CN110382186A - 生片形成用剥离膜 - Google Patents
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Abstract
本发明的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜(1),其中,该剥离膜(1)具备基材(11)和设置于上述基材(11)的一面(11A)的剥离剂层(12),上述剥离剂层(12)由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(4)表示的含有两性离子的基团的含离子性基团的有机硅化合物。
Description
技术领域
本发明涉及生片形成用剥离膜。
背景技术
剥离膜通常由基材和剥离剂层构成。生片可通过在这样的剥离膜上涂敷将陶瓷粒子与粘合剂树脂分散并溶解于有机溶剂而得到的陶瓷浆料并进行干燥而制造。另外,所制造的生片在从剥离膜剥离后可用于陶瓷电容器的制造。
另外,在使用剥离膜制造生片的情况下,由于剥离膜的表面的凹凸会被转印至生片,因而存在在生片的表面产生针孔等问题。因此,对于剥离膜,要求表面的凹凸少这样的平滑性。另一方面,随着近年来陶瓷电容器的小型化、高密度化,要求生片的进一步薄膜化。进而,由于生片的进一步薄膜化,对于剥离膜,要求平滑性的进一步提高。
然而,存在越提高剥离膜的平滑性则剥离膜越容易产生静电的问题。即,剥离膜通常在被卷成卷状的状态下保管、运输,在形成生片时,从卷状的状态陆续放出而使用。因此,将该卷取的剥离膜陆续放出时,存在会在剥离膜的表面产生静电、由于所产生的静电而导致灰尘等异物附着的问题。另外,在将剥离膜从形成的生片剥离时如果产生静电,则存在导致生片的处理变得困难、无法顺利运送至后续工序,或由于静电而导致作为电容器的产品特性劣化的可能性。像这样,对于平滑性优异的剥离膜,要求抗静电性。
作为提高剥离膜的抗静电性的技术,例如在专利文献1中记载了设置有基材膜和在聚酯膜的至少一面含有非活性微粒的脱模层的脱模膜。该聚合物层包含含有(甲基)丙烯酸酯聚合物成分及有机硅聚合物成分的聚合物、以及导电性微粒。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-206996号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在专利文献1中记载的剥离膜中,为了表现出充分的抗静电性,需要使大量导电性微粒分散于聚合物层。进而,在使用大量导电性微粒的情况下,存在导致聚合物层的固化性降低的问题。
因此,本发明的目的在于提供一种在保持剥离剂层的固化性的同时具有充分的抗静电性的生片形成用剥离膜。
解决问题的方法
本发明的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜,其中,该剥离膜具备基材和设置于上述基材的一面的剥离剂层,上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(1)表示的结构单元及下述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物。
[化学式1]
[化学式2]
在上述通式(1)中,R1及R2任选相同或不同,分别表示碳原子数为1~6的烷基、或苯基。
在上述通式(2)中,R3表示碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的烷氧基、或苯基,L表示单键、亚烷基、二有机硅氧烷基、-O-基、或下述通式(3)表示的2价基团,Y表示下述通式(4)表示的含有两性离子的基团。
[化学式3]
[化学式4]
在上述通式(3)中,l为1~4的整数,m为1~10的整数。
在上述通式(4)中,R4及R5任选相同或不同,表示碳原子数1~6的烷基、苯基、碳原子数1~6的氟取代烷基、或碳原子数1~6的含羟基的羟基烷基,R4及R5任选形成环,且在形成环时表示亚烷基,n为3~6的整数。
在本发明的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中,上述(A)固化性化合物可以为(A1)能量射线固化性化合物。
在本发明的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中,上述(A)固化性化合物可以为(A2)热固性化合物。
在本发明的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中,上述(B)含离子性基团的有机硅化合物优选具有选自碳原子数2~6的烯基、丙烯酰基、硫羟基及氢化甲硅烷基中的至少1种反应性官能团。
在本发明的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中,优选上述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra为8nm以下、且上述剥离剂层的外表面的最大突起高度Rp为80nm以下。
根据本发明,可提供在保持剥离剂层的固化性的同时具有充分的抗静电性的生片形成用剥离膜。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的生片形成用剥离膜的剖面示意图。
符号说明
1…剥离膜、11…基材、12…剥离剂层、12A…剥离剂层的外表面。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下,举出实施方式为例对本发明进行说明。本发明不限定于实施方式的内容。
在第一实施方式中,举出作为剥离剂形成用材料中的(A)固化性化合物而使用了(A1)能量射线固化性化合物的情况为例进行说明。
