TW201118433A - Spectral purity filter, lithographic apparatus, and method for manufacturing a spectral purity filter - Google Patents

Description

201118433 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光譜純度濾光器、包括此等光譜純度濾光 器之微影裝置，及用於製造光譜純度濾光器之方法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在該情況下，圖案化器件（其或者被稱作光 罩或比例光罩）可用以產生待形成於IC之個別層上的電路 圖案。可將此圖案轉印至基板（例如，矽晶圓）上之目標部 分（例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒）上。通 常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料（抗蝕劑）層上 而進行圖案之轉印…般而言，單一基板將含有經順次圖 案化，鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的 步進器，纟中藉由-次性將整個圖案曝光至目標部分上來 輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方 向（掃^田」方向）上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或 反平行於此方向而同步土士摄4从甘1 + Α 』/地和榀基板來輻照每一目標部分。 :有可能藉由將圖_印至基板上而將圖案自圖案化器件 轉印至基板。 限制圖案印刷之關鍵因素為所使用之輻射的波長λ。為 =夠將愈來愈小之結構投影至基板上，已提議使用極紫 m射，其為具有㈣奈米至2〇奈米之範圍_ 13不米至14奈米之範圍内）之波長的電磁輕射。已 149832.doc 201118433 進一步提議可使用具有小於10奈米（例如，在5奈米至奈 米之範圍内（諸如6.7奈米或6.8奈米））之波長的Euv輻射： 此EUV輻射有時被稱作軟χ射線。可能的源包括（例如）雷射 產生電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速 器輻射。 ' 基於錫（Sn)電漿之Ευν源不僅發射所要帶内euv輻射’ 而且發射帶外輻射，其最顯著地在深UV(DUV)範圍（1〇〇奈 米至400奈米）内。此外，在雷射產生電漿（Lpp)Euv源之情 況下，來自雷射之紅外線輻射（通常在1〇 6微米下）呈現顯 著量之非想要㈣。因為EUV微影系統之光學儀器在此等 波長下通常具有實質反射率’所以在未採取措施之情况 下’非想要輕射以顯著功率傳播至微影工具中。 在微影裝置巾，應出於若干原因而最小化帶外㈣。第 了 ’抗㈣對帶外波長敏感，且因此，可能會劣化影像品 質。第二，非想要輻射（特別為LPP源中10.6微米之輻射）導 致光罩、晶圓及光學儀器之非想要加熱。$ 了使非想要輻 射在指定限度範圍内，正開發光譜純㈣光器（spF)。 光譜純度濾光器對於EUV輻射可為反射的或透射的。反 射SPF之實施需要改質現存鏡面或***額外反射元件。透 射SPF通常置放於收集器與照明器之間，且至少原則上不 影響輕射路徑4情形可為有利的，因為其導致靈活性及 與其他SPF之相容性。 柵格SPF形成一種類別之透射spF，其可在非想要輻射 具有顯著地大於EUV輻射之波長的波長時（例如，在Lpp源 149832.doc 201118433 中1 0.6微米之輕射的情況下）加以使用。柵格spf含有孔 隙’該等孔隙具有大約為待抑制之波長之大小。抑制機制 可在不同類型之柵格SPF當中變化，如在先前技術中及進 一步在此文件中之詳細實施例中所描述。因為Ευν輻射之 波長（13.5奈米）顯著地小於孔隙之大小（通常，>3微米）， 所以EUV輻射透射通過孔隙而無實質繞射。 若干先前技術光譜純度濾光器（SPF)依賴於具有微米大 小之孔隙的柵格來抑制非想要輻射。美國專利申請公開案 2006/01464 13揭示一種光譜純度濾光器（spF)，其包含具有 尚達20微米之直徑的孔隙陣列。 取決於與輻射波長相比較的孔隙之大小，spF可藉由不 同機制來抑制非想要輻射。若孔隙大小小於（非想要）波長 之大約一半，則SPF反射此波長之實際上所有輻射。若孔 隙大小較大，但仍大約為該波長，則輻射被至少部分地繞 射且可被吸收於孔隙内部之波導中。 此等SPF之近似材料參數及規格係已知的。然而，在此 等規格下之製造並不簡單。最具挑戰性之規格為：直徑通 常為4微米之孔隙；通常為5微米至職米之柵格厚度 以確保最大EUV透射的在孔隙之間的極薄（通常， 且平行（非錐形）之壁。 ^ ，石夕已顯現為用於製造此等栅格之有遠景的材料，該製生 係使用自半導體製造良好地理解之光微影圖案化及各向^ 性姓刻程序而進行。對於具有經良好控制之橫截面的深孔 隙，己發現深反應性離子蝕刻（DRIE)係有遠景的，但在提 149832.doc 201118433 供製造具有所要規格之EUV光譜純度濾光器的方法時仍存 在困難。 【發明内容】 本發明之一態樣係提供一種製造一 EUV光譜純度濾光器 之方法，該方法之實施相對簡單且提供具有所要規格之一 EUV光譜純度濾光器。 根據本發明之一態樣，提供一種製造一光譜純度濾光器 之方法，该光譜純度濾光器包含複數個孔隙，該複數個孔 隙經組態以透射極紫外線輻射且抑制一第二類型之輻射的 透射，該方法包含··提供具有第一主要表面及第二主要表 面之一基礎材料；以對應於待形成於該光譜純度濾光器之 該等孔隙之間的壁的—圖案在該基礎材料之該第―表面中 形成溝渠；以-柵格材料來填充料溝渠以形成該柵格材 料之壁’及選擇性地移除該基礎材料之至少一部分，直到 該栅格材料被曝光且在該栅格材料之該等壁之間形成用以 形成該等孔隙之空間為止。 