TW201138538A - Process for producing substrate with electrode - Google Patents

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201138538 六、發明說明· 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關-種有機電激發光元件（以下有時稱為 有機EL元件）用之附電極基板之製造方法、具備此附電極 基板之有機EL元件、以及照明裝置、顯示裝置。 【先前技術】 於發光材料中使用有機物之有機EL元件係做為發光 元件之一而備爻關注。此有機EL元件係包含一對電極及設 置於電極間之發光層而構成。若對有機EL元件施加電壓， 則會從陰極注人電子並且從陽極^電洞，此等電子與電 洞會在發光層結合而發光。 由於從發光層所放射出之光係通過電極而出射至外 部’故於i電極中之-電極使用顯示透光性之透明電 極。一般而言，此透明電極係使用由氧化姻錫（IT〇:碰⑽ Tin Oxide)所構成之薄膜。有機係形.成於例如表面 形成有ΙΊΌ薄膜之附電極基板上，從發光層所放射出之光 係通過ΙΤ0薄膜、基板而出射至外部。 若比較基板與透明電極之折射率，則一般而言係透明 電極之折射率較高。例如麵基板之折射率為15左右， ΙΤ0薄膜之折射率為2 Q左右。由於透明電極與基板之間 有如此之折射率之關係，故對於從發光層所放射出之光而 言，在透明電極與基板之界面會發生全反射。現今，從發 光層所放射出之光之大部分係因如此之折射率差所造成之 反射等而封入元件中，不會出射至外部，而未有效受到利 322275 4 201138538 用。 於是，已提案有為了提高光導出效率之目的而形成有 ' 抑制反射等之構造的有機EL元件用之基板。已提案有例 如：使用其中形成有複數個微透鏡（microlens)之基板的有 機EL元件（例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2003 — 86353號公報 【發明内容】 (發明欲解決的課題） 習知技術係藉由光微影法（photo 1 ithography)於感光 性樹脂之表面形成做為微透鏡之構造物，但難以依所需之 形狀、配置而形成細微構造之微透鏡。例如極難以以高填 充率製作分別為近似半球狀之複數個微透鏡，而有無法簡 易地形成可達成高的導出效率且按照光學設計製作之微透 鏡之問題。 因此，本發明之目的為提供一種可簡易地製作可達成 高之光導出效率之構造的有機EL元件用之附電極基板之 製造方法。 (解決課題的手段） 本發明係有關一種附電極基板之製造方法，其係有機 電激發光元件用之附電極基板之製造方法，其中， 該附電極基板係依序積層低折射率層、機能層、及顯 示透光性之電極而構成， 322275 201138538 並且，前述電極之折射率nl、前述機能層之折射率 n2及前述低折射率層之折射率n3係滿足下式（1): ί〇. 3^(η 1 -η 2)^0 [η l^n 2>η 3 ·*.(1) 而且，該附電極基板之製造方法係包括下述步驟： 藉由使用在基台之表面上鋪設有平均粒徑為1. Ο μ m至200 # m之複數個微粒子的鑄模之壓印（imprint)法，於前述低 折射率層之表面部形成凹凸部，而形成前述低折射率層之 步驟； 經由在前述低折射率層之形成有前述凹凸部之面塗佈包含 形成前述機能層之材料的塗佈液並使其固化，而形成前述 機能層之步驟；以及 於前述機能層上形成前述電極之步驟。 此外，本發明係有關如前述有機電激發光元件用之附 電極基板之製造方法，其中，前述複數個微粒子係分別為 近似球狀，且以接近最緊密填充（closest packing)之配置 而鋪設於前述基台之表面上。 此外，本發明係有關一種有機電激發光元件，其係具 備藉由前述製造方法所製得之附電極基板者。 此外，本發明係有關一種照明裝置或顯示裝置，其係 具借前述有機電激發光元件者。 (發明的效果） 根據本發明，可簡易地製作具備可達成高之光導出效 率之構造的有機EL元件用之附電極基板。 6 322275 201138538 【實施方式】 以下，一面參照第i圖，一面說明本發明之有機乩 元件用之附電極基板之製造方法及其詳細構成。第丨圖係 概略地表示具備藉由本發明之附電極基板之製造方法所广 之一實施形態之有機EL元件用之附電極基板1的有機^ 元件8。 有機EL元件8係包含一對電極及配置於該電極間之發 光層而構成。在本實施形態中，設置於附電極基板丨之顯 示透光性之電極（以下稱為第1電極4)係做為一對電極中 之一電極而發揮機能。此外，以下將一對電極中之另一電 極稱為第2電極6。 有機EL元件8係在第}電極4與第2電極6之間具備 至少-層發光層5 ’但也可具備複數層發光層，並^考虎 到所需之特性及步_易度等，在第丨電極4與第2電^ 6之間也可具備與發光層不同的預定層。第丨圖所示之 實施形態之錢EL元件8係具備做為與發光衫同 層的電洞注人層7,並且係依序積層附電極基板 : 入層7、發光層5、第2電極6而構成。 彳彳 本實施形態之第1電極4係做為陽極而發处 2電極6係做為陰極而發揮機能。此第2電極6 /匕’第 光反射之構件來構成為佳。此外，低折射率由使 3係由顯示透光性之構件所構成。換言之，^機能層 係顯示透光性。因此，從發光層5|^ =極基板i 之光係通過包含第1雷极」 所放射出 第1電極4之附電極基板1而出射至外 322275 201138538 部。此外，從發光層5朝第2電極6所放射出之光係在第 2電極6反射，並通過附電極基板1而出射至外部。換$ 之’本實施形態之有機EL元件8係光從附電極基板1出射 之底部發光（bottom emission)型之元件。再者，就變形例 而言，可構成以第1電極做為陰極且以第2電極做為陽極 之底部發光型之有機EL元件’並且也可構成使用顯示透光 性之電極作為第2電極而使光也從第2電極側出射之兩面 發光型之有機EL元件。 附電極基板1係至少依序積層低折射率層2、機能層 3、及顯示透光性之第1電極4而構成。