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Die
vorliegende Erfindung beschreibt Indenofluoren-Derivate mit einem
heteroaromatischen Brückenatom als neue Materialklasse
mit emittierenden und lochtransportierenden Eigenschaften, insbesondere zur
Verwendung in der Emissions- und/oder Ladungstransportschicht von
Elektrolumineszenzvorrichtungen. Die Erfindung betrifft ferner ein
Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen
Verbindungen sowie elektronische Vorrichtungen, enthaltend diese.
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Der
allgemeine Aufbau organischer Elektrolumineszenzvorrichtungen ist
beispielsweise in
US 4539507 ,
US 5151629 ,
EP 0676461 und
WO 98/27136 beschrieben. Allerdings
zeigen diese Vorrichtungen immer noch Verbesserungbedarf:
- 1. Die Effizienz ist gerade bei fluoreszierenden
OLEDs immer noch niedrig und sollte verbessert werden.
- 2. Die operative Lebensdauer ist insbesondere bei blauer Emission
häufig immer noch gering, so dass hier weiterer Verbesserungsbedarf
besteht.
- 3. Die Betriebsspannung, sowohl bei fluoreszierenden wie auch
bei phosphoreszierenden OLEDs, ist recht hoch. Eine Verringerung
der Betriebsspannung führt zu einer Verbesserung der Leistungseffizienz.
Das ist insbesondere für mobile Anwendungen von großer
Bedeutung.
- 4. Bei Lochtransportmaterialien gemäß dem
Stand der Technik ist die Spannung abhängig von der Schichtdicke
der Lochtransportschicht. In der Praxis wäre häufig
eine dickere Schichtdicke der Lochtransportschicht wünschenswert,
um die optische Auskopplung und die Produktionsausbeute zu verbessern.
Dies lässt sich jedoch wegen des damit verbundenen Spannungsanstiegs
mit Materialien gemäß dem Stand der Technik nicht
realisieren. Hier besteht daher weiterhin Verbesserungsbedarf.
- 5. Manche Materialien, insbesondere Lochtransportmaterialien,
gemäß dem Stand der Technik weisen das Problem
auf, dass sie während des Aufdampfprozesses am Rand der
Aufdampfquelle kristallisieren und so die Aufdampfquelle verstopfen.
Für die Massenproduktion sind daher besser prozessierbare
Materialien wünschenswert.
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Indenofluorenamine
finden aufgrund sehr guter Lochbeweglichkeit als Ladungstransportmaterialien und
-injektionsmaterialien Verwendung. Hierbei zeigt diese Materialklasse
eine vergleichsweise geringe Abhängigkeit der Spannung
von der Dicke der Transportschicht.
EP
1860097 ,
WO 2006/100896 ,
DE 10 2006 025 846 ,
WO 2006/122630 und
WO 2008/006449 offenbaren
Indenofluorendiamine zur Verwendung in elektronischen Vorrichtungen.
Darin werden gute Lebensdauern beim Einsatz als Lochtransportmaterial
oder als tiefblaue Emitter zitiert. Jedoch weisen diese Verbindungen
das Problem auf, dass sie durch die Kristallinität der Materialien
ein problematisches Verhalten beim Aufdampfen in der Massenproduktion
zeigen, da die Materialien beim Aufdampfen an der Aufdampfquelle
kristallisieren und dabei die Aufdampfquelle verstopfen. Die Verwendung
dieser Materialien in der Produktion ist daher an einen erhöhten
technischen Aufwand geknüpft. Hier sind daher noch weitere
Verbesserungen wünschenswert.
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Es
besteht insbesondere weiterhin ein Bedarf an verbesserten emittierenden
Verbindungen, insbesondere blau emittierenden Verbindungen, die
in organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen zu guten Effizienzen
und gleichzeitig zu hohen Lebensdauern führen und die technisch
unproblematisch zu verarbeiten sind. Dies gilt ebenso für
Ladungstransport- und -injektionsverbindungen bzw. zur Matrixmaterialien
für fluoreszierende oder phosphoreszierende Verbindungen.
Insbesondere gibt es Verbesserungsbedarf bei der Kristallinität
der Materialien.
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht somit in der Bereitstellung
solcher Verbindungen.
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Es
wurde überraschend gefunden, dass Elektrolumineszenzvorrichtungen,
die Indenofluorenderivaten mit genau einem heteroaromatischen Brückenatom
verwenden, deutliche Verbesserungen gegenüber dem Stand
der Technik aufweisen, insbesondere beim Einsatz als blau emittierende
Dotanden in einem Hostmaterial oder als Lochtransportverbindungen.
Beim Einsatz als Lochtransportverbindungen kann durch den Austausch
eines Kohlenstoffatoms durch ein Heteroatom in einer der beiden
Brücken eine Reduzierung der Kristallinität und
somit eine verbesserte Prozessierbarkeit erreicht werden. Weiterhin
ergeben sich geringere Betriebsspannungen aufgrund von Änderungen
in der Grenzflächenmorphologie sowie eine geringere Abhängigkeit
der Spannung von der Transportschichtdicke, möglicherweise
aufgrund verbesserter Lochmobilität. Beim Einsatz als tiefblaue
Dotanden führt die Einführung heteroaromatischer
Brückenatome zu einer höheren Lebensdauer sowie
verbesserter Effizienz.
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Die
Erfindung stellt dazu bereit eine Verbindung der allgemeinen Formel
I oder II bereit,
wobei
A
der allgemeinen Formel III
entspricht und wobei die
Verknüpfung mit der Verbindung der allgemeinen Formel I
oder II über Y erfolgt;
Y jeweils unabhängig
voneinander N, P, P=O, B, C=O, O, S, S=O oder SO
2 ist;
Z
jeweils unabhängig voneinander CR oder N ist;
X jeweils
unabhängig voneinander eine bivalente Brücke ist,
ausgewählt aus B(R
1), C=O, C=C(R
1)
2, S, S=O, SO
2 und N(R
1);
R
jeweils unabhängig voneinander H, D, F, Cl, Br, I, N(Ar)
2, N(R
2)
2,
C(=O)Ar, P(=O)Ar
2, S(=O)Ar, S(=O)
2Ar, CR
2=CR
2Ar, CN, NO
2, Si(R
2)
3, B(OR
2)
2, OSO
2R
2, eine geradkettige Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-,
Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte
oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe
mit 3 bis 40 C-Atomen ist, die jeweils mit einem oder mehreren Resten
R
2 substituiert sein kann, wobei eine oder
mehrere nicht benachbarte CH
2-Gruppen durch
R
2C=CR
2, C≡C,
Si(R
2)
2, Ge(R
2)
2, Sn(R
2)
2, C=O, C=S, C=Se,
C=NR
2, P(=O)(R
2),
SO, SO
2, NR
2, O,
S oder CONR
2 ersetzt sein können
und wobei ein oder mehrere H-Atome durch D, F, Cl, Br, I, CN oder
NO
2 ersetzt sein können, oder ein
aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 40 aromatischen
Ringatomen, das jeweils durch einen oder mehrere Reste R
2 substituiert sein kann, oder eine Aryloxy-
oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen, die
durch einen oder mehrere Reste R
2 substituiert
sein kann, oder eine Kombination dieser Systeme; wobei auch zwei
oder mehrere Substituenten R auch miteinander ein mono- oder polycyclisches
aliphatisches Ringsystem bilden können.
