TW201038533A - Materials for organic electroluminescent devices - Google Patents
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Description
201038533 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明描述包含雜芳族橋聯原子之茚並莽衍生物,其 作爲具有發光和電洞傳輸性質之材料的新穎種類,特別是 用於電發光裝置之發光及/或電荷傳輸層。本發明此外係 有關一種用於製備根據本發明化合物之方法及有關包含彼 等之電子裝置。 Ο 【先前技術】 有機電發光裝置之一般結構係描述於例如 US 453 9507、US 5 1 5 1 629、EP 067646 1 及 WO 98/27 1 36 中。然而,仍有需要改良這些裝置: 1 ·效率仍然是低的,特別是在螢光Ο L E D的情況中 ,且應被改良。 2. 操作壽命時常仍然是短的,特別是在藍色發光之 Q 情形中,且結果在此仍需要改良。 3. 操作電壓相當高,在螢光的情況中和在磷光 Ο LED的情況中均是。操作電壓減少導致功率之改良。此 具有重大意義,特別是針對移動應用。 4. 在根據先前技術之電洞傳輸材料的情況中,電壓 依賴於電洞傳輸層之層厚度。事實上,爲了改良光學偶合 輸出和生產良率,時常會希望電洞傳輸層之層厚度較厚。 然而,此不能夠使用根據先前技術之材料達成,因爲電壓 相應增加。因此在此持續需要改良。 -5- 201038533 5 · -些根據先前技術之材料(特別是電洞傳輸材料 )有在氣相沉積法期間於氣相沉積源之邊緣結晶且因此阻 塞氣相沉積源之問題。因此可被良好操作處理之材料是大 量生產中所想要的。 茚並弗胺類由於非常好的電洞移動能力而用作電荷傳 輸及-注入材料。此類材料顯示比較低的電壓對傳輸層厚 度的依賴性。EP 1860097、WO 2006/100896、 DE 102006025846、WO 2006/122630 和 WO 2008/006449 揭示用於電子裝置中之茚並莽二胺類。其中引述當用作電 洞傳輸材料或用作深藍色發光體時具有良好壽命。然而, 這些化合物由於材料之結晶性而具有問題:它們以大量生 產時在氣相沉積期間顯示有問題的特性,因爲該等材料在 氣相沉積期間於氣相沉積源上結晶且因此阻塞氣相沉積源 。因此將這些材料使用於製備中係伴隨著增加技術複雜性 。因此在此仍需要進—步的改良。 持續需要(特別是)改良之發光化合物,特別是藍色 發光化合物’其在有機電發光裝置中導致良好效率且同時 導致長尋命及其在工業中可***作處理而沒有問題。此同 樣地適用於電荷傳輸和-注入化合物及適用於螢光或磷光 化合物用之基質材料。特別地’有需要材料結晶性上的改 良。 【發明內容】 本發明之目的因此在於該等化合物之提供。 -6 - 201038533 令人驚訝地’頃發現使用精確地包含一雜芳族橋聯原 子的茚並莽衍生物之電發光裝置具有超越先前技術之顯著 改良,特別是當用作主體材料中的藍色-發光摻雜劑或用 作電洞傳輸化合物時。當用作電洞傳輸化合物,在二橋聯 之一中將碳原子以雜原子取代能夠減少結晶性且因此達成 改良之加工性。此外,發生:由於介面形態(interfacial morphology)改變而較使操作電壓降低,和可能由於改良 之電洞移動性而使電壓對傳輸層厚度之依賴性降低。當用 作深藍色摻雜劑時,雜芳族橋聯原子之引入導致較長壽命 和改良之效率。 爲此,本發明提供一種通式I或Π之化合物 R1 R1
式I
A
式II Ο 其中
A對應於通式III
且其中該連接至通式I或II之化合物經由γ發生; Υ在每種情況下彼此獨立爲N、P、P = 〇、B、c = 〇、〇、s 、s = o 或 so2 ; 201038533 z在每種情況下彼此獨立爲CR或N; X在每種情況下彼此獨立地爲選自 B(R”、C = 0、 € = S、S = 0' S02 和 WR1)之二價橋聯; R在每種情況下彼此獨立爲 H、D、F、Cl、Br、I、 N(Ar)2 、N(R2)2、C (= O) Ar、P (= Ο ) Ar 2 、 S (= Ο ) Ar、 S( = 0)2Ar ' CR2 = CR2Ar、CN、N02、S i (R2 ) 3、B (O R 2 ) 2、 0S02R2、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烯基、炔基 、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環 狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基,其各可經一個 或更多基團R2取代,其中一個或更多非相鄰CH2基團可 經 R2C = CR2、C 三 C、Si(R2)2、Ge(R2h、Sn(R2)2、C = 0、 C = S、C = Se、C = NR2、P (= O) (R2)、S O、S Ο 2、N R2、O、S 或-CON R2替換及其中一個或更多H原子可經D、F、Cl、 Br、I、CN或N02替換,或具有5至40個芳族環原子之 芳族或雜芳族環系統,其在每種情況下可經一個或更多基 團R2取代,或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳 氧基,其可經一個或更多基團R2取代,或這些系統之組 合;其中,除此之外,二個或更多取代基R也可彼此形成 單-或多環脂族環系統; R1在每種情況下彼此獨立爲Η、D、F、C1、B r、I、C N、 N〇2、N(R2h、B(OR2)2、Si(R2)2、具有 1 至 40 個 C 原子 之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至 40個C原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或 硫烷氧基,其各可經一個或更多基團R2取代,其中一個 8 - 201038533 或更多非相鄰ch2基團可經-R2C = CR2-、-C Ξ c-、 、Ge(R2)2、Sn(R2)2、c = 0、C = s、C = Se、C = NR2、 -s-、-COO-或-CONR2-替換及其中一個或更多H原 D、F、Cl、Br、I、CN或N02替換,或芳胺類或 之咔唑類,其各可經一個或更基團R2取代,或具 4〇個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其可經 更多非芳族R2取代,或具有5至40個芳族環原子 0 基或雜芳氧基,其可經一個或更多非芳族基團R2 或這些系統之組合,其中,除此之外,二個或更多 R1此也可彼此形成單-或多環之環系統; R2在每種情況下彼此獨立爲Η、D或具有1至20 子之脂族或芳族烴基;
