TW201111921A - Method for detecting work alignment mark and exposure apparatus using the same - Google Patents

Method for detecting work alignment mark and exposure apparatus using the same Download PDF

Info

Publication number
TW201111921A
TW201111921A TW099120446A TW99120446A TW201111921A TW 201111921 A TW201111921 A TW 201111921A TW 099120446 A TW099120446 A TW 099120446A TW 99120446 A TW99120446 A TW 99120446A TW 201111921 A TW201111921 A TW 201111921A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
mark
alignment
pattern
magnification
Prior art date
Application number
TW099120446A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Nagamori
Original Assignee
Ushio Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Electric Inc filed Critical Ushio Electric Inc
Publication of TW201111921A publication Critical patent/TW201111921A/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

201111921 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於檢測形成於屏蔽的屏蔽對準標誌,及形 成於工件的工件對準標誌兩者成爲事先設定的位置關係的 方式進行對位(對準)的對位方法的工件對準標誌的檢測 方法,及使用其工件對準標誌檢測方法的曝光裝置。尤其 是’關於適用於將形成於透明工件的透明圖案使用作爲工 件對準標誌的情形最適用的工件對準標誌的檢測方法,及 曝光裝置者。 【先前技術】 在藉由微影成像製造半導體元件、印刷基板、液晶基 板等的圖案的工程中,使用著曝光裝置。曝光裝置是將形 成圖案的屏蔽,及其圖案被轉印的工件對位於所定位置關 係,之後,經由屏蔽將含有曝光光的光照射在工件。藉此 ,屏蔽的圖案被轉印(曝光)於工件。 曝光裝置的屏蔽與工件的對位,一般是如下地進行。 藉由對準顯微鏡檢測形成於屏蔽的屏蔽對準標誌(以 下稱爲屏蔽標誌),及形成於工件的工件對準標誌(以下 稱爲工件標誌)。畫像處理所檢測的屏蔽標誌與工件標誌 的資料,求出各該位置座標,兩者的位置成爲事先所設定 的位置關係的方式’移動屏蔽或工件來進行。屏蔽與工件 是必須進行平面內的二方向(χ方向與γ方向)及旋轉方 向(θ方向)的對位。因此’屏蔽標誌與工件標誌是分別 -5- 201111921 形成兩部位以上。 在第5圖表示檢測工件標誌的對準顯微鏡1〇的槪略 構成。又,如上所述地,屏蔽標誌與工件標誌是分別形成 兩部位以上,因此對準顯微鏡10也因應於此而設置兩部 位以上,惟在同圖中,僅表示1個(1部位)。 對準顯微鏡1 〇是具備以3倍倍率檢測畫像的第1 CCD攝影機13,及以10倍倍率檢測畫像的第2 CCD攝影 機14,及透鏡L1〜L4,半反射鏡10a、l〇b、10c。1 1是 控制部,1 2是監測器,W是形成有工件標誌WAM的工件 〇 控制部11是處理以上述CCD攝影機13、14所受像 的畫像,求出屏蔽標誌MAM的位置資訊而加以記憶,又 ,求出工件標誌WAM的位置資訊,使得屏蔽標誌MAM 與工件標誌WAM的位置成爲一致的方式,來移動工件平 台WS。 監測器1 2是作業人員將屏蔽標誌Μ AM與工件標誌 WAM予以登錄記憶於控制部11之際所使用。又,作業人 員以目視也可確實依屏蔽標誌MAM與工件標誌WAM的 對位的狀況。 如第5圖所示地,作爲關於具備倍率不同的兩個檢測 器的對準顯微鏡的先前文獻,有專利文獻1。 以下,使用第5圖與第6圖,針對於利用對準顯微鏡 1 0來檢測工件標誌WAM的動作加以說明。 