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R1 jeweils unabhängig voneinander
H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(R2)2, B(OR2)2, Si(R2)3, eine geradkettige
Alkyl-, Alkenyl-, Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 1
bis 40 C-Atomen oder eine verzweigte oder cyclische Alkyl-, Alkenyl-,
Alkinyl-, Alkoxy- oder Thioalkoxygruppe mit 3 bis 40 C-Atomen ist,
die jeweils mit einem oder mehreren Resten R2 substituiert
sein kann, wobei eine oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen
durch -R2C=CR2-,
-C≡C-, Si(R2)2,
Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se,
C=NR2, -O-, -S-, -COO- oder -CONR2- ersetzt sein können und wobei
ein oder mehrere H-Atome durch D, F, Cl, Br, I, CN oder NO2 ersetzt sein können, oder Arylamine,
oder substituierte Carbazole die jeweils mit einem oder mehreren
Resten R2 substituiert sein können,
oder ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis
40 aromatischen Ringatomen, das durch einen oder mehrere nicht-aromatische
Reste R1 substituiert sein kann, oder eine
Aryloxy- oder Heteroaryloxygruppe mit 5 bis 40 aromatischen Ringatomen,
die durch einen oder mehrere nicht-aromatische Reste R1 substituiert
sein kann, oder eine Kombination dieser Systeme, wobei auch zwei oder
mehrere Substituenten R1 auch miteinander
ein mono- oder polycyclisches Ringsystem bilden können;
R2 jeweils unabhängig voneinander
H, D oder ein aliphatischer oder aromatischer Kohlenwasserstoffrest
mit 1 bis 20 C-Atomen ist;
Ar jeweils unabhängig voneinander
ein aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem mit 5 bis 40
aromatischen Ringatomen ist, das mit einem oder mehreren Resten
R1 substituiert sein kann;
E jeweils
unabhängig voneinander eine Einfachbindung, N(R1), O, S, C(R1)2, Si(R1)2 oder B(R1) ist;
q
= 1 ist, wenn das entsprechende Zentralatom der Gruppe Y bzw. Z
ein Element aus der 3. oder 5. Hauptgruppe ist, und = 0 ist, wenn
das entsprechende Zentralatom der Gruppe Y bzw. Z ein Element aus
der 4. oder der 6. Hauptgruppe ist;
t jeweils unabhängig
voneinander 0 oder 1 ist, mit der Maßgabe, dass t = 0 ist,
wenn q = 0 ist, und wobei t = 0 bedeutet, dass statt der Gruppe
E ein Rest R1 gebunden ist;
v jeweils
unabhängig voneinander 0 oder 1 ist, wobei für
v = 0 gilt, dass an der Stelle des betroffenen Y ein Rest R2 oder Ar gebunden ist;
w jeweils unabhängig
voneinander 0 oder 1 ist, wobei für w = 0 gilt, dass an
der Stelle des betroffenen Y ein Wasserstoff oder Rest R2 oder Ar gebunden ist, mit der Maßgabe,
dass die Summe aus v und w größer oder gleich
eins ist.
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In
einer Ausführungsform der Erfindung ist bevorzugt, dass
in den Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel
I oder II der Rest Y jeweils N oder C=O ist.
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Es
ist ferner bevorzugt, dass X ausgewählt ist aus N(R1) oder S, wobei R1 die
oben angegebene Bedeutung hat.
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In
noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es
bevorzugt, dass die Gruppe Z jeweils unabhängig voneinander
CR ist. Der Rest R hat dabei vorzugsweise die oben angegebene Bedeutung.
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In
noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist bevorzugt,
dass in den Verbindungen der allgemeinen Formel I oder II Ar Phenyl,
Naphthyl, ein substituiertes aromatisches oder heteroaromatisches Ringsystem
mit 5-15 Kohlenstoffatomen, ein mit Arylamin oder Carbazol substituierter
Aromat oder Heteroaromat ist.
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In
noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist E
nicht vorhanden, d. h. t = 0, oder E ist eine Einfachbindung oder
C(R1)2, wobei R1 die oben angegebene Bedeutung hat.
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Es
ist ferner bevorzugt, dass in den Verbindungen der allgemeinen Formel
I oder II gilt: v = w = 1 oder v = 0 und w = 1 oder v = 1 und w
= 0.
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In
einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Verbindung
ausgewählt aus der Formel Ia oder IIa,
wobei
die Symbole und Indices die oben angegebene Bedeutung haben. Besonders
bevorzugt ist dabei X gleich S oder N(R
1).
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Es
ist ferner bevorzugt, dass die Verbindungen der allgemeinen Formeln
I oder II den folgenden Strukturformeln 1 bis 72 genügen:
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Im
Rahmen der vorliegenden Erfindung werden unter einer Alkylgruppe
mit 1 bis 40 C-Atomen, in der auch einzelne H-Atome oder CH2-Gruppen durch die oben genannten Gruppen
substituiert sein können, bevorzugt die Reste Methyl, Ethyl,
n-Propyl, i-Propyl, n-Butyl, i-Butyl, s-Butyl, t-Butyl, 2-Methylbutyl,
n-Pentyl, s-Pentyl, Cyclopentyl, n-Hexyl, Cyclohexyl, n-Heptyl,
Cycloheptyl, n-Octyl, Cyclooctyl, 2-Ethylhexyl, Trifluormethyl,
Pentafluorethyl und 2,2,2-Trifluorethyl verstanden. Unter einer
Alkenylgruppe im Sinne dieser Erfindung werden insbesondere Ethenyl,
Propenyl, Butenyl, Pentenyl, Cyclopentenyl, Hexenyl, Cyclohexenyl,
Heptenyl, Cycloheptenyl, Octenyl und Cyclooctenyl verstanden. Unter
einer Alkinylgruppe im Sinne dieser Erfindung werden insbesondere
Ethinyl, Propinyl, Butinyl, Pentinyl, Hexinyl oder Octinyl verstanden.
Unter einer C1- bis C40-Alkoxygruppe
werden bevorzugt Methoxy, Tri-fluormethoxy, Ethoxy, n-Propoxy, i-Propoxy,
n-Butoxy, i-Butoxy, s-Butoxy, t-Butoxy oder 2-Methylbutoxy verstanden.
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Eine
Arylgruppe im Sinne dieser Erfindung enthält bevorzugt
5 bis 40 C-Atome; eine Heteroarylgruppe im Sinne dieser Erfindung
enthält 2 bis 40 C-Atome und mindestens ein Heteroatom,
mit der Maßgabe, dass die Summe aus C-Atomen und Heteroatomen
mindestens 5 ergibt. Die Heteroatome sind bevorzugt ausgewählt
aus N, O und/oder S. Dabei wird unter einer Arylgruppe bzw. Heteroarylgruppe
entweder ein einfacher aromatischer Cyclus, also Benzol, bzw. ein
einfacher heteroaromatischer Cyclus, beispielsweise Pyridin, Pyrimidin,
Thiophen, etc., oder eine kondensierte Aryl- oder Heteroarylgruppe,
beispielsweise Naphthalin, Anthracen, Phenanthren, Chinolin, Isochinolin,
Benzothiophen, Benzofuran und Indol etc., verstanden.
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Ein
aromatisches Ringsystem im Sinne dieser Erfindung enthält
5 bis 40 C-Atome im Ringsystem. Ein heteroaromatisches Ringsystem
im Sinne dieser Erfindung enthält 2 bis 40 C-Atome und
mindestens ein Heteroatom im Ringsystem, mit der Maßgabe,
dass die Summe aus C-Atomen und Heteroatomen mindestens 5 ergibt.
Die Heteroatome sind bevorzugt ausgewählt aus N, O und/oder
S. Unter einem aromatischen oder heteroaromatischen Ringsystem im
Sinne dieser Erfindung soll ein System verstanden werden, das nicht
notwendigerweise nur Aryl- oder Heteroarylgruppen enthält,
sondern in dem auch mehrere Aryl- oder Heteroarylgruppen durch eine
nicht-aromatische Einheit (bevorzugt weniger als 10% der von H verschiedenen
Atome), wie z. B. ein sp3-hybridisiertes
C-, N- oder O-Atom, unterbrochen sein können. So sollen
beispielsweise auch Systeme wie 9,9'-Spirobifluoren, 9,9-Diarylfluoren,
Triarylamin, Diarylether, Stilben, etc. als aromatische Ringsysteme
im Sinne dieser Erfindung verstanden werden, und ebenso Systeme,
in denen zwei oder mehrere Arylgruppen beispielsweise durch eine
lineare oder cyclische Alkylgruppe oder durch eine Silylgruppe unterbrochen
sind.
