TWI639590B - 電子裝置用材料 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種式(I)化合物，其含有縮合在苯並呋喃單元上的螺聯茀基本結構。此外，本發明關於一種製備式(I)化合物之方法及式(I)化合物於電子裝置中的用途。

Description

電子裝置用材料
本申請案關於一種具有螺聯茀基本結構及縮合於該基本結構上之苯並茀單元的化合物。該化合物適合用於電子裝置，特別是用於有機電致發光裝置(OLED)。
電子裝置就本申請案的意義而言意指所謂的包含有機半導體材料作為功能材料之有機電子裝置。特別是彼等意指OLED。
其中使用有機化合物作為功能材料的OLED之結構說明於例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中。一般而言，術語OLED意指含有一個或多個包含有機化合物之層且在施加電壓時發光的電子裝置。
在電子裝置(特別是OLED)的情況下，存在改良在性能數據(特別是壽命、效率和工作電壓)方面有相當大的興趣。在這些方面仍然沒有找到完全滿意的解決方案。
電子裝置之性能數據受到具有電洞傳輸功能之層(諸如，例如電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層以及發光 層)很大程度的影響。持續搜尋具有電洞傳輸性質之新穎材料以用於此等層中。
從先前技術已知使用三芳基胺作為上述層中之具有電洞傳輸性質的材料。此等可為如描述於例如JP 1995/053955、WO 2006/123667及JP 2010/222268中之單三芳基胺或如描述於例如US 7504163或US 2005/0184657中之雙三芳基胺或其他寡聚胺。作為OLED之具有電洞傳輸性質的材料之三芳基胺化合物的已知例子尤其為參-對聯二苯胺、N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基-1,1'-聯二苯-4,4'-二胺(NPB)及4,4',4"-參-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(MTDATA)。
先前技術此外揭示螺聯茀-芳胺基化合物在OLED(特別是電洞傳輸材料)之用途(WO 2012/034627和WO 2013/120577)。
亦已知此用途者為含有苯並呋喃單元縮合於螺聯茀基本結構上且含有一或多個於2-位置鍵結至螺聯茀之芳胺基的螺聯茀衍生物(WO 2013/100467)。
在研究用於OLED之新穎材料的過程中，令人驚奇地已發現：含有縮合於螺聯茀基本結構上之苯並呋喃單元且含有於某些位置鍵結至螺聯茀之芳基胺基或咔唑基的化合物非適合使用於OLED，特別是作為具有電洞傳輸功能的材料。
所發現之化合物具有選自非常好的導電洞傳導性質、非常好的電子阻擋性質、高玻璃轉移溫度、高氧化穩定性、好的可溶性和高溫度穩定性的性質之一或多者。
本發明因此關於一種式(I)化合物， - 其含有在以*標記之兩個相鄰的位置上與式(I)之基本結構鍵結的式(B)之基團 其中該縮合使得式(B)中以*標記之鍵在各情況中連結至式(I)之基本結構上以*標記之位置；- 其可在式(I)之基本結構及式(B)之基團上的一或多個位置上經R1基取代，雖然式(I)與式(B)係以未經取代來描述；及- 其具有以下變型之定義：A於每次出現係相同或不同地為式(A1)、(A2)或(A3)之 基團，其係經由以#標記之鍵鍵結； Ar1於每次出現係相同或不同地為單鍵或具有6至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代；Ar2於每次出現係相同或不同地為具有6至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代；X於每次出現係相同或不同地為單鍵或選自下列之基團：BR2、C(R2)2、Si(R2)2、C=O、O、S、S=O、SO2、NR2、PR2或P(=O)R2；R0於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、Si(R3)3、具有1至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基 或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基或具有2至20個C原子的烯基或炔基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代，且上述基團中的一或多個CH2基團可經-R3C=CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C=O、C=NR3、-C(=O)O-、-C(=O)NR3-、NR3、P(=O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2置換、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3基取代；R1，R2於每次出現係相同或不同地為H、D、F、C(=O)R3、CN、Si(R3)3、N(Ar3)2、N(R3)2、P(=O)(R3)2、OR3、S(=O)R3、S(=O)2R3、具有1至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基或具有2至20個C原子的烯基或炔基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代，且上述基團中的一或多個CH2基團可經-R3C=CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C=O、C=NR3、-C(=O)O-、-C(=O)NR3-、NR3、P(=O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2置換、或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3基取代；二或多個R1或R2基可彼此連結且可形成環；Ar3於每次出現係相同或不同地為具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3基取代；R3於每次出現係相同或不同地為H、D、F、C(=O)R4、 CN、Si(R4)3、N(Ar3)2、N(R4)2、P(=O)(R4)2、OR4、S(=O)R4、S(=O)2R4、具有1至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基或具有2至20個C原子的烯基或炔基，其中上述基團可各自經一或多個R4基取代，且上述基團中的一或多個CH2基團可經-R4C=CR4-、-C≡C-、Si(R4)2、C=O、C=NR4、-C(=O)O-、-C(=O)NR4-、NR4、P(=O)(R4)、-O-、-S-、SO或SO2置換、或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R4基取代；二或多個R3基可彼此連結且可形成環；R4於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、或具有1至20個C原子的脂族、芳族或雜芳族有機基，其中此外一或多個H原子可經D、F或CN置換；二或多個取代基R4可彼此連結且可形成環；q於每次出現係相同或不同地為0或1，其中在式(A2)中至少一個q等於1；i、k、m、n和p於每次出現係相同或不同地為0或1，且其中至少一者等於1。
芳基就本發明之意義而言含有6至60個芳族環原子；雜芳基就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及S。此表示基本定義。如果在本發明說明中指示其他較佳選擇，例如有關芳族環原子或雜原子的存在數目，則這些 適用。
芳基或雜芳基在此意指簡單芳族環，即苯，或簡單雜芳族環，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環，例如萘、菲、喹啉或咔唑。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由二或多個簡單芳族或雜芳族環彼此縮合而組成。