Ar在每種情況下彼此獨立爲具有5至40個芳族環 芳族或雜芳族環系統,其可經一個或更多基團R1耳 E在每種情況下彼此獨立爲單鍵、N (R1 )、0、S、 ❹ 、SKR1:^ 或 B(R'); q = 1’如果基團Y的對應中央原子爲選自第3或 的元素,或 =〇’如果基團Y的對應中央原子爲! 或6主族的元素; t在每種情況下彼此獨立爲0或1,其先決條件爲 =0則t = 0 ’和其中t = 0表示基團R1被鍵結而 團E ; V在每種情況下彼此獨立爲0或1,其先決條件爲 之總數大於或等於一,其中V = 0表示基團R被
Si(R2)2 -〇·、 .子可經 •經取代 有5至 一個或 •之芳氧 取代, 取代基 個C原 原子之 5代; c(r】)2 5主族 I自第4 如果 q 不是基 v和w 鍵結而 -9 - 201038533 不是基團A ; w在每種情況下彼此獨立爲〇或1,其先決條件爲v和w 之總數大於或等於一,其中w = 〇表示基團R被鍵結而不 是基團A。 在本發明一體系中,在通式I或Π之化合物中基團Y 在每種情況下較佳爲N或C = 〇。 X此外較佳係選自N ( R 1 )或s,其中R 1具有如上所指 不之意義。 在本發明另一體系中,基團Z在每種情況下較佳彼此 獨立地爲CR。基團R在此較佳具有如上所指示之意義。 在本發明另一體系中,在通式I或II之化合物中Ar 較佳爲苯基、萘基、具有5_15個碳原子之經取代之芳族 或雜芳族環系統或經芳胺或咔唑取代之芳族或雜芳族環系 統。 在本發明另一體系中’E不存在’也就是t = 〇,或 E爲單鍵或C^R1)2’其中R1具有如上所指示之意義。 此外下列較佳適用於通式I或11之化合物:V = w = 1 或 v = 0 和 w=l 或 v=l 和 w = 〇。 在本發明另一體系中’化合物係選自式13或IIa:
其中符號和標記具有如上所指示之意義。X特佳等於S或 -10- 201038533 T^R1)。 此外通式I或11化之合物較佳符合下列結構式1至 7 2 ··
-11 - 201038533 13 14 15 16 f) Qr^O^P^ 17 18 0 Q _ JX P o ^ 19 20 Q ^ /1. Ο §♦ 21 22 H ! 23 24 K 9 25 26
-12- 201038533
27 28 0 ^ 9 29 30 §1^8 31 32 9 33 34 gt§ 35 36 §^δ 9 37 38 -13- 201038533 u σχ P 39 40 1 41 42 卜 9 /、 9 43 44 9 45 46 47 48 49 50 -14- 201038533
-15- 201038533 Q _ Ο ό h _ _ d 65 66 67 68 ό 69 70 ό x ό 71 72 爲了本發明,具有1至40個c原子之院基基團(其 中’除此之外,個別Η原子或CH2基也可經上述基團取 代)較佳表示基團甲基、乙基、正丙基、異-丙基、正丁 基、異-丁基、第二-丁基、第三-丁基、2-甲基丁基、正戊 基、第二-戊基、環戊基、正己基、環己基、正庚基、環 庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙 基、2,2,2-三氟乙基。爲了本發明,烯基基團特別地表示 乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基 '己烯基、 環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基。爲了 本發明’炔基基團特別地表示乙炔基、丙炔基、丁炔基、 -16- 201038533 戊炔基、己炔基或辛炔基。Ci-至C40-烷氧基基團特佳表 示甲氧基 '三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異-丙氧基 、正丁氧基、異-丁氧基、第二-丁氧基、第三-丁氧基或 2_甲基丁氧基。 爲了本發明,芳基基團佳較包含5至40個C原子; 爲了本發明,雜芳基基團包含2至40個C原子和至少一 種雜原子,其先決條件爲C原子和雜原子之總和爲至少5 。雜原子較佳係選自N、〇及/或S。芳基基團或雜方基 基團在此表示簡單芳族環,也就是苯,或簡單雜芳族環’ 例如吡啶、嘧啶、噻吩、等等、或縮合芳基或雜芳基基團 ,例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉、苯並噻吩、苯並呋喃 及吲哚、等等。 爲了本發明,芳族環系統在環系統中包含5至40個 C原子。爲了本發明,雜芳族環系統在環系統中包含2至 4〇個C原子和至少一種雜原子,其先決條件爲c原子和 Q 雜原子之總和爲至少5。雜原子較佳係選自N、Ο及/或 S。爲了本發明,芳族或雜芳族環系統意欲表示一種系統 ,其不一定只包含芳族或雜芳族基基團,而改爲其中多數 個方族或雜芳族基基團也可被短非芳族單元(較佳<10% 之非Η的原子,如例如sp3_混成之C、N或◦原子)中斷 。因此’例如9,9 ’ -螺-聯莽、9,9 -二芳基蕗、三芳胺、二 芳基醚、二苯乙烯、等等系統爲了本發明也意欲爲芳族環 系統’如爲其中二個或多個芳基基團被直線或環狀烷基基 團或被矽基基團直中斷之系統。 -17- 201038533 具有5-60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在 每種情況下也可經上述基團R取代且其可經由任何所要位 置鍵聯至芳族或雜芳族環系統)特別是表示衍生自下列之 基:苯、萘、惠、菲 ' 在、疾(chrysene)、苯並蒽 '菲 、苯並莽(fluoranthene )、稠四苯、稠五苯、苯並芘、 聯苯、伸聯苯(b i p h e n y 1 e n e )、聯三苯、伸聯三苯( terphenylene)、莽、螺聯兼、二氫菲、二氫芘、四氫注 、順式-或反式-節並茜、三聚節(truxene)、異三聚茚( isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯並呋喃 、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻 吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹 啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯並-5,6 -喹啉、苯並-6,7 -喹 啉、苯並-7,8 -喹啉、啡噻嗪、啡噁嗪、吡唑、吲唑、咪哩 、苯並咪哗、萘並咪卩坐(naphthimidazole)、啡咪卩坐( phenanthroimidazole)、卩定並咪 D坐(pyridimidazole) 、啦曝並咪哩 (pyrazinimidazole)、陸嚷啉並咪哩 ( quinoxalinimidazole )、嚼哩、苯並D惡U坐、萘嚼哗 ( naphthoxazole)、蒽嚼 B坐(anthroxazole)、菲嚼哩( phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並 噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、1 ,5 -二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘 、1,8 -二氮雜芘、4,5 -二氮雜芘、4,5,9,10 -四氮雜茈 '吡 曉、啡嗪、啡噁嗪、啡噻嗪、熒紅環(fluorubin )、嘌啶 、氮雜昨唑、苯並咔啉、啡啉、1 ,2,3 -***、1 ,2,4 -***、 -18 - 201038533 苯並***、12,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、 1,3,4-噁二唑、丨,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二 唑'1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪 、四唑' 1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤 、喋啶、吲嗪和苯並噻二唑。 根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術者已知的合 成步驟製備,如例如,溴化作用、鈴木(Suzuki )偶合、 0 哈特維-布希沃德(Hartwig-Buchwald)偶合、等等。包 含作爲橋聯X原子之氮的衍生物的合成槪括地顯不於流 程1。 流程1:
該合成從莽-2-硼酸衍生物著手進行’莽-2-硼酸衍生 物在鈴木偶合中偶合至I,4-二溴_2_硝基苯。此接著在莽 單元之鹵化作用,例如溴化作用。該硝基基團在亞磷酸酯 (例如亞磷酸三乙酯)之作用下環化,產生對應茚並咔唑 衍生物。氮然後可藉烷化劑烷化或在哈特維-布希沃德反 -19 - 201038533 應中芳化。在最後步驟中,使反應性脫離基(例如溴基團 )反應而產生所要之分子。此可進行(例如在哈特維-布 希沃德偶合中)以產生對應胺。酮類、膦氧化物類、等等 可藉由金屬化(例如鋰化),及與親電子劑之反應獲得。 該等結構在此當然也可經另外的取代基取代。 含作爲橋聯原子X之硫的衍生物槪括地顯示於流程2 流程2:
該合成從2_溴葬衍生物進行。此在鈴木偶合中與苯 之1 -硼酸2 -硫醚衍生物反應和氧化。在酸的影響下,該 對應茚並二苯並噻吩形成,其係使用氧化劑氧化。此接著 鹵化作用’例如溴化作用,和哈特維-布希沃德偶合以便 引入二芳胺基基團。在最後步驟中,再次將硫還原。進行 硫之氧化作用和還原作用以便選擇性地促進鹵化作用。 一般’根據本發明之化合物可藉由將莽衍生物偶合至 經基團X 1取代之苯衍生物,其中基團χ 1爲可轉化成二價 -20- 201038533 基團X之基團’和在後來的步驟中藉由將基團χΐ轉化成 基團X而製得。 本發明此外係有關一種製備通式I或11化合物之方 法,其特徵在於下列步驟: a )將莽衍生物偶合至經基團X 1取代之苯衍生物,其 中該基團X1爲一種可被轉化成二價基團X之基團,及 b)將基團X1轉化成基團X, 其中X具有如上所指示之意義。 Ο 式I或Π之化合物可使用於電子裝置中,特別是使 用於有機電發光裝置中。化合物的精確使用視取代基而定 〇 在本發明一較佳體系中,式I或II之任一化合物係 使用於發光層中,較佳以與至少一種另外的化合物的混合 物一起。式Ϊ或II之任一化合物較佳爲混合物中之發光 化合物(摻雜劑)。較佳主體材料爲有機化合物,其係在 Q 比式1或11之任一化合物短的波長發光或其完全不發光 〇 本發明因此此外係有關一種或更多式I或II之任一 化合物與一或更多種主體材料的混合物。 式I或11之任一化合物在發光層之混合物中的比例 爲介於0.1和99.0體積%之間,較佳介於0.5和50.0體 積%之間’特佳介於1.0和20.0體積%之間,特別是介 於1_ 0和1 〇 · 〇體積%之間。對應地,主體材料在層中的 比例爲介於1 · 0和9 9.9體積%之間,較佳介於5 0 · 〇和 -21 - 201038533 99.5體積%之間,特佳介於8〇·〇和99.0體積%之間,特 別是介於90.0和99.0體積%之間。 適當主體材料爲各種類之物質。較佳主體材料係選自 寡聚伸芳(oligoarylene)(例如根據 EP 676461之 2,2’,7,7’-四苯基螺二莽或二萘基蒽),特別是包含稠合 芳族基團之寡聚伸芳、寡聚伸芳伸乙烯類(〇ligoarylene vinylenes )(例如根據 EP 67646 1 之 D P VB i 或螺-D P V B i )、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據 WO 04/08 1 01 7 )、電洞傳導化合物(例如根據 WO 04/05 89 1 1 )、電子傳導化合物,特別是酮類、氧化 膦類、亞颯類等等(例如根據WO 05/08408 1和 W0 05/084082 )、阻轉異構體(atropi somers )(例如根 據EP 1 6 5 5 3 5 9 )或硼酸衍生物(例如根據WO 06/ 1 1 7052 )或苯並蒽衍生物(例如根據 W Ο 0 8 / 1 4 5 2 3 9 )之種類。 特佳主體材料係選自包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚 伸芳類或這些化合物之阻轉異構體(atropisomers)、寡 聚伸芳伸乙烯類、酮類、氧化膦類和亞颯類之種類。非常 特佳主體材料係選自包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚 伸芳類或這些化合物之阻轉異構體。 此外特佳者爲使用式I或11之化合物作爲電洞傳輸 材料及/或作爲電洞注入材料。此特別地適用,如果Y 代表N及/或如果X代表n R1。化合物然後較佳使用於 電洞傳輸層或電洞注入層中。爲了本發明,電洞注入層爲 〜種直接相鄰於陽極之層。