此外，令第1電極 4之折射率為nl、機能層3之折射率為n2、低折射率層2 之折射率為n3，則各構件之折射率係分別滿足下式。 再者’於機能層3與第1電極4之間也可設置例如薄的絕 緣層或阻障層等。 j〇· 3^(n 1 — η 2)^0 [η l^n 2 > η 3 ...(1) 低折射率層2與機能層3之界面係形成為凹凸狀，此 凹凸狀之界面係做為複數個微透鏡而發揮機能。在本實施 形態中’於低折射率層2與機能層3之界面形成有高度為 4/zm至100之複數個微透鏡。 由於如式（1)所示，機能層3與第1電極4之折射率差 小，故可抑制在機能層3與第1電極4之界面所發生之全 反射’而降低反射率。藉此，可使從發光層5放射出並入 射至第1電極4之光有效率地傳遞至機能層3。此外，經 8 322275 201138538 由將機能層3與低折射率層2之界面形成為凹凸狀，而可 抑制在機能層3與第1電極4之界面所發生之全反射。藉 此，可使從第1電極4入射至機能層3之光有效率地傳遞 至折射率較機能層3更低之低折射率層2。並且，由於如 式（1)所示，附電極基板1之層構成係形成如越接近外界 (空氣）之層則折射率越小，故可使和空氣接觸之層（低折射 率層2)與空氣的折射率差縮小。因此，可抑制在光從有機 EL元件8出射至外部之面（出射面）所發生之全反射，而降 低反射率。藉此，可實現光導出效率高的有機EL元件8。 1.附電極基板之製造方法 本實施形態之附電極基板1之製造方法係包括下述步 驟：藉由使用在基台之表面上鋪設有平均粒徑為1.0#m 至200 // m之複數個微粒子者做為鑄模之壓印法，於前述低 折射率層之表面部形成凹凸部，而形成前述低折射率層之 步驟；經由在前述低折射率層之形成有前述凹凸部之面塗 佈包含形成前述機能層之材料的塗佈液並使其固化，而形 成前述機能層之步驟；以及於前述機能層上形成前述電極 之步驟。 <形成低折射率層之步驟> 在本步驟中，係藉由使用在基台之表面上鋪設有平均 粒徑為1. 0# m至200 /zm之複數個微粒子者做為鑄模之壓 印法，於前述低折射率層之表面部形成凹凸部，而形成前 述低折射率層。在本發明中，所謂「平均粒徑」係指長度 平均徑，且意指依據藉由雷射光繞射/散射式粒徑分布測 9 322275 201138538 定器所測得之體積基準粒徑分布而算出之平均粒徑 平均徑）。所謂「雷射光繞射/散射式粒徑分布測定器」係 指對微粒子照射雷射光並測定其繞射光/散射光之光強度 分布後，從測定結果來解析板徑分布之測定器。使用此原 理之粒徑分布測定裝置一般已有市售物，可經由使用此等 裝置而測定平均粒徑。 鋪认在基台表面上之微粒子之平均粒徑為i 至 200 ’’但為了有效地防止光在低折射率層2與機能層3 之界面發生反射，以h 6㈣至160//m為佳、以2· 〇_ 至100 μm更佳。此外’ ϋ由以粒徑做為橫轴且以在各粒徑 之粒子群之存在比率做為縱軸而製成之圖表來表示粒子群 之分布，並令平均粒徑為d、粒徑為d之粒子群之存在比 率為A時，將存在比率成為A/2之粒子群之粒徑與d之差 之絕對值定義為「粒度分布」，則所使用之粒子之粒度分布 以0. 6d至11. 4d為佳、以〇. gd至1. 2d較佳。 鋪設於基台之微粒子之材料無特別限定，以做為壓印 之鎢模使用時所要求之強度、耐熱性、耐光性、與基台之 密著性等優良者為佳，可舉例如：聚苯乙烯、聚T基丙烯 酸甲醋（PMMA · p〇ly(methyl methacrylate))、聚苯乙稀、 及聚對酞酸乙二酯（polyethylene terephthalate)等有機 物質；以及氧化石夕（silica)、氧化鈦（titanium oxide)、 酜酸鋇、及氧化鋁（alumina)等無機物質。此外，當欲進行 壓印之低折射率層之材料係使用光硬化性單體時，微粒子 之材料係以相對於將光硬化性單體進行光硬化時所照射之 10 322275 201138538 紫外線為透明者為佳。 微粒子之形狀係由於規定低折射率層2與機能層3< 界面之形狀，故係依光學設計來適當設定。例如，微叛子 之形狀可舉例如近似球狀、近似橢圓體狀等，進一步可舉 例如：於此等形成有凸起物之形狀、於此等形成有凹洞: 瓜狀4為了有效地防止光在低折射率層2與機能層3之 界面發生反射，微粒子之形狀係以近似球狀、近似 狀為佳，以近似球狀承 _體 狀分別包含球狀、:圓更:狀再者’近似球狀，體 實施表==滑狀或凹凸狀。此外，子可 如:為了使微粒c化學修鄉或物理修飾。例 耦合劑等處理微粒子之表面。 也了错由矽烷

將微粒子鋪設於基A 法。可經由例如L 表面上之手法可舉例如塗佈 冬使前述複數個微粒子分散分散 成之分散液塗佈於基㈣77政媒中而 D表面並且去除/刀散液，而將微粒子 捕$又於基σ表面上。 第2圖係表示錢始 蛉模之不意圖。第2圖（丨）係放大表示鑄 模:二，’第2圖⑵係表示形成二子^ 的鑄椟之一部分之平面圖。 從提高光導出效逢+ # 旱之硯點而言，複數個微粒子12係以 分別為近似球狀且以接 a 接近最緊岔填充之配置而鋪設於基台 14上為佳。本說明金士 /Jfe, . - . - 〇 "中的所謂「最緊密填充」係意指在不 使微粒子重豐2層以^ 上之情形下，以最緊密狀態鋪設於基 11 322275 201138538 台上（參照第2圖（1))。於基台表面上鋪設微粒子之手法可 舉例如：利用 Colloids and surfaces，109(1996)363 中 所記載之自組織化之手法等。再者，以於基台表面之一面 以最緊密之配置鋪設微粒子為佳，但也可將基台表面上之 區域分割成複數個小區域’於各個小區域以最緊密填充之 配置鋪设微粒子。當使用自組織化之方法時，為了在廣面 積中均勻地且以接近最緊密填充之配置舖設微粒子，也可 於基台表面上設置特定之框體13。例如··可於基台14表 面上設置將基台表面區隔成骰子狀小方塊之格子狀框體 13,並在框體13所圍成之各區域内以接近最緊密填充之配 置且藉由自組織化而鋪設微粒子。框體之形狀、材料、 寬度、高度無特別限定，以可以接近最緊密填充之配置鋪 設微粒子之形狀為佳。此外，框體13之材料，當以塗佈法 等進行微粒子之鋪設時，以對塗佈液具有耐性者為佳。如 此之框體13可藉由例如光微影法並使用光阻劑以預定圖 案形成。此外，框體之材料係以在做為鑄模使用時不容易 對壓印時之熱或光產生變化之材料為佳。為了擴大鋪設微 粒子之區域，框之寬度以較細為佳。就鑄模而言，框體13 之高度係以所使用之微粒子之平均粒徑之一半以下為佳。 為了做為壓印之鑄模使用’鋪設於基台表面上之複數 個微粒子係必須固定於基台。為了將微粒子固定於基台， 可於鑄模設置將基台與微粒子予以接著之接著構件15。此 接著構件15係例如以填滿微粒子12與基台14之間隙之方 式而配置。接著構件15之材料無特別限定，但必須具有做 322275 12 201138538

