TWI411012B - 雙面圖案化結構之製造方法 - Google Patents

Description

雙面圖案化結構之製造方法

本發明是有關於一種雙面圖案化結構之製造方法，且特別是有關於一種可使製程簡化的雙面圖案化結構之製造方法。

具有基板及形成於基板相對兩側的雙面圖案化結構常常會用於電子產品中。例如，電容式觸控顯示面板，其包括玻璃基板以及形成於玻璃基板相對兩側的圖案化電極。

在雙面圖案化結構的製造過程中，為縮短製造時間，通常是在基板的相對兩側先形成第一電極材料層與第二電極材料層，然後再對第一電極材料層與第二電極材料層進行圖案化製程，以形成第一圖案化電極層與第二圖案化電極層。

習知技術中，對第一電極材料層與第二電極材料層進行圖案化製程的方法是先於第一電極材料層上形成第一保護膜，接著進行一微影製程來圖案化第二電極材料層，以形成第二圖案化電極層。之後，移除第一保護膜並於第二圖案化電極層上形成第二保護膜，然後再進行另一微影製程來圖案化對第一電極材料層，以形成第一圖案化電極層。接著，移除第二保護膜。

然而，第一保護膜與第二保護膜的形成過程與移除過程無疑會增加雙面圖案化結構的製造時間，以致於降低雙面圖案化結構的生產效率。此外，由於需花費第一保護膜與第二保護膜的材料成本，導致雙面圖案化結構生產成本提高。

本發明提供一種雙面圖案化結構之製造方法，其可使製程簡化，以提高生產效率。

為達上述優點，本發明提出一種雙面圖案化結構之製造方法，首先是提供基板，其相對的二表面分別形成有第一材料層與第二材料層。接著，於第一材料層上形成對位標識。然後，於第二材料層與部分第一材料層暴露於外時，用對位標識為光罩對位基準來圖案化第一材料層與第二材料層，以形成第一圖案化層與第二圖案化層。

在本發明之一實施例中，上述之第一材料層與第二材料層的材質包括透明電極與不透明電極的至少其中之一。

在本發明之一實施例中，上述之透明電極包括銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)。

在本發明之一實施例中，上述之第一材料層上形成有金屬材料層，而形成對位標識的方法包括圖案化金屬材料層以形成對位標識。

在本發明之一實施例中，在圖案化金屬材料層後更包括形成線路圖案。

在本發明之一實施例中，上述之對位標識的材質包括導電材質或絕緣材質。

在本發明之一實施例中，上述之對位標識的材質包括金屬材質。

在本發明之一實施例中，上述之對位標識的材質包括非金屬材質。

在本發明之一實施例中，上述之圖案化第一材料層與第二材料層的步驟包括對第一材料層與第二材料層分別進行一微影製程。

在本發明之一實施例中，上述之微影製程分別包括多個步驟，且這些微影製程的這些步驟之至少其中之一係同時進行。

在本發明之一實施例中，上述之圖案化第一材料層與第二材料層的步驟包括：先對第一材料層進行一微影製程，然後再對第二材料層進行另一微影製程。

綜上所述，在本發明雙面圖案化結構的製造方法中，無需採用額外的保護膜來保護第一材料層或第二材料層，因此可省去習知技術中形成保護膜與移除保護膜之步驟。如此，可減化雙面圖案化結構的製造流程，進而提高生產效率。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1A至圖1C是本發明一實施例之雙面圖案化結構的製造方法之流程圖，而圖2是圖1B之第一層與對位標識的俯視示意圖。請先參閱圖1A，本實施例的雙面圖案化結構之製造方法可用以製造出具有雙面圖案化結構的電子產品，如觸控顯示面板、觸控板等，但不以此為限。此雙面圖案化結構之製造方法的實施流程係先提供基板11。此基板11上形成有第一材料層112與第二材料層114。第一材料層112與第二材料層114分別位於基板11相對的二表面。其中，基板11的材質可為玻璃，但不以此為限。需注意的是，本實施例所指的基板11還可以與其他電子產品的基板整合。舉例來說，基板11可與顯示面板的一基板整合，亦即基板11亦可作為顯示面板的基板。此外，第一材料層112與第二材料層114的材質可為透明電極或不透明電極，而透明電極可為銦錫氧化物或銦鋅氧化物，但不以此為限。

接著，請參閱圖1B與圖2，於第一材料層112上形成對位標識13。對位標識13的材質可為金屬材質或非金屬材質。此外，對位標識13亦可為導電材質或絕緣材質。以對位標識13的材質為金屬材質為例，如圖3所示，形成對位標識13的方法可以是先於第一材料層112上形成金屬材料層12，然後對金屬材料層12進行圖案化處理，以形成對位標識13。圖案化處理方法可包括微影製程，而在圖案化金屬材料層12以形成對位標識13時，還可同時形成線路圖案(圖未示)。

然後，請參閱圖1C，在第二材料層114與部分第一材料層112暴露於外時，用對位標識13為光罩對位基準來圖案化第一材料層112與第二材料層114，從而形成第一圖案化層162與第二圖案化層164。