本实施方式的生片形成用剥离膜1(以下“剥离膜1”)如图1所示,具备基材11、和设置于基材11的第1面11A的剥离剂层12。
(基材)
本实施方式的基材11具有第1面11A和第2面11B。
作为构成基材11的材料,没有特殊限定,可列举例如:由聚酯树脂(聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂及聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等)、聚烯烃树脂(聚丙烯树脂及聚甲基戊烯树脂等)、及聚碳酸酯等塑料形成的膜等。基材11可以为单层膜,也可以为同种或不同种的2层以上的多层膜。这些中,从在加工时或使用时等不易产生灰尘等的观点考虑,优选聚酯膜,更优选双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。在利用使用聚酯膜制造的剥离膜1来制造生片的情况下,可有效防止由灰尘等导致的陶瓷浆料的涂敷不良等。
在基材11中,除上述这样的材料以外,也可以含有填料等。作为填料,可列举二氧化硅、氧化钛、碳酸钙、高岭土、及氧化铝等。它们可单独使用1种,或组合使用2种以上。通过含有这样的填料,可以赋予基材11的机械强度,并提高表背面的光滑性,抑制粘连。
对于基材11的第1面11A及第2面11B的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra1及Ra2、以及最大突起高度Rp1及Rp2)而言,可以是两面为通用等级的粗糙度范围,也可以是两面为高平滑等级的粗糙度范围。此外,还可以是第1面11A及第2面11B中的一面为高平滑等级的粗糙度范围、另一面为通用等级的粗糙度范围。未涂布剥离剂层12的基材11的第2面11B为高平滑等级的粗糙度范围时,通常,剥离膜10的卷取会由于粘连而变得容易产生静电,但本实施方式的剥离膜1不容易发生粘连。
在为高平滑等级的情况下,基材11的第1面11A的算术平均粗糙度Ra(Ra1)优选为1nm以上且40nm以下,更优选为2nm以上且20nm以下。由此,如后所述,在基材11的第1面11A上会填补第1面11A的凹凸而形成经过了平滑化的剥离剂层12。因此,算术平均粗糙度Ra1在上述范围内时,剥离剂层的外表面12A的平滑化作用变得特别显著。
在为高平滑等级的情况下,基材11的第1面11A的最大突起高度Rp(Rp1)优选为10nm以上且500nm以下,更优选为15nm以上且350nm以下。由此,如后所述,在基材11的第1面11A上会填补第1面11A的凹凸而形成经过了平滑化的剥离剂层12。因此,最大突起高度Rp1在上述范围内时,剥离剂层的外表面12A的平滑化作用变得特别显著。
在为高平滑等级的情况下,基材11的第2面11B的算术平均粗糙度Ra(Ra2)优选为1nm以上且40nm以下,更优选为2nm以上且20nm以下。另外,在为高平滑等级的情况下,基材11的第2面11B的最大突起高度Rp(Rp2)优选为10nm以上且500nm以下,更优选为15nm以上且350nm以下,特别优选为20nm以上且300nm以下。
通过使用这样的高平滑等级的基材,即使剥离膜1和在其上制膜而成的陶瓷生片经过了卷取,由于与涂布表面接触的剥离膜1的背面侧(第2面11B侧)是平滑的,因此,陶瓷生片被挤压而受到的损伤消失,陶瓷电容器的品质提高。
需要说明的是,在为通用等级的情况下,基材11的第1面11A的算术平均粗糙度Ra(Ra1)通常为5nm以上且80nm以下,基材11的第1面11A的最大突起高度Rp(Rp1)通常为100nm以上且700nm以下。另外,在为通用等级的情况下,基材11的第2面11B的算术平均粗糙度Ra(Ra2)通常为5nm以上且80nm以下,基材11的第2面11B的最大突起高度Rp(Rp2)通常为100以上且700nm以下。
需要说明的是,在本说明书中,基材11的第1面11A及第2面11B的算术平均粗糙度Ra及最大突起高度Rp是按照JIS B0601-1994并通过三丰株式会社制造的表面粗糙度测量仪SV3000S4(触针式)测定而求出的值。而且,在本说明书中,除非另有说明,“算术平均粗糙度及最大突起高度”是指如上所述地测定而得到的值。
基材11的平均膜厚没有特别限定,优选为10μm以上且300μm以下,更优选为15μm以上且200μm以下。由此,可以使剥离膜1的柔软性适度、同时使得相对于撕裂或断裂等的耐性也特别优异。
(剥离剂层)
本实施方式的剥离剂层12设置于基材11的第1面11A上。剥离剂层12由剥离剂形成用材料的固化物形成。而且,在本实施方式中,由于使用(A1)能量射线固化性化合物作为(A)固化性化合物,因此,剥离剂层12可通过对剥离剂层形成用材料照射活性能量射线并使其固化而形成。该剥离剂层12可对剥离膜1赋予平滑性、剥离性及抗静电性。
剥离剂层12的外表面12A的算术平均粗糙度Ra(Ra0)优选为15nm以下,更优选为8nm以下。另外,剥离剂层12的外表面的最大突起高度Rp(Rp0)优选为80nm以下,更优选为60nm以下。由此,在剥离剂层12的外表面12A侧成型生片时,可更切实地防止生片产生针孔或局部厚度不均,使生片的表面变得更为高平滑。
需要说明的是,后述的剥离剂层形成用材料在涂布于基材11的第1面11A上时,具有适度的流动性。因此,如果使用这样的剥离剂层形成用材料,则可以容易地埋入基材11的第1面11A的凹凸,可以保持该埋入的状态。其结果,可防止基材11的凹凸对剥离剂层12的与基材11相反的外表面12A侧造成影响,可使剥离剂层12的外表面12A平滑。
剥离剂层12的平均厚度优选为0.2μm以上且2μm以下,更优选为0.3μm以上且1.5μm以下。剥离剂层12的平均厚度为上述下限以上时,可提高剥离剂层12的外表面12A的平滑性,可以更切实地防止生片产生针孔或局部厚度不均。另一方面,剥离剂层12的厚度为上述上限以下时,可防止由剥离剂层12的固化收缩引发的剥离膜1的卷曲,另外,可抑制由于卷取剥离膜1而发生接触的基材11的第2面11B和剥离剂层12的外表面12A发生粘连。