可以-導電材料來填充料溝渠。用於填充該等溝渠之 程序可包括—讀程序。可以多㉔來填充該等溝渠Ϊ以 夕B曰矽來填充3玄等溝渠之程序可包括一低壓化學氣相沈積 (LPCVD)程序或電篮辦故 定日強化學氣相沈積（PECVD)程序。該 形成該等溝渠可經έ日能A、& 再千』丄組態成使得該等溝渠具有在2微米及1〇 U米之辄圍内的—深度，及’或小於丄微米之一寬度。較佳 地’但未必，該等溝準呈古 度對寬度之一比率。有在5:1與㈣之間的範圍内的深 149832.doc 201118433 根據本發明之一態樣，提供一種根據以上方法所製造之 光譜純度濾光器。 根據本發明之一態樣’提供一種光譜純度濾光器，該光 譜純度濾光器包含：複數個互連壁，其係在該光譜純度渡 光器之一第一區域内’該等壁界定通過該光譜純度濾光器 之複數個孔隙’該複數個孔隙經組態以透射極紫外線輻射 且抑制一第二類型之輻射的透射；及一支撐框架’其係在 鄰近於該第一區域的該光譜純度濾光器之一第二區域中， 該支撐框架經組態以支撐該等壁；其中供以形成該等互連 壁之材料延伸進入該支撐框架中之一或多個開口，以便在 該支撐框架與該等互連壁之間提供一機械連接。該支撐框 架可由一第一材料（諸如單晶矽）形成，且該等互連壁可由 不同於該第一材料之一第二材料形成。舉例而言，該第二 材料可為一金屬或多晶矽。在該等壁之該第二材料延伸進 入的忒支撐框架中之該等開口中，不同於該第一材料及該 第一材料之一第二材料之一層可使該支撐框架之該第一材 料與該第二材料分離。 據本心月之態樣，提供一種輻射源及一種微影裝 置，其包含如上之—光譜純度濾光器。 據本《明之一態樣’提供一種輻射源，該輻射源包括 、光°曰純度濾光器，該光譜純度濾光器包含：複數個孔 隙’其經組態以透射極紫外線輻射且抑制一第二類型之輕 笼一透射’複數個互連壁，其係在該光譜純度濾光器之一 a域内。玄等壁界定通過該光譜純度據光器之複數個 149832.doc 201118433 孔隙；及-支樓框架，其係在鄰近於該第_區域的該光谱 純度據光器之-第二區域中，該支撑框架經組態以支樓該 等壁。供以形成該等互連壁之材料延伸進入該支樓框架中 之一或多個開口，以便在該支撐框架與該等互連壁之間提 供一機械連接。 根據本發明之—態樣，提供—種微影裝置，該微影裝置 包括：-輻射源’其經組態以產生極紫外線輕射及一第二 類型之輕射；及一光譜純度渡光器，其包含：複數個互連 ，、’其係在該光譜純度遽光器之―第_區域内，該等壁界 疋=過該光譜純度遽光器之複數個孔隙，該複數個孔隙經 ，·且也以透射該極紫外線輕射且抑制該第二類型之韓射的透 支樓框架，其係在鄰近於該第一區域的該光譜純 度〉慮光器之一第- 一 °°或十，§玄支撐框架經組態以支撐該等 .形成該等互連壁之材料延伸進入該支撑框架中之 一或多個開口，以便在該支 、 -機械連接。該裝置亦提供 一 』匕括.一支撐件，其經組態以支撐 輻射ϊΓ二r圖案化器件經組態以圖案化該極紫外線 至一基板上U'統’其經組態以將該經圖案化輻射投影 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖彳 圖式而僅错由實例來描述本發明之 =1，料圖式中，對應元件符號指示對應部分。 圖匕隸地赌根據本發明之—實施例的微影裝置。 〜置照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輕射 149832.doc 201118433 光束B(例如，靖4射或輻射），·支禮結構（例如，光罩 台)ML其經建構以支撐圖案化器件(例如，光翠)心，且 連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化 之第-***PM;基板台(例如，晶圓台m，其經建構 以固持基板(例如，塗佈抗蝕劍之晶圓)w，且連接至㈣ 態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二*** pw’·及投影系統（例如，折射投影透鏡系統奶，盆經组= 以將藉由圖案化器件MA賦予至輕射光束0之圖案投影至= 板W之目標部分c(例如，包含_或多個晶粒）上。 土 照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型 之先學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他 類型之光學組件，或其任何組合。 支樓結構支擇（亦即，承載）圆案化器件。支撐結構以取 決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件（諸 t圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖 案化器件。支樓結構可使用機械、真空、靜電或其他夹持 技術來固持圖案化器件。支撐結構可為（例如）框架或h 其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案 化益件（例如）相對於投影系統處於所要位置。可認為本文 中對術5吾「比例光罩j或「本罢 J尤卓」次先罩」之任何使用均與更通用 之術語「圖案化器件」同義。 匕本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為 才曰代可用以在輻射光束之橫截面中向輕射光束賦予圖案以 便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意1 149832.doc 201118433 如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的辅 助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中 的所要圖案。通常，被賦予至輕射光束之圖案將對應於目 標部分中所產生之器件（諸如積體電路）中的特定功能層。 