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Unter
einem aromatischen oder heteroaromatischen Ringsystem mit 5-60 aromatischen
Ringatomen, welches noch jeweils mit den oben genannten Resten R
substituiert sein kann und welches über beliebige Positionen
am Aromaten bzw. Heteroaromaten verknüpft sein kann, werden
insbesondere Gruppen verstanden, die abgeleitet sind von Benzol,
Naphthalin, Anthracen, Phenanthren, Pyren, Chrysen, Benzanthracen,
Perylen, Fluoranthen, Naphthacen, Pentacen, Benzpyren, Biphenyl,
Biphenylen, Terphenyl, Terphenylen, Fluoren, Spirobifluoren, Dihydrophenanthren,
Dihydropyren, Tetrahydropyren, cis- oder trans-Indenofluoren, Truxen,
Isotruxen, Spirotruxen, Spiroisotruxen, Furan, Benzofuran, Isobenzofuran,
Dibenzofuran, Thiophen, Benzothiophen, Isobenzothiophen, Dibenzothiophen,
Pyrrol, Indol, Isoindol, Carbazol, Pyridin, Chinolin, Isochinolin,
Acridin, Phenanthridin, Benzo-5,6-chinolin, Benzo-6,7-chinolin,
Benzo- 7,8-chinolin, Phenothiazin, Phenoxazin, Pyrazol, Indazol,
Imidazol, Benzimidazol, Naphthimidazol, Phenanthrimidazol, Pyridimidazol,
Pyrazinimidazol, Chinoxalinimidazol, Oxazol, Benzoxazol, Naphthoxazol,
Anthroxazol, Phenanthroxazol, Isoxazol, 1,2-Thiazol, 1,3-Thiazol,
Benzothiazol, Pyridazin, Benzopyridazin, Pyrimidin, Benzpyrimidin,
Chinoxalin, 1,5-Diazaanthracen, 2,7-Diazapyren, 2,3-Diazapyren,
1,6-Diazapyren, 1,8-Diazapyren, 4,5-Diazapyren, 4,5,9,10-Tetraazaperylen,
Pyrazin, Phenazin, Phenoxazin, Phenothiazin, Fluorubin, Naphthyridin,
Azacarbazol, Benzocarbolin, Phenanthrolin, 1,2,3-Triazol, 1,2,4-Triazol,
Benzotriazol, 1,2,3-Oxadiazol, 1,2,4-Oxadiazol, 1,2,5-Oxadiazol, 1,3,4-Oxadiazol,
1,2,3-Thiadiazol, 1,2,4-Thiadiazol, 1,2,5-Thiadiazol, 1,3,4-Thiadiazol,
1,3,5-Triazin, 1,2,4-Triazin, 1,2,3-Triazin, Tetrazol, 1,2,4,5-Tetrazin,
1,2,3,4-Tetrazin, 1,2,3,5-Tetrazin, Purin, Pteridin, Indolizin und Benzothiadiazol.
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Die
erfindungsgemäßen Verbindungen können
nach dem Fachmann bekannten Syntheseschritten, wie z. B. Bromierung,
Suzuki-Kupplung, Hartwig-Buchwald-Kupplung, etc., dargestellt werden.
Die Synthese von Derivaten mit Stickstoff als Brückenatom
X ist allgemein in Schema 1 dargestellt.
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Die
Synthese geht aus von einem Fluoren-2-boronsäurederivat,
welches in einer Suzuki-Kupplung mit 1,4-Dibrom-2-nitrobenzol gekuppelt
wird. Es kann eine Halogenierung, beispielsweise eine Bromierung
an der Fluoreneinheit folgen. Die Nitrogruppe wird unter Einwirkung
eines Phosphits, beispielsweise Triethylphosphit, zum Ring geschlossen,
so dass man das entsprechende Indenocarbazolderivat erhält.
Der Stickstoff kann dann durch Alkylierungsmittel alkyliert oder
in einer Hartwig-Buchwald-Reaktion aryliert werden. In einem letzten
Schritt werden die reaktiven Abgangsgruppen, beispielsweise die
Bromgruppen, zum gewünschten Molekül umgesetzt.
Dies kann beispielsweise in einer Hartwig-Buchwald-Kupplung zum
entsprechenden Amin erfolgen. Ketone, Phosphinoxide, etc. sind erhältlich
durch Metallierung, beispielsweise Lithiierung und Umsetzung mit
einem Elektrophil. Dabei können die Strukturen selbstverständlich
auch durch weitere Substituenten substituiert sein.
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Die
Synthese von Derivaten mit Schwefel als Brückenatom X ist
allgemein in Schema 2 dargestellt.
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Die
Synthese geht aus von einem 2-Bromfluorenderivat. Dieses wird mit
einem 1-Boronsäure-2-thioether-Derivat von Benzol in einer
Suzuki-Kupplung umgesetzt und oxidiert. Unter Einfluss von Säure
entsteht das entsprechende Indenodibenzothiophen, welches mit einem
Oxidationsmittel oxidiert wird. Es folgen die Halogenierung, beispielsweise
Bromierung, und die Kupplung gemäß Hartwig-Buchwald,
um eine Diarylaminogruppe einzufügen. In einem letzten
Schritt wird der Schwefel wieder reduziert. Dabei erfolgt die Oxidation und
Reduktion des Schwefels, um selektiv die Halogenierung zu ermöglichen.
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Allgemein
lassen sich die erfindungsgemäßen Verbindungen
darstellen, indem ein Fluorenderivat mit einem Benzolderivat, welches
durch eine Gruppe X1 substituiert ist, gekuppelt
wird, wobei die Gruppe X1 eine Gruppe ist,
welche sich in die bivalente Gruppe X umwandeln lässt,
und indem in einem Folgeschritt die Gruppe X1 in
die Gruppe X umgewandelt wird.
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Ein
weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung
einer Verbindung der allgemeinen Formel I oder II, gekennzeichnet
durch die Schritte:
- a) Kupplung eines Fluorenderivats
mit einem Benzolderivat, welches durch eine Gruppe X1 substituiert
ist, wobei die Gruppe X1 eine Gruppe ist,
welche sich in die bivalente Gruppe X umwandeln lässt,
und
- b) Umwandlung der Gruppe X1 in die Gruppe
X,
wobei X die oben angegebene Bedeutung hat.
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Die
Verbindungen gemäß Formel I oder II können
in elektronischen Vorrichtungen, insbesondere in organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen
eingesetzt werden. Die genaue Verwendung der Verbindungen hängt
dabei von den Substituenten ab.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die
Verbindung gemäß einer der Formeln I oder II in
einer emittierenden Schicht, bevorzugt in Mischung mit mindestens
einer weiteren Verbindung eingesetzt. Es ist bevorzugt, wenn die
Verbindung gemäß einer der Formeln I oder II in der
Mischung die emittierende Verbindung (der Dotand) ist. Bevorzugte
Hostmaterialien sind organische Verbindungen, deren Emission kurzwelliger
ist als die der Verbindung gemäß einer der Formeln
I oder II oder die überhaupt nicht emittieren.
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Weiterer
Gegenstand der Erfindung sind daher Mischungen aus einer oder mehreren
Verbindungen gemäß einer der Formeln I oder II
mit einem oder mehreren Hostmaterialien.
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Der
Anteil der Verbindung gemäß einer der Formeln
I oder II in der Mischung der emittierenden Schicht beträgt
zwischen 0.1 und 99.0 Vol.-%, bevorzugt zwischen 0.5 und 50.0 Vol.-%,
besonders bevorzugt zwischen 1.0 und 20.0 Vol.-%, insbesondere zwischen
1.0 und 10.0 Vol.-%. Entsprechend beträgt der Anteil des
Hostmaterials in der Schicht zwischen 1.0 und 99.9 Vol.-%, bevorzugt
zwischen 50.0 und 99.5 Vol.-%, besonders bevorzugt zwischen 80.0
und 99.0 Vol.-%, insbesondere zwischen 90.0 und 99.0 Vol.-%.
