瓷生片不破裂而可正常剝離。
考量剝離片1的防帶電性,剝離劑層13的表面電阻率較佳為1×106~1×1012Ω/□,更佳為1×107~1×1010Ω/□。表面電阻率在此範圍內者,容易調整剝離劑層13的捲出帶電量在上述較佳範圍。又表面電阻率在此範圍,且基材11的第2表面的算術平均粗度(Ra)及最大凸起高度(Rp)在上述較佳範圍者,更容易調整剝離劑層13的捲出帶電量在上述較佳範圍。
上述說明的實施形態係為了容易理解本發明所記載,並非為了限定本發明所記載。因此,上述實施形態所揭示之各要素為包含本發明所屬技術領域的所有設計變更或均等物。
例如,基材1與樹脂層12之間,或者樹脂層12與剝離劑層13之間,也可以存在其他層。
以下藉由實施例等更具體說明本發明,但本發明之範圍不限於這些實施例。
取對苯二甲酸86質量部及乙烯醇70質量部於反應器,在約250℃進行酯交換反應4小時。之後,加入三氧化銻0.03質量部、磷酸0.01質量部、及平均粒徑0.1μm的氧化鋁粒子0.3質量部,從250℃緩緩升溫至285℃,同時緩緩減少壓力成為0.5mmHg。4小時後,停止聚合反應,獲得極限黏度0.65dl/g的聚對苯二甲酸乙二醇酯A(形成第1表面用的含填料樹脂)。
另一方面,除使用平均粒徑0.5μm的碳酸鈣粒子1質量部取代平均粒徑0.1μm的氧化鋁粒子以外,以製造聚對苯二甲酸乙二醇酯A的相同方法,製造極限黏度0.63dl/g的聚對苯二甲酸乙二醇酯B(形成第2表面用的含填料樹脂)。
將所得的聚對苯二甲酸乙二醇酯A及B在180℃惰性氣體中乾燥4小時。為了形成A層/B層的兩層構造,將聚對苯二甲酸乙二醇酯A供給單軸押出機,在290℃溫度熔融,另將聚對苯二甲酸乙二醇酯B供給另一單軸押出機,在290℃溫度熔融。之後,分別通過濾過器後,在成型兩
層的模具口以形成A層/B層的樣子共流於模具口內,押出片狀,在設定表面溫度為40℃的冷卻輥上使其冷卻固化,獲得未延展片。將所得的片在100℃縱方向延展3.5倍,之後在張布機100℃下橫方向延展3.5倍。之後在230℃進行熱固定,獲得厚度38μm的表內面不同粗度的聚酯膜,以此作為基材。此基材中延展的A層表面為第1表面,延展的B層表面為第2表面。所得基材的第1表面的最大突起高度(Rp)為36nm,第2表面的算術平均粗度(Ra)為12nm,最大突起高度(Rp)為84nm。
之後,於含有共聚合聚酯及聚氨酯的混合樹脂乳液中,混合導電性高分子之聚乙烯基二氧噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸酯(PSS)總計為0.1~1.0質量%之樹脂組成物(中京油脂公司製,P-973,固形分10質量%),以異丙醇及精製水的混合液(混合比例1:1)稀釋至固形分1.0質量%,作為樹脂塗佈液。將此樹脂塗佈液以形成乾燥後厚度為50nm的量均勻地塗佈於上述基材的第1表面,在120℃乾燥1分鐘,形成樹脂層。
之後,以甲苯稀釋熱硬化加成反應型矽氧樹脂(信越化學工業公司製,KS-847H)100質量部,對其混合鉑觸媒(信越化學工業公司製,CAT-PL-50T)2質量部,調製固形分1.5質量%的塗佈液。將此塗佈液以形成乾燥後厚度為100nm的量均勻塗佈於上述樹脂層表面,在140℃乾燥1分鐘,形
成剝離劑層,將這些作為剝離膜。
除了樹脂層厚度改為100nm以外,其餘與實施例1相同方法製作剝離膜。
除了樹脂層厚度改為200nm以外,其餘與實施例1相同方法製作剝離膜。