上圖案化益件可為透射或反射的。針對Euv微影之當前提 義使用反射圖案化器件，如圖i所示。圖案化器件之實例 包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化咖面板。光 罩在微影中係熟知的，i包括諸如二元、交變相移及衰減 移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面 陣列之-貫例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每 者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輕射光 束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輕射光束 中。 本文中所使用之術語「拟 .. — 奴衫系統」應被廣泛地解釋為涵 蓋任何類型之投影系統，包 c 6 匕枯折射、反射、反射折射、磁 性、電磁及靜電光學系络 〃、先或其任何組合，其適合於所使用 之曝光輻射，或適合於訣 ^ 邊如浸沒液體之使用或真空之使用 可認為本文中對術語r措旦， 夺又衫透鏡」之任何使用均與更通 用之術語「投影系統同 」丨』義。對於EUV波長，透射材料並 不易於可用。因此，EUv多w丄 u v系統中用於照明及投影之「透 鏡」將通常為反射類型， ^ 亦即，彎曲鏡面。 微影裝置可為具有兩個 .. U (雙載物台）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上光置A、 Q )的類型。在此等「多載物台」 M9832.doc 201118433 機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行 預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。 微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少—部分可藉 由具有相對較高折射率之液體（例如，水）覆蓋，以便填^ 投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影 裝置中之其他空間’例如，t罩與投影系統之間。浸沒技 術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如 :文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須 浸漬於液體中’而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統 與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源s〇接收輻射光束。舉例而 言’當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分 離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部 分，且輻射光束係憑藉包含（例如）適當引導鏡面及/或光束 擴展器之光束傳送系統而自輻射源so傳遞至照明器IL。在 其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微 影裝置之整體部分。輻射源80及照明器江連同光束傳送系 統（在需要時）可被稱作輻射系統。 照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈的 調整器件（調整器）。通常，可調整照明器之光瞳平面中之 強度分佈的至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分 別被稱作σ外部及σ内部）。此外，照明器比可包含各種其 他組件，諸如積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光 束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 149832.doc 12 201118433 輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如，光罩sMT) 上之圖案化器件（例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化器 件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影 系統ps，投影系統ps將該光束聚焦至基板w之目標部分匸 上。憑藉第二***PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測 器件、線性編碼器或電容性感測器），基板台WT可準確地 移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束3之路 徑中。類似地，第一***PM及另一位置感測器IFl可用 以（例如）在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於 韓射光束B之路徑而準確地定位光罩μα。 一般而言，可憑藉形成第一***ΡΜ之部分的長衝程 模組（粗略疋位）及短衝程模組（精細定位）來實現光罩台Μτ 之移動。類似地，可使用形成第二***pw之部分的長 衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進 器（相對於掃描器）之情況下，光罩台河丁可僅連接至短衝程 致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2& 基板對準標記P1、P2來對準光罩ΜΑ及基板W。