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Als
Hostmaterialien kommen verschiedene Stoffklassen in Frage. Bevorzugte
Hostmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen der Oligo-arylene
(z. B. 2,2',7,7'-tetraphenyl-spirobifluoren gemäß
EP 676461 oder Dinaphthylanthracen),
insbesondere der Oligo-arylene enthaltend kondensierte aromatische
Gruppen, der Oligo-arylenvinylene (z. B. DPVBi oder Spiro-DPVBi
gemäß
EP 676461 ),
der polypodalen Metallkomplexe (z. B. gemäß
WO 04/081017 ), der lochleitenden
Verbindungen (z. B. gemäß
WO 04/058911 ), der elektronenleitenden
Verbindungen, insbesondere Ketone, Phosphinoxide, Sulfoxide, etc.
(z. B. gemäß
WO
05/084081 oder
WO
05/084082 ), der Atropisomere (z. B. gemäß der
EP 1655359 ), der Boronsäurederivate
(z. B. gemäß
WO
06/117052 ) oder der Benzanthracenderivate (z. B. gemäß
WO 08/145239 ). Besonders
bevorzugte Hostmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen
der Oligo-arylene, enthaltend Naphthalin, Anthracen, Benzanthracen
und/oder Pyren oder Atropisomeren dieser Verbindungen, der Oligoarylenvinylene,
der Ketone, der Phosphinoxide und der Sulfoxide. Ganz besonders
bevorzugte Hostmaterialien sind ausgewählt aus den Klassen
der Oligoarylene, enthaltend Naphthalin, Anthracen, Benzanthracen
und/oder Pyren oder Atropisomeren dieser Verbindungen.
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Es
ist weiterhin insbesondere bevorzugt, dass die Verbindungen gemäß einer
der Formeln I oder II als Lochtransportmaterial und/oder als Lochinjektionsmaterial
eingesetzt werden. Dies gilt insbesondere dann, wenn Y für
N steht und/oder wenn X für NR
1 steht.
Die Verbindungen werden dann bevorzugt in einer Lochtransportschicht
und/oder in einer Lochinjektionsschicht eingesetzt. Eine Lochinjektionsschicht
im Sinne dieser Erfindung ist eine Schicht, die direkt an die Anode
angrenzt. Eine Lochtransportschicht im Sinne dieser Erfindung ist
eine Schicht, die zwischen der Lochinjektionsschicht und der Emissionsschicht
liegt. Wenn die Verbindungen gemäß einer der Formeln
I oder II als Lochtransport- bzw. als Lochinjektionsmaterial verwendet werden,
kann es bevorzugt sein, wenn sie mit Elektronenakzeptor-Verbindungen
dotiert sind, beispielsweise mit F
4-TCNQ
(Tetrafluorotetracyano-chinodimethan) oder mit Verbindungen, wie
sie in
EP 1476881 oder
EP 1596445 beschrieben werden.
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Wird
die Verbindung gemäß einer der Formeln I oder
II als Lochtransportmaterial in einer Lochtransportschicht eingesetzt,
kann auch ein Anteil von 100% bevorzugt sein, also die Verwendung
dieser Verbindung als Reinmaterial.
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Insbesondere
bevorzugt ist auch die Verwendung gemäß einer
der Formeln I oder II in einer Lochtransport- oder -injektionsschicht
in Kombination mit einer Schicht, welche ein Hexaazatriphenylenderivat
enthält, insbesondere Hexacyanohexaazatriphenylen (z. B.
gemäß
EP 1175470 ).
So ist beispielsweise eine Kombination bevorzugt, die folgendermaßen
aussieht: Anode-Hexaazatriphenylenderivat-Lochtransportschicht, wobei
die Lochtransportschicht eine oder mehrere Verbindungen gemäß Formel
I oder II enthält. Ebenso ist es in diesem Aufbau möglich,
mehrere aufeinanderfolgende Lochtransportschichten zu verwenden,
wobei wenigstens eine Lochtransportschicht wenigstens eine Verbindung
gemäß Formel I oder II enthält. Eine
weitere bevorzugte Kombination sieht folgendermaßen aus:
Anode-Lochtransportschicht- Hexaazatriphenylenderivat-Lochtransportschicht,
wobei wenigstens eine der beiden Lochtransportschichten eine oder
mehrere Verbindungen gemäß Formel I oder II enthält.
Ebenso ist es in diesem Aufbau möglich, dass statt einer
Lochtransportschicht mehrere aufeinander folgende Lochtransportschichten
verwendet werden, wobei wenigstens eine Lochtransportschicht wenigstens
eine Verbindung gemäß Formel I oder II enthält.
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Es
ist weiterhin bevorzugt, die Verbindungen gemäß einer
der Formeln I oder II als Elektronentransportmaterial und/oder als
Lochblockiermaterial für fluoreszierende und phosphoreszierende
OLEDs und/oder als Triplett-Matrixmaterial für phosphoreszierende
OLEDs einzusetzen. Dies gilt insbesondere dann, wenn Y für
C=O oder P=O steht.
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Ein
weiterer Gegenstand der Erfindung ist die Verwendung der oben definierten
Verbindungen in elektronischen Vorrichtungen.
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Die
oben dargestellten Verbindungen können auch zur Herstellung
von Polymeren, Oligomeren oder Dendrimeren verwendet werden. Dies
erfolgt gewöhnlich über polymerisierbare funktionelle
Gruppen. Hierzu sind insbesondere solche Verbindungen bevorzugt,
welche mit reaktiven Abgangsgruppen, wie Brom, Iod, Boronsäure,
Boronsäureester, Tosylat oder Triflat substituiert sind.
Diese können auch als Comonomere zur Erzeugung entsprechender
konjugierter, teilkonjugierter oder nicht-konjugierter Polymere,
Oligomere oder auch als Kern von Dendrimeren Verwendung finden.
Die Polymerisation erfolgt dabei bevorzugt über die Halogenfunktionalität
bzw. die Boronsäurefunktionalität. Die Polymere
können auch über vernetzbare Gruppen verfügen
bzw. vernetzt sein. Insbesondere eignen sich vernetzbare Gruppen,
welche dann in der Schicht der elektronischen Vorrichtung vernetzt
werden.
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Ein
weiterer Gegenstand der Erfindung sind somit Polymere, Oligomere
oder Dendrimere, enthaltend eine oder mehrere Verbindungen gemäß einer
der Formeln I oder II, wobei ein oder mehrere Reste oder H-Atome
der oben definierten Verbindungen eine Bindung zum Polymer, Oligomer
oder Dendrimer darstellen. Dabei können die Polymere, Oligomere
oder Dendrimere konjugiert, teilkonjugiert oder nicht-konjugiert
sein. Ebenfalls umfasst sind Elends der erfindungsgemäßen
Polymere, Oligomere oder Dendrimere mit weiteren Polymeren, Oligomeren
oder Dendrimeren.
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Als
Oligomer wird im Sinne dieser Erfindung eine Verbindung bezeichnet,
welche etwa drei bis neun Wiederholungseinheiten aufweist. Als Polymer
im Sinne der Erfindung wird eine Verbindung verstanden, welche zehn
oder mehr Wiederholungseinheiten aufweist.
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Die
oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verbindungen
können beispielsweise als Comonomere zur Erzeugung entsprechender
konjugierter, teilkonjugierter oder nicht-konjugierter Polymere,
Oligomere oder auch als Kern von Dendrimeren Verwendung finden.
Die Polymerisation erfolgt dabei bevorzugt über eine Halogenfunktionalität
und/oder eine Boronsäurefunktionalität.
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Diese
Polymere können weitere Wiederholeinheiten enthalten. Diese
weiteren Wiederholeinheiten sind vorzugsweise ausgewählt
aus der Gruppe, bestehend aus Fluorenen (z. B. gemäß
EP 842208 oder
WO 00/22026 ), Spirobifluorenen (z.