置設置接著構件 以各微粒子12之高度之一半（半徑） ^著構件15凸出之狀態為佳。以如此之配 15之方法有利用毛細管現象之方法。例 技从右在將複數個微粒子12鋪設於基台上後，注入液狀之 之著劑’賴著劑會因毛細管現象而以填滿微粒子與基板 之間隙之方式流動。經由將其進行固化，即可於至各微粒 子之高度之一半（半徑）以下之位置為止形成接著構件15。 再者，例如使用經對表面實施矽烷耦合劑等預定處理 之微粗子，而也可在將複數個微粒子鋪設於基台上後，經 由進行加熱處理等，而將微粒子固定於基台。 藉由使用鋪設有上述微粒子者做為鑄模之壓印法，即 可將鑄模之形狀轉印至低折射率層2。壓印法可使用適於 、民折射率層2所使用之構件之方法，可舉例如熱屢印法、 $壓印法等。藉由熱壓印法時，可經由例如在將熱塑性樹 脂加熱之狀態下按壓鑄模，來轉印鑄模之形狀。此外，藉 由光壓印法時，可經由例如在將鑄模按壓在由光硬化性單 $所構成之構件的狀態下照射紫外線，使光聚合性單體聚 σ，來轉印鑄模之形狀。藉由如此之壓印法，於低折射圭

322275 13 201138538 經由使用鋪設^近似球狀之微粒子者做為鑄模 ，而於低折 射率層2形成南度為0.4_至100"m之複數個半球狀凹 部。 低折射率層2且使用可見光區之光之穿透率高且在形 成有機EL το件之步驟中不會產生變化者。此外，必須為可 從該製造方法藉由上述壓印法而轉印鑄模之表面形狀之材 料。宜使關如· _板、或將歸職魏或玻璃等積 層而成之積層板等。 低折射率層2以具體而言可舉例如：低密度或高密度 之聚乙烯、乙烯一丙烯共聚物、乙烯—丁烯共聚物、乙烯一 己烯共聚物、乙烯一辛烯共聚物、乙烯—降冰片烯共聚物、 乙烯一二曱橋八氫萘（dimethaooctahycir〇naphthalene，亦 即DM0N)共聚物、聚丙烯、乙烯—乙酸乙烯酯共聚物、乙 烯一曱基丙烯酸曱酯共聚物、離子聚合物（i〇n〇mer)樹脂等 聚婦烴系樹脂；聚對酞酸乙二酯、聚對醜酸丁二酯、聚萘 二甲酸乙一酯等聚酯系樹脂；财論—6、财綸—6, 6、間苯 二曱胺一己二酸縮聚物；聚曱基甲基丙烯醯亞胺等醯胺系 樹脂；聚曱基丙烯酸曱酯等丙烯酸系樹脂；聚苯乙烯、苯 乙烯一丙烯腈、苯乙烯—丙烯腈—丁二烯共聚物、聚丙烯 腈等苯乙烯一丙烯腈系樹脂；三乙酸纖維素、二乙酸纖維 素等疏水化纖維素系樹脂；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯 (polyvinylidene chloride)、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯 等含S素樹脂；聚乙烯醇、乙烯一乙烯醇共聚物、纖維素 衍生物等氫鍵性樹脂；聚碳酸酯樹脂、聚硬（polysulfone) 14 322275 201138538 樹脂、聚醚礙樹脂、聚醚鍵酮樹脂、聚苯趟（polyphenylene oxide)樹脂、聚氧亞曱基（polymethylene 0Xide)樹脂、聚 芳酸酯（polyarylate)樹脂、液晶樹脂等工程塑膠 (engineering plastic)系樹脂等。 由於低折射率層2係要求在有機EL元件之製程中之耐 熱性，故上述之樹脂中尤以玻璃轉移溫度Tg為150〇c以上 之樹脂為佳，以180°C以上之樹脂較佳，以2001以上之樹 脂更佳。 低折射率層2可復包含使氧氣及水蒸氣等難以通過之 阻障性高的材料或構件。此時，必須於並非「以壓印法成 形為凹凸形狀之部分」的部分設置阻障性高的構件。阻障 性高的構件宜使用例如：由金屬、金屬氧化物、金屬氮化 物、金屬碳化物及金屬氮氧化物等無機物所構成之無機 層、前述無機層與有機層之積層體；或由無機—有機齡 材料所構成之層等。無機層係以既為薄膜層且在空氣中; 定者為佳’具體而言可舉例如：氧化發、氧化紹、二氧化 鈦(Utania)、氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鋅、： 錫:氮化銘、氮化石夕、碳化石夕、氮氧切、及該等= 之溥膜層。此等之中，無機層係以由氮化銘、氮化石夕、: 氣氧化賴構成之_層為佳，錢氧化代_ 佳。 構成低折射率層之構件，係在滿足式⑴之範園内 機能層3及第1電極4之折射率而從所例示者中々 出。當低折射率層係由複數之構件所構成時，低折射:層 之折射率係將低折射率層當做丨層構件來處理時之該構二 322275 15 201138538 之折射率。 低折射率層之。 . 折射率n3係由構成低折射率層之構件 、、疋例如.為聚碳酸醋時折射率為1· 58，為聚對駄酸 乙二酯時折射率為 ^ 今1.49,為聚醚颯時折射率為ι·65，為聚 萘二曱酸乙二酯時折射率為1.50。 <形成機能層之步驟 在本步驟中，γ 、 係經由在低折射率層2之形成有凹凸部 之面塗佈匕3 $成機能層3之材料的塗佈液並使其固化， 而形成f i層3 °若於其表面形成有高度為0.4/zm至1〇〇 ’之後數個凹部的低折射率層2塗佈塗佈液，則塗佈液 會，充於低折^層2之凹部，若再使其固化，則可容易 /也得到形成有网度為Q. 4"m至酬"之複數個凸部的機 能層3。此外，如此地使用塗佈法即可平坦地形成第丄電 極4側之機能層3之表面。塗佈液可為溶液或分散液。此 外，也可依需要而於塗佈液中再加入有機溶劑、界面活性 劑、密著增強劑、交聯劑、敏化劑、感光劑。