在各情況下可被上述基團取代且可經由任何所欲位置連結於芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、(chrysene)、苝、聯伸三苯、1,2-苯並苊(fluoranthene)、苯並蒽、苯並菲、稠四苯、稠五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、菲噻、菲噁、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑、菲並咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶並咪唑、吡咪唑、喹噁啉並咪唑、噁唑、苯並噁唑、萘並噁唑、蒽並噁唑、菲並噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒、苯並嗒、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、吡、啡、啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、菲啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯並***、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、 四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、蝶啶、吲及苯並噻二唑。
芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子。雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明之意義而言意欲意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中此外多個芳基或雜芳基可以單鍵或以非芳族單元(諸如，例如一或多個隨意經取代之C、Si、N或O原子)連接的系統。該非芳族單元在此較佳含有以系統中非H之原子的總數為基準計為少於10%非H之原子。因此，例如，系統諸如9,9’-螺聯茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚和二苯乙烯就本發明之意義而言亦意欲為芳族環系統，如其中二或多個芳基例如以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接之系統。此外，其中二或多個芳基或雜芳基係經由單鍵彼此連結之系統就本發明之意義而言亦為芳族或雜芳族環系統，諸如，例如聯苯、聯三苯或二苯基三之系統。
可在各情況中亦經如上文定義之基取代以及可經由任何所欲位置與芳族或雜芳族基團連結之具有5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統特別意指衍生自在芳基和雜芳基項中上述之基團及衍生自下列之基團：聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚並茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚 茚、螺異三聚茚、茚並咔唑、或此等基團之組合。
就本發明的目的而言，具有1至40個C原子之直鏈烷基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基，其中，此外，個別H原子或CH2基團可經在該等基團定義下之上述基團取代，較佳意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基(thioalkyl)較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、第二戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基、第二戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚 烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。
該二或多個基團可彼此形成環的調配就本申請所欲目的而言特別意指：該兩個基團是以化學鍵彼此連接。此外，然而，上述的調配也旨在意指：在其中兩個基團中的一個表示氫的情況下，第二基團鍵結於氫原子所鍵結之位置上，並形成環。
A較佳為式(A-1)或(A-3)之基團，特佳為式(A-1)之基團。
Ar1較佳於每次出現係相同或不同地選自單鍵或選自下列之二價基：苯、聯苯、聯三苯、茀、螺聯茀、茚並茀、咔唑、二苯並呋喃、二苯並噻吩，彼等各自隨意經R2基取代，或此等基團之二或多者的組合，但其中不超過30個芳族環原子可存在於Ar1中。
Ar1基較佳係選自下式之基團：
其中虛線鍵表示至式(I)的其餘部分之鍵且基團可在自由位置經一或多個R2基取代，但較佳在自由位置未經取代。
式(Ar1-23)和(Ar1-24)之基團中的R2基較佳相同或不同地表示具有1至10個C原子的烷基，特別是表示甲基或苯基，其可經一或多個R3基取代且較佳未經取代。二個烷基R2在此也可形成環並形成螺基團，較佳形成環己基環或環戊基環。
Ar2較佳於每次出現係相同或不同地選自具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代。特佳者為苯基、聯苯基、聯三苯基、茀基、螺聯茀基、茚並茀基、萘基、菲基、呋喃基、苯並呋喃基、二苯並呋喃基、噻吩基、苯並噻吩基、二苯並噻吩基、咔唑基、吲哚並咔唑和茚並咔唑基，彼等各自經一或多個R2基取代。
Ar2基較佳於每次出現係相同或不同地選自下式之基團：
其中虛線鍵表示至氮之鍵且基團可在自由位置經一或多個R2基取代，但較佳在自由位置未經取代。
式(Ar2-68)至(Ar2-82)和(Ar2-85)至(Ar2-87)之基團中的R2較佳相同或不同地表示具有1至10個C原子的烷基，特別是表示甲基或苯基，其可經一或多個R3基取代且較佳未經取代。二個烷基R2在此也可形成環並形成螺基團，較佳環己基環或環戊基環。
Ar3基之一較佳具體實例對應於彼等用於Ar2基者。
X較佳於每次出現係相同或不同地選自單鍵或選自下列之基團：C(R2)2、C=O、O、S和NR2。X特佳為單鍵。
R0較佳於每次出現係相同或不同地為H、D、F、具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代，或具有5至15個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統。R0特佳於每次出現係相同或不同地為 H、F、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代。
R1和R2較佳於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、Si(R3)3、N(R3)2、具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代且上述基團中的一或多個CH2基團可經-C≡C-、-R3C=CR3-、Si(R3)2、C=O、C=NR3、-NR3-、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR3-置換，或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R3基取代，其中二或多個基R1或R2可彼此連結且可形成環。R1和R2特佳於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代、或具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R3基取代。
R1較佳於每次出現係相同或不同地為H、F、CN、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代、或具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R3基取代。特佳R1基為H、F、CN、甲基、三級丁基、苯基、聯苯、二苯並呋喃、二苯並噻吩和咔唑。
若鍵結至式(I)之基本結構的R1基不表示H，則其較佳鍵結在螺聯茀基本結構的位置4、5、4'和5'中之一者，其中編號如下：