剥离剂层12的外表面12A的表面电阻率优选为1.0×1012Ω/□以下,更优选为5.0×1011Ω/□以下,特别优选为1.0×1011Ω/□以下。表面电阻率在上述范围内时,可以更切实地减少在剥离剂层12的外表面12A由于静电的产生而导致的异物等的附着。表面电阻率的单位在本说明书中使用Ω/□。另外,表面电阻率的测定可按照JIS K6911(1995)进行。
(剥离剂形成用材料)
在此,对用于形成本实施方式的剥离剂层12的剥离剂层形成用材料进行说明。
本实施方式的剥离剂层形成用材料含有(A1)能量射线固化性化合物和(B)含离子性基团的有机硅化合物。
(能量射线固化性化合物)
本实施方式的(A1)能量射线固化性化合物是通过固化而有助于剥离剂层12的形成的成分。由此,可以使剥离剂层12的机械强度更适度。
作为本实施方式的(A1)能量射线固化性化合物,没有特别限制,可从现有公知的物质中选择。作为(A1)能量射线固化性化合物,可列举能量射线固化性的单体、低聚物及树脂、以及含有它们的组合物等。
作为具体例,可列举多官能(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等。它们可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
作为多官能(甲基)丙烯酸酯,可列举:1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、以及(甲基)丙烯酸三烯丙酯等。它们可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。这些中,由于可对剥离剂层12赋予适度的坚硬性,因此,更优选使用季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯或二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
另外,作为多官能(甲基)丙烯酸酯,也可以是含有官能团的多官能(甲基)丙烯酸酯。作为所使用的官能团,优选羟基,可使(B)成分的含离子性基团的有机硅化合物在剥离剂层形成材料中的分散性以及在所形成的剥离剂层12中的普遍存在性最佳化。作为含羟基的丙烯酸类化合物的具体例,可列举季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、及季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。这些中,由于可对剥离剂层12赋予适度的坚硬性,因此,更优选使用季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯。另外,如果多官能(甲基)丙烯酸酯具有官能团,则可通过利用交联剂进行的交联使剥离剂层12通过能量射线和加热的这两种***的方法而发生固化,可使固化的程度达到期望的水平。
剥离剂层形成用材料中的(A1)能量射线固化性化合物的以固体成分换算的含量(除溶剂以外的全部固体成分中的含有比例)优选为65质量%以上,更优选为70质量%以上。
(含离子性基团的有机硅化合物)
本实施方式的(B)含离子性基团的有机硅化合物是可对剥离剂层12赋予抗静电性及剥离性的成分。
(B)含离子性基团的有机硅化合物具有下述通式(1)表示的结构单元及下述通式(2)表示的结构单元。通过在剥离剂层12中配合(B)含离子性基团的有机硅化合物,可主要利用下述通式(1)表示的结构单元的单元特性而对剥离剂层12赋予剥离性,并主要利用下述通式(2)表示的结构单元的单元特性而对剥离剂层12赋予抗静电性。
[化学式5]
[化学式6]
在上述通式(1)中,R1及R2任选相同或不同,分别表示碳原子数为1~6的烷基、或苯基。另外,从对剥离剂层12赋予优异的剥离性的观点考虑,R1及R2优选为甲基。
在上述通式(2)中,R3表示碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的烷氧基、或苯基。另外,从对剥离剂层12赋予优异的剥离性的观点考虑,R3优选为碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的烷氧基,特别优选为甲基。
L表示单键、亚烷基、二有机硅氧烷基、-O-基、或下述通式(3)表示的2价基团。另外,从对剥离剂层12赋予充分的抗静电性的观点考虑,L更优选为下述通式(3)表示的2价基团。
Y表示下述通式(4)表示的含有两性离子的基团。
[化学式7]
[化学式8]
在上述通式(3)中,l为1~4的整数。m为1~10的整数。
在上述通式(4)中,R4及R5任选相同或不同,表示碳原子数1~6的烷基、苯基、碳原子数1~6的氟取代烷基、或碳原子数1~6的含羟基的羟基烷基。R4及R5任选形成环,此时表示亚烷基,n为3~6的整数。需要说明的是,在上述通式(2)中的L为单键的情况下,上述通式(4)中的具有正电荷的4价氮原子与主链的二有机硅氧烷的硅原子键合。
(B)含离子性基团的有机硅化合物可进一步具有含有反应性官能团的结构单元。作为(B)含离子性基团的有机硅化合物所任选具有的反应性官能团,可列举碳原子数2~6的烯基、丙烯酰基、硫羟基及氢化甲硅烷基等。由此,由于(B)含离子性基团的有机硅化合物本身具有固化性,因此可进一步提高剥离剂层12的固化性。
作为(B)含离子性基团的有机硅化合物,可使用市售品。作为该市售品,可列举例如:信越有机硅株式会社制造的“含离子性基团有机硅低聚物X-40-2450”等。