事先將欲檢測的工件標誌WAM的圖案像予以記憶( 201111921 登錄)於控制部11。欲登錄的工件標誌WAM的圖案像是 因應於對準顯微鏡10的倍率,登錄以3倍所檢測的圖案 像’又以1 0倍所檢測的圖案像的兩種類。 具體上’由以3倍倍率被映出於監測器1 2的工件W 的畫像,作業人員以目視找出工件標誌WAM,將其圖案 像登錄作爲以3倍倍率所檢測的圖案像。之後,由以i 〇 倍倍率被映出於監測器1 2的工件W的畫像,作業人員以 目視找出工件標誌WAM,將其圖案像登錄作爲以1 〇倍倍 率所檢測的圖案像。 又,當然的情形,在3倍倍率的視野是比在1 〇倍倍 率的視野還要廣。 實際上進行曝光處理的工件W,被搬運至工件平台 WS則在工件W的工件標誌WAM與其周邊部的領域(可 能存在著工件標誌的領域)R,被照射用以檢測工件標誌 WAM的照明光。該照明光是通過對準顯微鏡1 0的半反射 鏡l〇a被照射。 照射領域R的上述光,是在工件W的表面被反射, 入射於對準顯微鏡1〇,藉由半反射鏡l〇a被反射,通過透 鏡L1,而藉由半反射鏡l〇b被分岐。 在半反射鏡l〇b所分岐的光之內,一部分的光是通過 透鏡L2,入射於第1 CCD攝影機13。其結果,在第1 CCD攝影機13顯像有上述領域R的3倍畫像。 另一方面,在半反射鏡l2a所分岐的光之內,其他一 部分的光是通過透鏡L3,在半反射鏡1 0c被反射,而通 201111921 過透鏡L4,入射於第2 CCD攝影機14。其結果’在第2 CCD攝影機14顯像有上述領域R的10倍畫像。 如上述地,在第1 CCD攝影機13 '第2 CCD攝影機 14所顯像的領域R的畫像,是被傳送至控制部11。 控制部Π是首先從第1 CCD攝影機13所顯像的領域 R的3倍畫像之中,檢索一致於經登錄的3倍工件標誌 W AM的圖案像的圖案,亦即,檢索工件標誌WAM [參照 第6 ( a )圖]。 首先使用3倍畫像來檢索工件標誌WAM之理由,是 3倍畫像是視野廣濶之故,因而工件W利用搬運裝置被搬 運至工件平台上之際,即使產生些微偏位,也可進行工件 標誌WAM的檢索。 當以3倍畫像檢測出工件標誌WAM,則所檢測的工 件標誌WAM的位置,成爲對準顯微鏡1 〇的視野中心的方 式,控制部1 1是移動工件以(工件平台)[參照第6 ( b ) 圖]。 然後,控制部1 1是將對準顯微鏡1 0所顯像的領域R 的畫像,切換成第2 CCD攝影機1 4所顯像的1 0倍畫像。 畫像是成爲將領域R的中心部分擴大成1 0倍者[參照第6 (c )圖]。 如上述地,工件標誌WAM是移動至對準顯微鏡的視 野中心之故,因而實際上,工件標誌WAM與其周邊領域 被擴大。控制部1 1是從此1 0倍領域R的畫像中,檢索一 致於所登錄的I 0倍工件標誌WAM的圖案像的圖案,亦即 201111921 檢索工件標誌WAM。 當工件標誌WAM被檢測,則依據其1 〇倍工 WAM的位置資訊,進行著工件標誌WAM的對位。 又,針對於屏蔽標誌的檢測,例如表示於專利 等提案各種方法》 如此地,將對準顯微鏡10的倍率,從低倍率( 切換成高倍率(1〇倍)進行工件標誌WAM的檢測 以高精度進行對準(對位),對準顯微鏡的倍率是 倍率者,惟僅在高倍率,將工件搬進至工件平台之 運誤差,或是前一工程的形成工件標誌WAM時的 藉此,工件標誌從顯微鏡的視野偏離,無法進行對 形。 如此地,利用即使產生上述誤差也不會從視野 低倍率的廣泛視野’來進行所謂將工件標誌控制高 視野內的第1對準,及高倍率的第2對準的兩階段的彳 專利文獻1:日本特開2000-147795號公報 專利文獻2:日本特開平9-82615號公報 【發明內容】 如上述地,依對準顯微鏡的工件標誌的檢測, 顯微鏡的倍率而以兩階段進行。簡單地說,如第7 所示地’以低倍率(3倍)從工件標誌的領域找出 誌’而如第7 (b)圖所示地,以高倍率(1〇倍) 精度的對位者。 然而,工件標誌本來是以高倍率(10倍)被檢 件標誌 文獻2 3倍) 。爲了 必須高 際的搬 誤差, 準的情 偏離地 倍率的 討準。 是切換 (a )圖 工件標 進行高 測時, -9 - 201111921 形成著可進行高精度的對位者之故,因而在低倍率(3倍 ),工件標誌是看到較小,而作爲畫像的資訊量較少。 藉由此種情形,產生如下的缺點問題。 例如,在工件圖案上塗有較厚的照明光不容易通過的 光阻,或是圖案被形成於透明的玻璃基板上的透明電極的 圖案,而工件標誌WAM也與圖案同樣地透明的情形等, 在很難找出工件標誌WAM的情形,則作爲工件標誌WAM 的畫像的資訊量是會更少。 