儘管如所 說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標 部分之間的空間中（此等標記被稱為切割道對準標記）。類 似地’在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩 對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT 149832.doc -13- 201118433 保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著，使基板台 WT在X及/或γ方向上移位’使得可曝光不同目標部分c。 在步進模式中’曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所 成像之目標部分c的大小。 2.在掃描模式中’在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分C上時，同步地掃描光罩sMT及基板sWT (亦 即，單次動態曝光可藉由投影系統”之放大率（縮小率） 及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台Μτ之速度 及方向。在掃描模式中’曝光場之最大大小限制單次動態 -J、光中之目私部分的寬度（在非掃描方向上），而掃描運動 之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分C上時，使光罩台_呆持基本上靜止，從而固 持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台wt。在 模式中’通常使用脈衝式輻射源，且在基板台wt之每 移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而 新可程式化圖案化器件。此操作模式^於剌於利用， 程式化圖案化器件（諸如卜 上文所提及之類型的可程式化4 面陣列）之無光罩微影。 或 亦可使用對上文所描述 完全不同的使用模式。 之使用模式之組合及/或變化 圖？描繪實務EUV微影步罟玷-立 t裒置的不意性側視圖。應注意， 儘管實體配置不同於圖1 所不之裝置的實體配置，但其掮 作原理類似。該裝置句姑 括源收集器模組或輻射單元3、照 J49832.doc 14 201118433 明系統IL及投影系統PS。輻射單元3具備輻射源7、s〇， 其可使用氣體或蒸汽（諸如Xe氣體或Li、Gd或Sn蒸汽），其 中產生極熱放電電漿，以便發射在電磁輻射光譜之EuV範 圍内的輻射。藉由導致放電之部分離子化電漿崩潰至光軸 〇上末產生放电電聚。為了輕射之有效率產生，可能需要 為（例如）10帕斯卡（0.1毫巴）之分壓的Xe、Li、Gd、Sn蒸汽 或任何其他適當氣體或蒸汽。在一實施例中，應用Sn源以 作為EUV源。 圖2之主要部分說明以放電產生電漿（Dpp)之形式的輻射 源7。該圖式中之左下部處之替代細節說明使用雷射產生 電漿（LPP)的替代形式之輻射源。在Lpp類型之輻射源中， 自燃料傳送系統7b向點火區域7a供應電漿燃料，例如，熔 融Sn小滴。雷射光束產生器7e及關聯光學系統將輻射光束 傳送至點火區域。產生器7c可為具有紅外線波長(例如， 10.6微米或9·4微米）之c〇2雷射。或者，可使用（例如）具有 在1被米至11微米之範圍内之各別波長的其他適當雷射。 /、田射光束相互作用I ’燃料小滴隨即被變換成電漿狀 態’電聚狀態可發射(例如)6.7奈米之輻射，或選自5奈米 至=奈米之範圍的任何其他。刪為此處所關注 =貫例’但在其他應用中可產生不同類型之輻射。藉由橢 形或其他適當收集器7d聚集在電浆中所產生之賴射，以 產生具有中間焦點12之源賴射光束。 由至圖2之主要部分’藉由輕射源SO發射之輕射係經 ㈣障以捕捉器」之形式的污染物捕捉器9 J49832.doc 15 201118433 而自DPP源腔室7傳遞至收集器腔室8中。下女聪 |入咐進一步描 述此情形。收集器腔室8可包括輻射收集器1〇，輕射收集 益10為（例如）包含所謂的掠入射反射器之巢套式陣列的^ 入射收集器。自先前技術知曉適於此目的之輻射收集器。 自收集器10發出之EUV輻射光束將具有特定角展度，或 許’在光軸〇之任一側多達10度。在左下部處所展示之 LPP源中，提供正入射收集器7d以用於收集來自該源之輻 射。 根據本發明之實施例’藉由收集器10傳遞之輻射透射通 過光譜純度濾光器11。應注意，與反射光柵光譜純度濾光 器對比，透射光譜純度濾光器11不改變輻射光束之方向。 下文描述濾光器11之實施例。輻射自收集腔室8中之孔隙 聚焦於虛擬源點12(亦即’中間焦點）中。自腔室8，輻射光 束16在照明系統il中經由正入射反射器13、14而反射至定 位於比例光罩或光罩台MT上之比例光罩或光罩上。形成 經圖案化光束17，經圖案化光束17係藉由投影系統以經由 反射元件18、〗9而成像至安裝晶圓W之晶圓載物台或基板 台WT,上。通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統 IL及投影系統PS中。反射元件i 9中之一者在其前方具有 NA圓盤2 0，NA圓盤2 0具有通過其之孔隙2 1。在經圖案化 韓射光束17照射基板台WT時，孔隙21之大小判定藉由經 圖案化輻射光束1 7對向之角度aj。 圖2展示接近地定位於虛擬源點12上游之光譜純度濾光 器11。在替代貫施例（圖中未繪示）中，光譜純度濾光器j j I49832.doc -16- 201118433 可定位於虛擬源點12處，或收集器1〇與虛擬源點12之間的 任何點處。遽光器可置放於轄射路徑中之其他部位處，例 如，在虛擬源點12下游。可部署多個濾光器。 氣體障壁包括通道結構，諸如在以引用之方式併入本文 中的美國專利第6,614,505號及第6,359,969號中詳細地所描 述。此污染物捕捉器之目的係防止或至少減少燃料材料或 副產物碰撞光學系統之元件且隨著肖議多而降級复效能 的發生率。