TW200941322A - Manufacturing method for conducting films on two surfaces of transparent substrate of touch-control circuit - Google Patents

Description

-200941322 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種觸控電路之製法，特別是一種以濺 鍍、曝光、顯影、蝕刻等方法在透明基板雙面佈設形成觸 控電路之導電膜的製作方法。 【先前技術】 觸控板（Touch Panel)’舉以坊間較為常見者，通常為 電阻式及電容式的觸控板。其中電阻式的觸控板，可用手 ® 指、筆或其他媒介物對面板表面進行按壓，以產生觸控訊 號；相較於電容式觸控板，則僅需用手指對面板表面輕微 觸壓’即可產生觸控訊號’故在使用上具有較佳的靈敏度； 因此，現有較為先進之行動電話、全球定位系統（GPS)、 個人數位助理（Personal Digital Assistant，PDA)、掌上型 電腦（Palm-Sized PC)及資訊家電（Information Appliance) 等電子產品之觸控板，大都是以電容式觸控板為主流設 計。上述電容式觸控板内具有一觸控電路，係利用滅鑛、 ❹曝光、顯影、蝕刻等方法，將透明導電材料（氧化銦錫_ln(iium

Tin Oxide, ITO)逐一堆疊在一玻璃基板(Glass Substrate)之 雙侧表面而成，包含一形成於透明基板頂面之上層導電膜 及一形成於透明基板底面之下層導電膜；如此，可利用該 上層及下層導電膜與人體之間所產生之電容效應，檢測因 電容效應所產生之誘導電流來進一步計算其觸控位置之座 標。 且知，上述觸控電路之製作方式，傳統上是在一玻璃 基板之頂面及底面分別真空濺鍍一上層導電基材及一下層 200941322 =電基材’並在该上層導電基材表面接觸（。⑽⑽）一上 用然後再於该下層導電基材表面接觸一保護層；使 ，電_#之光罩遮蔽於該上光阻層上方，並使 1 光ίΐ該裸空電路圖樣對該上光阻層進行曝光； 電基材裸露出-待接受以進行顯影，促使該上層導 露出之區域浸泡㈣劑以進的區域；將該上層導電基材裸 &形成-上層導㈣，使該上層導電基材 ❹I以及該下層導電基材上層導電膜表面殘餘之光 導電基材表面接觸-下光之保濩層，隨後’在該下層 隹觸-保護層；使用另層，同時於該上層導電膜表面 下光阻層上方，並利用該、，空電路圖樣之光罩遮蔽於該 下光阻層上方的對位美準㈢導電膜作為該光罩遮蔽於該 _取該上層導電二供:使用：影像視覺器(咖) 光通過該裸空電路圖樣對診' ^進行對位，並使用紫外線 F且層表面接觸顯影劑以進彳_ =光阻層進行曝光；在該下光 懸露出一待接受蝕刻的區域影，促使該下層導電基材裸 域浸泡钱刻劑以進行敍刻，' W亥下層導電基材裸露出之區 層導電膜，並除去該下層導=使该下層導電基材形成一下 上層導電基材表面之保護層電祺表面殘餘之光阻，以及該 惟，上述傳統之觸控電硌，』 行多次接觸及除去光阻層、I作方式，必須先後重覆進 行多次顯影及蝕刻等製程，呆遵層等步驟，且必須重覆進 的問題。 欵有耗費製程工時與材料成本 【發明内容】 200941322 觸控斤揭之問題’本發明旨在提供-種 基板雙面5透基板雙面導電膜的製法，尤其是可對透明 嗖形成浐=時進行顯影及蝕刻步驟，以簡化觸控電路之佈 法，本發明觸控電路之透明基板雙面導電膜的製 ❹ ❹ -具Ϊ感板的第一表面之一第一導電基材層上接觸 表面之-2色劑的第—光阻層，並在該透明基板的第二 _ 一導電基材層上接觸一第二光阻層； 光區光阻層進行曝光，促使該第―光阻層接受曝 戍—具可供辨識顏色之電路圖形； 準，並=電路圖形作為該第二光阻層之曝光用對位基 丈該第二光阻層進行曝光； 材層板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基 域；及v電基材層各自裸露出一待接受钱刻的區 同時進^ ¥電基材層及$第二導電基材層裸露之區域 一第〜促使該第—導電基材層形成-觸控電路之 第二導且該第二導電基材層形成朗控電路之一 圖形的方心j該第―、第"導電膜係以形成上述電路 A耒形成該觸控電路。 一及除去該第—與第二導電膜表面殘餘之第 依t層’以裸露該第-導電膜與該第二導電膜。 上述，該透明基板雙面之導電膜能在單一次之顯 200941322 影及蝕刻製程中佈設形成，以簡化觸控電路之佈設製程， 進而具備縮減工時與降低成本之效。 然而，為能再加詳述本發明，併予列舉出較佳實施例， 請配合參照圖示而詳細說明如後述： 【實施方式】 °月參閱圖1所示，揭示出本發明一實施例之配置狀態 eJ示圖並配合圖2至圖6說明本發明觸控電路之透明基 板雙面導電膜的製法，包含有下列步驟：