R3較佳於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、Si(R4)3、N(Ar3)2、具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基，其中上述基團可各自經一或多個R4基取代且上述基團中的一或多個CH2基團可經-C≡C-、-R4C=CR4-、Si(R4)2、C=O、C=NR4、-NR4-、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR4-置換，或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R4基取代，其中二或多個R3基可彼此連結且可形成環。R3基特佳於每次出現係相同或不同地為、H、D、F、CN、N(Ar3)2、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R4基取代，或具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R4基取代。
p較佳等於1。
k較佳等於1。
n較佳等於0。
此外，指數i、k、m、n與p之總和較佳等於1或2，特佳等於1。
指數p與m之總和較佳等於1。
此等關於指數i、k、m、n與p之較佳選項較佳彼此組合發生。
式(I)化合物之一較佳具體實例對應於式(I-A)
式(I-A)，其中出現的變數如式(I)所定義。所出現之變數較佳對應於上述指示為較佳之具體實例。
式(I)化合物之一另外較佳具體實例對應於式(I-B) 其中所出現的變數係如式(I)所定義，不同之處在於自由位 置不被R1基取代。在式(I-B)中之R1較佳於每次出現係相同或不同地選自H、F、CN、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代、或具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R3基取代，特佳選自H、F、CN、甲基、三級丁基、苯基、聯苯、二苯並呋喃、二苯並噻吩和咔唑。
此外，在式(I-B)中至少一個基團R1較佳係選自H、F、CN、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代、或具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R3基取代，特佳係選自H、F、CN、甲基、三級丁基、苯基、聯苯、二苯並呋喃、二苯並噻吩和咔唑。
式(I-A)和(I-B)之一較佳具體實例較佳彼此組合出現。
R0在此特佳於每次出現係相同或不同地為H、D、F、具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代。R0在此特佳於每次出現係相同或不同地為H、F、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代。
式(I)化合物之一較佳具體實例對應於下式(I-1)至(I- 18)：
其中出現的符號如上述所定義。
R0、Ar1和A之一較佳具體實例，特別適用於式(I-1)至(I-18)。
式(I-8)和(I-17)化合物之一特佳具體實例對應於式(I-8-A)和(I-17-A) 其中出現的符號如上述所定義。
R0、Ar1和A之一較佳具體實例特別適用於式(I-8-A)和(I-17-A)。
下表顯示式(I)化合物之例子。
式(I)化合物可藉由從先前技術得知的方法和反應類型(例如鹵化、有機金屬加成、Buchwald偶合和Suzuki偶合)合成。
流程1至10顯示製備根據本發明化合物之可能的合成路徑。彼等用以向熟習該項技術者說明本發明且不應解釋為限制性的。熟習該項技術者在其一般專業知識的範圍 內將能夠修改所顯示之合成路線，或開發完全不同的路徑，如果該路徑顯得更為有利的話。
流程1至8顯示製備式(II-1)至(II-6)化合物(其在式(I)化合物之製備中表示中間物)之方法。
式(II-1)至(II-6)化合物具有以下結構：
各者可在一或多個自由位置經如上所述之R1基取代，且其中R0如上述所定義及其它變型的定義如下：Z於每次出現係相同或不同地選自F、Cl、Br、I、 B(OR3)2、OSO2R3、S(=O)R3和S(=O)2R3；t於每次出現係相同或不同地為0或1，其中每一式的至少一個指數t等於1。
對於式(II-1)至(II-6)化合物，用於式(I)之上示R0和R1至R3基之定義同樣被視為較佳的。
對於式(II-1)至(II-6)，較佳的是準確一個或準確二個指數t等於1。
對於式(II-1)至(II-6)，較佳的是Z於每次出現係相同或不同地選自Cl、Br、I和B(OR3)2。
式(II-1)至(II-6)中，較佳者為式(II-5)和(II-6)。
式(II-1)至(II-6)中間物為新穎的且因此為本申請案之標的。
在所有以下合成流程中，化合物係顯示未經取代。這並不排除在方法中任何所要取代基的存在。
流程1顯示式(II-6)中間物之適當合成。
流程2顯示顯示式(II-5)中間物之適當合成。
流程3顯示式(II-4)中間物之適當合成。
流程4顯示式(II-3)中間物之適當合成。
流程5顯示式(II-2)中間物之適當合成。
流程6顯示式(II-1)中間物之適當合成。
流程7顯示式(II-1)和(II-4)中間物的適當替代合成。
流程8顯示式(II-2)和(II-3)中間物的適當替代合成。
上示結構單元可在苯並茀單元上具備反應基(諸如，例如，鹵素)，如以下流程所示：
具備反應基Z之式(II-1)至(II-6)中間物為可轉化成式(I)化合物之通用結構單元，如以下流程所示：
本申請案因此亦關於一種製備式(I)化合物之方法，其特徵在於首先製備螺聯茀基本結構，並且，在後面的步驟中，經由有機金屬偶合反應引入芳胺基或咔唑基或經芳胺基或咔唑基取代之芳基或雜芳基。
有機金屬偶合反應在此較佳為Buchwald偶合或Suzuki偶合。
上述化合物，特別是經反應性脫離基(諸如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯)取代之化合物可用作製備對應寡聚 物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體。適當反應性脫離基為(例如)溴、碘、氯、硼酸類、硼酸酯類、胺類、具有終端C-C雙鍵或C-C三鍵之烯基或炔基基團、環氧乙烷類、環氧丙烷類、進行環加成作用(例如1,3-偶極環加成作用)之基團，諸如(例如)二烯類或疊氮化物類、羧酸衍生物類、醇類和矽烷類。
此外本發明因此關於包含一或多種式(I)化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物的鍵可定域在經R0、R1或R2取代之式(I)中的任何所要位置上。取決於式(I)化合物的連結，該化合物為寡聚物或聚合物側鏈的組分或主鏈的組分。寡聚物就本發明意義而言意指從至少3個單體單元組成的化合物。聚合物就本發明意義而言意指從至少10個單體單元組成的化合物。根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可為共軛、部分共軛或非共軛。根據本發明之寡聚物或聚合物可為直鏈、支鏈或樹枝狀。在以直鏈方式連結的結構中，式(I)之單元可彼此直接連結或彼等可經由二價基團(例如經由經取代或未經取代之伸烷基基團、經由雜原子或經由二價芳族或雜芳族基團)彼此連接。在支鏈及樹枝狀結構中，例如三或多種式(I)單元可經由三價或多價基團(例如經由三價或多價芳族或雜芳族基團)連結，以成支鏈或樹枝狀寡聚物或聚合物。
與上述關於式(I)化合物相同的較佳選擇適用於寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中的式(I)重複單元。
為了製備寡聚物或聚合物，根據本發明之單體係與另外的單體均聚合或共聚合。適當且較佳的共聚單體係選自茀類(例如根據EP 842208或WO 2000/22026)、螺聯茀類(例如根據EP 707020、EP 894107或WO 2006/061181)、對-伸苯類(例如根據WO 1992/18552)、咔唑類(例如根據WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩類(例如根據EP 1028136)、二氫菲類(例如根據WO 2005/014689或WO 2007/006383)、順-和反-茚並茀類(例如根據WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮類(例如根據WO 2005/040302)、菲類(例如根據WO 2005/104264或WO 2007/017066)、或這些單元之多個。聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物通常也含有另外的單元，例如發光(螢光或磷光)單元，諸如，例如，乙烯基三芳胺類(例如根據WO 2007/068325)或磷光金屬錯合物(例如根據WO 2006/003000)、及/或電荷傳輸單元，特別是該等以三芳胺類為主者。