此等元件包括收集器職光譜純度據光器^ 在圖2之左底部處詳細地所展示之Lpp源的情況下，污染物 捕捉器包括保護㈣形收集器7d之第—捕捉器配置^，、且 視情況包括（諸如）以9b展示之另外捕捉器配置。氣體障壁 可藉由與污染物之化學相互作用及/或藉由帶電粒子之靜 電或電磁偏轉而擔當物理障壁（藉由流體逆流）。實務上， 使用此等方法之組合以准許輻射至照明系統中之轉移同 時在可能最大程度上阻擋電漿材料。如上述美國專利中所 解釋，可特別地注射氫自由基以用於以化學方式改質“或 其他電漿材料。 亦可施加氫自由基以用於清潔可能已經沈積於光學表面 上之sn及其他污染物。另外，可在晶圓支撐件wt附近部 署氫氣體，以作為防止來自晶圓之污染物進入系統内之較 大真空空間的緩衝器。在真空環境中，典型光阻材料^ 不必說支撐件及定位系統之組件）趨向於釋放有機材料及 其他氣體材料’此情形可隨著時間推移而污染光學組件。 出於所有此等目的’將氫源HS展示為經部署用於將氣 H9832.doc •17· 201118433

氣體供應至每一污毕必|枯扣堪^； TO 來巧杀物捕捉益配置9a、9b，且在璋處供應 至照明系統IL及投影系缔ρ ς夕_ 6 又办糸統PS之腔室。一些源可供應分子氫 氣體（Η2)以作為簡單緩衛器，品甘α 绞衝态而其他源產生H自由基。滲 透真空環境之分子氫可由兮TS 上 風j错由5亥％境_之輻射、放電等等而 變得自由基化。 圖3為光譜純度濾光器1 〇〇 之貫知例的示意性前面視圖， 其可(例如)應用為微影裝置之上述渡'光器U。本發明之渡 光器1〇0經組態以透射極紫外線(EUV)轄射。在一另外實施 例中，滤光器⑽實質上阻擋藉由韓射源產生的第二類型 之輻射’例如，紅外線_射(例如，波長大於約i微米 (特別地大於約1 〇微米）之红外娩 J 外線輻射）。特定言之，待透射 之EUV輻射及第二類型之輻 平田耵（得阻擋）可自同一輻射源（例 如，微影裝置之LPP源S0)發出。 在待描述之實施例中，止4 Λ 光G，·‘屯度濾光器1 00在該光譜純 度遽光1§之第一區域中包会皆险L , a a r匕3貫質上平坦濾光器部分ι〇2(例

如’濾光器膜或濾光器層）。 ...α„ A ^ ；因而，濾光器部分102可被稱 作「滤光器基板」1光器部分1G2具有複數個（較佳地平 行)孔隙104以透射極紫外線輕射且抑制第二類型之輻射的 透射。來自牵昌射源SO之輕射所照射之面可被稱作前面，而 輻射所離開以到達照明系# ττ > π β 4 J咬’、月糸統IL之面可被稱作後面。如上文 所提及，例如，可藉由光级妯痒、、由 °曰”’屯度/慮光斋透射EUV幸畐射而不 改變S亥幸§射之方向。在—管故办丨A- 只鈿例中，每一孔隙104具有平 行側壁，平行側壁界定孔隙 〜几丨糸1IM且疋全自前面延伸至後 面。 149832.doc -18- 201118433 光譜純度濾光器100可在鄰近於第一區域的該光譜純度 濾光器之第二區域中包括支撐框架108。支撐框架108可經 組態以提供針對濾光器部分102之結構支撐件。支撐框架 1〇8可包括用於將光譜純度濾光器1〇〇安裝至將使用光譜純 度濾光器100之裝置的部件。在一特定配置中，支撐框架 108可環繞濾光器部分丨〇〇。 濾光器100可包括獨立式薄矽（Si)膜102，及具有實質上 垂直（亦即，垂直於膜表面）側壁106之孔隙陣列104。孔隙 104之直徑理想地大於約1 〇〇奈米，且更理想地大於約1微 米，以便允許EUV輻射傳遞通過光譜純度濾光器1〇〇而無 貫質、堯射。儘管孔隙1 〇4經示意性地展示為具有圓形橫截 面（在圖3中），但其他形狀亦係可能的且可為較佳的。舉例 而言，自機械穩定性之觀點而言，如圖4所示之六邊形孔 隙可為有利的。待藉由濾光器1〇〇抑制之波長可為待透射 之EUV波長的至少10倍。特定言 < ’濾光器⑽可經組態 以抑制DUV輻射（具有在約1〇〇奈米至4〇〇奈米之範圍内的 波長）的透射，及/或具有大於丨微米之波長（例如，在丨微米 至11微米之範圍内）之红外線輻射的透射。 根據本發明之一實施例，光譜純度濾光器100之製造可 包括下文簡要地所描述之各向異性敍刻方法’其適當實例 為深反應性離子蝕刻（DRIE)之技術。DRIE為具有高各向 異性触刻速率之钱刻方法，其使能夠在Si中使用所謂的

Bosch程序來製造垂純刻剖面。舉例而言，此被描述於 S. Tachi、K. Tsujimot。、S.。㈣—之「L〇w temperat⑽ 149832.doc -19- 201118433 reactive ion etching and microwave plasma etching 〇f silicon」（Appl· Phys. Lett. 52(1988)，616)中。Bosch 程序 由將Si表面交替地曝光至SF6電漿及碳氟化合物（例如，

Cj8)電漿組成。在第一階段，以或多或少的各向同性方 式來蝕刻矽’而在第二階段，藉由鈍化層來覆蓋經蝕刻剖 面。在下一蝕刻中’主要藉由離子轟擊而在底部處優先敞 開此鈍化層，且蝕刻再次開始。藉由重複蝕刻/鈍化循 環’蝕刻向下逐層進行至矽表面中而無橫向伸展。 根據一實施例’將EUV輻射直接透射通過孔隙丨〇4，其 較佳地利用相對較薄濾光器；I 〇〇，以便使該等孔隙之縱橫 比保持足夠低以允許以顯著角展度之EUV透射。舉例而 吕’滹光器部分1 02之厚度（亦即，孔隙丨〇4中之每一者的 長度）小於約20微米，例如，在約2微米至約1〇微米之範圍 (例如，約5微米至約1 〇微米之範圍）内。又，根據一實施 例，孔隙104中之每一者可具有在約1〇〇奈米至約⑺微米之 範圍内的直徑。舉例而言，孔隙1〇4可各自具有在約15微 米至約6微米之範圍（例如，約2微米至約4微米之範圍）内的 直徑。 濾光器孔隙1〇4之間的壁105之厚度φ可小於i微米，例 如，在約0.4微米至約〇.6微米之範圍β，特別為約〇5微 一般而言’孔隙之縱橫比（即，遽光器部分⑽對滤光 裔孔隙104之間的壁之厚度的比率）可在5:1至2〇]之範圍 内。