Ο (1)將一透明基板1擺放於一濺鍍設備内，以真空濺 鍍的方式在該透明基板i的第一表面濺鍍形成一第一導電 基材層；在本實施上，該透明基板丨的第一表面是位於該 透明基板1的頂面，該第一導電基材層係位於該透明基板1 頂面的上導電基材層21 (如圖1所示），同時於該透明基板 1的第二表面濺鍍形成一第二導電基材層；在本實施上，該 透月基板1的第二表面是位於該透明基板i的底面，該第 一導電基材層係位於該透明基板1底面的下導電基材層 一該透明基板1可為玻璃、膠膜或膠殼，且該透明基板1 貝質上了為一觸控板之透明基板；或者，該透明基板1亦 可2 —顯示面板之上層透明基板；該上導電基材層21與該 下基材層22可由透明之導電材料製成，該透明之導電 材，可以疋選用氧化銦錫（IT〇)或其他導電材料，而以賤 鍍或其他等效方式披覆於該透明基板丨之頂面及底面。 >、（2)在該上導電基材層21表面接觸一具有感光變色 第一光阻層31 (如圖1所示）’並在該下導電基材層 22面接觸一第二光阻層32,其中接觸的形式可以是以塗 8 200941322 佈、喷灑或其他的方式完成。該第—妹層31及第二光阻 層32在本實施上係為正光阻（ρ〇δ^ν£ ph〇t〇resist)，該正 光阻接文紫外線光照射（曝光）之區域能經由浸泡顯影劑 ，冷解’且正光阻未接受紫外線光照射之區域難以被顯影 =溶解，藉以保留正級未接受紫外線光照射之區域；該 $光交色劑係為有機雙鍵烯類物質所組成，且該感光變色 蜊接受紫外線光照射後會改變顏色。 _(3)使用一具有裸空電路圖樣41的第一光罩4 (如圖 〇 2料）’遮蔽於該第-轨層M上方，並使用—紫外線燈 给，紫外線光，通過該裸空電路圖樣41對該第一光阻層 二知照射’以進行該第-光阻層31之曝光程序，促使該第 光阻層31接受曝純域形成—具有可供辨識顏色之電路 圖形31卜其中之所以可供辨識顏色，乃是因形成該第—光 t層的感光變色劑材質具有敏感性低的特性，因此在曝光 時會造成光阻層的色差，進而提供辨識的效果。 (4)翻轉該透明基板丨，讓該第二光阻層32朝向上方 ❹（如圖3所示）；使用一具有裸空電路圖樣51的第二光罩 5 ’遮蔽於該第二光阻層32上方，並利用該電路圖形3ιι 作為該第二光罩5與該第二光阻層32的對位基準；使用一 影像對比器（例如：CCD)經由辨識該電路圖形311的色差 顏色以擷取該電路圖形311之影像，並提供該第二光罩5 進行對位，進而校正該第二光罩5鄰近於該第二光阻層32 上方的位置；使用該紫外線燈提供紫外線光，通過該裸空 電路圖樣51對該第二光阻層32實施照射，以進行該第: 光阻層32之曝光程序。 人 200941322 (5)在該第一光 顯影劑’以同時對吁、未a 、逆弟二光陡爲π主 該第-光阻層C板1雙面進行二^接觸 該顯影劑溶解（如二弟―光阻層32接$曝=奸致使 該下導電基材層;V自:;)二 士（6)將該遷明基板"巍又飾刻的區域。 層2i及竹L雙面進行钱刻^ 虫刻劑中，以同 及訂導電基材層 &序’致使該上 上如：5所示)’促使該上導=區域受物刻劑;解 弟—導電膜；在本實^基材層21形成-觸控電路6 笔基材層2丨形成之上層上，該第一導電膜係為該上導 巧該觸控桃6 id，且該下導 電基材層22 導電膜係為該下導電基材展〜V電膜；在本實施上，該第二 ^ (7)在該上層導"電膜曰22形成之下層導電膜62。 该下層導電膜62表面殘餘61表面殘餘之第一光阻層31與 阻用之除光阻劑，以同時心之第二光阻層32上接觸去除光 表面殘餘之第一及第二弁*去該上層與下層導電膜61、62 導電膜61與該下層導電膜9 Μ、32’並完全裸露該上層 依據上述可二如圖6所示 在單一次之顯影及基板1雙面之導電膜61、62能 控電路ό之佈設程序。、中同時佈設形成，進而簡化觸 在上述實施例中，係 式係顯影並祕光阻層的魄正光阻的曝光方錢行，其方 實施例則是以負光阻的曝^區域，而以下將提及的另一 式相反，即曝光區域會被形式進行’其與正光阻曝光形 _下來進行後續的蝕刻製程。 