第8(a)圖是模式地表示圖案的對比低的畫像者,在 同圖中,以虛線表示不容易看到的圖案,而以同圖中的虛 線所包圍的十字形爲工件標誌WAM。 檢測工件標誌WAM是如上述地,從實際的晶圓的畫 像中,進行找出與記憶的圖案一致的圖案。在此,所記憶 的圖案與畫像中的圖案是否一致,爲控制部從兩者的畫像 資訊的一致度來判定》「例如,如與記憶於工件的畫像中 的圖案的畫像資訊有8 0%以上一致的圖案,將此檢測作爲 工件標誌」的方·式,設定於控制部。 若作爲工件的畫像的工件標誌WAM的畫像的資訊量 較少,即使在其畫像中有工件標誌WAM,與所記億的圖 案像無法得到例如80%以上的高的一致處,所以無法檢測 工件標誌WAM。 爲了避免此問題,例如「若一致度爲40%,檢測作爲 工件標誌j的方式,降低一致度的基準,如第8 ( b )圖所 示地,有將類似已登錄的工件標誌的圖案像的其他圖案( -10- 201111921 以问圖的虛線所包圍的圖案),誤檢測作爲工件標誌。 又’如第8 ( c )圖所示地’若產生於工件的傷痕或附 著的塵’碰巧與其下面的圖案重疊而成爲與工件標誌相似 的形狀(參照以同圖的虛線所包圍的部分),而也有將此 誤檢測作爲工件標誌。 作爲解決此些的問題的方法,考量增大工件標誌而增 加畫像的資訊量,惟作成如此,以高倍率(1 〇倍)檢測工 件標誌之際,有工件標誌不會進入顯微鏡的1 〇倍的視野 內,此種情形,無法進行工件標誌的檢測。 本發明是爲了解決上述缺點問題所創作者,利用對準 顯微鏡以低倍率找出工件標誌,而以高倍率檢測進行高精 度的對位的工件標誌時,即使形成於工件的圖案的畫像對 比低時,也不會誤檢測工件.標誌而可確實地檢測作爲目的 0 在本發明中,爲了解決上述課題,將低倍率時所檢測 的圖案’作成與高倍率時所檢測的工件標誌不相同者。控 制部作成可記憶著以低倍率所檢測的圖案與以高倍率所檢 測的圖案的兩種圖案。 在低倍率時所檢測的圖案是比工件標誌還要大,或是 對比高’低倍率也大,或是可清楚地可看到,亦即畫像資 訊多者’具特異性形狀,利用對於工件標誌其位置關係被 決定者。以下,將此圖案也稱爲探索標誌。 控制部是首先以低倍率找出對於工件標誌決定著位置 關係(例如,決定著互相的位置關係,或事先求出位置關 -11 - 201111921 係等)的比工件標誌還要大或對比高又資訊量大 探索標誌)。之後’將顯微鏡的倍率切換成高倍 照上述的位置關係,將工件移動至工件標誌進入 視野內的位置。然後’以高倍率檢測出工件標誌 亦即’在本發明中,作成以下地來解決上述 (1) 對準顯微鏡是可切換成第1倍率,及比第 要高的倍率的第2倍率,利用該對準顯微鏡的上 準標誌的檢測是藉由:以第1倍率檢測形成於上 的探索標誌的工程’及對於被檢測的探索標誌的 所定的相對位置的工件對準標誌爲進入上述第2 準顯微鏡的視野的方式移動工件平台的工程;及, 率檢測工件對準標誌的工程來實施。 (2) 在上述(1)中,上述工件上的上述探索 案的大小,是作成比工件上的上述工件對準標誌 大小還要大者》 (3) 在上述(1) 、(2)中,形成上述工件上 索標誌者的材質,是作成與形成該工件上的工件 者的材質不相同者。 (4) 在上述(3 )中,工件是對於可視光透明 上述探索標誌是形成於上述透明的工件上的不透 ,上述工件對準標誌是形成於上述透明的工件上 圖案。 (5) —種曝光裝置,是具備:出射曝光光的光 及形成有圖案的屏蔽,及保持該屏蔽的屏蔽平台 的圖案( 率時,依 顯微鏡的 的位置。 課題。 1倍率還 述工件對 述工件上 位置位於 倍率的對 以第2倍 標誌的圖 的圖案的 的上述探 對準標誌 的工件, 明的圖案 的透明的 照射部, ,及經由 -12- 201111921 上述屏蔽照射著來自上述光照射部的曝光光的 持工件的工件平台,及檢測形成於上述屏蔽的 誌與形成於上述工件的工件對準標誌的對準顯 據利用該對準顯微鏡所檢測的屏蔽對準標誌與 誌的位置資訊來進行屏蔽與工件的對位的控制 置,其特徵爲:上述對準顯微鏡是可切換成第 比第1倍率還要高倍率的第2倍率,在控制部 形成於工件上的探索標誌的圖案,與工件對準 的記憶部,及藉由對照利用上述對準顯微鏡所 工件上的探索標誌及工件對準標誌的圖案,與 述記憶部的探索標誌及工件對準標誌的圖案, 的探索標誌及工件對準標誌的畫像處理部。 上述控制部是將上述對準顯微鏡切換成第 測形成於上述工件上的探索標誌,對於上述被 標誌的位置位於所定的相對位置的工件對準標 述第2倍率的對準顯微鏡的視野的方式移動工 上述對準顯微鏡切換成第2倍率,而以第2倍 工件對準標誌。 在此,在本發明中,上述檢測是指找出工 ,俾求出其位置座標。 在本發明中,可得到以下的效果。 (1 )作爲在低倍率時所檢測的圖案,是 於工件標誌(工件對準標誌)知道位置關係的 或對比高的圖案。即使在低倍率也可看到大或 工件,及保 屏蔽對準標 微鏡,及依 工件對準標 部的曝光裝 1倍率,及 設置:記憶 標誌的圖案 觀察的上述 被記憶於上 檢測工件上 1倍率,檢 檢測的探索 誌爲進入上 件平台,將 率檢測上述 件對準標誌 使用即使對 低倍率也大 清楚的圖案 -13- 201111921 之故’因而畫像的資訊量變多,而在所記憶的圖案與畫像 中的圖案之間可得到高一致度,而不會有誤檢測地可確實 地檢測其圖案。 又’其圖案是對於工件標誌知道位置關係之故,因而 切換成高倍率時,可將工件移動至工件標誌進入顯微鏡的 視野內的位置,而以高倍率可檢測工件標誌的位置。作成 高倍率’則工件標誌是看到較大之故,因而對比稍微降低 ’也與低倍率時相比較可增加作爲畫像的資訊量。 所以,確實地檢測工件標誌而可開始對位,即使形成 於工件的圖案的畫像的對比低時,也不會有誤檢測而可確 實地檢測工件標誌。 (2 )將上述探索標誌的圖案大小,作成比工件上的 上述工件標誌的圖案大小還要大,又,將形成探索標誌者 的材質,作成與形成該工件上的工件標誌者的材質不相同 者,即使工件標誌不容易找出時,可確實地檢測探索標誌 ,工件標誌進入顯微鏡的視野內的方式可移動工件。 (3 )工件對於可視光爲透明的工件,工件標誌是形 成於上述透明的工件上的透明圖案時,將上述探索標誌作 成形成於上述透明工件上的不透明的圖案。即使工件標誌 形成於透明的基板上的透明圖案’也可確實地檢測探索標 誌。 【實施方式】 第1圖是表示本發明的一適用對象的投影曝光裝置的 -14- 201111921 構成的圖式。 在同圖中,MS是屏蔽平台。在屏蔽平台MS,放置著 屏蔽標誌MAM與屏蔽圖案MP所形成的屏蔽Μ而被保持 〇 從光照射裝置1出射曝光光。出射的曝光光是經由屏 蔽Μ,投影透鏡2,被照射在載置於工件平台WS上的工 件W上,使得屏蔽圖案ΜΡ被投影並被曝光於工件W上 〇 在投影透鏡2與工件W之間,有朝同圖的箭號方向 可移動的對準顯微鏡1〇設於兩部位。將屏蔽圖案ΜΡ曝 光工件W上之前,將對準顯微鏡10***於圖示的位置, 檢測屏蔽標誌ΜΑΜ與形成於工件的工件標誌WAM,來進 行屏蔽Μ與工件W的對位。 對位之後,對準顯微鏡1〇是從工件W上避開。在第 1圖中,僅表示設於兩部位內的其中一方的對準顯微鏡。 如上述地,對準顯微鏡1〇是由半反射鏡l〇a、10b, 透鏡L1〜L4,反射鏡l〇c,及3倍CCD攝影機13,10倍 CCD攝影機14所構成。 在第1圖中,屏蔽Μ與工件W的對位,是如下地進 行。 光照射裝置1或是將照射光從未圖示的對準光源照射 於屏蔽Μ,藉由對準顯微鏡10的CCD攝影機13、14顯 像屏蔽標誌Μ AM像,而送至控制部1 1。控制部1 1的畫 像處理部1 1 a是將上述屏蔽標誌MAM像變換成位置座標 -15- 201111921 而被記憶在記憶部1 1 b。又,針對於屏蔽標誌的檢測方法 ,請參照例如專利文獻2等。 之後,將照明光照射在工件W,檢測工件W上的工 件標誌WAM,而控制部U是求出其位置座標。 控制部1 1是所記憶的屏蔽標誌MAM的位置座標,及 所檢測的工件標誌WAM的位置座標成爲所定的位置關係 的方式,移動工件平台WS(或是屏蔽平台MS或其雙方 ),進行屏蔽Μ與工件W的對位。 在上述的曝光裝置中,針對於工件標誌的檢測順序, 使用第1圖與第2圖具體地加以說明》 第2圖是利用對準顯微鏡1〇映出於監測器12的畫像 的一例子。第2(a)圖是以3倍映出的畫像,而第2(b )圖是以1 0倍映出時的畫像。 首先’將以低倍率(3倍)所檢測的圖案,及以高倍 率(1 〇倍)所檢測的圖案亦即工件標誌W A Μ,登錄記憶 於控制部1 1的記憶部1 1 b。該登錄是如下述地,作業人員 以目視進行。 將實際的工件W放在工件平台WS上,而將對準顯微 鏡10的倍率作成3倍,而將工件w的表面[參照第2 ( a )圖]映出於監測器1 2上。 作業人員是看到所映出的工件W的畫像,從X件標 誌(同圖的十字形)找出位於所定的位置關係的較大(大 約4〇Ομπι〜5〇Ομιη),形成特異性形狀的圖案[在第2(a )圖中以虛線所包圍的圖案’亦即探索標誌],作爲以低 -16- 201111921 倍率(3倍)所檢測的圖案(第1圖案P1 ),登錄記憶於 記憶部1 1 b。 又’在第2(a)圖中,工件標誌等的圖案清楚地記載 ’惟如上述地作爲工件標誌的畫像的資訊量較少,而在低 倍率(3倍)中,作爲畫像的圖案幾乎看不到的情形較多 。