本實施例在第二材料層114與部分第一材料層112暴露於外時即進行第一材料層112與第二材料層114的圖案化製程。換言之，本實施例在進圖案化第一材料層112與第二材料層114之前，並未形成覆蓋第一材料層112或第二材料層114的保護膜。如此，可省去形成保護膜與移除保護膜之步驟，從而可減化雙面圖案化結構10的製造流程。因此，本實施例之雙面圖案化結構之製造方法能提高生產效率，並降低生產成本。

上述之圖案化第一材料層112與第二材料層114的方法可為進行一微影製程。圖4A至圖4D是本發明一實施例中形成第一圖案化層與第二圖案化層的流程圖。請先參照圖4A，上述之微影製程例如是先於第一材料層112上與第二材料層114上塗佈形成光阻層15。

接著，如圖4B所示，以對位標識13為光罩對位基準來進行光罩20的對位，然後對光阻層15進行曝光。在圖4B中標號30所指的箭號代表光線。

之後，如圖4C所示，對光阻層15進行顯影，以曝露出第一材料層112與第二材料層114需要被移除的部份。

然後，如圖4D所示，對曝露出的第一材料層112與第二材料層114進行蝕刻，以形成第一圖案化層162與第二圖案化層164。蝕刻方法可以是將形成有第一材料層112與第二材料層114的基板11浸泡到蝕刻液中或是噴灑蝕刻液於第一材料層112與第二材料層114。接著，移除光阻層15，以使第一圖案化層162與第二圖案化層164曝露於外表面，從而形成雙面圖案化結構10(如圖3所示)。

值得一提的是，在本實施例中，微影製程中的各步驟(包括塗佈形成光阻層15、曝光、顯影、蝕刻與移除光阻層15的步驟)分別可在基板11的雙側同時進行，所以能進一步提高雙面圖案化結構10的生產效率。

在本發明的另一實施例中，微影製程中的各步驟亦可在基板11兩側先後分別進行。舉例來說，在曝光步驟中，可先對第一材料層112上的光阻層15進行曝光，然後再對第二材料層114上的光阻層15進行曝光。

在另一實施例中，圖案化第一材料層112與第二材料層114的方法還可以是先對第一材料層112進行一微影製程，然後再對第二材料層114進行另一微影製程。在此實施例中，蝕刻第一材料層112及第二材料層114的方法例如是採用噴灑蝕刻液的方式。

綜上所述，在本發明之雙面圖案化結構的製造方法中，由於在圖案化第一材料層與第二材料層之前，不需形成保護膜於第一材料層與第二材料層，因此可省去習知技術中形成與移除保護膜之步驟。所以，本發明之雙面圖案化結構的製造方法可減化雙面圖案化結構的製造流程，以提高生產效率並降低生產成本。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10．．．雙面圖案化結構

11．．．基板

112．．．第一材料層

114．．．第二材料層

12．．．金屬材料層

13．．．對位標識

15．．．光阻層

20．．．光罩

30．．．光線

162．．．第一圖案化層

164．．．第二圖案化層

圖1A至圖1C是本發明一實施例之雙面圖案化結構的製造方法之流程圖。

圖2是圖1B之第一層與對位標識的俯視示意圖。

圖3為本發明一實施例中基板上形成有金屬材料層的剖面示意圖。

圖4A至圖4D是本發明一實施例中形成第一圖案化層與第二圖案化層的流程圖。

11．．．基板

13．．．對位標識

15．．．光阻層

20．．．光罩

30．．．光線

112．．．第一材料層

114．．．第二材料層

Claims (11)

1. 一種雙面圖案化結構之製造方法，包括：提供一基板，該基板之相對的二表面分別形成有一第一材料層與一第二材料層；於該第一材料層上形成一對位標識；在該第二材料層與部分該第一材料層暴露於外時，用該對位標識為光罩對位基準來使分別面對該第一材料層及該第二材料層之二光罩同時對準該基板，並經由該等光罩對分別形成在該第一材料層及該第二材料層上的二光阻層進行曝光，以圖案化該第一材料層與該第二材料層，以形成一第一圖案化層與一第二圖案化層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中該第一材料層與該第二材料層的材質包括透明電極與不透明電極的至少其中之一。
3. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中該透明電極包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
4. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中該第一材料層上形成有一金屬材料層，而形成該對位標識的方法包括圖案化該金屬材料層以形成該對位標識。
5. 如申請專利範圍第4項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中圖案化該金屬材料層後更形成一線路圖案。
6. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中該對位標識的材質包括導電材質或絕緣材質。
7. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中該對位標識的材質包括金屬材質。
8. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中該對位標識的材質包括非金屬材質。
9. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中圖案化該第一材料層與該第二材料層的步驟包括對該第一材料層與該第二材料層分別進行一微影製程。
10. 如申請專利範圍第9項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中該些微影製程分別包括多個步驟，且該些微影製程的該些步驟之至少其中之一係同時進行。
11. 如申請專利範圍第1項所述之雙面圖案化結構之製造方法，其中圖案化該第一材料層與該第二材料層的步驟包括：對該第一材料層與該第二材料層其中之一進行一微影製程；以及對該第一材料層與該第二材料層其中另一進行另一微影製程。