200941322 能叫=閱:s7入所揭示出本發明另-實施例之配置狀 8至圖12說明本發明觸控電路之透明 基板雙面導電膜的製法，包含有下列步驟： (1)以真空濺朗方式在—透明基板la的第—表面 :形=-導電基材層；在本實施上，該透明基板㈣ ❹ Ο 係位二亥透明基板1a的頂面’該第-導電基材層 係=透明基板1a頂面的上導電基材層山（如圖7所 於該透明基板la的第二表面雜形成—第二 i明施上’該透明基板1a的第二表面是位於該 h底二下二導電基材層係位於該透明基板 膜或膠殼誠明基板1a可為玻璃、膠 板;或者，該透明“ta '可為一觸控板之透明基 基板1a亦可為—顯示面板之上層透明基 ,丨、土材層2la與該下導電基材層22a可由透明之 ’该透明之導電材料可以是選用氧化銦錫或 板崎或其他等效方式披覆於該透明基 挪」2)也在該上導電基材,2U表面接觸一具有感光變色 ^ :®"接H3U (如圖7所示）’並在該下導電基材層 又 第—光阻層32a ;該第一光阻層31a及第二 二，32&在本實施上係為負光阻（Negative Ph〇t〇resist)， =負光阻未接受料線光騎之區域驗由浸泡顯影劑而 *且負光阻接文紫外線光照射之區域難以被顯影劑溶 ^稭以«貞光阻接受紫外線光騎之區域；該感光變 劑係為有機雙鍵烯類物質所組成，㈣感光變色劑接受 11 200941322 紫外線光照射後會改變顏色。 (3)使用一具有裸空電路圖樣4U的第—光罩如（如 圖8所示）’遮蔽於該第一光阻層3U上方，並使用一紫外 線燈提供紫祕光’it過絲空電_樣41&對科一光阻 層3U實施照射，以進行該第一光阻層化之曝光程序，促 ^亥第-光阻層3U接受曝光區域形成一具有可供辨識顏 色之電路圖形311a。 、〜翻轉琢迓明基板la，讓該第二光阻層32a朝向上 t (如圖9所示）；使用一具有裸空電路圖樣51a的第二光 ，遮蔽於該第二絲層仏上方，並彻該電路圖形 a作為該第二光罩5&與該第二光阻層仏的對位基準； =影像對比器（例如：CCD)經由辨識該電路圖形3iu 5at擷取該電路圖形31U之影像，並提供該第二光罩 仏進仃對位’進而校正該第二光罩5a鄰近於該第二光阻層 空^使用該紫外線燈提供紫外線光，通過該裸 32α^Φ# 使誃筮—+ 边β丞槪丨a雙面進行顯影程序，致 受射!貞^層31续該第二光阻層323未接受曝光的區域 )及解(如圖1〇所示)，促使該上 ： 域。該下^基材層仏各自裸露出—待接受_的^ 12 200941322 層2la及該下導蝥 6a之一第一導電膜. & 土曰a形成一觸控電路 導電基材層成之卜上，該第—導電臈係為該上 t成之上層導電膜61a,B# ^觸控電“之-第二導電膜 f係為該下導電基材層以形成Si電： ❹ (7)在該上層導電膜61a表面殘 ^該下層導電膜必表面殘餘之第二光阻 光阻用之除光_，㈣_切上層與;/上接觸去除 62a表面殘餘之第-及第二光阻層仏幻/人:6^、 上層導電膜64與該下層導電膜-(如圖12所=)稞路該 據此’該透明基板la雙面之導電膜6u、62a :欠影及钱刻製程中同時佈設形成’進而b 6a之佈設程序，而足以縮減工時。 尾路 ❿ 底面此:第該表面亦可位於該透明基板的 iL: 可位於該透明基板底面的下導 =層且形成該觸控電路之下層導電膜，該透明基板的 第—表面亦可位於該透明基板的頂面，該第二 亦可位於該透明基板底面的上導電基材 土材曰 路之上層導電膜。 _基材層且形成該觸控電 綜上所陳，僅為本發明之較佳實施例❿已，並非用以 限定本發明；凡其他未脫離本發明所揭示之精神下 的等效修飾或置換，均應包含於後述申請專利範 ;" 【圖式簡單說明】 13 200941322 圖1 :揭示出本發明一實施例之配置狀態剖示圖。 圖2 :揭示出圖1之一實施狀態剖示圖。 圖3 :揭示出圖1之另一實施狀態剖示圖。 圖4 :揭示出圖1之次一實施狀態剖示圖。 圖5 :揭示出圖1之再一實施狀態剖示圖。 圖6 :揭示出圖1之又一實施狀態剖示圖。 圖7 :揭示出本發明一實施例之配置狀態剖示圖。 圖8 :揭示出圖7之一實施狀態剖示圖。 〇 圖9 :揭示出圖7之另一實施狀態剖示圖。 圖10 :揭示出圖7之次一實施狀態剖示圖。 圖11 :揭示出圖7之再一實施狀態剖示圖。 圖12 :揭示出圖7之又一實施狀態剖示圖。 【主要元件符號說明】 1 透明基板 21 上導電基材層 22 下導電基材層 31 第一光阻層 311 電路圖形 32 第二光阻層 4 第一光罩 41 電路圖樣 5 第二光罩 51 電路圖樣 6 觸控電路 14 200941322