爲了本發明’電洞傳輸層爲一 -22- 201038533 種位於電洞注入層和發光層之間的層。如果使用式丨或j τ 之任一化合物作爲電洞傳輸材料或電洞注入材料,則它們 較佳ί爹雜電子受體化合物’例如摻雜FcTCNQ (四氟四氰 基唾啉—甲烷(quinodimethane))或摻雜如EP 1 4768 8 1 或EP 1 5 96445中所述之化合物。 如果式I或II之任一化合物係用作電洞傳輸層中之 電洞傳輸材料’則1 〇 〇 %的比例爲較佳,也就是以純物質 0 使用此化合物。 特佳者也爲式I或II之任一化合物與包含六氮雜聯 伸三苯衍生物(特別是六氰基六氮雜聯伸三苯)之層組合 使用於電洞-傳輸或-注入層(例如根據E P n 7 5 4 7 〇 )。因 此’例如,較佳者爲一種如下所示的組合:陽極—六氮 雜ϋ伸一本衍生物-電洞傳輸層,其中該電洞傳輸層包 含一種或更多式I或U之化合物。在此結構中同樣地可 能使用多數個連續電洞傳輸層,其中至少一個電洞傳輸層 〇 包含至少—種式1或π之化合物。另一較佳組合如下所 示:陽極-電洞傳輸層-六氮雜聯伸三苯衍生物-電 洞傳輸層’其中二個電洞傳輸層之至少一個包含一種或更 多式I或II之化合物。在此結構中同樣地可能使用複數 個連續電洞傳輸層取代一個電洞傳輸層,其中至少一個電 洞傳輸層包含至少一種式I或π之化合物。 此外式I或II之任一化合物特佳係用作電子傳輸材 料及/或用作螢光和磷光oled之電洞阻隔材料及/或用 作磷光OLED之三重態基質材料。此特別適用,如果γ代 -23- 201038533 表 C = 0 或 P = 0。 本發明此外係有關上述定義之化合物於電子裝置的用 途。 上述化合物也可用於製備聚合物、寡聚物或樹枝狀聚 合物。這通常是經由可聚合官能基進行。爲此目的,特佳 者爲經反應性脫離基(諸如溴、碘、硼酸、硼酸酯、甲苯 磺酸酯或三氟甲磺酸酯)取代之化合物。這些也可用作用 於產生對應共軛、部份地共軛或非共軛聚合物、寡聚物之 共單體或也作爲樹枝狀聚合物之核心。聚合作用在此較佳 經由鹵素官能性或硼酸官能性進行。聚合物也可具有可交 聯基或經由可交聯基交聯。特別適合的可交聯基爲該等然 後在電子裝置之層中交聯者。 本發明因此此外係有關包含一種或更多式I或π之 任一化合物之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。至發源於 式I或π之化合物的聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之 鍵可位在式I或II之化合物的任何所要位置,其特徵在 於任意經基團R或R1取代。聚合物、寡聚物或樹枝狀聚 合物在此可爲共軛、部份地共軛或非共軛。同樣地所包含 者爲根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物與另外 聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之摻合物。 爲了本發明,術語寡聚物係適用於具有約三至九個重 複單元的化合物。爲了本發明,聚合物表示一種具有十個 或更多重複單元之化合物。 上述根據本發明之化合物可用作(例如)用於產生對應 -24- 201038533 共軛、部份地共軛或非共軛聚合物、寡聚物之共單體或也 作爲樹枝狀聚合物之核心。聚合作用在此較佳經由鹵素官 能性及/或硼酸官能性進行。 這些聚合物可包含另外的重複單元。這些另外的重複 單元較佳係選自由莽類(例如根據EP 842208或 WO 0 0/2 2026)、螺二蕗類(例如根據 EP 707020、 EP 8941 07或EP 04028865.6 )、三芳胺類、對-伸苯類( 例如根據w Ο 9 2 / 1 8 5 5 2 )'咔唑類(例如根據 WO 04/070772 或 WO 04/ 1 1 3 468 )、噻吩類(例如根據 EP 1 02 8 1 3 6 )、二氫菲類(例如根據 w〇 05/0 1 4689 )、 茚並荛類(例如根據WO 04/041901或WO 04/113412)、 芳族酮類(例如根據WO 05/040302)、菲類(例如根據 WO 05/ 1 04264 )及/或金屬錯合物,特別是鄰金屬化銥 錯合物所組成之群組。在此應明白地指出聚合物也可具有 複數個選自的上述基團之一個或多個的不同重複單元。 本發明同樣係有關上述定義之聚合物、寡聚物或樹枝 狀聚合物於電子裝置中的用途。 本發明此外係有關一種電子裝置,其包含至少一種如 上述所定義之化合物’或一種如上述所定義之聚合物、寡 聚物或樹枝狀聚合物。本發明同樣包含根據本發明之聚合 物、寡聚物或樹枝狀聚合物,任意地與和其不同的另外寡 聚物、聚合物或樹枝狀聚合物,或另外低分子量化合物的 摻合物^ 電子裝置較佳係選自由有機電發光裝置(0LED )、 -25- 201038533 有機場效電晶體(O-FET )、有機薄膜電晶體(〇-TFT ) 、有機發光電晶體(0-LET)、有機積體電路(O-ic)、 有機太陽能電池(Ο-SC)、有機場抑止裝置(!^1(1- quench devices) (0-FQD)、發光電化學電池(LEC)、 有機光感受器(photoreceptors)和有機雷射二極體(〇_ 雷射)所組成群組。 爲了本發明,根據本發明式I或11之任—化合物或 根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在電子裝置 中較佳用作電洞傳輸層中及/或電洞注入層中之電洞傳輸 材料且在這些層中式I或II任一化合物或聚合物、寡聚 物或樹枝狀聚合物也可能任意地與電子受體化合物摻雜。 此外根據本發明式I或Π之任一化合物或根據本發 明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在電子裝置中較佳用 作電子傳輸層中之電子傳輸材料及/或用作電洞阻隔層中 之電洞阻隔材料及/或用作發光層中之三重態基質材料。 此外根據本發明式I或11之任一化合物或根據本發 明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物在電子裝置中較佳使 用於發光層,較佳作爲發光材料。 有機電發光裝置包含陽極、陰極和至少一個發光層, 其中至少一層(其可爲電洞傳輸或-注入層、發光層 '電 子傳輸層或另一層)包含至少一種式I或π之任一化合 物或根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。 陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含 不同金屬’諸如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系金屬 -26- 201038533 (例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb等)之多層結構 。在多層結構的情況中,除該等金屬之外也可使用具有較 高功函數之其他金屬,如例如Ag,其中一般使用金屬之 組合物’如例如C a / A g或B a / A g。較佳者同樣爲金屬合金 ’特別是包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金,特佳包含 Mg和Ag之合金。較佳者也爲在金屬陰極與有機半導體 之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合於此目 0 的者爲例如鹼金屬或鹼土金屬氟化物,以及對應氧化物或 碳酸鹽類(例如 LiF、Li20 ' CsF、CS2C03、BaF2' MgO 、NaF、等等)。此層之層厚度較佳係介於0.5和5奈米 之間。 陽極較佳包含具有高功函數之材料。該陽極較佳具有 大於4.5電子伏特之功函數(相對於真空)。適用於此目 的者一方面爲具有高氧化還原電位之金屬,如例如Ag、 Pt或 Au。另一方面,金屬/金屬氧化物電極(例如 Q Al/Ni/NiOx,Al/Pt/PtOx )也爲較佳的。就一些應用而言 ,至少一電極須爲透明,以進行有機材料之輻射(0-SC )或光之偶合輸出(OLED/PLED,0-雷射)。較佳結構 使用透明陽極。在此較佳陽極材料爲導電性混合金屬氧化 物。特佳者爲氧化銦錫(ITO )或氧化銦鋅(IZO )。此 外較佳者爲導電性摻雜有機材料,尤其是導電性摻雜聚合 物。 裝置係對應地(視應用而定)構成,提供接觸和最後 密封,因爲在水及/或空氣存在下該等裝置之壽命大幅縮 -27- 201038533 短。 式Ϊ或Π之任一化合物也可用作聚合物、寡聚物或 樹枝狀聚合物中的發光單元及/或用作電洞傳輸單元及/ 或用作電子傳輸單元。 此外較佳者爲有機電發光裝置,其特徵在於在相同層 或在不同層中使用複數個發光化合物。這些化合物特佳具 有總計多數個之介於380奈米和750奈米之間的發光最大 値,所產生之全白色發光,也就是除了式I或II之化合 物之外,可使用至少一個能夠發螢光或發磷光且發黃色、 橘色或紅色光之另外發光化合物。特佳者爲三層系統,其 之至少一層包含至少一種式I或II之化合物和其中該等 層顯示藍色、綠色和橘色或紅色發光(基本結構參見例如 WO 05/0 11013)。寬帶發光體同樣地可使用於白色發光 OLED。 除了陰極、陽極和發光層之外,有機電發光裝置也可 包含另外的層。這些可爲(例如):電洞注入層、電洞傳 輸層、電子阻隔層、電洞阻隔層、電子傳輸層、電子注入 層及/或電荷產生層(T. Matsumoto等人,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer, IDMC 2003,Taiwan ; Session 21 OLED (5))。然而,就 此應指出這些層之各個不一定必須存在。因此,特別是當 使用式I或II之任一化合物與電子-傳導主體材料時,此 外如果有機電發光裝置不包含分開的電子傳輸層和發光層 直接毗鄰電子-注入層或直接毗鄰陰極,則獲得非常好的 -28- 201038533 結果。或者,主體材料也可同時地作爲電子傳輸層中之電 子傳輸材料。有機電發光裝置同樣地較佳不包含分開的電 洞傳輸層和發光層較佳直接毗鄰電洞注入層或直接毗鄰陽 極。式I或II之任一化合物此外較佳可同時地用作發光 層中之摻雜劑和用作電洞傳輸層中及/或電洞注入層中之 電洞傳導化合物(呈純物質或呈混合物)。 此外較佳者一種有機電發光裝置,其特徵在於一或多 0 層係藉昇華法塗覆,其中材料係在真空昇華單元中以低於 1(Γ5毫巴,較佳爲低於10·6毫巴之初壓力下氣相沉積。然 而,應指出也有可能爲甚至更低的初壓力,例如低於1 0 — 7 毫巴。 同樣地較佳者爲有機電發光裝置,其特徵在於一或多 層係以OVPD (有機氣相沉積)法或借助於載體氣昇華法 塗覆,其中材料係在介於1 0·5毫巴與1巴之間的壓力下 塗覆。此方法的特殊例子爲OVJP (有機蒸氣噴射印刷) Q 法’其中材料係經由噴嘴直接塗覆且因此結構化(例如, M.s. Arnold 等人之 Appl. Phys. Lett. 2008,92,053 30 1 此外較佳者爲有機電發光裝置,其特徵在於一或多層 係從溶液產生’如例如藉旋轉塗布或以任何所欲之印刷法 ’如例如網版印刷、快乾印刷或套版印刷,但是特佳爲 LITI (光誘致熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷。爲此目 的需要式I或II之任一可溶性化合物。高溶解度可經由 化合物的適當取代而達成。這些製備層的方法特別適合於 -29- 201038533 聚合物'寡聚物或樹枝狀聚合物。 根據本發明的化合物在使用於有機電發光裝置時,較 佳具有一或多項下列超越先前技藝之優點: 1 ·與根據先前技術之系統比較,對應裝置之功率變 得較高’特別是在使用厚層的情形中。 2.與根據先前技術之系統比較,對應裝置之穩定性 變得較高’其由特別是顯著較長壽命而彰顯,特別是在使 用厚層的情形中。 3 ·當根據本發明之化合物用作電洞傳輸或電洞注入 層中之電洞傳輸材料時,發現電壓對對應電洞傳輸及/或 電洞注入層的層厚度爲較少依賴性。相比之下,在電洞傳 輸或電洞注入層之較高層厚度的情形中,用根據先前技術 之材料獲得較大電壓增加,因而產生較低之O L E D功率。 4·特別是,根據本發明化合物之結晶性被改良。而 根據先前技術之化合物在許多情況下在氣相沉積期間於氣 相沉積源上結晶,其如以工業大量生產進行,在延長氣相 沉積的情況中導致沉積源的阻塞,在根據本發明化合物的 情況中這種現象完全沒有觀察到或只有小程度。根據本發 明之化合物因此特別適合用於大量生產。 本申請案本文以及下列實例係針對根據本發明之化合 物有關OLED及對應顯示器的用途。雖然有此敘述上的限 制,但是熟習此技藝者亦有可能將根據本發明的化合物進 一步使用於其他電子裝置中,例如有機場效電晶體(〇-F E T )、有機薄膜電晶體(Ο - T F T )、有機發光電晶體( -30- 201038533 O-LET) '有機積體電路(〇_〗〇 、有機太陽能電池(〇. SC )、有機場淬滅裝置(〇_Fqd )、發光電化學電池( LEC)、有機光感受器或有機雷射二極體(〇_雷射),僅 舉幾個應用,而無涉額外進步性。 本發明同樣關於根據本發明的化合物在對應裝置中的 用途及這些裝置本身。 現知由下列實例詳細解釋本發明,但不希望本發明因 ^ 此被限制》 〇 【實施方式】 實例= 除非另有指示,在正大氣壓下於無水溶劑中進行下列 合成。起始點可使用例如,9,9 -二甲基- 9H -苐-2 -硼酸( Synlett 2006,(5),737-740 ) ° Q 實例1 :胺-1之合成 a) ( 2’-硝苯基)蕗-2-基衍生物之合成