相对于上述(A1)能量射线固化性化合物100质量份,(B)含离子性基团的有机硅化合物的含量以固体成分换算优选为0.1质量份以上且30质量份以下,更优选为2质量份以上且25质量份以下。含量为上述下限以上时,可对剥离剂层12赋予充分的抗静电性。另一方面,含量为上述上限以下时,可抑制(B)含离子性基团的有机硅化合物在剥离剂层12中过量,可保持剥离剂层12的固化性。
(第2剥离赋予成分)
为了进一步提高剥离剂层12的剥离性,也可以使剥离剂层形成用材料中含有(C)第2剥离赋予成分。
作为本实施方式的(C)第2剥离赋予成分,可列举例如具有直链状或支化状的分子链的聚有机硅氧烷。另外,优选聚有机硅氧烷在分子链的末端及侧链中的至少任意处具有反应性官能团,且该反应性官能团具有选自(甲基)丙烯酰基、乙烯基及马来酰亚胺基中的至少1种。另外,聚有机硅氧烷更优选为上述反应性官能团直接或经由2价连结基团与上述分子链中的硅原子键合而成的聚有机硅氧烷。上述反应性官能团在1分子中至少具有1个即可。
另外,作为2价连结基团,可列举例如:亚烷基、亚烷基氧基、氧基、亚胺基、羰基及将这些基团组合而成的2价连结基团等。
2价连结基团的碳原子数优选为1~30,更优选为1~10。
另外,聚有机硅氧烷可根据需要组合使用2种以上。
这样的经反应性官能团取代而成的改性聚有机硅氧烷在(A1)能量射线固化性化合物通过照射活性能量射线而固化时被导入交联结构并固定。由此,可抑制作为剥离剂层12的成分的聚有机硅氧烷向形成于剥离剂层12的外表面12A侧的生片的转移。
作为构成(C)第2剥离赋予成分的反应性官能团以外的有机基团,可列举不具有脂肪族不饱和键的相同或不同种的1价烃基等。
作为1价烃基,优选碳原子数为1~12的1价烃基,更优选碳原子数为1~10的1价烃基。
作为1价烃基,可列举烷基(甲基、乙基及丙基等)、及芳基(苯基、甲苯基等)等。
另外,作为1价烃基,优选1价烃基中的80摩尔%以上为甲基。由此,可使剥离剂层12的剥离性特别优异。
在使用(C)第2剥离赋予成分的情况下,相对于上述(A1)能量射线固化性化合物100质量份,其含量以固体成分换算优选为0.1质量份以上且15质量份以下,更优选为0.5质量份以上且10质量份以下。含量为上述下限以上时,可提高剥离剂层12的剥离性。另一方面,含量为上述上限以下时,在剥离剂层12的表面涂布陶瓷浆料时,可抑制对陶瓷浆料的排斥。
(光聚合引发剂)
为了使剥离剂层形成用材料固化,剥离剂层形成用材料也可以含有(D)光聚合引发剂。通过含有(D)光聚合引发剂,在对剥离剂层形成用材料照射活性能量射线时,可有效地形成剥离剂层12。此处,光聚合引发剂是指,通过紫外线等活性能量射线的照射而产生自由基种的化合物。
作为(D)光聚合引发剂,可列举例如:苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、苯偶姻正丁醚、苯偶姻异丁醚、苯乙酮、二甲基氨基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-1-丙酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-(羟基-2-丙基)酮、二苯甲酮、对苯基二苯甲酮、4,4-二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、安息香双甲醚、苯乙酮二甲基缩酮、对二甲基胺苯甲酸酯、及低聚[2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷]等。它们可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
在使用(D)光聚合引发剂的情况下,相对于上述(A1)能量射线固化性化合物100质量份,其含量以固体成分换算优选为1质量份以上且20质量份以下,更优选为3质量份以上且15质量份以下。含量在上述范围内时,剥离剂层12的厚度即使是由于氧抑制而难以得到固化性的范围的厚度,也可以得到特别优异的固化性。
本实施方式的剥离剂层形成用材料除上述(A1)成分、上述(B)成分、上述(C)成分及上述(D)成分以外,也可以含有其它成分。作为其它成分,可列举交联剂、抗氧剂、紫外线吸收剂、上述(B)成分以外的抗静电剂、聚合促进剂、阻聚剂、红外线吸收剂、及增塑剂等。作为交联剂,在(A1)成分的官能团中使用羟基时,可使用多价异氰酸酯化合物、多价环氧化合物、多价氮丙啶化合物、及多价金属螯合化合物等。
在使用其它成分的情况下,相对于上述(A1)能量射线固化性化合物100质量份,其含量以固体成分换算优选为0.1质量份以上且10质量份以下。
本实施方式的剥离剂层形成用材料可通过将上述(A1)成分及上述(B)成分等混合并分散而制造。需要说明的是,制造剥离剂层形成用材料时,可以根据需要配合溶剂。
作为本实施方式的溶剂,可列举例如:甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、乙基溶纤剂、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、环己烷、乙基环己烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、四氢呋喃、丙二醇单甲醚、及水等。它们可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
(剥离膜的制造方法)
接下来,对制造前述的本实施方式的剥离膜1的方法进行说明。
本实施方式的剥离膜1可利用具备下述工序的方法制造:准备基材11的基材准备工序;通过涂布剥离剂层形成用材料并使其干燥而形成涂布层的涂布层形成工序;以及通过对涂布层照射活性能量射线使其固化而形成剥离剂层12的剥离剂层形成工序。
在基材准备工序中,准备基材11。
可以对基材11的第1面11A实施表面处理。由此,可以使基材11与设置于基材11的第1面11A侧的剥离剂层12的密合性特别优异。