B. gemäß
EP
707020 ,
EP 894107 oder
EP 04028865.6 ), Triarylaminen,
Para-phenylenen (z. B. gemäß
WO 92/18552 ), Carbazolen (z. B. gemäß
WO 04/070772 und
WO 04/113468 ), Thiophenen
(z. B. gemäß
EP
1028136 ), Dihydrophenanthrenen (z. B. gemäß
WO 05/014689 ), Indenofluorenen
(z. B. gemäß
WO
04/041901 und
WO 04/113412 ),
aromatischen Ketonen (z. B. gemäß
WO 05/040302 ), Phenanthrenen (z.
B. gemäß
WO
05/104264 ) und/oder Metallkomplexen, insbesondere ortho-metallierten
Iridiumkomplexen. Dabei sei ausdrücklich darauf hingewiesen,
dass die Polymere auch mehrere verschiedene Wiederholeinheiten aufweisen
können, welche aus einer oder mehreren der oben genannten
Gruppen ausgewählt sind.
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Ebenfalls
Gegenstand der Erfindung ist die Verwendung der oben definierten
Polymere, Oligomere oder Dendrimere in elektronischen Vorrichtungen.
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Ein
weiterer Gegenstand der Erfindung ist eine elektronische Vorrichtung,
enthaltend mindestens eine Verbindung, wie oben definiert, oder
ein Polymer, Oligomer oder Dendrimer, wie oben definiert. Ebenfalls
von der Erfindung umfasst sind Elends der erfindungsgemäßen
Oligomere, Polymere oder Dendrimere, gegebenenfalls mit weiteren
davon verschiedenen Oligomeren, Polymeren oder Dendrimeren oder
weiteren niedermolekularen Verbindungen.
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Die
elektronische Vorrichtung ist bevorzugt ausgewählt aus
der Gruppe bestehend aus organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen
(OLEDs), organischen Feld-Effekt-Transistoren (O-FETs), organischen Dünnfilmtransistoren
(O-TFTs), organischen lichtemittierenden Transistoren (O-LETs),
organischen integrierten Schaltungen (O-ICs), organischen Solarzellen
(O-SCs), organischen Feld-Quench-Devices (O-FQDs), lichtemittierenden
elektrochemischen Zellen (LECs), organischen Photorezeptoren oder
organischen Laserdioden (O-Laser).
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Es
ist im Rahmen der Erfindung bevorzugt, dass in der elektronischen
Vorrichtung die erfindungsgemäßen Verbindungen
gemäß einer der Formeln I oder II oder die erfindungsgemäßen
Polymere, Oligomere oder Dendrimere als Lochtransportmaterial in
einer Lochtransportschicht und/oder in einer Lochinjektionsschicht
eingesetzt werden und dass die Verbindungen gemäß einer
der Formeln I oder II oder die Polymere, Oligomere oder Dendrimere
in diesen Schichten gegebenenfalls durch Elektronenakzeptor-Verbindungen
dotiert sein können.
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Es
ist im Rahmen der Erfindung ferner bevorzugt, dass in der elektronischen
Vorrichtung die erfindungsgemäßen Verbindungen
gemäß einer der Formeln I oder II oder die erfindungsgemäßen
Polymere, Oligomere oder Dendrimere als Elektronentransportmaterial
in einer Elektronentransportschicht und/oder als Lochblockiermaterial
in einer Lochblockierschicht und/oder als Triplett-Matrixmaterial
in einer emittierenden Schicht eingesetzt werden.
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Die
organische Elektrolumineszenzvorrichtung umfasst eine Anode, eine
Kathode und mindestens eine emittierende Schicht, wobei mindestens eine
Schicht, die eine Lochtransport- oder -injektionsschicht, eine emittierende
Schicht, eine Elektronentransportschicht oder eine andere Schicht
sein kann, mindestens eine Verbindung gemäß einer
der Formeln I oder II oder die erfindungsgemäßen
Polymere, Oligomere oder Dendrimere enthält.
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Als
Kathode sind Metalle mit geringer Austrittsarbeit, Metalllegierungen
oder mehrlagige Strukturen aus verschiedenen Metallen bevorzugt,
wie beispielsweise Erdalkalimetalle, Alkalimetalle, Hauptgruppenmetalle
oder Lanthanoide (z. B. Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm, etc.). Bei
mehrlagigen Strukturen können auch zusätzlich
zu den genannten Metallen weitere Metalle verwendet werden, die
eine relativ hohe Austrittsarbeit aufweisen, wie z. B. Ag, wobei
dann in der Regel Kombinationen der Metalle, wie beispielsweise
Ca/Ag oder Ba/Ag verwendet werden. Ebenso bevorzugt sind Metalllegierungen,
insbesondere Legierungen aus einem Alkalimetall oder Erdalkalimetall
und Silber, besonders bevorzugt eine Legierung aus Mg und Ag. Es
kann auch bevorzugt sein, zwischen einer metallischen Kathode und
dem organischen Halbleiter eine dünne Zwischenschicht eines
Materials mit einer hohen Dielektrizitätskonstante einzubringen.
Hierfür kommen beispielsweise Alkalimetall- oder Erdalkalimetallfluoride,
aber auch die entsprechenden Oxide oder Carbonate in Frage (z. B. LiF,
Li2O, CsF, Cs2CO3, BaF2, MgO, NaF,
etc.). Die Schichtdicke dieser Schicht beträgt bevorzugt
zwischen 0.5 und 5 nm.
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Als
Anode sind Materialien mit hoher Austrittsarbeit bevorzugt. Bevorzugt
weist die Anode eine Austrittsarbeit größer 4.5
eV vs. Vakuum auf. Hierfür sind einerseits Metalle mit
hohem Redoxpotential geeignet, wie beispielsweise Ag, Pt oder Au.
Es können andererseits auch Metall/Metalloxid-Elektroden
(z. B. Al/Ni/NiOx, Al/PtOx)
bevorzugt sein. Für einige Anwendungen muss mindestens
eine der Elektroden transparent sein, um entweder die Bestrahlung
des organischen Materials (O-SC) oder die Auskopplung von Licht
(OLED/PLED, O-Laser) zu ermöglichen. Ein bevorzugter Aufbau
verwendet eine transparente Anode. Bevorzugte Anodenmaterialien
sind hier leitfähige gemischte Metalloxide. Besonders bevorzugt
sind Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink Oxid (IZO). Bevorzugt
sind weiterhin leitfähige, dotierte organische Materialien,
insbesondere leitfähige dotierte Polymere.
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Die
Vorrichtung wird entsprechend (je nach Anwendung) strukturiert,
kontaktiert und schließlich hermetisch versiegelt, da sich
die Lebensdauer derartiger Vorrichtungen bei Anwesenheit von Wasser
und/oder Luft drastisch verkürzt.
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Auch
in Polymeren, Oligomeren oder Dendrimeren können Verbindungen
gemäß einer der Formeln I oder II entweder als
emittierende Einheit und/oder als lochtransportierende Einheit und/oder
als elektronentransportierende Einheit eingesetzt werden.
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Weiterhin
bevorzugt sind organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, dadurch
gekennzeichnet, dass mehrere emittierende Verbindungen in derselben
Schicht oder in unterschiedlichen Schichten verwendet werden. Besonders
bevorzugt weisen diese Verbindungen insgesamt mehrere Emissionsmaxima
zwischen 380 nm und 750 nm auf, so dass insgesamt weiße
Emission resultiert, d. h. außer der Verbindung gemäß einer der
Formeln I oder II wird noch mindestens eine weitere emittierende
Verbindung verwendet, die fluoreszieren oder phosphoreszieren kann
und die gelbes, orange oder rotes Licht emittiert. Insbesondere
bevorzugt sind Dreischichtsysteme, wovon mindestens eine dieser
Schichten eine Verbindung gemäß einer der Formeln
I oder II enthält und wobei die Schichten blaue, grüne
und orange oder rote Emission zeigen (für den prinzipiellen
Aufbau siehe z. B.
WO 05/011013 ).
Ebenso können für weiß emittierende OLEDs
Breitbandemitter verwendet werden.
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Außer
Kathode, Anode und der emittierenden Schicht kann die organische
Elektrolumineszenzvorrichtung noch weitere Schichten enthalten.