將164.4克(650毫莫耳)的9,9-二甲基- 9H-莽-2-硼 酸、33.8克(124毫莫耳)的2,5-二溴硝基苯和164.7克 (774毫莫耳)的K2C03懸浮在750毫升的THF和750 毫升的水中,將混合物用N2飽和,加入2.9克(2· 55毫 -31 - 201038533 莫耳)的肆(三苯基膦)鈀(0),並將混合物在沸騰下 加熱2小時。將混合物倒入3升的水/MeOH/6M HC1 1 : 1 :1的混合物,和用抽吸過濾淺褐色沈澱物’用水洗滌和 乾燥。根據W-NMR之產物的含量爲約75%與183克之 總產量(90% )。 b)二溴衍生物之合成
在保護氣體下最初將3 84克(973毫莫耳)的來自a )之化合物引進2.5升的氯仿中並冷卻至5°C。將55.2毫 升(1071毫莫耳)的Br2(溶解在250毫升的氯仿中)逐 滴加至此溶液,並將混合物過夜。將Na2S03溶液加至混 合物,進行相分離,及在真空中除去溶劑。根據1 Η - N M R 之產物的含量爲95%與400克之總產量(86%)。 c)二溴茚並咔唑之合成
將14 0克(2 9 5毫莫耳)的來自b )之二溴衍生物和 5 0 0毫升(2 9 2 3毫莫耳)的亞磷酸三乙酯的混合物在回流 下加熱1 2小時。接著藉由蒸餾(7 2 - 7 6 °C / 9毫米的H g ) -32- 201038533 除去殘餘亞磷酸三乙酯。將水/MeOH ( 1 : 1 )加至殘餘物 中’及過濾固體和再結晶。根據1H-NMR之產物的含量爲 約96%與110克之總產量(84%)。 d )胺之烷基化作用
〇 在保護氣體下最初將52克(117.8毫莫耳)的來自c )之茚並咔唑引進450毫升的THF和150毫升的DMF中 並冷卻至〇。(:。將7克(2 3毫莫耳)的6 0 %氫化鈉逐部 分加至此溶液。接著逐滴加入2 2 ·0 1毫升的碘甲烷’和使 混合物至室溫。將200毫升的25% NH3溶液加至混合物 ,進行相分離,並在真空中除去溶劑。根據1h-nmr之產 物的含量爲約95%與48.1克之總產量(92% )。
Q e)用於胺-1之合成的哈特維-布希沃德偶合
將53克(1 16毫莫耳)來自d )之茚並咔唑和43.3 克( 256毫莫耳)的二苯胺在1 500毫升二嚼烷中的除氣 溶液用N2飽和1小時。首先將1 Μ之1 1.6毫升(1 1 · ό毫 -33- 201038533 莫耳)的P(tBu)3、然後2.6克(1 1 .6毫莫耳)的乙酸鈀 加至溶液,和加入固態33.5克(349毫莫耳)的NaOtBu 。在回流下加熱反應混合物1 8小時。冷卻至室溫之後, 小心地加入1 000毫升的水。將有機相用4x50毫升的H20 洗滌,經過Mg S04乾燥,並在真空中除去溶劑。藉由再 結晶純化純產物。根據HP LC之產物含量爲99.9%與62.5 克之總產量(8 5 % )。 實例2 :胺-2之合成 a )硫酸之合成
將200克( 732毫莫耳)的2-溴-9,9-二甲基- 9H-弗、 122.9 克(73 2 毫莫耳)的 2-甲硫基(methylsulfanyl )苯 基硼酸和2 0 2克(9 5 0毫莫耳)的K2 C Ο 3懸浮在8 5 〇毫升 的THF和85〇毫升的水中,將混合物用Ν2飽和,加入 3.3克(2 _ 9毫莫耳)的肆(三苯基膦)鈀(〇 ),並將混 合物在沸騰下加熱2小時。將混合物倒入3升的水 / M e Ο Η / 6 Μ H C1 1 : 1 : 1的混合物中,及用抽吸過濾淺褐 色沈澱物,用水洗滌並乾燥。根據1 Η - N M R之產物的含量 爲約9 5 %與1 9 0克之總產量(8 2 % )。 b )硫醚之氧化作用 -34- 201038533
在保護氣體下最初將196克(619·3毫莫耳)的來自 a )之硫釀引進2 · 3升的冰醋酸和2 5 0毫升的二氯甲烷中 並冷卻至〇 〇c。將1 _ 1升(6 1 9毫莫耳)的3 0 % H2 02溶液 逐滴加至此溶液,且將混合物攪拌過夜。將N a2 S Ο 3溶液 0 加至混合物, 進行相分離,並在真空中除去溶劑。根據 H_NMR之產物的含量爲約98%與200克之總產量(99% c)茚並二苯並噻吩之合成
將81克(273毫莫耳)的來自b )之產物和73 7毫升 (8329毫莫耳)的三氟甲烷磺酸的混合物在5°C下攪拌 48小時。隨後將2.4升的水/吡啶 5 : 1加至混合物,其 然後在回流下加熱2 0分鐘。冷卻至室溫之後,小心地加 入500毫升的水和1000毫升的二氯甲烷。將有機相用4χ 5〇毫升的Η20洗滌,經過MgS04乾燥,並在真空中除去 溶劑。藉由再結晶純化純產物。根據HPLC之產物含量爲 98%與65克之總產量(80% )。 -35- 201038533 d )噻吩之氧化
在保護氣體下最初將15克(49毫莫耳)的來自 之茚並二苯並噻吩引進〇_3升的冰醋酸中。將33毫 619毫莫耳)的30% H2〇2溶液逐滴加至此溶液’且 合物攪拌過夜。將Na2S〇3溶液加至混合物’進行相 ,並在真空中除去溶劑。根據lH_NMR之產物的含里 98%與16克之總產量(95%)。 e )溴化作用 c ) 升( 將混 分離 爲約
在保護氣體下最初將1〇5·6克017.6毫莫耳) d )之產物來引進2 _ 5升的二氯甲烷中並冷卻至5 °C ° 解在250毫升的氯仿中之32毫升(636.4毫莫耳)序 逐滴加至此溶液’且將混合物攪拌過夜。將Na2S03 加至混合物,將該等相分離,並在真空中除去溶劑。 W-NMR之產物的含量爲約98%與114克之總產量( Ο哈特維-布希沃德偶合 的自 將溶 Βγ2 溶液 根據 -36- 87% 201038533
將35克(85毫莫耳)的來自e)之產物 毫莫耳)的二苯胺在1 000毫升二噁烷中的除 飽和1小時。首先將0.97毫升(4.2毫莫耳) 、然後0.47克(2.12毫莫耳)的乙酸鈀加至 〇 著加入固態12克(127毫莫耳)的NaOtBu。 熱反應混合物1 8小時。冷卻至室溫之後’ 1000毫升的水。將有機相用4x50毫升的H20 MgS04乾燥,並在真空中除去溶劑。藉由再結 物。根據HP LC之產物含量爲98%與39克之 % )。 g)胺-2之合成 ]26 克(93 I溶液用n2 的 P(tBU)3 溶液,和接 在回流下加 小心地加入 洗滌,經過 晶純化純產 總產量(75