作为表面处理,可列举例如:电晕放电处理、等离子体放电处理、铬氧化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、及紫外线照射处理等。这些表面处理可根据基材11的种类而适当选择,但通常从效果及操作性的观点考虑,优选使用电晕放电处理。
在涂布层形成工序中,将前述的剥离剂层形成用材料涂布于基材11的第1面11A、并使其干燥。由此得到涂布层。
如果使用前述的剥离剂层形成用材料,则可以填埋基材11的第1面11A的凹凸。其结果,可以使剥离剂层12的外表面12A平滑。
作为涂布剥离剂层形成用材料的方法,可列举例如:凹版涂布法、棒涂法、喷涂法、旋涂法、气刀涂布法、辊涂法、刮涂法、水平辊涂布法、及模涂法等。
作为干燥剥离剂层形成用材料的方法,没有特别限定,可列举例如:通过热风干燥炉等进行干燥的方法等。
作为干燥条件,没有特别限定,干燥温度优选为50℃以上且100℃以下,干燥时间优选为5秒钟以上且1分钟以下。由此,可防止涂布层的不期待的变质,而且可特别有效地形成涂布层。其结果,可提高最终得到的剥离膜1的生产性。另外,干燥温度在上述范围内时,在剥离剂层形成用材料含有溶剂等的情况下,可防止伴随干燥时的溶剂等的蒸发产生涂布层的翘曲或裂缝等。
在剥离剂层形成工序中,通过对上述涂布层形成工序中得到的涂布层照射活性能量射线并使其固化而形成剥离剂层12。
在该工序中,通过在上述涂布层形成工序中使准确地埋入基材11的第1面11A的凹凸的涂布层直接在保持其外表面12A的平滑性的状态下固化。其结果,可得到外表面12A足够平滑的剥离剂层12。另外,通过使剥离剂层形成用材料包含如前所述的构成成分,可以得到具有适度的导电性的剥离剂层12。
作为活性能量射线,可列举例如:电磁波(红外线、可见光、紫外线及X射线等)及粒子束(电子束、离子束、中子束及α射线等)等。这些中,优选使用紫外线或可见光,更优选使用紫外线。由此,可以更容易且切实地形成剥离剂层12。
在使用紫外线作为活性能量射线的情况下,能够在充分缩短使涂布层固化的固化时间的同时,使涂布层均匀地固化。另外,作为照射活性能量射线的方法,没有特殊限定,可利用各种常规的方法。例如,作为光源,可使用高压水银灯、金属卤化物灯、及准分子灯等光源灯。
在照射活性能量射线(紫外线)的情况下,对于活性能量射线的照射量而言,累积光量优选为30mJ/cm2以上且400mJ/cm2以下,更优选为50mJ/cm2以上且300mmJ/cm2以下。另外,活性能量射线的照度优选为0.1W/cm2以上且4.0W/cm2以下。紫外线的照射量及照度在上述范围内时,可以使涂布层更均匀且切实地固化。
(剥离膜的使用方法)
接下来,对使用前述的本实施方式的剥离膜1的方法进行说明。
可以使用本实施方式的剥离膜1制造陶瓷电容器。作为陶瓷电容器的制造方法,可列举例如下述方法:在剥离膜1的剥离剂层12的表面涂布陶瓷粉末分散浆料并干燥而形成生片后,层叠从剥离膜1剥离后的生片,进行烧制而得到陶瓷片,在该陶瓷片上形成电极。如果使用本实施方式的剥离膜1制造生片,则可抑制本应由将剥离膜从生片除去时的静电而引发的不良,可期待高的生产性。此外,本实施方式的剥离膜1不会因静电而导致粘连性增强,因此,可以使剥离剂层12的外表面12A及基材11的第2面11B这两者实现高平滑。由此,如果利用使用本实施方式的剥离膜1形成的生片来形成陶瓷电容器,则可得到可防止由短路引发的不良情况的可靠性高的陶瓷电容器。
(第一实施方式的作用效果)
根据本实施方式,可发挥如下所述的作用效果。
(1)可以通过(B)含离子性基团的有机硅化合物对剥离剂层12赋予剥离性,而且可以赋予充分的抗静电性。另外,在使用该(B)含离子性基团的有机硅化合物的情况下,剥离剂层形成用材料中的固化成分不会变得过少,因此,可保持剥离剂层形成用材料的固化性,另外也可以保持与基材11的密合性。
(2)含有(A1)能量射线固化性化合物的剥离剂层形成用材料可以容易地埋入基材11的第1面11A的凹凸,且可保持该埋入的状态。其结果,可防止基材11的凹凸对剥离剂层12的与基材11相反的外表面12A侧造成影响,可以使剥离剂层12的外表面12A平滑。
(3)本实施方式的剥离膜1不会因静电而导致粘连性增强,因此,可使剥离剂层12的外表面12A及基材11的第2面11B这两者均实现高平滑。
(4)使用本实施方式的剥离膜1制造生片时,可抑制本应由将剥离膜从生片除去时的静电而引发的不良,可期待高生产性。
[第二实施方式]
接下来,对本发明的第二实施方式进行说明。
在第二实施方式中,作为剥离剂形成用材料中的(A)固化性化合物,举出使用了(A2)热固性化合物的情况为例进行说明。
需要说明的是,在本实施方式中,除了使用(A2)热固性化合物作为(A)固化性化合物以外,与上述第一实施方式是同样的,因此,对含有(A2)热固性化合物的剥离剂层形成用材料及其使用方法进行说明,省略或简化除此以外的说明。
(剥离剂层形成用材料)
本实施方式的剥离剂层形成用材料含有(A2)热固性化合物和(B)含离子性基团的有机硅化合物。
关于本实施方式的(B)含离子性基团的有机硅化合物,与在上述第一实施方式中使用的(B)含离子性基团的有机硅化合物同样。
(热固性化合物)
本实施方式的(A2)热固性化合物是通过固化而有助于剥离剂层12的形成的成分。由此,可以使剥离剂层12的机械强度更适度。
作为(A2)热固性化合物,可使用三聚氰胺树脂、脲醛树脂、胍胺树脂等氨基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、及醇酸树脂等公知的热固性化合物。这些热固性化合物中,可特别优选列举三聚氰胺树脂。
需要说明的是,一般而言,“三聚氰胺树脂”是指包含多种三聚氰胺化合物、及多种三聚氰胺化合物缩合而成的多核体中的至少任一者的混合物。本说明书中,“三聚氰胺树脂”这样的语句是指上述混合物或1种三聚氰胺化合物的集合物。此外,在本说明书中,将该三聚氰胺树脂固化而成的固化物称为“三聚氰胺固化物”。