Diese können beispielsweise sein: Lochinjektionsschicht,
Lochtransportschicht, Elektronenblockierschicht, Lochblockierschicht,
Elektronentransportschicht, Elektroneninjektionsschicht und/oder
eine Charge-Generation Layer (T. Matsumoto et al., Multiphoton
Organic EL Device Having Charge Generation Layer, IDMC 2003, Taiwan;
Session 21 OLED (5)). Es sei aber an dieser Stelle darauf
hingewiesen, dass nicht notwendigerweise jede dieser Schichten vorhanden
sein muss. So werden insbesondere bei Verwendung von Verbindungen
gemäß einer der Formeln I oder II mit elektronenleitenden
Hostmaterialien weiterhin sehr gute Ergebnisse erhalten, wenn die
organische Elektrolumineszenzvorrichtung keine separate Elektronentransportschicht
enthält und die emittierende Schicht direkt an die Elektroneninjektionsschicht
oder an die Kathode grenzt. Alternativ kann das Hostmaterial auch
gleichzeitig in einer Elektronentransportschicht als Elektronentransportmaterial
dienen. Ebenfalls kann es bevorzugt sein, wenn die organische Elektrolumineszenzvorrichtung
keine separate Lochtransportschicht enthält und die emittierende
Schicht direkt an die Lochinjektionsschicht oder an die Anode grenzt.
Weiterhin kann es bevorzugt sein, wenn die Verbindung gemäß einer
der Formeln I oder II gleichzeitig als Dotand in der emittierenden
Schicht und als lochleitende Verbindung (als Reinsubstanz oder als
Mischung) in einer Lochtransportschicht und/oder in einer Lochinjektionsschicht verwendet
wird.
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Weiterhin
bevorzugt ist eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, dadurch
gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten mit einem Sublimationsverfahren
beschichtet werden. Dabei werden die Materialien in Vakuum-Sublimationsanlagen
bei einem Anfangsdruck kleiner 10–5 mbar,
bevorzugt kleiner 10–6 mbar aufgedampft.
Es sei aber angemerkt, dass der Anfangsdruck auch noch geringer
sein kann, beispielsweise kleiner 10–7 mbar.
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Bevorzugt
ist ebenfalls eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, dadurch
gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten mit dem OVPD (Organic
Vapour Phase Deposition) Verfahren oder mit Hilfe einer Trägergassublimation
beschichtet werden. Dabei werden die Materialien bei einem Druck
zwischen 10–5 mbar und 1 bar aufgebracht.
Ein Spezialfall dieses Verfahrens ist das OVJP (Organic Vapour Jet
Printing) Verfahren, bei dem die Materialien direkt durch eine Düse
aufgebracht und so strukturiert werden (z. B. M. S. Arnold
et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
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Weiterhin
bevorzugt ist eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, dadurch
gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Schichten aus Lösung, wie
z. B. durch Spincoating, oder mit einem beliebigen Druckverfahren,
wie z. B. Siebdruck, Flexodruck oder Offsetdruck, besonders bevorzugt
aber LITI (Light Induced Thermal Imaging, Thermotransferdruck) oder
Ink-Jet Druck (Tintenstrahldruck), hergestellt werden. Hierfür sind
lösliche Verbindungen gemäß einer der
Formeln I oder II nötig. Hohe Löslichkeit lässt
sich durch geeignete Substitution der Verbindungen erreichen. Diese
Verfahren zur Herstellung von Schichten eignen sich insbesondere
für Polymere, Oligomere oder Dendrimere.
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Die
erfindungsgemäßen Verbindungen weisen bei Verwendung
in organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen folgende überraschende
Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf:
- 1. Die Leistungseffizienz entsprechender Vorrichtungen wird
höher im Vergleich zu Systemen gemäß dem Stand
der Technik, insbesondere bei Verwendung dicker Schichten.
- 2. Die Stabilität entsprechender Vorrichtungen wird
höher im Vergleich zu Systemen gemäß dem
Stand der Technik, was sich vor allem in einer deutlich höheren
Lebensdauer zeigt, insbesondere bei Verwendung dicker Schichten.
- 3. Bei Verwendung der erfindungsgemäßen Verbindungen
als Lochtransportmaterial in einer Lochtransport- und/oder Lochinjektionsschicht
zeigt sich, dass die Spannung weniger abhängig von der
Schichtdicke der entsprechenden Lochtransport- bzw. Lochinjektionsschicht
ist. Dagegen erhält man mit Materialien gemäß dem
Stand der Technik bei dickeren Schichtdicken der Lochtransport-
bzw. Lochinjektionsschichten einen stärkeren Spannungsanstieg,
welcher wiederum zu einer geringeren Leistungseffizienz der OLED führt.
- 4. Insbesondere aber verbessert sich die Kristallinität
der erfindungsgemäßen Verbindungen. Während
die Verbindungen gemäß dem Stand der Technik beim
Aufdampfen an der Aufdampfquelle kristallisieren und so bei längerer
Aufdampfung, wie sie in der technischen Massenproduktion erfolgt,
zu einem Verstopfen der Quelle führt, wird dieses Phänomen
bei den erfindungsgemäßen Verbindungen überhaupt
nicht oder nur in minimalem Ausmaß beobachtet. Die erfindungsgemäßen
Verbindungen eignen sich daher besser für die Verwendung
in der Massenproduktion als die Verbindungen gemäß dem
Stand der Technik.
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Im
vorliegenden Anmeldetext und auch in den im Weiteren folgenden Beispielen
wird auf die Verwendung der erfindungsgemäßen
Verbindungen in Bezug auf OLEDs und die entsprechenden Displays
abgezielt. Trotz dieser Beschränkung der Beschreibung ist
es für den Fachmann ohne weiteres erfinderisches Zutun möglich,
die erfindungsgemäßen Verbindungen auch für
weitere Verwendungen in anderen elektronischen Vorrichtungen einzusetzen,
z. B. für organische Feld-Effekt-Transistoren (O-FETs),
organische Dünnfilmtransistoren (O-TFTs), organische lichtemittierende
Transistoren (O-LETs), organische integrierte Schaltungen (O-ICs),
organische Solarzellen (O-SCs), organische Feld-Quench-Devices (O-FQDs),
lichtemittierende elektrochemische Zellen (LECs), organische Photorezeptoren
oder auch organische Laserdioden (O-Laser), um nur einige Anwendungen
zu nennen.
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Die
Verwendung der erfindungsgemäßen Verbindungen
in den entsprechenden Vorrichtungen ebenso wie diese Vorrichtungen
selbst sind ebenfalls ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung.
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Die
Erfindung wird nun durch die nachfolgenden Beispiele näher
erläutert, ohne sie dadurch einschränken zu wollen.
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Beispiele
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Die
nachfolgenden Synthesen werden, sofern nicht anders angegeben, unter
einer Schutzgasatmosphäre in getrockneten Lösungsmitteln
durchgeführt. Als Ausgangspunkt kann z. B. die 9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-boronsäure
dienen (Synlett 2006, (5), 737–740).
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Beispiel 1: Synthese von Amin-1
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a)
Synthese des (2'-Nitrophenyl)-fluoren-2-yl-Derivats
-
164.4
g (650 mmol) 9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-boronsäure, 33.8
g (124 mmol) 2,5-Dibromnitrobenzol und 164.7 g (774 mmol) K2CO3 werden in 750
ml THF und 750 ml Wasser suspendiert, das Gemisch mit N2 gesättigt,
2.9 g (2.55 mmol) Tetrakis(triphenylphosphin)-palladium(0) zugegeben
und für 2 h zum Sieden erhitzt. Das Gemisch wird in 3 L
einer Mischung aus Wasser/MeOH/6 M HCl 1:1:1 gegossen, der beige
Niederschlag abgesaugt, mit Wasser gewaschen und getrocknet. Der
Gehalt an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR ca. 75% bei einer Gesamtausbeute von
183 g (90%).