根據本發明之聚合物、寡聚物和樹枝狀聚合物具有有利的性質，特別是長壽命、高效率和良好色座標。
根據本發明之聚合物及寡聚物通常較佳係藉由將一或多種類型之單體聚合而製備，其中至少一種單體導致聚合物中的式(I)之重複單元。適當聚合反應為熟習該項技術者已知且說明於文獻中。導致C-C或C-N連結之特別適合且較佳的聚合反應如下：(A)SUZUKI聚合作用； (B)YAMAMOTO聚合作用；(C)STILLE聚合作用；及(D)HARTWIG-BUCHWALD聚合作用。
其中可以此等方法進行聚合作用的方式及接著以其中可進行從反應介質分離且純化聚合物的方式為熟習該項技術者已知且詳細說明於文獻中，例如於WO 2003/048225、WO 2004/037887及WO 2004/037887中。
為了從液相加工根據本發明的化合物(例如，藉由旋轉塗佈法或藉由印刷法)，需要根據本發明化合物之調合物。該等調合物可為例如溶液、分散液或乳液。可能較佳的是使用二或多種為此目的之溶劑的混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對二甲苯、苯甲酸甲酯、1,3,5-三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二噁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯並噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯並噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、萘烷、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基 萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。
本發明因此另外關於一種調合物(特別是溶液、分散液或乳液)，其包含至少一種式(I)化合物或至少一種含有至少一個式(I)之單元的聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物及至少一種溶劑，較佳地有機溶劑。可製備此類型之溶液的方式為熟習該項技術者已知且說明於例如WO 2002/072714、WO 2003/019694及其中所引用之文獻中。
根據本發明之化合物適合使用於電子裝置中，特別是使用於有機電致發光裝置(OLED)中。取決於取代作用，該等化合物係用於不同的功能及層中。
本發明因此另外關於式(I)化合物在電子裝置中的用途。該電子裝置在此較佳地係選自由下列所組成之群組：有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機光受體、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光型電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)且特佳為有機電致發光裝置(OLED)。
如上面已經說明的，本發明此外關於包含至少一種式(I)化合物之電子裝置。該等電子裝置在此較佳係選自上述裝置。
特佳的是包含陽極、陰極和至少一種發光層之有機電致發光裝置(OLED)，其特徵在於至少一個有機層(其可為發光層、電洞傳輸層或另一層)包含至少一種式(I)化合 物。
除了陰極、陽極及發光層以外，有機電致發光裝置亦可包含另外的層。該等例如在各情況係選自一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產生層(IDMC 2003,Taiwan；Session 21 OLED(5),T.Matsu-moto,T.Nakada,J.Endo,K.Mori,N.Kawamura,A.Yokoi,J.Kido,Multiphoton有機EL Device Having Charge Generation層)及/或有機或無機p/n接面。
包含式(I)化合物之有機電致發光裝置的層之順序較佳為下列者：陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/隨意另外的電洞傳輸層/隨意電子阻擋層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。然而，不是所有的該等層都必須存在，且可額外存在另外的層。
根據本發明之有機電致發光裝置可包含多個發光層。 該等發光層在此情況下特佳具有總計多個在380nm與750nm之間的發光最大值，導致整體為白色發光，即將能夠發螢光或磷光及發藍光或黃光或橘光或紅光的各種發光化合物使用於發光層中。特佳者為三層系統，亦即具有三個發光層之系統，其中該三層呈現藍色、綠色和橘色或紅色發光(基本結構參見例如WO 2005/011013)。根據本發明之化合物較佳存在於電洞傳輸層或電子阻擋層中。應注意：為了產生白光，單獨使用之發射寬波長範圍的發光 體化合物亦適合於代替多個發色之發光體化合物。
根據本發明較佳的是式(I)化合物使用於包含一或多種發光體的電子裝置中。化合物在此可存在於各種層中，較佳存在於電洞傳輸層、電子阻擋層、電洞注入層或發光層中。
術語磷光發光體通常包括化合物，其中發光藉由自旋禁止躍遷(spin-forbidden transition)進行，例如從激發三重態或具有較高自旋量子數之狀態(例如五重態)躍遷。
適當磷光發光體(=三重態發光體)特別為在適當激發時發光(較佳在可見光區域內)且另外含有至少一種具有原子序大於20，較佳為大於38且少於84，特佳為大於56且少於80的原子之化合物。所使用之磷光發光體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥、鉑或銅的化合物。
就本發明之目的而言，所有發光的銥、鉑或銅錯合物被視為磷光發光體。
上述發光體的例子係由申請案WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373和US 2005/0258742揭露。一般而言，如根據先前技術用於磷光OLED及如熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物均適合。熟習該項技術者也將能夠在無進步性下將另外的磷光錯合物與式(I)化合物組合用於有機電致發光裝置中。另外的例子係 顯示於下表中。
然而，式(I)化合物也可根據本發明使用於包含一或多種螢光發光體之電子裝置中。
在本發明之一較佳具體實例中，該式(I)化合物係用作電洞傳輸材料。化合物較佳則使用於電洞傳輸層、電子阻擋層或電洞注入層中。
根據本申請案之電洞傳輸層為具有電洞傳輸功能之層，其位在陽極和發光層之間。
電洞注入層和電子阻擋層就本發明之意義而言意指電洞傳輸層之特定具體實例。在陽極和發光層之間的多個電洞傳輸層之情況下，電洞注入層為直接相鄰於陽極或僅以陽極的單一塗層分離之電洞傳輸層。在陽極和發光層之間的多個電洞傳輸層之情況下，電子阻擋層為直接相鄰於陽極側上的發光層之電洞傳輸層。
若式(I)化合物用作為電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的電洞傳輸材料，則化合物可以純材料(亦即100%之比例)用於作電洞傳輸層中或其可與一或多種另外的化合物組合使用。根據一較佳具體實例，包含式(I)化合物之有機層則另外包含一或多種p-摻雜劑。根據本發明，所使用的p-摻雜劑較佳為有機電子受體化合物，其能夠氧化混合物的其他化合物中之一或多者。
p-摻雜劑之特佳具體實例為WO 2011/073149、EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、 US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709、US 2010/0096600和WO 2012/095143中所揭示之化合物。
特佳p-摻雜劑為醌二甲烷化合物、氮雜茚并茀二酮、氮雜萉、氮雜聯伸三苯、I2、金屬鹵化物(較佳過渡金屬鹵化物)、金屬氧化物(較佳含有至少一種過渡金屬或選自第3主族金屬之金屬氧化物)及過渡金屬錯合物(較佳Cu、Co、Ni、Pd及Pt與含有至少一個氧原子作為鍵結位置之配位體的錯合物)。摻雜劑此外較佳為過渡金屬氧化物，較佳錸、鉬及鎢之氧化物，特佳為Re2O7 MoO3、WO3和ReO3。
p-摻雜物較佳實質上均勻分佈在p-摻雜之層中。此可藉由例如共蒸發p-摻雜物與電洞傳輸材料基質來達成。
較佳p-摻雜劑特別是以下化合物：