61 上層導電膜 62 下層導電膜 la 透明基板 21a 上導電基材層 22a 下導電基材層 31a 第一光阻層 311a 電路圖形 32a 第二光阻層 4a 第一光罩 41a 電路圖樣 5a 第二光罩 51a 電路圖樣 6a 觸控電路 61a 上層導電膜 62a 下層導電膜

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Claims (1)

1. 200941322 十、申請專利範圊·· •種觸控電路之透明基板雙面導電膜的製法，包含： -且透明基板的第—表面之—第—導電基材層上接觸 面=光變色劑的第一光阻層，並在該透明基板的第二 又f「第二導電基材層上接觸一第二光阻層，· 光區2第—光阻層進行曝光’促使該第—光阻層接受曝 或形成一具可供辨識顏色之電路圖形； ❹準，该電路圖形作為該第二光阻層之曝光用對位基 、’十該第二光阻層進行曝光； t該透明基板雙面同時進行顯影，促使該一 柯層及訪馀_、# 成.及X弟一¥電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區 域 同時對ί第—導電基材層及該第二導電基材層裸露之區域 一第蝕刻，促使該第一導電基材層形成一觸控電路之 〇 V電臈，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一 第二導電臈。 面.首如申睛專利範圍第1項所述觸控電路之透明基板雙 電膜的製法，其中該透明纂板係為一觸控板之透明基 板或-顯示面板的上層透明基板。 ’如申请專利範圍第1項所述觸控電路之透明基板雙 電膜的製法’其中光阻層係為正光阻或負光阻。 申請專利範圍第1項所述觸控電路之透明基板雙 44· 的製法，其中該第一導電基材層與該第二導電基 ^係由透明之導電材料製成。 200941322 • 5.如申請專利範圍第i項所述觸控電路之透明基板雔 面V電膜的製法，其中該第一光阪層係一 土又 圖樣的第一光罩遮蔽而接受紫外線光進行曝;^ 阻層係使用一具裸空電路圖樣的第二 μ/一 線光進行曝光，且該電路圖形係作 而接文紫外 二光罩的對絲準。 巧心―纽層與該第 ❹ 同步曝光。/ ’其中該弟一 P 且層與該第二光阻層係非 7·如申請專利範圍帛1項所述觸控電路之透明其你雔 面導電膜的製法，包含：於該第一導電膜板雙 =成後-同以除光_除去殘餘之第二導電膜 几全稞露該第-導電膜與該第二導電膜。—光阻層’以 8·如中請專利範圍第ι項 控 面導電臈的製法，其中 蜩徑電路之透明基板雙 〇 質所組成。 一 “ 劑係為有機雙鍵烯類物 9.如申請專利範園 面導電膜的製法，其中^項所述觸控電路之透明基板雙 明基极的頂面，該第明基板的第-表面是位於該透 =上導電基材層且#Μ ^基材層係位於該胃面 ，的第二表面是位於讀：控電路之上層導電膜，該透明 層係位於該透明騎縣㈣底面，該帛二導電基 電路之下層導電膜。-命的下導電基材層且形成該觸控 1 〇·如申凊專利範園 _電膜的製法’其中1 =述觸控電路之透明基板雙 土板的第一表面是位於該透 17 200941322

   明基板的底面，該第一導電基材層係位於該透明基板底面 的下導電基材層且形成該觸控電路之下層導電膜，該透明 基板的第二表面是位於該透明基板的頂面，該第二導電基 材層係位於該透明基板底面的上導電基材層且形成該觸控 電路之上層導電膜。 18