麟透射渡光器⑽之孔隙可具有在約增米至約罐 未（特別為約3微米至約4微米）之範圍内（例如，約4微米）的 l49832.doc -20- 201118433 孔隙可提供總濾光器前表 週期Q2(圖4中所指示）。因此， 面的約70%至80%之敞開區域。 慮光器1 〇 〇可經組態以提供至多冰之紅外光（工R)透射。 又’渡光器100可經組態以在正入射角下透射至少6〇%之 入射刪_射。此外m1GG可提供具有約ig。之入射 角（相對— 於法線方向）之EUV輕射的至少約4〇%之透射。 在實施例中，提供一種製造如上文所指定之光譜純度 渡光器之方法。-般而言’豸方法包含：在基礎材料中形 成溝渠1如，在單晶♦晶圓中#刻溝渠；及使用溝渠作 為用以形成光譜純度濾光器之壁之柵格的模具。舉例而 言旦形成溝渠’隨即可在移除基礎材料之剩餘部分之 ㈣（諸如多晶⑻來填充溝渠’僅留存由拇格材 料形成之壁，其具有藉由原始溝渠界定之形狀。因此，光 譜純度渡光器之壁(即’分離光譜純度渡光器之孔隙的壁 105)之柵格的形成準確度係藉由基礎材料中之溝渠的形成 準確度判；t。用於藉由钮刻在單晶石夕t形成良好界定之溝 渠的技術係熟知的’ a有可能準確地提供具有上文所論述

之光譜純度渡光器之壁之所要尺寸及縱橫比的此等溝渠之 所要配置。 U 圖5至圖13描繪為了形成如上文所指定之光譜純度濾光 器100而可根據本發明之一實施例加以執行之步驟系列的 實例。如所展示’該程序始於至少為待形成之光譜純度遽 光器100之大小的基礎材料！ 2〇之區段。舉例而言，基礎材 料可為如上文所論述之單晶矽晶圓。基礎材料12〇具有第 149832.doc 21 201118433 一主要表面121及第二主要表面122。 在第一步驟中，在基礎材料120之第一表面121中形成溝 渠125。如所展示，形成於基礎材料12〇之第一表面κι中 的溝渠125不會通過基礎材料丨2〇而延伸至第二表面丨22。 溝渠125對應於待形成於光譜純度濾光器中之孔隙1 〇4之間 的壁。因此’溝渠125可經配置為與待形成之光譜純度濾 光器100之孔隙104之間的壁之圖案實質上相同的圖案，且 可具有實質上相同的尺寸。詳言之，溝渠125之寬度可實 質上對應於遽光器孔隙104之間的壁的厚度，且溝渠125之 深度可實質上對應於光譜純度濾光器1 〇〇之濾光器部分1 〇2 的厚度。 舉例而言’可藉由在基礎材料120之第一表面121上的將 不形成溝渠125之區域中形成保護光罩（例如，藉由微影圖 案化）來形成基礎材料12〇之第一表面} 2】中的溝渠丨25。隨 後’可藉由如上文所論述之程序（諸如深反應性離子蝕刻） 在未受到光罩保護之區域中形成溝渠125。然而，應瞭 解’可使用其他蝕刻程序’特別係其他各向異性蝕刻程 序。可使用濕式化學蝕刻（例如’使用KOH蝕刻）以在[11 〇] 定向型矽晶圆中蝕刻溝渠丨25。 如圖7所示，可接著以蝕刻終止層13〇(即，抵抗特定蝕 刻程序之材料層）來塗佈溝渠之表面。在此情況下，蝕刻 終止層1 30應經選擇成抵抗隨後用以移除基礎材料12〇之部 分的姓刻程序’如下文所描述。舉例而言，蝕刻終止層 130可為Si〇2。詳言之，蝕刻終止層可在基礎材料12〇之第 149832.doc •22· 201118433 一表面121中的溝渠125之表面上提供覆蓋層130a。此外， 触刻終止層130可在溝渠125之間及其周圍的基礎材料12〇 之第一表面121之部分上提供塗層130b。 姓刻終止層130可為熱生長氧化物或（例如）氮化矽，其 可使用低壓化學氣相沈積（LPCVD)程序或電漿增強化學氣 相沈積（PECVD)程序加以沈積。用於形成蝕刻終止層13〇 之此等方法可為有益的’因為其提供優良步階覆蓋，即， 提供用於側壁且進入溝渠之適當覆蓋層。或者，例如，若 需要將不同材料用作蝕刻終止層13〇，則可使用其他沈積 程序（諸如錢鐘沈積）。 如圖8所示，接著，以適當材料135來填充溝渠125，以 在光譜純度濾光器100之孔隙104之間形成壁。舉例而言， 可（例如）使用低壓化學氣相沈積（LPCVD)程序或電漿增強 化學氣相沈積（PECVD)程序而以多晶矽來填充溝渠丨25。 應瞭解光5普純度濾光器1 〇〇之孔隙1 〇4之間的壁的最終尺 寸將對應於包括蝕刻終止層130之塗層13〇a(在被使用時）之 溝渠125的尺寸。在該情況下，最初形成於基礎材料咖之 第一表面12丨中的溝渠125可經形成為具有如下尺寸：該等 ^寸係使得曾藉由㈣終止層之塗層咖覆蓋之溝渠的所 得尺寸精密地具有孔隙1〇4之間的壁的所要尺寸。 在以栅格材料⑴來填充溝渠之程序期間，該栅格材料 之層m可跨越基礎材料12〇之整個第_表面i2i而形成。 舉例=言’可藉由反應性離子_或另_適#程序來移除 此過量柵格材料層136，如圖9所示。 149832.doc -23- 201118433 如圖10所示，可隨後將保護層140施加至基礎材料120之 第一表面121，以便在後續處理步驟期間防止對栅格材料 135之損害。舉例而言，保護層140可為聚醯亞胺。然而， 應瞭解，亦可使用其他適當材料。 如圖11所示’可接著自第二表面122移除基礎材料120。 詳言之，可對應於將形成光譜純度濾光器1〇〇之孔隙1〇4的 基礎材料120之第一表面121之第一區域121a而自第二表面 122之第一區域122a選擇性地移除基礎材料12〇。 可能不自鄰近於第一區域122a的第二表面122之第二區 域1 2 2 b移除基礎材料12 0。未被移除之基礎材料1 2 〇可提供 上文所論述之支撐框架108。 如圖11所示，藉由蝕刻終止層130終止用以自第二側ι22 移除基礎材料120之程序’姓刻終止層1 30環繞柵格材料 1 3 5且防止柵格材料13 5亦被移除。可藉由以下步驟來執行 該程序：（例如）使用如上文所論述之微影程序在基礎材料 120之第二表面122之第二區域122b上形成光罩，且隨後使 用反應性離子姓刻程序，以便自第二表面122之第一區域 122a移除基礎材料120。應瞭解，亦可使用其他蝕刻程 序’但如上文所論述’在該情況下，可能需要不同蝕刻終 止層130。可使用濕式化學蚀刻（例如，使用koh蝕刻）來 移除基礎材料12 0。