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b)
Synthese des Dibrom-Derivats
-
Unter
Schutzgas werden 384 g (973 mmol) der Verbindung aus a) in 2.5 L
Chloroform vorgelegt und auf 5°C gekühlt. Zu dieser
Lösung wird 55.2 ml (1071 mmol) Br2,
gelöst in 250 ml Chloroform, zugetropft und über
Nacht gerührt. Das Gemisch wird mit Na2SO3 Lösung versetzt, die Phasen werden
getrennt und das Lösungsmittel im Vakuum entfernt. Der
Gehalt an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR ca. 95% bei einer Gesamtausbeute von
400 g (86%).
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c)
Synthese die Dibrom-indenocarbazols
-
Eine
Mischung aus 140 g (295 mmol) des Dibromderivats aus b) und 500
ml (2923 mmol) Triethylphosphit wird 12 h unter Rückfluss
erhitzt. Anschließend wird das restliche Triethylphosphit
abdestilliert (72–76°C/9 mm Hg). Der Rückstand
wird mit Wasser/MeOH (1:1) versetzt, der Festsoff abfiltriert und
umkristallisiert. Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR ca. 96% bei einer Gesamtausbeute von
110 g (84%).
-
-
Unter
Schutzgas werden 52 g (117.8 mmol) des Indenocarbazols aus c) in
450 mL THF und 150 mL DMF vorgelegt und auf 0°C gekühlt.
Zu dieser Lösung werden 7 g (23 mmol) 60% Natriumhydrid
portionsweise zugegeben. Anschließend werden 22.01 mL Methyliodid
zugetropft, und man lässt auf Raumtemperatur kommen. Das
Gemisch wird mit 200 mL 25% NH3-Lösung
versetzt, die Phasen werden getrennt und das Lösungsmittel
im Vakuum entfernt. Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR ca. 95% bei einer Gesamtausbeute von
33.2 g (92%).
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e)
Hartwig-Buchwald-Kupplung zur Synthese von Amin-1
-
Eine
entgaste Lösung von 53 g (116 mmol) des Indenocarbazols
aus d) und 43.3 g (256 mmol) Diphenylamin in 1500 ml Dioxan wird
1 h lang mit N2 gesättigt. Danach
wird die Lösung zuerst mit 11.6 ml (11.6 mmol) 1 M P(tBu)3-Lösung,
dann mit 2.6 g (11.6 mmol) Palladiumacetat versetzt und anschließend
33.5 g (349 mmol) NaOtBu im festen Zustand zugegeben. Die Reaktionsmischung
wird 18 h unter Rückfluss erhitzt. Nach Abkühlen
auf Raumtemperatur werden vorsichtig 1000 ml Wasser zugesetzt. Die
organische Phase wird mit 4 × 50 ml H2O
gewaschen, über MgSO4 getrocknet
und die Lösungsmittel im Vakuum entfernt. Das reine Produkt
erhält man durch Umkristallisation. Der Gehalt an Produkt
beträgt gemäß HPLC 99.9% bei einer Gesamtausbeute
von 62.5 g (85%).
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Beispiel 2: Synthese von Amin-2
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a)
Synthese des Thioethers
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200
g (732 mmol) 2-Brom-9,9-dimethyl-9H-fluoren, 122.9 g (732 mmol)
2-Methylsulfanylphenylboronsäure und 202 g (950 mmol) K2CO3 werden in 850
ml THF und 850 ml Wasser suspendiert, das Gemisch mit N2 gesättigt,
3.3 g (2.9 mmol) Tetrakis(triphenylphosphin)-palladium(0) zugegeben
und für 2 h zum Sieden erhitzt. Das Gemisch wird in 3 L
einer Mischung aus Wasser/MeOH/6 M HCl 1:1:1 gegossen, der beige
Niederschlag abgesaugt, mit Wasser gewaschen und getrocknet. Der Gehalt
an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR
ca. 95% bei einer Gesamtausbeute von 190 g (82%).
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b)
Oxidation des Thioethers
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Unter
Schutzgas werden 196 g (619.3 mmol) des Thioethers aus a) in 2.3
L Eisessig und 250 mL Dichlormethan vorgelegt und auf 0°C
gekühlt. Zu dieser Lösung wird 1.1 L (619 mmol)
30% H2O2-Lösung
zugetropft und über Nacht gerührt. Das Gemisch
wird mit Na2SO3 Lösung
versetzt, die Phasen werden getrennt und das Lösungsmittel
im Vakuum entfernt. Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR ca. 98% bei einer Gesamtausbeute von
200 g (99%).
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c)
Synthese des Indenodibenzothiophens
-
Eine
Mischung aus 81 g (273 mmol) des Produktes aus b) und 737 ml (8329
mmol) Trifluormethansulfonsäure wird 48 h bei 5°C
gerührt. Anschließend wird die Mischung mit 2.4
L Wasser/Pyridin 5:1 versetzt und 20 min. unter Rückfluss
erhitzt. Nach Abkühlen auf Raumtemperatur werden vorsichtig
500 ml Wasser und 1000 ml Dichlormethan zugesetzt. Die organische
Phase wird mit 4 × 50 mL H2O gewaschen, über
MgSO4 getrocknet und die Lösungsmittel
im Vakuum entfernt. Das reine Produkt erhält man durch
Umkristallisation. Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß HPLC
98%% bei einer Gesamtausbeute von 65 g (80%).
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d)
Oxidation des Thiophens
-
Unter
Schutzgas werden 15 g (49 mmol) des Indenodibenzothiophens aus c)
in 0.3 L Eisessig und vorgelegt. Zu dieser Lösung werden
33 mL (619 mmol) 30% H2O2-Lösung
zugetropft und über Nacht gerührt. Das Gemisch
wird mit Na2SO3 Lösung
versetzt, die Phasen werden getrennt und das Lösungsmittel
im Vakuum entfernt. Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR ca. 98% bei einer Gesamtausbeute von
16 g (95%).
-
-
Unter
Schutzgas werden 105.6 g (317.6 mmol) des Produkts aus d) in 2.5
L Dichlormethan vorgelegt und auf 5°C gekühlt.
Zu dieser Lösung werden 32 ml (636.4 mmol) Br2 gelöst
in 250 mL Chloroform zugetropft und über Nacht gerührt.
Das Gemisch wird mit Na2SO3 Lösung
versetzt, die Phasen werden getrennt und das Lösungsmittel
im Vakuum entfernt. Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß 1H-NMR ca. 98% bei einer Gesamtausbeute von
114 g (87%).
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f)
Hartwig-Buchwald-Kupplung
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Eine
entgaste Lösung von 35 g (85 mmol) des Produkts aus e)
und 26 g (93 mmol) Diphenylamin in 1000 ml Dioxan wird 1 h lang
mit N2 gesättigt. Danach wird die
Lösung zuerst mit 0.97 ml (4.2 mmol) P(tBu)3, dann mit 0.47 g (2.12 mmol) Palladiumacetat
versetzt und anschließend 12 g (127 mmol) NaOtBu im festen Zustand
zugegeben. Die Reaktionsmischung wird 18 h unter Rückfluss
erhitzt. Nach Abkühlen auf Raumtemperatur werden vorsichtig
1000 ml Wasser zugesetzt. Die organische Phase wird mit 4 × 50
mL H2O gewaschen, über MgSO4 getrocknet und die Lösungsmittel
im Vakuum entfernt. Das reine Produkt erhält man durch Umkristallisation.
Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß HPLC
98% bei einer Gesamtausbeute von 39 g (75%).
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Eine
entgaste Lösung von 10 g (16,3 mmol) des Produkts aus f)
in 120 mL Diethylether wird portionsweise mit 2.4 g (65 mmol) Lithiumaluminiumhydrid
versetzt. Die Reaktionsmischung wird 2 h bei Raumtemperatur gerührt.
Danach werden vorsichtig 500 ml Wasser zugesetzt, dann 250 ml 1
M HCl-Lösung zugetropft. Die organische Phase wird mit
4 × 50 mL H2O gewaschen, über
MgSO4 getrocknet und die Lösungsmittel
im Vakuum entfernt. Das reine Produkt erhält man durch
Umkristallisation. Der Gehalt an Produkt beträgt gemäß HPLC
99.9% bei einer Gesamtausbeute von 6 g (63%).