除使用平均粒徑0.3μm的碳酸鈣粒子1質量部取代平均粒徑0.1μm的氧化鋁粒子以外,與實施例1製造聚對苯二甲酸乙二醇酯A的相同方法,製造極限黏度0.64dl/g的聚對苯二甲酸乙二醇酯C(形成由單層樹脂層所形成的基材用的含填料樹脂)。將所得的聚對苯二甲酸乙二醇酯C在180℃惰性氣體中4小時乾燥,供給單軸押出機,在290℃溫度熔融。之後,通過濾過器後,從模具口內押出片狀,在設定表面溫度為40℃的冷卻輥上使其冷卻固化,獲得未延展片。將所得的片在100℃縱方向延展3.5倍,之後在張布機100℃下橫方向延展3.5倍。之後在230℃進行熱固定,獲得厚度38μm的表內面相同粗度的聚酯膜,以此作為基材。此基材的一面為第1表面,另一面為第2表面。所得基材的第1表面的最大突起高度(Rp)為44nm,第2表面的算術平均粗度(Ra)為9nm,最大突起高度(Rp)為47nm。除了使用此基材以外,與實施例1相同製作剝離膜。
除了樹脂層厚度改為20nm以外,其餘與實施例1相同方法製作剝離膜。
除了樹脂層厚度改為300nm以外,其餘與實施例1相同方法製作剝離膜。
除了不形成樹脂層以外,其餘與實施例1相同方法製作剝離膜。
除使用平均粒徑1.5μm的二氧化矽1質量部取代平均粒徑0.1μm的氧化鋁粒子以外,與實施例1製造聚對苯二甲酸乙二醇酯A的相同方法,製造極限黏度0.62dl/g的聚對苯二甲酸乙二醇酯D。除了以聚對苯二甲酸乙二醇酯D取代聚對苯二甲酸乙二醇酯C以外,與實施例4相同獲得厚度38μm的表內面相同粗度的聚酯膜,以此作為基材。所得基材的第1表面的最大突起高度(Rp)為527nm,第2表面的算術平均粗度(Ra)為36nm,最大突起高度(Rp)為532nm。除了使用此基材以外,與實施例1相同製作剝離膜。
使用比較例4所得的聚酯膜作為基材,且不形成樹脂層以外,與實施例1相同製作剝離膜。
使用實施例1所得聚酯膜作為基材。在該聚酯膜的第1表面以形成乾燥後厚度為100nm的量均勻塗佈以異丙醇
稀釋至固形分為1.5質量%的四乙氧基矽烷的部分水解物(Colcoat公司製,Colcoat N-103X)之塗佈液,在120℃乾燥1分鐘,形成防帶電層。之後,在此防帶電層上,同實施例1形成剝離劑層,此為剝離膜。
以第1表面設置由烷基銨鹽所形成的防帶電層(厚度:20nm)的PET膜(三菱樹脂公司製,Diafoil T100G)作為基材。此PET膜的防帶電層的表面最大突起高度(Rp)為502nm,第2表面的算術平均粗度(Ra)為36nm,最大突起高度(Rp)為522nm,厚度(含防帶電層)為38μm。之後在此防帶電層上,同實施例1形成剝離劑層,此為剝離膜。
使用表面粗度測定機(Mitutoyo股份有限公司製,SURFTEST SV-3000S4),以JIS B 0601:2001為基準,測定實施例及比較例所使用的基材的第1表面及第2表面以及實施例及比較例所得的剝離膜中剝離劑層的表面的算術平均粗度(Ra)及/或最大突起高度(Rp)。結果如表1所示。
將實施例及比較例所得的剝離膜裁切為100mm×100mm,以此作為樣品。將樣品在23℃濕度50%的條件下控制濕度24小時後,使用Advantest公司製「R12704 RESISTIVITY CHAMBER」及Advantest公司製「DIGITAL ELECTRO METER R8252」,以JIS K6911(1995)為準,測定剝離劑層側的表面電阻率。結果如表2所示。
將實施例及比較例所得的剝離膜在60℃、濕度90%的環境下保存72小時。之後,使用學振型摩擦堅牢度試驗機,以分別與實施例及比較例所得剝離膜所使用的相同基材(聚酯膜)的第2表面為研磨面,以加重1kg、來回10次的條件研磨剝離膜的剝離劑層的部分表面。之後,在剝離劑層的研磨部分與未研磨部分,以2kg的輥1次往返,貼合聚酯黏貼帶(日東電工公司製,No.31B,厚度50μm,寬20mm),此為樣品。
所得樣品置於23℃、濕度50%的條件下24小時後,裁切為寬40mm、長150mm,在拉伸試驗機以剝離角度180°、剝離速度300m/分,剝離聚酯黏貼帶一側,測定剝離力。將非研磨部分的剝離力設為X,研磨部分的剝離力設為Y,根據下式剝離劑保持率=(剝離力X/剝離力Y)×100%
計算剝離劑保持率(%)。結果如表2所示。