另一方面,以低倍率所檢測的圖案P 1 (探索標誌), 是比工件標誌還要大,又對比高,且作爲畫像的資訊量比 工件標誌還要多,而較清楚地看到。 之後,將對準顯微鏡1 〇的倍率作爲1 0倍,而將工件 W的表面[第2(b)圖]映出於監測器12上。 作業人員是看到所映出的工件W的畫像,找出使用 於與屏蔽標誌MAM的對位的工件標誌WAM。工件標誌 WAM的大小是ΙΟΟμιη〜150μπι。若看到工件標誌WAM[以 第2(b)圖的虛線所包圍的十字標誌],作爲以高倍率( 1 〇倍)所檢測的圖案(第2圖案Ρ2 )登錄記憶於記憶部 1 1 b ° 又,在記憶部1 1 b,輸入有表示以低倍率所檢測的圖 案P 1與以高倍率所檢測的工件標誌WAM的位置關係的資 料,亦即,輸入有圖案P1與工件標誌W AM的XY方向的 距離(xl,yi )。 又,在第2(b)圖中,工件標誌W AM的圖案較清楚 地被記載,惟工件標誌WAM是如上述地作爲畫像的資訊 量是較少,而成爲將倍率作爲10倍就可找出。 又,爲了實際上進行屏蔽與工件的對位,檢測工件標 -17- 201111921 誌之際,成爲如下的動作順序。也使用第3圖進行說明。 在第1圖中’進行曝光的工件W,藉由未圖示的工件 搬運機構被搬運至工件平台WS上。 對準顯微鏡1 0被***在工件W上。控制部1 1是將 對準顯微鏡1 0的倍率設定在3倍。在控制部1 1,從3倍 CCD攝影機1 3輸入有工件W的表面的畫像資訊。控制部 1 1是利用畫像處理部1 1 a進行畫像處理所輸入的畫像資訊 。在監測器12映出者如第2(a)圖所示的工件W的表面 畫像。 控制部11是從記憶部1 1 b的第1記憶部叫出第1圖 案P1,將與該第1圖案P1 —致的圖案Pwl (探索標誌) ,從3倍畫像中找出。圖案Pw丨是即使爲3倍倍率作爲充 分大的畫像的資訊量也多之故,因而以高一致度就可檢測 〇 控制部1 1是演算所檢測的圖案Pwl的位置座標(X2, y2 )。亦即,如第3 ( a )圖所示地,以3倍畫面的視野的 畫面中心作爲原點,求出所檢測的圖案P w 1的位置座標( X 1,y 1 )。 在此,工件標誌WAM與上述圖案Pwl的XY方向的 距離是如同圖所示地作成X 1,y 1。 控制部1 1是以對準顯微鏡1 〇的倍率切換成1 〇倍。 與其同時地,以1 0倍所映出的畫像中有工件標誌WAM的 方式’利用工件平台移動機構4來移動工件平台WS。 工件平台WS的移動距離是依據以上述的3倍所檢測 -18- 201111921 的圖案Pwl的位置座標(x2,y2),及從上述所記憶的圖 案Pwl —直到工件標誌Wam爲止的XY方向的距離(xl, y 1 )進行演算。亦即,如第3 ( b )圖所示地,朝X γ方向 (xl+x2,yl+y2 )移動工件平台WS。藉此,工件標誌 WAM成爲位於1 〇倍畫面的視野的大約中心。 在控制部1 1,從10倍CCD攝影機14輸入有工件w 表面的畫像資訊’控制部1 1是利用畫像處理部丨i a進行 畫像處理所輸入的畫像資訊。在監測器1 2,映出著如第2 (b)圖所示的工件W表面的畫像。 控制部11是從記憶部lib的第2記憶部叫出第2圖 案P2,而從10倍畫像中檢測出與此圖案P2 —致的圖案 。亦即,找出工件標誌WAM,進行演算其位置座標。 又’依據被演算的工件標誌W A Μ的位置座標,及所 記億的屏蔽標誌ΜΑΜ的位置座標,進行屏蔽μ與工件W 的對位。 第4圖是表示藉由對準顯微鏡檢測形成於透明的玻璃 基板上的透明電極時的一例子的圖式。 在同圖(a) (b) (〇中,左列是藉由對準顯微鏡 1 〇所檢測的畫像,而右列是表示其畫像的對比的圖表。右 列的對比圖表是表示沿著左列的畫像中的虛線A的線的對 比。 又,第4圖的左列是模式地表示畫像者,而在左列的 畫像中以虛線表示的圖案,是表示對比低且不容易看到的 圖案者。 -19- 201111921 第4 ( a )圖是表示以3倍倍率檢測利用ITO (氧化銦 錫)膜形成於玻璃基板上的透明電極的圖案的畫像,及其 對比的圖表。 在玻璃基板上形成有電極的圖案,惟以該倍率作爲畫 像幾乎無法知道有無圖案。又,對比也如第4(a)圖的右 邊的圖表所示地爲噪聲位準,無法檢測圖案。 在形成透明電極的玻璃基板的周邊部,利用金屬膜形 成有不透明的圖案,第4(b)圖是表示以3倍倍率檢測其 金屬的圖案的畫像,及其對比的圖表。 如此地’若爲金屬的不透明圖案,則作爲畫像可清楚 地確認圖案的存在,而即使在表示右邊的對比的圖表,也 如圖中的箭號所示地明確地出現對比的不相同。如此地, 若對比高,則可確實地檢測圖案。 第4 ( c )圖是表示以1 〇倍倍率檢測透明電極的畫像 ,及其對比的圖表。 