在此情況下’餘刻終止層13 〇可為氮化 石夕。 最終，如圖12所描繪，可（例如）藉由電漿蝕刻或藉由另 一適當程序來移除#刻終止層13〇及保護層14〇(若被使 149832.doc •24· 201118433 用），從而留存光譜純度濾光器100，包含在光譜純度濾光 器1 00中之孔隙104與支撐框架〖〇8之間形成所要壁1 〇5之柵 格材料135。可藉由濕式化學蝕刻來移除蝕刻終止層13〇及 保濩層140(若被使用）。舉例而言，可使用hf來移除氮化 石夕（若被使用）。 應瞭解，可變化用於形成根據本發明之光譜純度濾光器 之私序的上述貫例’及/或可包括額外處理步驟。 舉例而言，如圖13所描繪，可以額外層15〇來塗佈光譜 純度濾光器1 00之至少一表面，額外層15〇經選擇成改良輻 射將入射之表面對第二類型之輻射（即，透射將被最小化 之輻射）的反射率。舉例而言，可施加薄金屬層15〇，以便 增加對紅外線輻射之反射率。 在一替代或額外變化中，柵格材料丨3 5可由金屬（例如， 鉬）或另一導電材料（例如，TiN)製成。在此情況下，孔隙 1 〇4之間的光譜純度濾光器i〇〇之壁i 〇5對諸如紅外線輻射 之輻射可為固有地反射的。在該情況下，可能沒有必要在 光。純度遽光器上形成額外反射層。理想地，材料經選擇 成具有接近於形成支撐框架1 08之矽之熱膨脹的熱膨脹。 若栅格材料為導電材料，則可藉由使用電錢程序沈積該 材料來填充溝渠13 5。為了執行此程序，可首先將電鍍基 底塗層施加至溝渠之基底。或者，基礎材料丨2〇可為高摻 雜矽，在該情況下，可能不使用電鍍基底塗層。 或者或另外，可藉由化學氣相沈積程序、物理氣相沈積 程序、濺鍍沈積程序或原子層沈積程序而以柵格材料13 5 149832.doc -25· 201118433 來填充溝渠125。 或者或另外’柵格材料135可經選擇成使得其抵抗用以 移除基礎材料120之蝕刻程序《在此情況下，可能不使用 蝕刻終止層130，且因此，可省略施加及移除蝕刻終止層 1 3 0之程序。同樣地’取決於所使用之其他程序，可能不 使用且可省略保護層140。 在一替代或額外變化中，代替自第二表面122移除基礎 材料120或除了自第二表面122移除基礎材料120以外，亦 可自基礎材料120之第一表面121移除基礎材料12〇，基礎 材料1 20經移除以曝光柵格材料丨3 5以形成孔隙丨〇4 ^舉例 而言，如圖9所示，在已移除過量柵格材料層136之後，可 移除經曝光蝕刻終止層13〇，即，在溝渠125之間及其周圍 的基礎材料120之第一表面121之部分上的塗層i30b。因 此’可曝光且隨後蝕刻以柵格材料135填充之溝渠125之間 的基礎材料120之第一表面121。舉例而言，可藉由電漿蝕 刻或轉由另一適當程序來移除蝕刻終止層丨3 〇之頂部表 面。同樣地’在以上實例（其中柵格材料1 3 5經選擇成使得 其抵抗用以移除基礎材料12〇之蝕刻程序）之情況下，應瞭 解’可自基礎材料12〇之第一表面m及第二表面122中之 一或兩者移除基礎材料12〇。 圖14洋細地描繪根據本發明之一實施例加以形成之光譜 純度渡光器1 〇〇之支撐框架的一部分。如所展示，除了形 成光譜純度濾光器之孔隙1〇4之間的壁1〇5的柵格材料135 之部分135a以外’柵格材料135之第二部分135b亦延伸進 149832.doc •26- 201118433 入形成支撐框架108之基礎材料120，即，對應於基礎材料 120之第二表面122之第二區域122b的基礎材料12〇。因 此，柵格材料135之第二部分135b將形成孔隙1〇4之間的壁 的柵格材料135之部分135a連接至支撐框架1〇8。 應瞭解，如圖14所描繪，在光譜純度濾光器之形成中已 使用蝕刻終止層13〇時（如上文所論述），蝕刻終止材料13〇 之層可保留於延伸進入支撐框架丨08的柵格材料之部分 135b與供以形成該支撐框架之基礎材料12〇之間的邊界 處。因此’蝕刻終止材料130可使基礎材料120與栅格材料 135分離。 應理解，可在微影製造程序中使用併有光譜純度濾光器 的圖1及圖2之裝置。此微影裝置可用於製造Ic、整合光學 系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、 液晶顯示器（LCD)、薄.膜磁頭，等等。應瞭解，在此等替 晶粒」之任何传用公丨盘承田 代應用之内容背景_，可認為本文中對術語

含有多個經處理層之基板。 的。因此，應瞭解， 以上描述意欲係說明性而非限制性 149832.doc -27- 201118433 可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對 如所描述之本發明進行修改。應瞭解，本發明之實施例可 用於任何類型之EUV源’包括（但不限於）放電產生電漿源 (DPP源）或雷射產生電漿源（LPP源）。然而，本發明之一實 施例可特別適於抑制來自一雷射源之輻射，該雷射源通常 形成一雷射產生電漿源之部分。此係因為此電漿源通常輸 出起因於雷射之二次輻射。 光譜純度濾光器可實務上位於輻射路徑中之任何地方。 在一實施例_，光譜純度濾光器位於自Euv輻射源接收含 EUV輻射且將EUV輻射傳送至適當下游Ευν輻射光學系統 之區域中，其中來自EUV輻射源之輻射經配置以在進入光 學系統之前傳遞通過光譜純度濾光器。在一實施例中，光 譜純度濾、光器處於EUV輻射源中。在一實施例中，光譜純 mu處於EUV微影裝置中’諸如處於照明系統中或處 於投影系統中。在一實施例中，光譜純度遽光器位於在電 漿之後但在收集器之前的輻射路徑中。 雖然上文已描述本發明之特^實施例，但應瞭解，可以 與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。 【圖式簡單說明】 圖1描續·根據本發明之 圖2描繪根據本發明之 圖3描繪根據本發明之 —實施例的微影裝置； —實施例的微影裝置之佈局； .—實施例的光譜純度濾光器之前