三聚氰胺树脂优选含有下述通式(a)表示的化合物。
[化学式9]
在上述通式(a)中,X表示-H、-CH2-OH基、或-CH2-O-R基。这些基团构成三聚氰胺化合物彼此的缩合反应中的反应基团。具体而言,X为H而形成的-NH基可在-N-CH2-OH基及-N-CH2-R基之间进行缩合反应。另外,X为-CH2-OH而形成的-N-CH2-OH基、及X为-CH2-R基而形成的-N-CH2-R基均可以在-NH基、-N-CH2-OH基及-N-CH2-R基之间进行缩合反应。另外,-CH2-OH基及-CH2-O-R基构成有助于聚有机硅氧烷等与三聚氰胺化合物之间的缩合反应的反应基团。通过使三聚氰胺化合物具有该反应基团,可形成发挥前述效果的剥离剂层12。在上述通式(a)中,优选并非全部X为-H的情况,具体而言,优选至少1个X为-CH2-OH基或-CH2-O-R基。
在上述-CH2-O-R基中,R表示碳原子数1~8的烷基。该碳原子数优选为1~4,更优选为1或2。作为碳原子数1~8的烷基,可列举例如:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、及辛基等,特别优选为甲基。
X各自可以相同也可以不同。另外,R各自可以相同也可以不同。
从有效地发生缩合反应的观点考虑,在上述通式(a)中,成为-H的X的数量优选为2个以下,更优选为1个以下,特别优选为0。作为成为-H的X的数量为0的三聚氰胺化合物,可列举全部X为-CH2-O-CH3的六甲氧基甲基三聚氰胺。
剥离剂层形成用材料中的(A2)热固性化合物的固体成分换算的含量(在除溶剂以外的全部固体成分中的含有比例)优选为65质量%以上,更优选为70质量%以上。
(剥离剂)
为了进一步提高剥离剂层12的剥离性,剥离剂层形成用材料也可以含有(C)第2剥离赋予成分。
关于本实施方式的(C)第2剥离赋予成分,与上述第一实施方式中使用的(C)第2剥离赋予成分同样。
(固化剂或催化剂)
为了使剥离剂层形成用材料固化,剥离剂层形成用材料也可以含有(E)固化剂或催化剂。在使用了三聚氰胺树脂作为热固性化合物的情况下,可使用酸催化剂作为(E)成分。
作为这样的(E)酸催化剂,可列举盐酸及对甲苯磺酸等。这些中,优选对甲苯磺酸。通过使剥离剂层形成用材料含有酸催化剂,可以使上述三聚氰胺树脂中的缩合反应有效地进行。
本实施方式的剥离剂组合物中的酸催化剂的含量相对于上述(A2)热固性化合物100质量份,优选为1质量份以上且20质量份以下,更优选为2质量份以上且15质量份以下,特别优选为4质量份以上且10质量份以下。
除上述(A2)成分、上述(B)成分、上述(C)成分及上述(E)成分以外,本实施方式的剥离剂层形成用材料也可以含有其它成分。作为其它成分,可列举与上述第一实施方式中记载的成分同样的成分。
另外,本实施方式的剥离剂层形成用材料也可以含有乙二醇及丙二醇等二醇类化合物等反应稀释剂。
在使用其它成分的情况下,相对于上述(A2)热固性化合物100质量份,其含量以固体成分换算优选为0.1质量份以上且10质量份以下。
本实施方式的剥离剂层形成用材料可通过将上述(A2)成分及上述(B)成分等混合并分散而制造。需要说明的是,制造剥离剂层形成用材料时,也可以根据需要而配合溶剂。
关于本实施方式的溶剂,与在上述第一实施方式中使用的溶剂同样。
(剥离膜的制造方法)
接下来,对制造前述的本实施方式的剥离膜1的方法进行说明。
本实施方式的剥离膜1可通过具备下述工序的方法制造:准备基材11的基材准备工序;涂布剥离剂层形成用材料并使其干燥而形成涂布层的涂布层形成工序;以及对涂布层实施热处理而使其固化,从而形成剥离剂层12的剥离剂层形成工序。
关于基材准备工序及涂布层形成工序,与上述第一实施方式中的基材准备工序及涂布层形成工序同样。
在剥离剂层形成工序中,通过对上述涂布层形成工序中得到的涂布层实施热处理,使涂布层固化,从而形成剥离剂层12。
热处理的条件根据(A2)热固性化合物的种类而不同,没有特别限定。在使用三聚氰胺树脂的情况下,加热温度优选为90℃以上且140℃以下。另外,加热时间优选为10秒钟以上且120秒钟以下。加热温度及加热时间在上述范围内时,可使涂布层更均匀且切实地固化。
根据本实施方式,可以发挥出与上述第一实施方式同样的作用效果。
作为本实施方式的生片形成用剥离膜的更具体的例子,可列举例如以下这样的生片形成用剥离膜的例子,但本发明不限定于这样的例子。
作为本实施方式的生片形成用剥离膜的一例,可举出下述生片形成用剥离膜:其具备基材和设置于上述基材的一面的剥离剂层,上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A1)作为能量射线固化性化合物的含羟基的丙烯酸类化合物、(B)具有上述通式(1)表示的结构单元及上述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物、以及(D)光聚合引发剂。
作为本实施方式的生片形成用剥离膜的一例,可列举下述生片形成用剥离膜:其具备基材和设置于上述基材的一面的剥离剂层,上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A1)作为能量射线固化性化合物的含羟基的丙烯酸类化合物、(B)含有上述通式(1)表示的结构单元及上述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物、(C)作为第2剥离赋予成分的具有直链状或支化状的分子链的聚有机硅氧烷、以及(D)光聚合引发剂。