在本發明另一較佳具體實例中，式(I)化合物係與六氮雜伸聯三苯衍生物組合用作電洞傳輸材料，如US 2007/0092755中所述。六氮雜伸聯三苯衍生物在此特佳地係使用於單獨層中。
在本發明另一較佳具體實例中，式(I)化合物係與一或多種發光體(較佳磷光發光體)組合用作基質材料。
在發光層中之基質材料的比例在此情況下就螢光發光層而言介於50.0和99.9體積%之間，較佳地介於80.0和 99.5體積%之間和特佳介於92.0和99.5體積%之間，並就磷光發光層而言介於85.0與97.0體積%之間。
對應地，發光體的比例就螢光發光層而言介於0.1和50.0體積%之間，較佳地介於0.5和20.0體積%之間和特佳介於0.5和8.0體積%之間，並就磷光發光層而言介於3.0與15.0體積%之間。
有機電致發光裝置/之發光層亦可包含含有多種基質材料(混合基質系統)及/或多種發光體之系統。亦在此情況下，發光體通常為系統中比例較小的材料及基質材料為系統中比例較大的材料。然而，在個別的情況下，系統中的個別基質材料之比例可小於個別發光體比例。
式(I)化合物較係用作混合-基質系統之成分。混合-基質系統較佳包含二或三種不同基質材料，特佳二種不同基質材料。二種材料之一者在此較佳為具有電洞傳輸性質之材料且其他材料為具有電子傳輸性質之材料。式(I)化合物在此較佳為具有電洞傳輸性質之基質材料。然而，混合-基質成分之所要電子傳輸和電洞傳輸性質也可主要或完全組合於單一混合-基質成分中，其中另外混合-基質成分滿足其他功能。兩個不同基質材料在此可以1：50至1：1，較佳地1：20至1：1，特佳1：10至1：1及非常特佳地1：4至1：1的比存在。混合-基質系統較佳地使用於磷光有機電致發光裝置中。對於混合-基質系統之更準確的資訊特別是給予於申請案WO 2010/108579中。
混合-基質系統可包含一或多個發光體，較佳一或多 個磷光發光體。一般，混合-基質系統較佳使用於磷光有機電致發光裝置中。
可與根據本發明化合物組合用作混合-基質系統之基質成分的特別適合之基質材料係選自下示磷光發光體之較佳基質材料或螢光發光體之較佳基質材料，取決於混合-基質系統中使用什麼類型之發光體。
用於混合-基質系統之較佳磷光發光體為上示磷光發光體。
根據本發明之一另外較佳具體實例，式(I)化合物可用作發光層中之螢光發光體。若根據本發明之化合物係用作發光層中之螢光發光體，則其較佳與一或多個基質材料組合使用。與式(I)化合物組合用作發光體之較佳基質材料係指示於下。
電子裝置的各種功能材料之一較佳具體實例係顯示於下。
較佳磷光發光體為上述化合物和下表中所示之化合物：
除式(I)化合物之外，較佳螢光發光體係選自芳基胺類之類別。芳基胺或芳族胺就本發明之意義而言意指含有三 個經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統直接鍵結於氮之化合物。此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者較佳為縮合環系統，特佳具有至少14個芳族環原子。其較佳例子為芳族蒽胺類、芳族蒽二胺類、芳族芘胺類、芳族芘二胺類、芳族胺類或芳族二胺類。芳族蒽胺意指其中一個二芳胺基與蒽基團直接鍵結之化合物，較佳地在9-位置上。芳族蒽二胺意指其中兩個二芳胺基與蒽基團直接鍵結之化合物，較佳地在9,10-位置上。芳族芘胺類、芘二胺類、胺類及二胺類係對其類似地定義，其中二芳胺基較佳地在1-位置或1,6-位置上與芘鍵結。另外的較佳發光為茚並茀胺類和茚並茀二胺類(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯並茚並茀胺類或苯並茚並茀二胺類(例如根據WO 2008/006449)、和二苯並茚並茀胺類和二苯並茚並茀二胺類(例如根據WO 2007/140847)、和WO 2010/012328中所揭示的含有縮合芳基之茚並茀衍生物。 較佳者同樣為WO 2012/048780和WO 2013/185871中所揭示之芘芳胺類。較佳者同樣為WO 2014/037077中所揭示之苯並茚並茀胺類及EP 13000012.8中所揭示之苯並茀胺類。
適當基質材料(較佳地用於螢光發射體)為來自各種物質之材料。較佳基質材料係選自以下種類：寡聚伸芳基(oligoarylenes)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-四苯基螺聯茀或二萘基蒽)，特別是含有縮合芳族基團之寡聚伸芳基類、寡聚伸芳基伸乙烯基類(oligoarylenevinylenes)(例 如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，特別是酮類、氧化膦類、亞碸類、等等(例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯並蒽類(例如根據WO 2008/145239)之種類。特佳基質材料係選自包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚伸芳基類或這些化合物的阻轉異構物、寡聚伸芳基伸乙烯基類、酮類、氧化膦類和亞碸類之種類。非常特佳基質材料係選自包含蒽、苯並蒽、苯並菲及/或芘之寡聚伸芳基類或這些化合物的阻轉異構物之種類。寡聚伸芳基就本發明之意義而言意欲意指一種其中至少三個芳基或伸芳基基團彼此鍵結之化合物。此外較佳者為揭示於WO 2006/097208、WO 2006/131192、WO 2007/065550、WO 2007/110129、WO 2007/065678、WO 2008/145239、WO 2009/100925、WO 2011/054442及EP 1553154中之蒽衍生物及揭示於EP 1749809、EP 1905754及US 2012/0187826中之芘化合物。
除式(1)化合物之外，用於磷光發光體之較佳基質材料為芳族酮類、芳族氧化膦類或芳族亞碸類或碸類(例如，根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺類、咔唑衍生物(例如，CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)或WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中所揭示之咔唑衍生物)、吲哚並咔唑衍生物(例如，根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚並咔唑衍生物(例如，根據WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176)、氮雜咔唑衍生物(例如，根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如，根據WO 2007/137725)、矽烷類(例如，根據WO 2005/111172)、氮雜硼唑類(azaboroles)或硼酸酯類(例如根據WO 2006/117052)、三衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽唑(diazasilole)和四氮雜矽唑衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮雜磷唑(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋連咔唑衍生物(例如，根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080)、聯伸三苯衍生物(例如，根據WO 2012/048781)或內醯胺(例如，根據WO 2011/116865或WO 2011/137951)。
除式(1)化合物之外，可用於根據本發明之有電子裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層中之適當電荷傳輸材料為(例如)Y.Shirota等人，Chem.Rev.2007，107(4)，953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術用於該等層中之其他材料。
可用於電子傳輸層中之材料為所有根據先前技術中用作電子傳輸層中之電子傳輸材料的材料。特別適合者為鋁錯合物(例如Alq3)、鋯錯合物(例如Zrq4)、鋰錯合物(例如，Liq)、苯並咪唑衍生物、三衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡衍生物、喹噁啉衍生物、喹啉衍生物、噁二唑衍生物、芳族酮類、內醯胺類、硼烷類、二氮雜磷唑(diazaphosphole)衍生物及氧化膦衍生物。此外適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300中所揭示者。