即使在畫像未能清楚地確認時,當看到表示右邊的對 比的圖表,則如同圖的箭號所示地,在對比上可檢測出些 微的相差,若在此位準,而在此位置可檢測存在著圖案的 情形。亦即,若爲1 〇倍倍率,即使透明也可檢測出圖案 〇 因此,將以金屬形成於基板周邊部的不透明的圖案作 爲以低倍率(3倍)所檢測的第1圖案,又,將利用ΙΤΟ 膜所形成的透明電極的圖案以高倍率(1 0倍)所檢測的工 件標誌,若事先求出兩者的位置關係,則即使工件標誌爲 -20- 201111921 透明電極也可檢測該工件標誌,而可進行屏蔽與工件的對 位。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的適用對象的一投影曝光裝置的 構成例的圖式。 第2(a)圖及第2(b)圖是表示利用對準顯微鏡1〇 映出於監測器1 2的畫像的一例子的圖式。 第3(a)圖及第3(b)圖是說明工件標誌WAM進入 畫像中的方式移動工件平台WS時的移動量的圖式。 第4(a)圖至第4(c)圖是表示利用對準顯微鏡來 檢測形成於透明的玻璃基板上的透明電極時的一例子的圖 第5圖是表示檢測工件標誌的對準顯微鏡的槪略構成 的圖式。 第6(a)圖至第6(c)圖是說明切換對準顯微鏡的 倍率而檢測工件標誌的順序的圖式。 第7 ( a)圖及第7 ( b )圖是表示以3倍倍率所檢測 的工件標誌像與以1 0倍倍率所檢測時的工件標誌像的一 例的圖式。 第8(a)圖至第8(e)圖是說明以低倍率的對準顯 微鏡檢測工件標誌時的不方便的圖式。 【主要元件符號說明】 -21 - 201111921 1 :光照射裝置 2 :投影透鏡 3 :屏蔽平台驅動機構 4:工件平台驅動機構 1 0 :對準顯微鏡 10a、10b :半反射鏡 1 0 c :反射鏡 1 1 :控制部 1 1 a :畫像處理部 1 1 b :記憶部 1 2 :監測器 13 : CCD攝影機(3倍) 14 : CCD攝影機(10倍) LI、L2、L3、L4 :透鏡 Μ :屏蔽 Μ AM :屏蔽對準標誌(屏蔽標誌) M S :屏蔽平台 ΜΡ :屏蔽圖案 W :工件 WAM :工件對準標誌(工件標誌) W S :工件平台 -22 -

Claims (1)

  1. 201111921 七、申請專利範圍: 1·—種工件對準標誌的檢測方法, 利用對準顯微鏡檢測形成於屏蔽的屏蔽對準標誌,及 形成於工件的工件對準標誌, 依據該檢測的屏蔽對準標誌與工件對準標誌,進行屏 蔽與工件的對位的屏蔽與工件的對位方法的工件對準標誌 的檢測方法,其特徵爲: 上述對準顯微鏡是可切換成第1倍率,及比第丨倍率 還要高的倍率的第2倍率,利用該對準顯微鏡的上述工件 對準標誌的檢測是包括: 以第1倍率檢測形成於上述工件上的探索標誌的工程 ,及 對於上述被檢測的探索標誌的位置位於所定的相對位 置的工件對準標誌爲進入上述第2倍率的對準顯微鏡的視 野的方式移動工件平台的工程;及 以第2倍率檢測上述工件對準標誌的工程。 2.如申請專利範圍第1項所述的工件對準標誌的檢 測方法,其中, 上述工件上的上述探索標誌的圖案的大小,是比該工 件上的上述工件對準標誌的圖案的大小還要大。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所述的工件對準 標誌的檢測方法,其中, 形成上述工件上的上述探索標誌者的材質,是與形成 該工件上的工件對準標誌者的材質不相同。 -23- 201111921 4.如申請專利範圍第3項所述的工件對準標誌的檢 測方法,其中, 上述工件是對於可視光透明的工件, 上述探索標誌是形成於上述透明的工件上的不透明的 圖案’上述工件對準標誌是形成於上述透明的工件上的透 明的圖案。 5- 一種曝光裝置,是具備: 出射曝光光的光照射部,及形成有圖案的屏蔽,及保 持該屏蔽的屏蔽平台,及經由上述屏蔽照射著來自上述光 照射部的曝光光的工件,及保持工件的工件平台,及檢測 形成於上述屏蔽的屏蔽對準標誌與形成於上述工件的工件 對準標誌的對準顯微鏡,及依據利用該對準顯微鏡所檢測 的屏蔽對準標誌與工件對準標誌的位置資訊來進行屏蔽與 工件的對位的控制部的曝光裝置,其特徵爲: 上述對準顯微鏡是可切換成第1倍率,及比第1倍率 還要高倍率的第2倍率, 上述控制部是具備: 記憶形成於工件上的探索標誌的圖案,與工件對準標 誌的圖案的記憶部,及 藉由對照利用上述對準顯微鏡所觀察的上述工件上的 探索標誌及工件對準標誌的圖案,與被記億於上述記憶部 的探索標誌及工件對準標誌的圖案,檢測工件上的探索標 誌及工件對準標誌的畫像處理部, 上述控制部是將上述對準顯微鏡切換成第1倍率,檢 -24- 201111921 測形成 對 置的工 野的方 將 測上述 於上述工件上的探索標誌, 於上述被檢測的探索標誌的位置位於所定的相對位 件對準標誌爲進入上述第2倍率的對準顯微鏡的視 式移動工件平台, 上述對準顯微鏡切換成第2倍率,而以第2倍率檢 工件對準標誌。 -25-