作为本实施方式的生片形成用剥离膜的一例,可列举下述生片形成用剥离膜:其具备基材和设置于上述基材的一面的剥离剂层,上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A2)作为热固性化合物的三聚氰胺树脂、(B)含有上述通式(1)表示的结构单元及上述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物、以及(E)酸催化剂。
作为本实施方式的生片形成用剥离膜的一例,可列举下述生片形成用剥离膜:其具备基材和设置于上述基材的一面的剥离剂层,上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A2)作为热固性化合物的三聚氰胺树脂、(B)含有上述通式(1)表示的结构单元及上述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物、(C)作为第2剥离赋予成分的具有直链状或支化状的分子链的聚有机硅氧烷、以及(E)酸催化剂。
[实施方式的变形]
本发明不限定于前述的实施方式,可实现本发明的目的的范围内的变形、改良等也包括于本发明中。
例如,在前述的实施方式中,对于基材11,以单层结构的形式进行了说明,但不限定于此。基材11也可以形成为同种或不同种的2层以上的多层结构。另外,关于剥离剂层12也同样,以单层结构的形式进行了说明,但不限定于此。关于剥离剂层12,也可以形成为同种或不同种的2层以上的多层结构。
另外,例如在前述的实施方式中,对在基材11的第1面11A上设置有剥离剂层12的生片形成用剥离膜进行了说明,但不限定于此。可以在基材11的第2面11B侧设置剥离剂层12。
另外,例如在前述的实施方式中,作为(A1)能量射线固化性化合物而使用了具有(甲基)丙烯酰基等反应性官能团的化合物,作为(A2)热固性化合物而使用了三聚氰胺树脂,但不限定于此。
实施例
接下来,结合实施例及比较例更详细地说明本发明,但本发明不受这些例子的任何限定。需要说明的是,以下示出在实施例及比较例中使用的材料。
((A1)成分)
能量射线固化性化合物:季戊四醇三丙烯酸酯、固体成分100质量%、商品名“NKESTER A-TMM-3L”、新中村化学工业株式会社制
((A2)成分)
热固性化合物:三聚氰胺树脂(主成分:六甲氧基甲基三聚氰胺、固体成分100质量%、商品名“Nicalack MW-100LM”、Nippon Carbide Indestries公司制)
((B)成分)
含离子性基团的有机硅化合物:商品名“含离子性基团有机硅低聚物X-40-2450”、信越有机硅株式会社制
((C)成分)
剥离剂:商品名“SH-28”、Toray Dow Corning公司制
((D)成分)
光聚合引发剂:商品名“Irgacure 184”、BASF公司制
((E)成分)
酸催化剂:对甲苯磺酸
(其它成分)
抗静电剂:双(三氟甲磺酰)亚胺锂、商品名“Estop EF-N”、Mitsubishi MaterialsElectronic Chemicals株式会社制
[实施例1]
首先,准备了作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名“Lumirror U48”、Toray公司制、厚度:50μm、第1面的算术平均粗糙度Ra(Ra1):2nm、第1面的最大突起高度Rp(Rp1):15nm、第2面的算术平均粗糙度Ra(Ra2):2nm、第2面的最大突起高度Rp(Rp2):15nm)。
接下来,将能量射线固化性化合物100质量份、含离子性基团的有机硅化合物5质量份、及光聚合引发剂10.5质量份混合,用异丙醇稀释,得到了固体成分15质量%的剥离剂层形成用材料。
接着,用迈耶棒将得到的剥离剂层形成用材料涂布于基材的第1面上,在70℃下干燥1分钟后,使用高压水银灯照射紫外线(累积光量:300mJ/cm2),形成剥离剂层(厚度:1μm),得到了生片形成用剥离膜。
[实施例2、比较例1及2]
按照表1所示的组成配合了各材料,除此以外,与实施例1同样地得到了剥离剂层形成用材料。
另外,使用了得到的剥离剂层形成用材料,除此以外,与实施例1同样地制作了生片形成用剥离膜。
[实施例3]
首先,准备了作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名“Lumirror U48”、Toray公司制、厚度:50μm、第1面的算术平均粗糙度Ra(Ra1):2nm、第1面的最大突起高度Rp(Rp1):15nm、第2面的算术平均粗糙度Ra(Ra2):2nm、第2面的最大突起高度Rp(Rp2):15nm)。
接下来,将热固性化合物100质量份、含离子性基团的有机硅化合物5质量份、及酸催化剂5质量份混合,用异丙醇稀释,得到了固体成分15质量%的剥离剂层形成用材料。
接着,用迈耶棒将得到的剥离剂层形成用材料涂布于基材的第1面上,在120℃下通过1分钟的热处理使其固化,形成剥离剂层(厚度:1μm),得到了生片形成用剥离膜。
[比较例3]
按照表1所示的组成配合了各材料,除此以外,与实施例3同样地得到了剥离剂层形成用材料。
另外,使用得到的剥离剂层形成用材料,除此以外,与实施例3同样地制作了生片形成用剥离膜。
[剥离膜的评价]
按照如下所述的方法进行了剥离膜的评价(固化性、耐溶剂性、表面电阻率、带电量、半衰期、剥离剂层的表面粗糙度、与基材的密合性、及开卷带电)。将得到的结果示于表1。
(1)固化性
用手指摩擦剥离膜的剥离剂层10次,在荧光灯下通过肉眼观察剥离剂层的模糊(smear)及脱落(rub off)。进而,按照以下的基准评价了模糊(smear)。
A:剥离剂层没有变化。
B:剥离剂层产生了模糊。
另外,按照以下的基准评价了脱落(rub off)。
A:剥离剂层没有变化。
B:剥离剂层发生了脱落。
(2)耐溶剂性
利用含有适量甲乙酮的棉丝对剥离膜的剥离剂层以2kg/cm2负载进行20个往复的摩擦,在荧光灯下通过肉眼观察剥离剂层的模糊及脱落。进而,按照以下的基准评价了耐溶剂性。