塗佈液以具 體而言可舉例如4系無機聚合物、使高折射率奈米粒子 分散於包含芳4敎單H熱龍_巾喊之組成物、使 高折射率奈綠子分胁光硬化性單财Μ之組成物、 使高折射率奈米粒子分散於熱硬化性單财而成之組成物 等。塗佈於低折射率層之塗佈膜，可經由實施照射光、加 熱、乾燥、加壓等預定處理而使其固化，並可藉由例如溶 膠凝膠法而形成機能層3。 機能層3宜使用可見光區之光之穿料高且在形成有 322275 16 201138538 _機虹元件之步驟中不會產生變化者 含使氧氣及水蒸氣等難以通過之阻障性古二^層3可包 .機能層3係由例如無機聚合物、.及=材料或構件。 所構成。在無機-有機混合材料中也，入有機齡材料等 混合無機與有機之化合物 ·以分子等級而 合物等。 &在有機物巾分散無機物之混 無機物可舉例如：金 金屬碳化物及金屬氮氧 ::物中金屬氮化物.、 具體而言可舉例如··氧切、氧化銘在蝴^ 氧化錫、氧化敛、^ —减鈦、氧化銦 碳化矽、氮氧切、及料之、.0人你1石夕、 氮化矽、㈣备及該4之此合物。無機物以氮化鋁、 夕錢氣化石夕為佳，以氮氧化石夕更佳。 構成機能層3構件 射率層2及第， 在式⑴之範圍内，依折 出。由於滿 電極4之折射率而從所例示者中適當選 射率差較小X (1)之關係且與透明電極（第1電極4)之折 以上為佳。°抑制全反射，故機能層之折射率以1 _ 75 能層3之者1機能層係由複數之構件所構成時，機 構件之折射率率係將機能層3當做1層構件來處理時之該 機能層3夕4 定’例如. 斤射率n2係由構成機能層3之構件來決 為聚合物中系之無機聚合物時折射率為丨· 72至2.0， 嫩^ θ分散有Ti〇2之混合物時折射率為1.8至2.0。 機忐層3之曾！ 機能層3之#第1電極4側之表面之凹凸會對積層於此 、面的第1電極4之平坦性造成影響。若第1 322275 17 201138538 電極4之平坦性低且表面形成有凸起物等，則有時會因此 凸起物而發生發光不良。例如：由於電洞注入層7和發光 層5較薄，故凸起物會貫穿此等層，因此有時會發生意料 外之短路。因此’第1電極4之中心線平均粗糙度Ra係以 較小為佳’為了形成如此之第1電極4，前述機能層3之 前述第1電極4侧之表面之中心線平均粗糙度Ra係以較小 為佳，具體而言以l〇〇nm以下為佳、以50nm以下較佳、以 10nm以下更佳、以以下再更佳。 形成於低折射率層2之各凹部之配置係視基台表面上 之微粒子之配置而定。在本實施形態中，由於可以接近最 緊密填充之配置將近似球狀之微粒子鋪設於基台，故可使 形成於低折射率層2之各凹部成為接近最緊密填充之配 置。經由以如此之配置設置各近似半球狀之凹部，即可提 高抑制光反射之效果，而謀求光導出效率提高。特別是， 由於經由設置近似半球狀之凹部，而使低折射率層2與機 能層3之邊界部分以做為微透鏡陣列（micr〇lens array) 而發揮機旎，故可提尚抑制光反射之效果，而謀求光導出 效率提高。 <於機能層上形成電極之步驟> 在本實施形態中，係於機能層3上形成第1電極4。 本實施形態之第1電極4係藉由顯示透光性及導電性之薄 膜來實現，且係藉由例如金屬氧化物膜及金屬薄膜等所構 成。第1電極4以具體而言可使用：氧化銦、氧化鋅、氧 化錫、氧化銦錫（Indium Tin Oxide :簡稱IT0)、氧化銦 322275 18 201138538 鋅（Indium Zinc Oxide :簡稱IZO)、金、鉑、銀、銅等之 薄膜，且以IT0、izo、氧化錫等之薄膜為佳。此外，第j 電極4可使用$苯胺或其衍生物、聚嗟吩（p()lythi叩匕·) 或其衍生物等有機透明導電膜。第丨電極4之厚度可考慮 透光性與導f性來適當設定…般而言為lGmn至l〇/m 左右，且以2〇nm至1/zm為佳、以5〇1]111至5〇〇nm更佳。 第1電極之形成方法可舉例如：真空蒸錢法、濺鍍法、 離子鍍覆法、鍍覆法等。 第1電極之折射率nl係由構成第丨電極之構件來決 定，例如：為ΙΤ0時折射率為2.〇,為IZ〇時折射率為19 至2.0,為聚嗟吩或其衍生物等有機透明導電膜時折射率 為約1.7。構成第1電極之構件’係在滿足式⑴之範圍内， 3折射率層2及機能層3之折射㈣從所例示者中適當 經由以上之製造步驟，即可製作附電極基板i。如前 述，使用壓印法，即可簡易地製作具備可達成高光導出效 率之構造的有機EL元件用之附電極基板。 以上說明之本實施形態之附電極基板j中之低折射 層2、機能層3、第！電極4之組合’以由玻璃基板與塑膠 片之積層體所構成之低折射率層、由無機聚合物層所構成 之機能層、及由ITG所構成之第1電極為佳，並且以由樹 脂層所構成之低折射率層、由無機聚合物所構成之機能 層、及由ίΤΟ所構成之第！電極更佳。 2.有機EL元件 322275 19 201138538 本實施形態之有機EL元件8係如前述般具備附電極基 板1，可經由在此附電極基板1上依序積層電洞注入層7、 發光層5、第2電極6而製作。 <電洞注入層> 構成電洞注入層之電洞注入材料可舉例如：笨基胺 系、星爆（starburst)型胺系、酞菁（phthal〇Cyanine)系、 氧化飢、氧化翻、氧化釘及氧化紹等氧化物、非晶形碳、 聚笨胺、聚噻吩衍生物等。 電洞注入層可經由例如將包含形成電洞注入層之材料 的塗佈液塗佈於第1電極4來形成。塗佈塗佈液之方法可 舉例如：旋轉塗佈法、澆鑄法（astingmeth〇(i)、微凹版塗 佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、輥塗佈法、線棒塗佈法、 浸塗法、喷霧塗佈法、網版印刷法、柔版印刷法 (flexographic printing method)、膠版印刷法（offset printing method)、噴墨印刷法等。 <發光層> 發光層係包含發出螢光及/或磷光（ph〇sph〇rescence) 之有機物而構成、或是包含該有機物及摻雜劑（d〇pant)* 構成。摻雜劑係為了例如提高發光效率或使發光波長改變 等目的而添加。發光層中所使用之有機物可為低分子化合 物或高分子化合物之任-者，當以塗佈法形成發光層時， 從溶解於塗佈液中之溶解性之觀點來看，以包含高分子化 合物為佳。構成發光層之發光材料可舉例如以下者。 色素系發光材料可舉例如：環噴達明（cycl〇pendamine) 322275 20 201138538 衍生物、四苯基丁二_生物化合物、三苯基胺衍生物、 曙二嗤（―）衍生物、㈣并_衍生物、二（苯乙 烯基）苯衍生物、二（苯乙烯基）伸芳基衍生物、鱗衍生 物"塞吩環化合物、K環化合物、紫環酮（perin〇ne)衍 生物、花（perrlene)衍生物、寡聚嗔吩衍生物、曙二嗤二 聚物、吡唑啉二聚物等。