除了式(I)化合物之外，可用於電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中之較佳電洞傳輸材料為茚並茀胺衍生物(例如，根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜三伸苯基衍生物(例如，根據WO 01/049806)、含有縮合之芳族環的胺衍生物(例如，根據US 5,061,569)、WO 95/09147中所揭示之胺衍生物、單苯並茚並茀胺類(例如，根據WO 08/006449)、二苯並茚並茀胺類(例如，根據WO 07/140847)、螺聯茀胺類(例如，根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺類(例如，根據WO 2014/015937、WO 2014/015938和WO 2014/015935)、螺二苯並吡喃胺類(例如根據WO 2013/083216)和二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)。
電子裝置之陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬 合金或包含各種金屬(諸如，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等))之多層結構。同樣適合的合金為包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金，例如包含鎂和銀之合金。在多層結構之情況中，除該等金屬外，也可使用具有較高功函數之其他金屬，諸如，例如Ag或Al，其中通常使用金屬之組合，諸如，例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。較佳亦可於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合此目的者為(例如)鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3、等等)亦適合。此外，喹啉酚鋰(LiQ)可使用此目的。此層之厚度較佳係於0.5和5nm之間。
陽極較佳包含具有高功函數之材料。相對於真空，陽極較佳具有大於4.5eV之功函數。適合此目的者一方面為具有高氧化還原電位之金屬，諸如，例如Ag、Pt或Au。 另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)亦可為較佳的。就一些應用而言，至少一個電極必須為透明或部分透明，以便促進有機材料之照射(有機太陽能電池)或光之耦合輸出(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜有機材料，特別是導電性摻雜聚合物。此外，陽極也可由多層(例如ITO的內層和金屬氧化物(較佳氧化鎢、氧化鉬或氧 化釩)的外層)組成。
將電子裝置適當地(視應用而定)結構化，配備接點且最後密封，以便排除水和空氣的有害影響。
在一較佳具體實例中，根據本發明之電子裝置其特徵在於利用昇華方法施加一或多層，其中該等材料係於真空昇華單元中在低於10-5毫巴，較佳低於10-6毫巴之起始壓力下藉由氣相沈積施加。然而，起始壓力在此也可能甚至更低，例如低於10-7毫巴。
同樣較佳者為電子裝置，其特徵在於利用OVPD(有機蒸氣相沉積)法或輔以載體-氣體昇華法施加一或多層，其中該等材料係在介於10-5毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴射印刷)法，其中該等材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M.S.Arnold等人之Appl.Phys.Lett.2008，92，053301)。
此外較佳者為電子裝置，其特徵在於諸如(例如)以旋轉塗佈或利用任何所欲印刷法(諸如，例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但是特佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造一或多層。 為此目的需要式(I)之可溶性化合物。高溶解度可經由化合物的適當取代來達成。
為了製備根據本發明之電子裝置，此外較佳的是自溶液施加一或多層及藉由昇華方法施加一或多層。
根據據本發明，包含一或多種式(I)化合物之電子裝 置可用於顯示器中、作為照明應用中之光源及作為醫學及/或化妝品應用(例如光療法)中之光源。
實施例 A)合成例 A-1)實例1：化合物(1-1)至(1-13)的合成
4-(2-溴苯基)二苯並呋喃Int-1的合成
將100g(462mmol)的二苯並呋喃-4-硼酸、106g(439mmol)的1,2-二溴苯和10.7g(9.2mmol)的Pd(Ph3P)4懸浮在980ml的二噁烷中。將979ml的2M碳酸鉀溶液慢慢加至該懸浮液中，並將反應混合物在回流下加熱16h。冷卻之後，將有機相分離出來，通過矽膠過濾，用200ml的水洗滌三次和隨後蒸發至乾。藉由層析在矽膠上純化殘餘物。產量：87g(270mmol)，理論的58%，根據HPLC純度>98%。
中間物Int-7的合成
在-78℃下最初將31g(90mmol)的4-(2-溴苯基)二苯並呋喃引入300ml的THF中。在此溫度下滴加40ml的BuLi(在己烷中之2M)。1小時之後，滴加在200ml的THF中的16.9g(94mmol)的茀-9-酮。將批料留置在室溫下攪拌過夜，加至冰-水並用二氯甲烷萃取。將合併有機相用水洗滌和經過硫酸鈉乾燥。在真空中移除溶劑，並將殘餘物在沒有進一步純化下與94ml的HCl和1074ml的AcOH一起在100℃回流下加熱過夜。冷卻之後，將沉澱固體吸濾，用100ml的水洗滌一次，用每次100ml的乙醇洗滌三次且隨後從庚烷再結晶。產量：23.1g(57mmol)，58%；根據1H-NMR純度約98%。
類似於所述化合物Int-1的合成製備以下化合物：
類似於所述化合物Int-7的合成製備以下化合物：
化合物(1-1)的合成
將11.5g(31.5mmol)的聯苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺和14.0g(28.8mol)的溴螺衍生物溶解在320ml 的甲苯中。將溶液脫氣並用N2飽和。然後添加6.8ml(2.88mmol)的10%三-三級丁基膦溶液和1.32g(1.44mmol)的Pd2(dba)3，和隨後添加9.5g的三級丁醇鈉(86.5mmol)。將反應混合物在保護氛圍下於沸點加熱5h。隨後將該混合物分溶在甲苯和水之間，將有機相用水洗滌三次並經過Na2SO4乾燥及以旋轉蒸發器蒸發。通過矽膠用甲苯過濾粗製產物之後，將剩下之殘餘物從庚烷/甲苯再結晶和最後以高真空昇華。純度為99.9%(HPLC)。化合物(1-1)之產率為16.5g(理論的75%)。
化合物(1-2)至(1-16)的合成
亦類似於實例1中所述化合物(1-1)的合成製備以下化合物。
A-2)實例2：化合物(2-2)至(2-4)的合成
將15.0g(36.9mmol)的起始化合物溶解在150ml的乙腈中，和在室溫下分批加入5.2g(29mmol)的N-溴丁二醯亞胺。當反應完全時，添加水和乙酸乙酯，並將有機相分離出來，乾燥和蒸發。隨後藉由與熱的甲醇/庚烷(1：1)攪拌數次洗滌粗製產物。產量：14.3g(80%)的溴螺衍生物Int-25。
類似地製備以下溴化化合物：
化合物(2-2)至(2-5)的合成
亦類似於實例1中所述化合物(1-1)的合成製備以下化合物(2-2)至(2-5)。
A-3)實例3：化合物3-1至3-3的合成
將20.0g(40.1mmol)的溴衍生物、9.7g(40.1mmol)的3-苯基-9H-咔唑和24g的Rb2CO3懸浮在250ml的對-二甲苯中。將0.95g(4.2mmol)的Pd(OAc)2和12.6ml的1M三-三級丁基膦溶液加至該懸浮液中。將反應混合物在回流下加熱36h。冷卻之後，將有機相分離出來，用150ml的水洗滌三次和隨後蒸發至乾。將殘餘物用熱甲苯萃取，從甲苯再結晶三次和最後以高真空昇華，產生15.9g(24.1mmol)，對應於理論的60%。純度為99.9%。
化合物(3-2)至(3-4)的合成
亦類似於實例1中所述化合物(3-1)的合成製備以以下化合物(3-2)和(3-3)。
類似地獲得以下化合物：
3a)用於A-4)項的化合物之中間物的合成