將2.4克(65毫莫耳)的氫化鋰鋁逐部另 (16_3毫莫耳)的來自〇之產物在120毫升 除氣溶液。將反應混合物在室溫下攪拌2小時 地加入500毫升的水,接著逐滴加入250毫51 溶液。將有機相用4x50毫升的H2〇洗滌,經 加至1 〇克 的***中之 。然後小心 的 1M HC1 i MgS04 乾 -37- 201038533 燥,並在真空中除去溶劑。藉由再結晶純化純產物。根據 HPLC之產物含量爲99.9%與6克之總產量(63%)。 實例3至8 ·· Ο L E D之製備 根據本發明之OLED係藉由根據WO 04/〇58 9 1 1之一 般方法製備,其適合於本文所述之環境(例如’層厚度變 化、所使用之材料)。 將各種OLED的結果呈現於下列的實例3至8中。以 結構化ITO (氧化銦錫)塗佈之玻璃板形成OLED之基板 。爲了改良加工,將20奈米之PEDOT聚(3,4-伸乙基二 氧基-2,5-噻吩)(從水旋轉塗佈;購自 H.C. Starck ’ Go si ar,德國)施用至基材。OLED由下列層順序所組成 :基材/PEDOT 20奈米/ HIL1 5奈米/電洞傳輸層(HTM) 20、110或200奈米/NPB 20奈米/發光層(EML) 30奈米 /電子傳輸層(ETM) 20奈米和最後陰極。 在真空室中藉由熱氣相沉積塗布除了 PEDOT之外的 材料。發光層在此總由基質材料(主體)和摻雜劑所組成 ,其係藉由共蒸發與主體摻合。在所示全部實例中,電子 傳輸層由A1Q3組成,和陰極由具有1奈米厚度之Li F層 和沈積在上端之具有1〇〇奈米厚度之鋁層形成。表1顯示 用以構成OLED之材料的化學結構。HTM1在此爲根據先 前技術之材料,胺-1爲根據本發明化合物之實例(根據 實例1合成)。 該等OLED以標準方法示性。爲此目的,電發光光譜 -38 - 201038533 、電流效率(以cd/A測量)、功率 發光強度之函數,從電流-電壓-發光 性線)計算,和測定壽命。壽命定義 發光強度降至一半的時間。使用電壓 cd/m2的亮度之電壓。 表2顯示爲一些OLED (實例3 用根據本發明之化合物胺-1作爲層厚 0 電洞傳輸材料時,獲得與先前技術化 微地減少之操作電壓和可比較的電流 自表2之實例3、4和6和7 )。對 洞傳輸層,與先前技術比較其爲有利 率、在使用胺-1時獲得操作電壓之晷 之功率的顯著增加(參見表2中之實 是極爲重要的觀點,尤其是關於移動 動設備之操作期間儀器直接與顯示功 Q 根據本發明之化合物胺1係以下列 HTM 1 :在較厚電洞傳輸層之情形中 小很多。 有關加工性之進一步顯著改良可 之材料而達成。就此而言,圖1顯示 料Η Τ Μ1層(照片a )和根據本發明 )的氣相沉積之後取得之氣相沉積源 奈米之厚度。清楚可知材料HTM1阻 沉積源的上緣上形成材料的覆蓋層。 (以Im/W測量)爲 強度特性線(IUL特 爲 25,000 cd/m2 之初 定義爲OLED達成1 至8 )之結果。當使 度2 0和1 1 0奈米之 合物HTM1比較爲些 和功率效率(參見來 於200奈米之較厚電 的,由於較高生產良 頁著改良、產生1 5 % 例5和8 )。此改良 領域之應用,因爲移 率消耗有關。此外, 事實而超越先前技術 ,壽命消失的程度要 透過使用根據本發明 在根據先前技術之材 之材料胺-1 (照片b 的照片,各具有700 塞來源,因爲在氣相 結果,使用根據先前 -39- 201038533 技術之化合物Η ΤΜ 1於大量生產中’只會伴隨很大的技術 困難。相比之下,在相同氣相沉積條件(氣相沉積速率約 1奈米/秒)下當使用根據本發明之化合物胺-1時’獲得 在氣相沉積的上部上之只有輕微邊緣形成。此顯示根據本 發明之材料比根據先前技術之材料顯著更適合於大量生產 表1 令 Ρ ts; 3 NPB AIQa V N=/ \=N / \ HIL1 H1 D1 HTM1 胺-1 -40 - 201038533 表2 實例 EML HTM 使用 電壓 1000 cd/m2 之電壓 於 1000 cd/m2 之效率 於 1000 cd/m2 之效率 於 1000 cd/m2 之 CIE x/y 來自25000 cd/m2 之壽命 3 (比較) H1+10% 的D1 HTM1 20奈米 3.2 V 5.2 V 14.8 cd/A 8.9 Im/W 0.31/0.58 350小時 4 (比較) H1+10% 的D1 HTM1 110奈米 3.1 V 5.5 V 17.1 cd/A 9.7lm/W 0.29/0.61 243小時 5 較) H1+10% 的D1 HTM1 200奈米 4.1 V 6.9 V 15.0 cd/A 6.8 Im/W 0.30/0.58 171小時 6 H1+10% 的D1 胺,1 20奈米 3.1 V 5.2 V 14.9 cd/A 9 Im/W 0.30/0.59 355小時 7 H1+10% 的D1 胺-1 110奈米 3.1 V 5.4 V 17.9 cd/A 10.4 im/W 0,30/0.61 312小時 S H1+10% 的D1 胺-1 200奈米 2.9 V 5.9 V 14.7 cd/A 7.8 Im/W 0.29/0.58 289小時
【圖式簡單說明】 圖 1 a) ·· 具有700奈米厚度之材料HTM1層的氣相沉積之後 的氣相沉積源 1 =氣相沉積源之覆蓋 2 =氣相沉積源的上孔被材料阻塞 圖 lb): 具有700奈米厚度之材料胺-1層的氣相沉積之後的 氣相沉積源 【主要元件符號說明】 1 :氣相沉積源之覆蓋 2 :氣相沉積坩鍋之壁 3 :材料在氣相沉積的坩鍋底上之殘留物 -41 - 201038533 4 :材料在氣相沉積源之上緣上的環 -42 -
Claims (1)
- 201038533 七、申請專利範圍:其中 ^ A對應於式III式III 且其中連接至式I或II之化合物經由γ發生; Y在每種情況下彼此獨立爲N、P、P = Ο、B、C = Ο、Ο、S 、s = o 或 so2 ; z在每種情況下彼此獨立爲CR或N ; X在每種情況下彼此獨立地爲選自 BiR1)、C = 0、 C^CiR1;^、S、S = 0、S02 和 NiR1)之二價橋聯; R在每種情況下彼此獨立爲 Η、D、F、Cl、Br、I、 N(Ar)2 、N(R2)2 、 C( = 0)Ar、 P( = 0)Ar2 、 S( = 0) Ar、 S( = 0)2Ar、CR2 = CR2Ar、C N、N O 2、S i (R2) 3、B (O R2) 2、 os 02 R2、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烯基、炔基 、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個C原子之支鏈或環 -43- 201038533 狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基,其各可經一個 或更多基團R2取代,其中一個或更多非相鄰CH2基團可 經 R2C = CR2、CE C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、c = 0、 C = S、C = Se、C=NR2、P (= O ) (R2)、S O、S Ο 2、N R2、〇、S 或-CONR2替換及其中一個或更多H原子可經D、F、Cl、 Br、I、CN或N〇2替換’或具有5至40個芳族環原子之 芳族或雜芳族環系統,其在每種情況下可經一個或更多基 團R2取代,或具有5至40個芳族環原子之芳氧基或雜芳 氧基’其可經一個或更多基團R2取代,或這些系統之組 合;其中,除此之外,二個或更多取代基R也可彼此形成 單-或多環脂族環系統; R1在每種情況下彼此獨立爲Η、D、F、Cl、Br、I、CN、 N02、N(R2h、B(OR2)2、Si(R2)2、具有 1 至 40 個 c 原子 之直鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至 4〇個c原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、院氧基或 硫烷氧基,其各可經一個或更多基團R2取代,其中固 或更多非相鄰(:112基團可經-尺2(: = €112-、-(:三(:-、&(112)2 、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR2、·〇_、 -S-、-COO-或-CONR2-替換及其中一個或更多H原子可終 D、F、Cl、Br、I、CN或N〇2替換’或芳胺類或經取代 之咔唑類,其各可經一個或更基團R2取代,或具有5至 4〇個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其可經—個j $ 更多非芳族R2取代,或具有5至4〇個芳族環原子之芳氧 基或雜芳氧基,其可經一個或更多非芳族基團R2取代, -44- 201038533 或這些系統之組合,其中,除此之外,二個或更多 R1此也可彼此形成單-或多環之環系統; R2在每種情況下彼此獨立爲Η、D或具有1至20 子之脂族或芳族烴基; Ar在每種情況下彼此獨立爲具有5至40個芳族環 芳族或雜芳族環系統,其可經一個或更多基團r1^ E在每種情況下彼此獨立爲單鍵、N (R1)、Ο、S、 ❹、SKWh或⑽1); q = 1,如果基團Y的對應中央原子爲選自第3或 的元素’或 =〇,如果基團Y的對應中央原子爲選 或6主族的元素; t在每種情況下彼此獨立爲0或1,其先決條件爲 =〇則t = 0,和其中t = 0表示基團R1被鍵結而 團E ; V在每種情況下彼此獨立爲〇或i,其先決條件爲 Q 之總數大於或等於一,其中v=0表示基團R被 不是基團A ; w在每種情況下彼此獨立爲〇或1,其先決條件爲 之總數大於或寺於一’其中w = 0表示基團R被 不是基團A。 2.根據申請專利範圍第1項之化合物,其中 Y在每種情況下彼此獨立爲N或C = 0。 3 _根據申請專利範圍第1項之化合物,其中 自 NCR1)或 S。 取代基 個C原 原子之 Z代; C(R')2 5主族 丨自第4 如果 q 不是基 V和w 鍵結而 V和W 鍵結而 該基團 X係選 -45- 201038533 4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ,其中該基團Z在每種情況下彼此獨立爲CR。 5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ,其中Ar爲苯基、萘基、具有5-15個碳原子之經取代之 芳族或雜芳族環系統或經芳胺或昨唑取代之芳族或雜芳族 環系統。 6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ,其中 E不存在,也就是t = 0,或其中 E爲單鍵或 〇(Ν)2。 7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物 ,其中該化合物係選自式I a和11 a :其中符號和標記具有如申請專利範圍第1項中所指示之意 義。 8.根據申請專利範圍第7項之化合物,其中X等於 S 或 Np1)。 9 一種聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物,其包含一 個或更多的根據申請專利範圍第1至8項中一或多項之化 合物,其中源於式1或II之化合物而接至聚合物、寡聚 物或樹枝狀聚合物之鍵可位在式1或11之化合物的任何 所要位虞’該化合物特徵在於任意經基團R或R1取代。 -46- 201038533 1 0 · —種根據申請專利範圍第1至9項中一或多項之 化合物於電子裝置之用途。 1 1 . 一種電子裝置’其包含至少一種根據申請專利範 圍第1至9項中一或多項之化合物。 1 2 ·根據申請專利範圍第u項之電子裝置,其特徵 在於5¾裝置係選自由有機電發光裝置(〇LED)、有機場 效電晶體(0-FET)、有機薄膜電晶體(〇_TFT)、有機 0 發光電晶體(〇-LET)、有機積體電路(0-IC)、有機太 陽能電池(Ο-SC )、有機場抑止裝置(field-quench裝置 )(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機光感受器 和有機雷射二極體(〇 _雷射)所組成之群組。 13.根據申請專利範圍第12項之有機電發光裝置, 其特徵在於根據申請專利範圍第i至9項中一或多項之化 合物係用作電洞傳輸層及/或電洞注入層中之電洞傳輸材 料,其中該化合物在這些層中也可摻雜電子受體化合物, Q 或其特徵在於根據申請專利範圍第1至9項中—或多項之 化合物係用作電子傳輸層中之電子傳輸材料及/或用作電 洞阻隔層中之電洞阻隔材料及/或用作發光層中之三重態 基質材料或其特徵在於根據申請專利範圍第1至9項中一 或多項之化合物係用作發光層。 1 4 · 一種製備根據申請專利範圍第1至8項φ —或多 項之化合物之方法,其特徵在於下列步驟: a )將荞衍生物偶合至經基團X1取代之苯衍生物,其 中該基團X1爲一種可被轉化成二價基團X之基匪| ,及 -47- 201038533 b )將基團X 1轉化成基團X, 其中X具有申請專利範圍第1項中所指示之意義。 -48 -
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