TW099120446A 2009-09-17 2010-06-23 Method for detecting work alignment mark and exposure apparatus using the same TW201111921A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009215305A JP2011066185A (ja) 2009-09-17 2009-09-17 ワークアライメントマークの検出方法および露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201111921A true TW201111921A (en) 2011-04-01

Family

ID=43780018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099120446A TW201111921A (en) 2009-09-17 2010-06-23 Method for detecting work alignment mark and exposure apparatus using the same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110075123A1 (zh)
JP (1) JP2011066185A (zh)
KR (1) KR20110030293A (zh)
CN (1) CN102023493A (zh)
TW (1) TW201111921A (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5556774B2 (ja) * 2011-09-16 2014-07-23 ウシオ電機株式会社 露光装置
CN103034071B (zh) * 2012-12-13 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光机对位方法及控制设备
DE102013211403B4 (de) * 2013-06-18 2020-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum automatisierten Bestimmen eines Referenzpunktes einer Ausrichtungsmarkierung auf einem Substrat einer photolithographischen Maske
JP6541328B2 (ja) * 2013-11-26 2019-07-10 キヤノン株式会社 検出装置、インプリント装置、および物品の製造方法
JP6935168B2 (ja) * 2016-02-12 2021-09-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP6333871B2 (ja) * 2016-02-25 2018-05-30 ファナック株式会社 入力画像から検出した対象物を表示する画像処理装置
CN109146865B (zh) * 2018-08-22 2020-05-05 成都新西旺自动化科技有限公司 一种视觉对位检测图源生成***
CN109116685B (zh) * 2018-09-14 2020-11-20 重庆惠科金渝光电科技有限公司 一种曝光方法及其曝光装置
CN110232867B (zh) * 2019-05-13 2022-01-04 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板的母板曝光结构
CN110058497B (zh) * 2019-05-20 2020-06-23 中国科学院光电技术研究所 一种基于样片的非接触中心对准方法
JP7310617B2 (ja) 2020-01-22 2023-07-19 ウシオ電機株式会社 アライメントマーク検出装置およびアライメントマーク検出方法