-
Beispiel 3: Herstellung der OLEDs
-
Die
Herstellung von erfindungsgemäßen OLEDs erfolgt
nach einem allgemeinen Verfahren gemäß
WO 04/058911 , das auf
die hier beschriebenen Gegebenheiten (Schichtdickenvariation, verwendete
Materialien) angepasst wird.
-
In
den folgenden Beispielen 4 bis 9 werden die Ergebnisse verschiedener
OLEDs vorgestellt. Glasplättchen, die mit strukturiertem
ITO (Indium Zinn Oxid) beschichtet sind, bilden die Substrate der
OLEDs. Zur verbesserten Prozessierung werden 20 nm PEDOT (Poly(3,4-ethylendioxy-2,5-thiophen),
aus Wasser aufgeschleudert, bezogen von H. C. Starck, Goslar, Deutschland)
auf das Substrat aufgebracht. Die OLEDs bestehen aus folgender Schichtenfolge:
Substrat/PEDOT 20 nm/HIL1 5 nm/Lochtransportschicht (HTM) 20, 110 oder
200 nm/NPB 20 nm/Emissionsschicht (EML) 30 nm/Elektronentransportschicht
(ETM) 20 nm und abschließend eine Kathode.
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Die
Materialien bis auf PEDOT werden in einer Vakuumkammer thermisch
aufgedampft. Dabei besteht die Emissionsschicht immer aus einem
Matrixmaterial (Host) und einem Dotierstoff (Dotand), der durch
Coverdampfung dem Host beigemischt wird. Die Elektronentransportschicht
besteht bei allen gezeigten Beispielen aus Alq3,
die Kathode wird durch eine 1 nm dicke LiF-Schicht und eine darauf
abgeschiedene 100 nm dicke Aluminiumschicht gebildet. Tabelle 1
zeigt die chemischen Strukturen der zum Aufbau der OLEDs verwendeten
Materialien. Dabei ist HTM1 ein Material gemäß dem
Stand der Technik, Amin-1 ist ein Beispiel für eine erfindungsgemäße
Verbindung (synthetisiert gemäß Beispiel 1).
-
Die
OLEDs werden standardmäßig charakterisiert. Hierfür
werden die Elektrolumineszenzspektren, die Stromeffizienz (gemessen
in cd/A), die Leistungseffizienz (gemessen in Im/W) in Abhängigkeit
der Helligkeit, berechnet aus Strom-Spannungs-Helligkeit-Kennlinien
(IUL-Kennlinien) und die Lebensdauer bestimmt. Als Lebensdauer wird
die Zeit definiert, nach der die Helligkeit von einem Anfangswert
von 25000 cd/m2 auf die Hälfte
gesunken ist. Die Einsatzspannung ist definiert als diejenige Spannung,
bei der die OLED eine Helligkeit von 1 cd/m2 erreicht.
-
In
Tabelle 2 sind die Ergebnisse einiger OLEDs zusammengefasst (Beispiele
4 bis 9). Beim Einsatz der erfindungsgemäßen Verbindung
Amin-1 als Lochtransportmaterial in Schichtdicken von 20 und 110
nm erhält man verglichen mit dem Stand der Technik, Verbindung
HTM1, leicht verringerte Betriebsspannungen sowie vergleichbare
Strom- und Leistungseffizienzen (siehe Beispiele 4, 5 sowie 7 und
8 aus Tabelle 2). Für dickere Lochtransportschichten von
200 nm, die aufgrund höherer Produktionsausbeuten vorteilhaft
sind, erhält man bei Verwendung von Amin-1 eine deutliche
Verbesserung der Betriebsspannung, wodurch sich eine signifikante
Erhöhung der Leistungseffizienz um 15% gegenüber
dem Stand der Technik ergibt (siehe Beispiele 6 und 9 in Tabelle
2). Diese Verbesserung ist vor allem in Bezug auf Anwendungen im
Mobilbereich ein äußerst wichtiger Aspekt, da
die Betriebsdauer mobiler Geräte direkt von der Leistungsaufnahme
des Displays abhängt. Weiterhin zeichnet sich die erfindungsgemäße
Verbindung Amin-1 gegenüber dem Stand der Technik HTM1
dadurch aus, dass die Lebensdauer bei dickeren Lochtransportschichten
weit weniger stark einbricht.
-
Eine
weitere signifikante Verbesserung lässt sich durch die
Verwendung erfindungsgemäßer Materialien bezüglich
der Prozessierbarkeit erzielen. Hierzu sind in
1 Bilder
der Aufdampfquellen zu sehen, die nach der Bedampfung einer jeweils
700 nm dicken Schicht des Materials HTM1 gemäß dem
Stand der Technik (Bild a) bzw. des erfindungsgemäßen
Materials Amin-1 (Bild b) gemacht wurden. Man erkennt deutlich,
dass das Material HTM1 die Quelle verstopft, da sich ein Deckel
des Materials am oberen Rand der Quelle bildet („clogging”).
Aufgrund dessen ist die Verbindung HTM1 gemäß dem
Stand der Technik in der Massenproduktion nur mit großem
technischen Aufwand einsetzbar. Hingegen erhält man unter
den gleichen Aufdampfbedingungen (Aufdampfrate ca. 1 nm/s) beim
Einsatz der erfindungsgemäßen Verbindung Amin-1
nur eine leichte Randbildung am oberen Teil der Aufdampfquelle.
Dies zeigt, dass erfindungsgemäße Materialen für
eine Massenproduktion deutlich besser geeignet sind als die Materialien
gemäß dem Stand der Technik. Tabelle
1
Tabelle 2
Bsp. | EML | HTM | Einsatzspannung | Spannung
für 1000 cd/m2 | Effizienz bei
1000 cd/m2 | Effizienz bei
1000 cd/m2 | CIE
x/y bei 1000 cd/m2 | Lebensdauer
ab 25000 cd/m2 |
4
(Vergl.) | H1
+ 10%
D1 | HTM1
20
nm | 3.2
V | 5.2
V | 14.8
cd/A | 8.9
Im/W | 0.31/0.58 | 350
h |
5
(Vergl.) | H1
+ 10%
D1 | HTM1
110
nm | 3.1
V | 5.5
V | 17.1
cd/A | 9.7
Im/W | 0.29/0.61 | 243
h |
6
(Vergl.) | H1
+ 10%
D1 | HTM1
200
nm | 4.1
V | 6.9
V | 15.0
cd/A | 6.8
Im/W | 0.30/0.58 | 171
h |
7 | H1
+ 10%
D1 | Amin-1
20
nm | 3.1
V | 5.2
V | 14.9
cd/A | 9
Im/W | 0.30/0.59 | 355
h |
8 | H1
+ 10%
D1 | Amin-1
110
nm | 3.1
V | 5.4
V | 17.9
cd/A | 10.4 Im/W | 0.30/0.61 | 312
h |
9 | H1
+ 10%
D1 | Amin-1
200
nm | 2.9
V | 5.9
V | 14.7
cd/A | 7.8
Im/W | 0.29/0.58 | 289
h |
-
Beschreibung der Abbildungen
-
1a):
-
Aufdampfquelle nach Bedampfung einer 700 nm
dicken Schichte des Materials HTM1
- 1
- Abdeckung
der Aufdampfquelle
- 2
- Mit
Material zugewachsene obere Öffnung der Aufdampfquelle
-
1b):
-
Aufdampfquelle nach Bedampfung einer 700 nm
dicken Schichte des Materials Amin-1
- 1
- Abdeckung
der Aufdampfquelle
- 2
- Wand
des Aufdampftiegels
- 3
- Materialreste
auf dem Boden des Aufdampftiegels
- 4
- Ring
aus Material am oberen Rand der Aufdampfquelle
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
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-
Zitierte Patentliteratur
-
- - US 4539507 [0002]
- - US 5151629 [0002]
- - EP 0676461 [0002]
- - WO 98/27136 [0002]
- - EP 1860097 [0003]
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - T. Matsumoto
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