金屬錯合物系發光材料可舉例如：在中心金屬呈有 Tb、Eu、Dy 等稀土金屬或 Al、Zn、Be、ir、pt^M ^基具㈣二°坐、H笨基㈣、笨基笨并咪唾、 =構造等之金屬錯合物，可舉例如：銀錯合物、鋪合 勿f具有從三重態激發狀態之發光的金屬錯合物；哇琳酴 ^編麵_仙_錯合物、料㈣賴錯合 、本开料鋅錯合物、苯并麵辞錯合物、 衍生:分::=料::=(對伸苯基伸乙· 物、聚乙快衍生物、聚第衍生物订生物、聚石夕院衍生 以及使上述色素系發光材料和#^ Μ何生物等、 高分子化而成者等。 * θσ々系發光材料進行 上述發光材料中，發出藍色光之 乙烯基）伸芳基衍生物、噚二唑衍生物 了舉例如：二（苯 聚乙烯咔唑衍生物、聚對伸苯基衍生、及該等之聚合物、 其中尤以高分子材料之聚4^聚®衍生物等。 生物、聚對伸笨基衍

32227S 21 生物和聚第衍生物等為佳。 此外，發出綠色光之 (Quinacridone)衍生物、香五年可舉例如：喹吖啶鲷 聚（對伸苯基伸乙婦基）衍生=素何生物、及該等之聚合物、 高分子材料之聚（對伸苯、聚_生物等。其中尤以 等為佳。 乙烯基）衍生物、聚薄衍生物 此外’發出紅色光之材料可舉例如 嗟吩環化合物、及料之聚合物·香生物、 衍生物、聚麵衍生物、聚料生物等伸/中基^乙稀基） 材料之聚(對伸苯基伸乙婦基)衍生物、聚嗟=分子 苐衍生物等為佳。 塞％何生物、聚 ㈣：二發出白色光之材料可為經加入上述藍色、綠色、 =材料而成之聚合物，也可為各色之掺合細峰 此外，也可為各色之積層。 播雜劑材料可舉例如：K衍生物、香豆素衍生物、紅 螢烯（rubrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鑌 (squarylium)衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯系色素、稠四 苯衍生物、η比唑酮（pyraz〇i〇ne)衍生物、十環烯 (decacyclene)、及啡卩萼哄酮（phenoxazone)等。再者，如 此之發光層之厚度通常約為2nm至2〇〇〇nm。 包含有機物之發光層之成膜方法可舉例如：將包含發 光材料之塗佈液塗佈於電洞注入層7之方法、真空蒸鍍 法、轉印法等。包含發光材料之塗佈液之溶劑只要為可溶 解發光材料之液體即可，可舉例如：氣仿、二氣曱烷、二 22 322275 201138538 •氣乙烷等氣系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯 ，等芳香族煙系溶劑；丙酮、曱基乙基酮等酮系溶劑；乙酸 乙酯、乙酸丁酯、乙基赛璐蘇乙酸酯（ethyl ceU〇s〇ive acetate)等酯系溶劑。 塗佈包含發光材料之塗佈液之方法可舉例如：旋轉塗 佈法、澆鑄法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、 報塗佈法、線棒塗佈法、浸塗法、狹縫塗佈法、毛細管塗 佈法、喷霧塗佈法、及喷嘴塗佈法等塗佈法；以及凹版印 刷法、網版印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、翻轉印刷 法、喷墨印刷法等塗佈法。在容易形成圖案和分開塗佈多 色之觀點上，以凹版印刷法、網版印刷法、柔版印刷法、 膝版印刷法、翻轉印刷法、喷墨印刷法等塗佈法為佳。此 外，當為具昇華性之低分子化合物時，可使用真空蒸鍍法。 並且’也可藉由以雷射進行轉印或熱轉印等方法，僅於所 需之位置形成發光層。 〈第2電極〉 —在本實施形‘％中’第2電極6係設置做為陰極。如此 =2電極之材料以使用功函數小且容易將電子注入發光 的材料為佳，並且以導電度高的材料為佳。具體而言 二J例如鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬及第ΠΙ-β :金屬等金屬。更具體而言可使用例如：鐘、鈉、鉀、麵、 色、鈹、鎂，、銘、鋇，、銳、鈒、鋅、紀、銦、鈽、 :、鋪、铽、鏡等金屬；上述金屬中 1種以上與金、銀，、銅、錳、鈦、鈷、鎳、 322275 23 201138538 鎢、錫中之1種以上之合 等。合金之例子可舉例^ ”或是石墨或石墨層間化合物 -銘合金、銦—銀合金銀合金、鎮—銦合金、鎂 銦合金、舞-!呂合金f。合金、鋰—M合金、經— 2電極必須為透明，如此:也欲從第2電極導出光時，第 材料所構成之薄膜與由導;2電㈣由將由上述 等所構成之薄_層而心化物或導電性有機物 如以上所說明，經由 3所 。 射率層2與機能層3壓印法’即可容易地在低折 易地製作光導“率高抑制光反射之構造’且可容 在基台之表面上以最緊^機肛元件。特別是，經由使用 缚模，即可容㈣在之配置鋪設有微粒子者做為 密填充之配置製作凹凸=二2與機能層3之間以最緊 電極6 形L之有機EL元件8係於第1電極4與第2 電極6之間配置有電洞 件8之構成並不限於第：7與發光層5，但有機EL元 乩元件之第i電極盘楚圖所示之構成。以下，說明有機 .,,電極/、第2電極之間之元件構成之一例。再 1電極^要為透明則即可為陽極及陰極之任一 μ m明中係以不限定第1電極及第2電極之極 式來說明元件構成之-例。此外，當以例如樹脂等