CN115150561B (zh) * 2022-05-23 2023-10-31 中国人民解放军国防科技大学 一种高动态成像***和方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63131010A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Canon Inc 位置合せ方法
JP2994991B2 (ja) * 1995-09-19 1999-12-27 ウシオ電機株式会社 マスクとワークの位置合わせ方法および装置
JPH09134859A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Sanee Giken Kk 露光における位置合わせ方法および装置
JP2000147795A (ja) * 1998-11-11 2000-05-26 Ushio Inc アライメント顕微鏡
JP2004158741A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Canon Inc 位置合わせ装置
JP2004281983A (ja) * 2003-03-19 2004-10-07 Toray Ind Inc 位置決め装置および位置決め方法並びに塗布装置および塗布方法
JP4332891B2 (ja) * 2003-08-12 2009-09-16 株式会社ニコン 位置検出装置、位置検出方法、及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102023493A (zh) 2011-04-20
JP2011066185A (ja) 2011-03-31
US20110075123A1 (en) 2011-03-31
KR20110030293A (ko) 2011-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201111921A (en) Method for detecting work alignment mark and exposure apparatus using the same
JP3224041B2 (ja) 露光方法及び装置
TWI478271B (zh) Substrate bonding device and substrate bonding method
EP3258319B1 (en) Pattern forming apparatus, method for disposing substrate, and method for manufacturing article
TWI442193B (zh) Exposure device
WO2003028089A1 (fr) Systeme de controle de tranches en semiconducteur
US5640243A (en) Position detection method
JP4289961B2 (ja) 位置決め装置
JP2000147795A (ja) アライメント顕微鏡
KR100597026B1 (ko) 패턴검출방법 및 패턴검출장치
JPH08167571A (ja) 位置検出装置及び位置合せ装置
JP2003294419A (ja) 微小寸法測定装置
JP6718281B2 (ja) 基板の位置決め方法および基板の位置決め装置
JP2007115829A (ja) マスク搬送装置、マスク搬送方法、及び露光方法
JP2010283157A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
TW202200963A (zh) 加工裝置
KR20040104960A (ko) 위치검출용 마크, 마크식별방법, 위치검출방법, 노광방법,및 위치정보 검출방법
JP3254704B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP2004108957A (ja) 基板検査装置
TWI247971B (en) Exposure device
JP2013247325A (ja) 露光装置及びその制御方法
JP2005129786A (ja) 露光装置
JP2014175330A (ja) 基板のアライメント方法
JP2003014438A (ja) 基板検査装置および基板検査方法
JPS62267810A (ja) ステージ位置決め方法