最初將30g(74mmol)的二苯並螺茀引入在-20℃下之400ml的THF。在此溫度下滴加49ml的BuLi(在己烷中的2M)。4小時之後，滴加33ml(148mmol)的異丙氧基四甲基二氧雜環戊硼烷(dioxaborolane)。將該批料留置在室溫下過夜。當反應完全時，添加水和乙酸乙酯，並將有機相分離出來，乾燥和蒸發。藉由層析法在矽膠上純化殘餘物。產量：31g(59mmol)，理論的80%，根據HPLC純度>98%。
A-4)實例4：化合物4-1至4-13的合成
螺茀硼酸酯衍生物Int-28
將50g(103mmol)的溴螺茀衍生物、32g(123mmol)的雙(頻哪醇基)二硼烷(bis(pinacolato)diborane)和30g(309mmol)的乙酸鉀懸浮在800ml的二噁烷中。將2.5g(3.09mmol)的1,1-雙(二苯膦基)二茂鐵氯化鈀(II)錯合物與DCM加至該懸浮液中。將反應混合物在回流下加熱16h。冷卻之後，將有機相分離出來，用400ml的水洗滌三次及隨後蒸發至乾。將殘餘物從甲苯再結晶(52g，95%產率)。
類似地製備以下化合物：
聯苯-2-基聯苯-4-基-(4-氯苯基)胺Int-35
將23.8g的聯苯-2-基聯苯-4-基胺(74mmol)和21.2g的4-氯碘苯(89mmol)溶解在500ml的甲苯中。將溶液脫氣並用N2飽和。然後添加3ml(3mmol)的1M三-三級丁基膦溶液和0.33g(1.48mmol)的乙酸鈀(II)，及隨後添加10.7g的三級丁醇鈉(111mmol)。將反應混合物在保護氛圍下於沸點加熱12h。隨後將該混合物分溶在甲苯和水之間，及將有機相用水洗滌三次並經過Na2SO4乾燥和以旋轉蒸發器蒸發。通過矽膠用甲苯過濾粗製產物之後，將剩下之殘餘物從庚烷/甲苯再結晶。產量為29g(理論的90%)。
類似地製備以下化合物：
化合物(4-1)的合成
將24.6g(46.3mmol)的螺茀頻那醇硼酸酯衍生物和 20.0g(46.3mmol)的氯衍生物懸浮在300ml的二噁烷和14.1g的氟化銫(92.6mmol)中。將4.1g(5.56mmol)的雙-(三環己基膦)二氯化鈀加至該懸浮液中，並將反應混合物在回流下加熱24h。冷卻之後，分離出有機相，通過矽膠過濾，用100ml的水洗滌三次和隨後蒸發至乾。通過矽膠用甲苯過濾粗製產物之後，將剩下之殘餘物從庚烷/甲苯再結晶和最後以高真空昇華。純度為99.9%。產量為29.7g(理論的80%)。
化合物(4-2)至(4-11)和Int-41a至Int-41c的合成
亦類似於實例1中所述之化合物(4-1)的合成製備以下化合物。
A-5)化合物5-1至5-8的合成 中間物Int-42至Int-47的合成
將27g(85mmol)的雙聯苯胺和22.0g(85mmol)的1-溴-茀酮溶解在170ml的甲苯中。將溶液脫氣並用N2飽和。然後添加4ml(1.7mmol)的10%三-三級丁基膦溶液和0.2g(0.89mmol)的Pd(AcO)2，且隨後添加12.2g的三級丁醇鈉(127mmol)。將反應混合物在保護氛圍下於沸點加熱12h。隨後將該混合物分溶在甲苯和水之間，並將有機相用水洗滌三次和過Na2SO4乾燥並以旋轉蒸發器蒸發。通過矽膠用甲苯過濾粗製產物之後，將剩下之殘餘物從再庚烷/甲苯結晶。純度為99%(NMR)。產量為34g(理論的80%)。
類似地製備以下化合物：
化合物5-1至5-8的合成
在-78℃下最初將16g(51mmol)的4-(2-溴苯基)二苯並呋喃引入80ml THF中。此溫度下滴加13ml的BuLi(在己烷中之2M)。1小時之後，滴加在200ml THF中之24.5g(47mmol)的茀-9-酮。留置批料以在室溫下攪拌過夜，加至冰-水並用二氯甲烷萃取。將合併之有機相用水洗滌和經過硫酸鈉乾燥。在真空中移除溶劑，和將殘餘物在沒有進一步純化下與94ml的HCl和1074ml的AcOH一起在100℃回流下加熱過夜。冷卻之後，將沉澱固體用吸濾濾出，用100ml的水洗滌一次，每次用100ml的乙醇洗滌三次，從庚烷再結晶和最後以高真空昇華。產量： 8.8g(12mmol)，59%；根據HPLC純度約99.9%。
類似地製備以下化合物：
B)裝置例
藉由根據WO 04/058911的一般方法製造根據本發明之OLED和根據先前技術之OLED，該方法適用於此處所述之狀況(層厚變化，材料)。
各種OLED之數據呈現於以下的裝置例E1至E13和E16至E18(本發明實例)與V1至V4(比較例)。所使用之 基板為以50nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)塗佈之玻璃板。OLED原則上具有以下的層結構：基板/p-摻雜電洞傳輸層(HIL1)/電洞傳輸層(HTL)/p-摻雜電洞傳輸層(HIL2)/電洞傳輸層(EBL)/發光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)和最後陰極。陰極係由具有100nm厚度的鋁層所形成。
製造OLED所需的材料顯示於表1中，各種成分結構顯示表2中。
所有材料在真空室內藉由熱氣相沈積施加。發光層在此總是由至少一種基質材料(主體材料)和發光摻雜劑(發光體)組成，該發光摻雜劑藉由共蒸發而與基質材料或基質材料等以某體積比例摻混。詞句諸如H1：SEB(95%：5%)在此表示材料H1係以95%之體積比例存在於層中和SEB係以5%之比例存在於層中。類似地，電子傳輸層或電洞注入層亦可由兩種材料之混合物所組成。
OLED係以標準方法示性。為此目的，測定電致發光光譜、電流效率(以cd/A測量)、功率效率(以lm/W測量)及假設Lambert發光特性，從電流/電壓/發光密度特徵線(IUL特徵線)計算以發光密度為函數之外部量子效率(EQE，以百分比測量)、及壽命。電致發光光譜係在1000cd/m2之發光密度下測定，且由此計算CIE 1931 x與y色座標。術語EQE @ 10mA/cm2表示在10mA/cm2之電流密度下的外部量子效率。LT80 @ 60mA/cm2為OLED在60mA/cm2之恆定電流密度下降至初始發光密度之80%的 壽命。
根據本發明之化合物HTM1至HTM5和HTM8至HTM10非常適合用作OLED材料，如由實例E1至E13和E16至E18(E1至E8：單重態(singlet)成分；E9至E13和E16至E18：三重態(triplet)成分)所示。相較於參考化合物HTMV1和NPB(比較例V1和V2：單重態成分；V3和V4：三重態成分)，用化合物獲得改良之性能數據。
在單重態藍色成分中，相較於參考樣品V1和V2(6.2%和7.7%)，根據本發明之樣品E2(7.9%)、E3(8.6%)、E4(7.9%)和E5(8.3%)呈現在10mA/cm2下之較高量子效率。根據本發明之樣品E1(356h)、E2(312h)、E4(403h)、E6(275h)、E7(316h)和E8(408h)的情況下於60mA/cm2下之壽命LT80也顯著更好於參考樣品V1(125h)和V2(257h)的情況。
在三重態綠色成分中，參考樣品V3(11.7%)和V4(18.6%)呈現在2mA/cm2下比根據本發明之樣品 E10(18.6%)、E12(19.8%)、E16(19.6%)、E17(19.4%)和E18(18.6%)低或相同的量子效率。根據本發明之樣品E9(220h)、E10(96h)、E11(109h)、E12(172h)、E13(111h)、E16(150h)、E17(144h)和E18(160h)在20mA/cm2下之壽命(80%)亦大於參考樣品V3(80h)和V4(84h)的情況。

Claims (18)

  1. 一種式(I-1)至(I-6)中之一者的化合物，
    Figure TWI639590B_C0001
    Figure TWI639590B_C0002
    Figure TWI639590B_C0003
    Figure TWI639590B_C0004
    Figure TWI639590B_C0005
    Figure TWI639590B_C0006
    - 其可在式(I-1)至(I-6)中之一者之基本結構上的一或多個位置上經R1基取代，雖然式(I-1)至(I-6)中之一者係以未經取代來描述；及- 其具有以下變型之定義：A 於每次出現係相同或不同地為式(A1)、(A2)或(A3)之基團，其係經由以#標記之鍵鍵結；
    Figure TWI639590B_C0007
    Figure TWI639590B_C0008
    Figure TWI639590B_C0009