Mm膜之低折射率層2時，可於玻璃等基板上設置低折 射率層2。 如前述， 層即可，於陽 〇要於陽極與陰極之間設置有至少一層發光 極與陰極之間可設置複數層發光層、及/或 24 322275 201138538 與發光層不同的1層或複數層預定層。 . 設置於陰極與發光層之間之層可舉例如：電子注入 .層、電子輪送層、電洞阻擋層等。當於陰極與發光層之間 設置電子注入層與電子輸送層雙方之層時，位於接^陰極 侧之層稱為電子注入層，位於接近陽極側之層稱為電子輸 送層。 電子注入層係具有改善從陰極注入電子之效率之機能 之層。電子輸送層係具有改善從陰極、或是電子注入層、 或更接近陰極的電子輸送層注入電子之機能之層。電^阻 擋層係具有阻礙電洞輸送之機能之層。再者，電子注入層 或電子輸送層有時兼做為電洞阻擋層。 曰 設置於陽極與發光層之間之層曰可舉例如:電洞注入 層、電洞輸送層、電子阻擋層等。當於陽極與發光層之間 =置電洞注人層與電洞輸送層兩層時，位於接近陽極側之 f稱為電射人層’位於接近發光層側之層稱為電洞輸送 電=人層係具有改善從陽極注人電洞之效率之機能 :二電洞輸送層係具有改#從陽極、或是電洞注入層、 =更接近陽極的電洞輸送層注人電洞之機能之層。電子阻 擋層係具有阻礙電子輪逆之嬙& 於w右心 之層°電岐人層或電洞 輸运層有時兼做為電子阻擋層。 有時將電子注入層及電洞注 有時將電子輪送層及㈣μ電m層’ 以下矣-及電輸达層總稱為電荷輸送層。 、丁本月施形態之有機EL元件可採用之層構成 322275 25 201138538 之一例。 a ) 陽極/發光.層/陰極 b) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 c) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 d) 陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極 e) 陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入 層/陰極 Ό陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 g) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 h) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 1)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入 層/陰極 j )陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 k)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入 層/陰極 U陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送 層/陰極 ra)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送 層/電子注入層/陰極 η)陽極/發光層/電子注入層/陰極 〇)陽極/發光層/電子輸送層/陰極 Ρ)陽極/發光層/電子輪送層/電子注入層/陰極 (在此’記號「/」表示夾住記號「/」之各層互相鄰接地 積層。以下皆同）。 26 322275 201138538 在上ίΓΓ態之有機此元件可具有2層以上之發光層。 持而成之積層料1一 A目丨〜陽極與陰極失 機 曰體為構造早兀A」，則具備2層發光層 ^2==心舉例如以下之Q)所示之層構成。再者， 、 （構攻早兀A)之層構成可互相為相同或不同。 〇 =極/(構造單元A)/電荷產生層八構造單元 陰極 =外’若令「（構造單元a)/電荷產生層」為「構造 凡」貝j具備3層以上之發光層之有機虹元件之 可舉例如以TU)所示之層職。 成 Γ)陽極構造單元B)x/(構造單sA)/陰極 再者，記號「X」表示2以上之整數，「（構造單元Β)χ」 表示將（構造單元Β)積層「χ」層而成之積層 體。此外，具 有複數個（構造單元Β)之層構成可為相同或不同。 在此，所謂電荷產生層係指會經由施加電場而產生電 洞與電子之層。電荷產生層可舉例如：由氧化鈒、氧化銦 錫（111(11111111'111(^1(^，簡稱：1丁〇)、氧化鉬等所構成之薄 膜。 有機EL元件係為了進一步提高與電極之密著性和改 善從電極注人電荷之效率，可以鄰接電極之方式設置厚度 為2nm以下之絕緣層，此外，為了提高界面之密著性和防 止混合等’也可於鄰接之前述各層之界面***薄的緩衝層。 乂下°兒月各層之具體的構成。再者，關於發光層5 及電洞注入層7，由於前面已述，故省略重複之說明。此 27 322275 201138538 外，陽極及/或陰極由於分別可使用前述之第1電極或第 2電極，故省略重複之說明。 <電洞輸送層> 構成電洞輸送層之電洞輸送材料可舉例如：聚乙烯咔 唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、在側鏈或主鏈具有芳 香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、 二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、 聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生 物、聚（對伸苯基伸乙烯基）或其衍生物、或是聚（2, 5-伸噻 吩基伸乙烯基）或其衍生物等。 此等電洞輸送層之中，電洞輸送材料係以聚乙烯咔唑 或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、在側鏈或主鏈具有芳香 族胺化合物基之聚矽氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚 噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚（對伸苯基伸乙烯 基）或其衍生物、或聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基）或其衍生物 等高分子之電洞輸送材料為佳，以聚乙烯°卡°坐或其衍生 物、聚矽烷或其衍生物、在側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚 矽氧烷衍生物等更佳。