A:剥离剂层没有变化。
B:剥离剂层发生了模糊或脱落。
(3)表面电阻率
使用Mitsubishi Chemical Analytech公司制造的“HIRESTA UP”,在施加电压100V、测定时间10秒后的测定条件下测定了剥离膜的剥离剂层的表面电阻率。需要说明的是,测定进行5次,将其平均值作为表面电阻率(单位:Ω/□)算出。
(4)带电压及半衰期
使用Shishido Electrostatic公司制造的衰减测定器“TYPE S-5109StaticHonestmeter”,在下述的测定条件下测定了剥离膜中的带电压(单位:V)及其半衰期(秒)。需要说明的是,将测定极限值以上的情况记作“∞”。
试样尺寸:40mm×40mm
施加电压:10kV
测定时间:60秒后
转台:1300rpm
从试样上表面至电极及接收器为止的距离:20mm
(5)剥离剂层的表面粗糙度
使用Veeco公司制造的光干涉式表面粗糙度计“WYKO-1100”,以PSI模式在透镜倍率50倍的条件下测定了剥离膜的剥离剂层的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra0及最大突起高度Rp0、单位:nm)。
(6)与基材的密合性
在剥离膜的剥离剂层上粘贴日东电工株式会社制造的粘合带“NITTO31B TAPE”后,立即以高速将该粘合带剥离,在荧光灯下用肉眼观察剥离剂层。进而,按照以下基准评价了与基材的密合性。
A:剥离剂层没有变化。
B:剥离剂层发生了剥离。
(7)开卷带电
将剥离膜卷成卷状,1天后将卷成卷状的剥离膜以50m/min的速度开卷。然后,利用春日电机株式会社制造的数字电位测量仪测定了刚刚开卷后的剥离膜的带电量。进而,按照以下基准评价了开卷带电。
A:带电量小于10kV。
B:带电量为10kV以上。
(8)剥离力
在钛酸钡(BaTiO3、Sakai Chemical Industry公司制造的商品名“BT-02”)100质量份、聚乙烯醇缩丁醛(积水化学工业株式会社制造的商品名“S-REC B·KBM-2”)8质量份、及邻苯二甲酸二辛酯(关东化学株式会社制造的商品名“邻苯二甲酸二辛酯鹿1级”)1.4质量份中添加甲苯67质量份及乙醇67质量份,用球磨机进行混合分散,制备了陶瓷浆料。
对于在实施例及比较例中制造后在常温下保管了48小时的剥离膜,使用35μm涂布器将上述陶瓷浆料均匀地涂敷于剥离剂层的剥离面,然后,用干燥机在60℃下干燥1分钟。由此,在剥离膜上得到了厚度4μm的陶瓷生片。如此制造了带陶瓷生片的剥离膜。
将该带陶瓷生片的剥离膜在室温23度、湿度50%的气氛中静置了24小时后,将中心部裁切成40mm×130mm的大小。接下来。在陶瓷生片的与剥离膜相反侧的一面沿着长度40mm的一侧的边粘贴丙烯酸粘合带(日东电工株式会社制造的商品名“31B TAPE”)。将其作为测定样品。
将该测定样品的粘合带侧固定于平板,使用拉伸试验机(岛津制作所株式会社制造的产品名“AG-IS500N”)以180°的剥离角度、300mm/分的剥离速度将剥离膜从陶瓷生片剥离,测定了剥离所需的力(剥离力、单位:mN/40mm)。
根据表1所示的结果也可以明确确认,在使用了含有含离子性基团的有机硅化合物的剥离剂形成用材料的情况(实施例1~3)下,可得到在保持剥离剂层的固化性的同时具有充分的抗静电性的生片形成用剥离膜。
工业实用性
本发明的生片形成用剥离膜可适宜用作成型陶瓷生片的技术。
Claims (5)
1.一种生片形成用剥离膜,其用于形成生片,
该生片形成用剥离膜具备:
基材、和
设置于所述基材的一面的剥离剂层,
所述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(1)表示的结构单元及下述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物,
在所述通式(1)中,
R1及R2任选相同或不同,分别表示碳原子数为1~6的烷基、或苯基,
在所述通式(2)中,
R3表示碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的烷氧基、或苯基,
L表示单键、亚烷基、二有机硅氧烷基、-O-基、或下述通式(3)表示的2价基团,
Y表示下述通式(4)表示的含有两性离子的基团,
在所述通式(3)中,
l为1~4的整数,m为1~10的整数,
在所述通式(4)中,
R4及R5任选相同或不同,表示碳原子数1~6的烷基、苯基、碳原子数1~6的氟取代烷基、或碳原子数1~6的含羟基的羟基烷基,
R4及R5任选形成环,且在形成环时表示亚烷基,
n为3~6的整数。
2.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜,其中,
所述(A)固化性化合物为(A1)能量射线固化性化合物。
3.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜,其中,
所述(A)固化性化合物为(A2)热固性化合物。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的生片形成用剥离膜,其中,
所述(B)含离子性基团的有机硅化合物具有选自碳原子数2~6的烯基、丙烯酰基、硫羟基及氢化甲硅烷基中的至少1种反应性官能团。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的生片形成用剥离膜,其中,
所述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra为8nm以下,且所述剥离剂层的外表面的最大突起高度Rp为80nm以下。
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