將實施例及比較例所得的剝離膜捲成寬400mm、長5000m的輥狀。此剝離膜捲在40℃、濕度50%以下的環境保存30天,以目視觀察剝離膜捲的外觀。輥狀捲上時沒有變化者,視為沒有阻斷(○),一半以下的區域色調改變者視為有某些阻斷(△),過半區域色調改變者視為有阻斷(×)。結果如表2所示。
將實施例及比較例所得的剝離膜捲成寬400mm、長5000m的輥狀。此剝離膜捲在裁斷機上以100m/分捲出,使用春日電機公司製的「防爆型靜電氣電位測定器KSD-0108」,測定捲出後立即的剝離劑層表面的帶電量(捲出帶電量)。未滿8kV以「A」表示,8kV以上、未滿12kV以「B」表示,12kV以上以「C」表示。結果如表2所示。
在鈦酸鋇粉末(BaTiO3:堺化學工業公司製,BT-03)100質量部、作為黏接劑的聚乙烯縮丁醛(Polyvinyl butyral)(積水化學工業公司製,S-REC B‧K BM-2)8質量部及作為可塑劑的鄰苯二甲酸二辛酯(關東化學公司製,鄰苯二甲酸二辛酯鹿1級)4質量部中,加入甲苯與乙醇的混合液(質量比6:4)135質量部,以球磨機混合分散,調製陶瓷漿料。
在實施例及比較例所得的剝離膜的剝離劑層表面,以形成乾燥後膜厚為1μm的量,以模具塗佈機將上述陶瓷漿料塗佈成寬250mm、長10m,之後以乾燥機在80℃乾燥1分鐘。對於已成型陶瓷生片的剝離膜,從剝離膜側照螢光燈,目視檢查陶瓷生片的表面。結果陶瓷生片上無針孔者標示為「A」,發生1~5個針孔者標示為「B」,發生6個以上針孔者標示為「C」。結果如表2所示。
從表1及表2可知,實施例所得的剝離膜具有較佳的表面電阻率同時捲出帶電量也低。又剝離劑層保持率高,也無阻斷,而且已成型的陶瓷生片亦未發生針孔。
本發明之剝離膜適合於成型厚度1μm以下的薄膜陶瓷生片者。
1‧‧‧剝離膜
11‧‧‧基材
12‧‧‧樹脂層
13‧‧‧剝離劑層
第1圖為本發明一實施型態的剝離膜的斷面圖。
1‧‧‧剝離膜
11‧‧‧基材
12‧‧‧樹脂層
13‧‧‧剝離劑層
Claims (7)
- 一種陶瓷生胚片製造工程用的剝離膜,具有:基材,層積於上述基材的第1表面上,含有導電性高分子,厚度為30~290nm之樹脂層,以及層積於上述樹脂層上的剝離劑層,其特徵在於,上述剝離劑層的表面之最大凸起高度(Rp)為10~100nm。
- 如申請專利範圍第1項所述之剝離膜,其特徵為,上述基材的第2表面之算術平均粗度(Ra)為5~50nm,最大凸起高度(Rp)為40~300nm。
- 如申請專利範圍第1項所述之剝離膜,其特徵為,上述樹脂層包含選自由聚酯樹脂、聚氨酯樹脂及丙烯樹脂所構成之族群中之至少1種。
- 如申請專利範圍第1項所述之剝離膜,其特徵為,上述樹脂層包含選自由聚噻吩系導電性高分子、聚苯胺系導電性高分子及聚吡咯系導電性高分子所構成之族群中之至少1種作為上述導電性高分子。
- 如申請專利範圍第1項所述之剝離膜,其特徵為,上述剝離劑層由加成反應型矽氧樹脂為主成分之剝離劑所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之剝離膜,其特徵為,對上述剝離劑層之日東電工公司製之聚酯膠帶No.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力X, 使用學振型摩擦堅牢度試驗機,以上述基材的第2表面作為研磨片,在加重1kg、來回10次的條件下研磨上述剝離劑層的表面,對該研磨面之日東電工公司製之聚酯膠帶No.31B的180°剝離力(mN/20mm)為剝離力Y,以下式(剝離力X/剝離力Y)×100%所示之剝離劑保持率為85%以上。
- 如申請專利範圍第1項所述之剝離膜,其特徵為,將輥狀捲取的寬400mm、長5000m的上述剝離膜,以100m/分捲出後立即測量上述剝離劑層的表面帶電量為10kV以下。
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