當為低分子之電洞輸送材料時，以 使其分散於高分子黏合劑（binder)中使用為佳。 關於電洞輸送層之成膜方法，若使用低分子之電洞輸 送材料，則可舉例如藉由從與高分子黏合劑之混合溶液進 行成膜之方法，若使用高分子之電洞輸送材料，則可舉例 如藉由從溶液成膜之方法。 從溶液成膜時所使用之溶劑，只要為可使電洞輸送材 28 322275 201138538 料溶解者即可，可舉例如：氯仿、二氯曱烷、二氯乙烷等 氣系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二曱苯等芳香族 烴系溶劑；丙酮、甲基乙基酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙 酸丁酯、乙基賽璐蘇乙酸酯等酯系溶劑。 從溶液成膜之方法可舉例如：旋轉塗佈法、澆鑄法、 微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、輥塗佈法、線棒 塗佈法、浸塗法、喷霧塗佈法、網版印刷法、柔版印刷法、 膠版印刷法、喷墨印刷法等塗佈法。 所混合之高分子黏合劑係以不會極度阻礙電荷輸送者 為佳，且宜使用對於可見光之吸收弱者。該高分子黏合劑 可舉例如：聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲 基丙烯酸曱酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷等。 電洞輸送層之膜厚，其最佳值係因所使用之材料而 異，以使驅動電壓與發光效率成為適度的值之方式適當選 擇，且必須至少為不會產生針孔之厚度，若過厚，則元件 之驅動電壓會升高，而不佳。因此，該電洞輸送層之膜厚 為例如lnm至1 /X m，以2nm至500nm為佳、以5nm至200nm 更佳。 <電子注入層> 構成電子注入層之電子注入材料，依發光層之種類， 可舉例如：驗金屬、驗土金屬；或包含1種以上之前述金 屬之合金；或前述金屬之氧化物、_化物及碳酸化物；或 前述物質之混合物等。鹼金屬或其氧化物、鹵化物、碳酸 化物可舉例如：裡、納、_、物、絶、氧化鐘、I化鐘、 29 322275 201138538 氧化納、氟化鈉、氧化钟 '氣化卸、氧化伽、氣杨 化鉋、氟化鉋、碳酸鋰等。鹼土金 ·’氧 碳酸化物之例子可舉例如：鎂、H㉘勿、齒化物、 化鎂、氧化辦、氟化辦、氧化鋇、氟化鋇:氧:::鎂:氟 銷、碳酸鎂等。電子注人層可為積層2層以上化 :由積層體之具體例可舉例如LiF/c…電子注入層: 籍由洛鍍法 '難法、印刷法等卿成。電子注人層之膜 厚以lnm至l#m左右為佳。 m 、 <電子輸送層> 構成電子輸送層之電子輸祕_可舉例如··曙二哇 衍生物、蒽酿二甲燒或其衍生物、笨|tUbenz零in·)或 其衍生物m其衍生物、其衍生物、四氛基蕙 職二甲炫或其衍生物1酮衍生物、二苯基二氰基乙稀或 其衍生物、聯苯酿（diphenoquinone)衍生物、或是8_經基 啥°林或其竹生物之金屬錯合物、聚嗤琳或其衍生物、聚喧 噚嘛（polyquinoxaline)或其衍生物、聚苐或其衍生物等。 此等之中，電子輸送材料明二喷衍生物、苯酿或其 衍生物、葱酿或其衍生物、或是8-羥基喹啉或其衍生物之 金屬錯合物、聚喧琳或其衍生物、聚嗜曙琳或其衍生物、 聚苐或其衍生物為佳，以2-(4-聯苯基）_5_(4_三級丁基苯 基）-1,3,4-噚二唑、苯醌、蒽醌、參（8_喹啉酚）鋁、聚喹 啉更佳。 經由使用前述實施形態之有機EL元件8,即可實現具 備有機EL元件之照明裝置、或具備複數個有機EL元件之 322275 30 201138538 顯示裝置、或是做 使用之面狀光源，器之光源或顯示裳置之背咖 具備有機EL元杜— 顯示裝置、點矩陣顯如:區段(一 矩陣顯示裝置及被動 置陣：示裝置係有主動 動矩陣顯示裳置、被動矩==機 發光兀件使用。此外 I 2故為構成各像素之 為構成各區段之發有機1兀件係在區段顯示裝置中做 中則做為背光源使用。〆、、’、使用，在液晶顯示裝置 (實施例） (實施例1) <基板之製作> 以下，參照第3 (步驟1)球狀之聚笨 層化 圖而說明附電極基板之製作方法。 乙烯（polystyrene:簡稱PS)粒子之單 首先’經由對Si基板實施&電漿處理1分鐘，而使 Si基板之表面親液化。其次，使用令球狀之ps粒子分散 成膠體（CC)11°id)狀而成之懸浮液（自Duck Scientific Corporation取得）’藉由自組織化而於Si基板上形成球 狀之PS粒子（平均粒徑2/zm)之單層。 在本貫施例中係藉由簡易的方法將球狀之PS粒子堆 積在Si基板上。首先’在Si基板上滴下數滴包含球狀之 ps粒子的膠體狀懸浮液，其次，經由將Si基板從水平傾 斜40 ’而使膠體狀懸浮液擴展至所需位置。在滴下膠體 31 322275 201138538 狀懸浮液刖之懸浮液中的球狀之ps粒子之濃度係設為約 2〇重量％。藉此，藉由重力效應，而於Si基板之表面形 f包含球狀之PS粒子的懸浮液之均勾«。並且，使均句 ㈣中之，劑蒸發。由於蒸發時在球狀之以粒子侧面所產 生之士細：效應、，而使球狀之ps粒子進行自組織化，故形 成祠咎地蓄積為六角形（hexag〇nal)狀之膠體結晶之單層。 (步驟2)球狀之PS粒子之固定 其次，為了將球狀之PS粒子固定在Si基板，而以氧 化石夕填充球狀之ps粒子間之間隙。首先，將液狀之溶膠凝 ，（s〇卜gel)用材料（自 Eirmlsitone Company(USA)取得之 氣化矽膜）進行旋轉塗佈，並使其凝膠化。