    Ar1 於每次出現係相同或不同地為單鍵或具有6至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代；Ar2 於每次出現係相同或不同地為具有6至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2基取代；X 於每次出現係相同或不同地為單鍵或選自下列之基團：BR2、C(R2)2、Si(R2)2、C=O、O、S、S=O、SO2、NR2、PR2或P(=O)R2；R0 於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、Si(R3)3、具有1至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基或具有2至20個C原子的烯基或炔基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代，且上述基團中的一或多個CH2基團可經-R3C=CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C=O、C=NR3、-C(=O)O-、-C(=O)NR3-、NR3、P(=O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2置換；R1，R2 於每次出現係相同或不同地為H、D、F、C(=O)R3、CN、Si(R3)3、N(Ar3)2、N(R3)2、P(=O)(R3)2、OR3、S(=O)R3、S(=O)2R3、具有1至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基或具有2至20個C原子的烯基或炔基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代，且上述基團中的一或多個CH2基團可經-R3C=CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C=O、C=NR3、-C(=O)O-、-C(=O)NR3-、NR3、P(=O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2置換、或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3基取代；二或多個R1或R2基可彼此連結且可形成環；Ar3 於每次出現係相同或不同地為具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3基取代；R3 於每次出現係相同或不同地為H、D、F、C(=O)R4、CN、Si(R4)3、N(Ar3)2、N(R4)2、P(=O)(R4)2、OR4、S(=O)R4、S(=O)2R4、具有1至20個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基或具有2至20個C原子的烯基或炔基，其中上述基團可各自經一或多個R4基取代，且上述基團中的一或多個CH2基團可經-R4C=CR4-、-C≡C-、Si(R4)2、C=O、C=NR4、-C(=O)O-、-C(=O)NR4-、NR4、P(=O)(R4)、-O-、-S-、SO或SO2置換、或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R4基取代；二或多個R3基可彼此連結且可形成環；R4 於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、或具有1至20個C原子的脂族、芳族或雜芳族有機基，其中此外一或多個H原子可經D、F或CN置換；二或多個取代基R4可彼此連結且可形成環；q 於每次出現係相同或不同地為0或1，其中在式(A2)中至少一個q等於1。
  2. 根據申請專利範圍第1項之化合物，其中A為式(A1)之基團。
  3. 根據申請專利範圍第1項之化合物，其中X於每次出現係相同或不同地選自單鍵或選自下列之基團：C(R2)2、C=O、O、S和NR2。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項的化合物，其中X為單鍵。
  5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項的化合物，其中R0於每次出現係相同或不同地為H、D、F、具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代。
  6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項的化合物，其中R1和R2於每次出現係相同或不同地為H、D、F、CN、具有1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個R3基取代、或具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可於各情況中經一或多個R3基取代。
  7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項的化合物，其中Ar1為單鍵及A為式(A1)之基團。
  8. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項的化合物，其中R0為H。
  9. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項的化合物，其中R1及R2每次出現係相同或不同地選自H、D、F、CN、具有1至10個C原子的直鏈烷基、具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基、或具有6至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統。
  10. 一種式(II-5)至(II-6)中之一者的化合物，
    Figure TWI639590B_C0010
    Figure TWI639590B_C0011
    各者可在一或多個自由位置上經R1基取代，該R1基係根據申請專利範圍第1或6項所定義，及其中R0係根據申請專利範圍第1或5項所定義，及其他變型的定義如下：Z 於每次出現係相同或不同地選自F、Cl、Br、I、B(OR3)2、OSO2R3、S(=O)R3和S(=O)2R3；t於每次出現係相同或不同地為0或1，其中每一式的至少一個指數t等於1。
  11. 一種製備根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物之方法，其中先製備螺聯茀基本結構，且於隨後的步驟中，將芳胺基或咔唑基，或經芳胺基或咔唑基取代之芳基或雜芳基經由有機金屬偶合反應引入。
  12. 一種寡聚物或聚合物，其含有一種根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物，其中至該聚合物或寡聚物之鍵可位於式(I-1)至(I-6)中之一者中經R0、R1或R2取代之任何所欲位置上。
  13. 一種樹枝狀聚合物，其含有一種根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物，其中至該樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I-1)至(I-6)中之一者中經R0、R1或R2取代之任何所欲位置上。
  14. 一種調合物，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物及至少一種溶劑。
  15. 一種根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物之用途，其係用於電子裝置中。
  16. 一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物。
  17. 根據申請專利範圍第16項之電子裝置，其中該裝置係選自由下列者所組成之群組：有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、有機光學偵測器、有機光受體、有機場淬滅裝置、有機發光型電化學電池、有機雷射二極體及有機電致發光裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物。
  18. 根據申請專利範圍第17項之電子裝置，其中該根據申請專利範圍第1至6項中任一項的化合物係作為電洞傳輸材料或作為發光層的基質材料存在。
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