圖4描繪根據本發明之 149832.doc -28- 201118433 化之細節； 必，者氺 /, & #譜純度濾尤 圖5至圖13描繪根據本發明之一實施例的70 器之製造中之階段；及 圖1 4描繪根據本發明之光譜純度濾光器之部分之細節。 【主要元件符號說明】 5 輻射單元 7 7a 7b 7c 7d 8 9 9a 9b 10 11 12 13 14 16 17 18 19 輻射源/DPP源腔室 點火區域 燃料傳送系統 雷射光束產生器 收集器 收集器腔室 污染物捕捉器 污染物捕捉器配置 污染物捕捉器配置 輻射收集器 透射光譜純度濾光器 中間焦點/虛擬源點 正入射反射器 正入射反射器 輻射光束 經圖案化輻射光束 反射元件 反射元件 149832.doc •29- 201118433 20 21 100 102 104 105 106 108 120 121 121a 122 122a 122b 125 130 13 0 a 130b 135 135a 135b 136 140 150 NA圓盤 孔隙 光譜純度濾光器 濾光器部分 濾光器孔隙 濾光器孔隙之間的壁 側壁 支撐框架 基礎材料 第一主要表面 第一表面之第一區域 第二主要表面 第二表面之第一區域 第二表面之第二區域 溝渠 钮刻終止層 覆蓋層/塗層 塗層 栖格材料 柵格材料之部分 柵格材料之第二部分 橋格材料層 保護層 額外層/薄金屬層 149832.doc -30- 201118433 B 輻射光束 C 目標部分 HS 氫源 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統/照明器 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化器件/羌罩 MT 支撐結構/光罩台 0 光轴 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一*** PS 投影系統 PW 第二*** SO 輻射源 w 基板 WT 基板台 149832.doc -31 -

Claims (1)

1. 201118433 七、申請專利範圍： 1. 一種製造一光譜純度濾光器之方法’該光譜純度濾光器 包含複數個孔隙，該複數個孔隙經組態以透射極紫外線 輻射且抑制一第二類型之輻射的透射，該方法包含： 提供具有第一主要表面及第二主要表面之一基礎材 料； 以對應於待形成於該光譜純度濾光器之該等孔隙之間 的壁的一圖案在該基礎材料之該第一表面中形成溝渠； 以一柵格材料來填充該等溝渠以形成該柵格材料之 壁；及 選擇性地移除該基礎材料之至少—部分，直到該柵格 材料被曝光且在該柵格材料之該等壁之間形成用以形成 該等孔隙之空間為止。 2.如請求項丨之製造一光譜純度濾光器之方法，其進—步 包含： 在以該柵格材料來填充該等溝渠之前’以抵抗一蝕刻 程序之一材料層來塗佈該等溝渠之至少表面；及 使用該钮刻程序以用於該選擇性地移除該基礎材料之 至少一部分。 3·如請求項2之製造一光譜純度遽光器之方法，其進_ 包含使用不同於用以自該基礎材料之該第二表面選擇,1 地移除該基礎材料之部分之該第一㈣程序的n 刻程序，以在選擇性地移除該基礎材料之至少 該步驟之後移除抵抗該第-钱刻程序之該材料。刀 i49832.doc 201118433 4. 如凊求項1、2或3之製造一光譜純度濾光器之方法，其 中該以一柵格材料來填充該等溝渠包含：將該柵格材料 之層沈積於該基礎材料之該第一表面上，使得該栅格 材料進入該溝渠；及選擇性地蝕刻該基礎材料之該第_ 表面’使得柵格材料僅保留於該等溝渠内。 5. 如請求項1、2或3之製造一光譜純度濾光器之方法，其 中在已填充該等溝渠之後，在該基礎材料之該第一表面 上形成一保護覆蓋層。 6. 如請求項5之製造一光譜純度濾光器之方法，當依附請 求項3時，其中使用該使用該第二蝕刻程序來移除該保 護覆蓋層。 7. 如請求項1、2或3之製造一光譜純度濾光器之方法，其 中該基礎材料包含單晶矽’且該在該基礎材料之該第一 表面中形成該等溝渠包含反應性離子蝕刻。 8_如請求項2或3之製造一光譜純度濾光器之方法，其中用 以塗佈該等溝渠之該表面的該材料包含氧化矽，且其中 «玄選擇性地移除該基礎材料之至少一部分包含反應性離 子触刻。 9. 如明求項3之製造一光譜純度濾光器之方法，其中該第 二姓刻程序包含電漿蝕刻。 10. 如請求項丨、2或3之製造一光譜純度濾光器之方法，其 進步包含·在已形成該等孔隙之後，以對該第二類型 之幸田射反射之一材料來塗佈該柵格材料之至少一表面。 如明求項1、2或3之製造一光譜純度濾光器之方法，其 149832.doc 201118433 中： 形成於該基礎材料之第一表面中的該等溝渠包括對應 於待形成於該光譜純度濾光器之孔隙之間的該等壁的該 等溝渠，該等溝渠係在該基礎材料之該第一表面之一第 一區域中，且形成於該基礎材料之第一表面中的該等溝 渠包括延伸進入鄰近於該第一區域的該基礎材料之該第 一表面之一第二區域的溝渠；且 該選擇性地移除該基礎材料之至少一部分經組熊成使 得自對應於該第一表面之該第一區域的該基礎材料之該 第二表面之一區域移除該基礎材料，而非自對應於該第 一表面之該第二區域的該第二表面之一區域移除該基礎 材料。 12. 13. 一種光譜純度濾光器，其係根據前述請求項中任一項之 方法加以製造。 一種光譜純度滤光器，其包含： 複數個互連壁，其係在該光譜純度濾光器之一第一區 域内’該等壁界定通過該光譜純度慮光器之複數個孔 隙’該複數個孔隙經、组態以it射極紫外，線輻射且抑制一 第二類型之輻射的透射；及 -支撐框架，其係在鄰近於該第一區域的該光譜純度 滤光器之-第二區域中，該支擇框架經組態以支撑該等 壁； 其中供以形成該等互連壁之材料延伸進入該支撐框架 中之-或多個開口 ’以便在該支擇框架與該等互連壁： 149832.doc 201118433 間提供一機械連接。 I 14. 一種輻射源，其包含一如請求項12或13中任一項之光譜 純度濾光器。 15. —種微影裝置，其包含一如請求項12或13中任一項之光 譜純度濾光器。 149832.doc -4-