再者，將溶膠凝 膠用材料予以塗佈，直到球狀之PS粒子之間隙被填充之裎 度、且直到球狀之PS粒子會從該溶膠凝膠用材料露出之程 度。藉此製作鑄模。 (步驟3)壓印 藉由旋轉塗佈法於玻璃基板上塗佈做為低折射率材料 之 HI6150C 自 AddisonClear Wave(USA)取得，在波長 589nm 之折射率n= 1.575)之50重量％甲基乙基酮溶液。令轉速 為5〇〇〇rpm，旋轉3〇秒。將其在7(TC稍微加熱5分鐘。其 次’依下述之（1)至（3)之順序’使用步驟2中製得之鱗模 進行壓印。（1)將溫度調整為70〇C，以40bar之麗力將禱 模按壓90秒。（2)在將溫度、壓力分別維持在70¾、4〇bar* 之狀態下照射紫外線（UV)20秒。（3)將溫度調整為5〇。〇， 進行離型。 322275 32 201138538 (步驟4)附著物之去除 、 由於有時於經實施壓印之玻璃基板上會附著有鑄模之 球狀之PS粒子，故在甲苯中進行超音波洗淨，以去除附著 之球狀之PS粒子。 (步驟5)平坦化層之形成 為了使經實施壓印之由低折射率之HI6150所構成之 層平坦化，而於此層上使用含有二氧化鈦之A—series高 折射率材料（自Brewer Science(uSA)取得，在波長700nm 之折射率n = 1. 97，在波長400nm之折射率n = 2. 17)形成 .平坦化層。再者，為了硬化及去除溶劑，此A—series高 折射率材料係必須實施烘烤（baking)。在本實施例中，係 字A seri es南折射率材料塗佈7次，且每塗佈1次即進 行1次烘烤。旋轉塗佈係以1500rpm進行30秒。此外，烘 烤係使用加熱板並以在12(rc3〇分鐘、在2〇〇tl5分鐘、 在350 C 30秒之方式將加熱溫度階段性地提高來進行。 (步驟6)ITO薄膜之形成 於由A—series高折射率材料所構成之層上，使用 ULVAC公司製之麟裝置而形成削薄膜（折射率n=2)。 成膜條件係令壞境氣壓為Q. 3Pa、環境温度為未達赃、 隹積速率為4nm/秒。藉此而形成膜厚為13〇nm、薄片電阻 為25Ω/□之ITO薄膜。 ^基板之評估> 使發出綠色光之向分子發光材料（sumati〇n製，製品 名「Lumatlon GP1300」）溶於曱笨中，而調製高分子發光 33 322275 201138538 材料之濃度為1.2質量％之塗佈液，藉由旋轉塗佈法將此 塗佈液塗佈於上述所得之基板之ΙΤ0薄膜上，而形成發光 層。所得之發光層之膜厚為lOOnm。從發光層側照射波長 為254nm之紫外線，測定從與發光層相反侧之基板側出射 之綠色發光之PL(Photoluminescence，光激發光）發光強 度。PL發光強度之放射圖案如第4圖所示。在第2圖中係 令（X，Y) =(0,〇)為原點〇,以離原點〇之距離表示PL發光 強度。此外，放射角度0係以在第2圖中將原點〇與測定 點連接之直線和形成X == 〇之軸線（通過原點之γ軸）之間所 形成的角度Θ表示。例如「0 =0」之測定點係表示出射至 基板表面之PL發光之光強度。 (比較例1) <基板之製作> 與貫施例1同樣進行，於表面平垣的玻璃基板上形成 !Τ〇薄膜，而製作附電極基板。 <基板之評估〉 於上述所得之基板之ΙΤ0薄膜上，與實施例1同樣進 行而塗佈形成發出綠色光之發光層，並與實施例1同樣進 行而測定PL發光強度。PL發光強度之放射圖案如第4 所示。 國 由於如第4圖所示，比較例1之PL放射圖案係在實施 例1之PL放射圖案内之範圍内，故得知經由使用實施例1 之基板，而在全放射角度皆使PL發光強度增強。此外，以 積分球測定從基板全面導出之PL發光量後結果得知，若令 322275 34 201138538 比較例1之PL發光量為「丨」，則實施例1之pL發光量為 2. 6。如此，經由在實施例1所得之基板上製作有機el元 件’而使光導出效率提高。 (產業上之可利用性） 根據本發明’可簡易地製作具備可達成高之光導出效 率之構造的有機EL元件用之附電極基板。 【圖式簡單說明】 第1圖係概略地表示具備有機EL元件用之附電極基板 1的有機EL元件8之圖。 第2圖係表示鑄模之示意圖。第2圖（1)係放大表示鑄 模之一部分之剖面圖，第2圖（2)係表示形成有格子狀之框 的鑄模之一部分之平面圖。 第3圖係表示附電極基板之製作步驟之圖。 第4圖係表示實施例1及比較例1中之pl發光強度之 放射圖案。 【主要元件符號說明】 1 附電極基板 2 低折射率層 3 機能層 4 第1電極 5 發光層 6 第2電極 7 電洞注入層 8 有機EL元件 322275 201138538 π 鑄模 12 微粒子 13 框體 14 棊台 15 接著構件

Claims (1)

1. 201138538 七、申請專利範圍： 1. 一種附電極基板之製造方法，係有機電激發光元件用之 附電極基板之製造方法，其中， 該附電極基板係依序積層低折射率層、機能層、及 顯示透光性之電極而構成， 並且，前述電極之折射率η 1、前述機能層之折射 率η2及前述低折射率層之折射率η3係滿足下式（1): [〇. 3^(η 1 -η 2)^0 |nl^n2>n3 ...(1) 而且，該附電極基板之製造方法係包括下述步驟： 藉由使用在基台之表面上鋪設有平均粒徑為1.0/zm至 200 /zm之複數個微粒子的鑄模之壓印法，於表面部形 成凹凸部，而形成前述低折射率層之步驟； 經由在前述低折射率層之形成有前述凹凸部之面塗佈 包含形成前述機能層之材料的塗佈液並使其固化，而形 成前述機能層之步驟；以及 於前述機能層上形成前述電極之步驟。 2. 如申請專利範圍第1項所述之附電極基板之製造方法， 其中，前述複數個微粒子係分別為近似球狀，且以接近 最緊密填充之配置而鋪設於前述基台之表面上。 3. —種有機電激發光元件，係具備藉由申請專利範圍第1 項或第2項所述之附電極基板之製造方法所製得之附 電極基板者。 4. 一種照明裝置，係具備申請專利範圍第3項所述之有機 37 322275 201138538 電激發光元件者。 5. —種顯示裝置，係具備複數個申請專利範圍第3項所述 之有機電激發光元件者。 38 322275