TW200835993A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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200835993 九、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種無須增加製造步驟即能進行製造， 且能達成於平坦化膜上配置有像素電極及共通電極之高開 口率及高顯示晝質之FFS(Fringe-Fi eld Switching ;邊緣 電場切換）模式的液晶顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 液晶頒不裝置係具有··一對透明基板，係於基板表面 形成有電極等，·以及液晶層，係夹於上述一對基板之間； 並且’大多使用藉由對兩基板上的電極施加電壓使液晶再 次排列以顯示各種資訊之縱向電場方式者。此種縱向電場 方式的液晶顯示裝置通常雖為TN(TwistedNematic;扭特 向列）模式，但由於存在有視野角狹小這種問題點，故㈣ 發有^Vertical Alignment;垂直配向）模式盘腿 (Mumd⑽ainVertlcal AU_ent;多象限垂直配向）模 式專之各種已改良的縱向電場方式的液晶顯示裝置。 1 2 $面’已知有一種與上述縱向電場方式的液晶顯 不裝置不同’而僅於—方的基板具備有由像素電:畜 電極所構成的-對電極之lps(in七如 = 内電場切換）模式或FFS模式之液晶顯示裝置。h呢’千面 -其中’ IPS松式的液晶顯示裝置係將 同一層，且將施加至液晶的 °配置在 的方向，並再次將液晶分子排列至致與基板平行 因此，ips模式的液晶顯示裝置亦稱Hr的方向者。 冉马杈向電場方式的液 319867 5 200835993 晶顯不裝置，與前述縱向電場 具有廣視野角之優點。然而===裝置相比， 置為了對液晶施加電場而將一對電：二，液晶顯示裝 丄丄 7屯極投置在同一屏，姑在 像素電極上側的液晶分子未被充分驅動：而導致 牙透¥專降低的問題點。 為了解決IPS模式的液晶顯示裝置的問題點 有一種所謂傾斜電場方式FF 〜已開么 s, ri , 占 飞炙杈式的液晶顯示裝置（參 A U下的專利文獻1、2)。此捃 將M u f+ $曰Μ > S松式的液晶顯示裝置係 字用乂對液曰曰層施加電場之像素電極與 於隔著絕緣膜之不同層者。 讀刀別配置

杈式的液晶顯示裝置係具有下述特徵：與iPS 顯:裝置相比具有廣視野角及高對比，且能以 低电μ驅動亚有高穿透率，故可明亮地顯示 卿模式的液晶顯示裝置與IPS模式的液晶顯示裝置相由、 ^，以平面觀看時像素電極與共通電極的重複面積會比較 =亦有附帶地產生更大的保持電容’而無需另外設置 辅助電容線之優點。 專利文獻1 :日本特開2001—235763號公報 專利文獻2:日本特開2002 —18223〇號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 然而，由於習知的{^{^模式的液晶顯示裝置會於與切 換（SwUch i ng)元件或共用（c〇min〇n)配線重疊的像素電極 表面形成段差，故在段差部分中，液晶分子的配向 319867 6 200835993 (alignment)會不規則。因此，在習知的ffs模式的液晶顯 ^不裝置中，由於段差的部分會變成實質上不會進行顯示之 ，區域’故需在彩色濾光片基板中藉由黑矩陣來予以遮光， 因此I又差部分的開口率（aperture rau〇)會降低。 為了消除此段差，亦考慮使用在上述的VA方式及MVa 方式的液晶顯示裝置中所使用的平坦化膜，且於此平坦化 膜上配置像素電極或共通電極。然而，當採用此種構成時， |由於切換元件及共用配線會形成於平坦化膜的下部，故為 了將像素電極與切換元件之間以及共通電極與共用配線之 間予以電性連接，需於兩個部位形成接觸孔。由於像素電 極與共通電極係配置於不同層，故通常兩個部位的接觸孔 無法同時形成，而存在有需以個別的步驟來形成接觸孔之 問題點。 本發明乃有鑑於上述課題而研創者，其目的係提供一 種在將像素電極與共通電極配置於平坦化膜上時，能以單 一步驟形成複數個接觸孔，且具有高開口率及顯示晝質良 好的FFS模式之液晶顯示裝置。 (解決課題的手段） 為了達成上述目的，本發明的液晶顯示裝置，其特徵 在於：具備有夾著液晶層的一對透明基板，且於前述一對 透明基板中一方的前述液晶層側形成有： 複數條掃描線及訊號線，係於顯示區域配置成矩陣狀； 切換元件，係設置於複數條前述掃描線及訊號線的交 叉點附近； 319867 7 200835993 circuit line)，係沿著前述顯示區 共用配線（common 域的周緣部而形成； 平坦化膜，係至少形成於顯示區域整體； 第一電極，係形成於前述平坦化膜的表面； 絕緣膜，係形成於前述第一電極上；以及 、…第二電極，係形成於前述絕緣膜上，且於每個與以前 I複數ir、掃“線及訊號線劃分的區域對應之位置具有複數 個開缝（s 1 i t);其中， —刚述第二電極係經由形成於前述絕緣膜及平坦化膜之 第一接觸孔而電性連接至前述共用配線或切換元件； 一前述第一電極係藉由以與經過形成於前述絕緣膜的第 一接觸孔、前述絕緣膜表面、以及形成於前述絕緣膜與平 一化膜之第二接觸孔之方式而形成的前述第二電極相同的 材料所形成之橋接構造的導電路，而電性連接至舆第二電 極不同之前述切換元件或共用配線。 在本發明的液晶顯示裝置中，設置於絕緣膜表面的第 一電極須於每個與以複數條掃描線及訊號線所劃分的區域 對應之位置（以下稱為「每個子像素（sub pixel)區域」） 具有複數個開缝。本發明的液晶顯示裝置係藉由經由該開 I而在母個子像素區域中施加至第一電極與第二電極間之 電場’而能發揮邊緣電場（Fringe-Field)效應。 此複數條開縫雖需形成於彼此平行的方向，但亦可在 一個像素（pixel)内存在形成於不同的複數方向之群組。當 為此種構成時’可降低因視角所造成的晝質變化。 8 319867 200835993 此外，在本發明中，作為第一電極與第二電極，係能 .使用 IT0(Indium Tin 0xide ;銦錫氧化物）或 iz〇(indi㈣

Zlnc0xide;銦鋅氧化物）等。此情形中’第一電極與第二 電極可為相同組成者，亦可為不同的組成者。 此外，於本發明中，作為切換元件，係能使用ρ-Si(多 晶石夕）型的薄膜電日日日體（TFT: Tin Fiim TransistQr)元件、 a-SK非晶矽）型的TFT元件、低溫多晶矽（LpTs : l⑽

Temperature Poly SiliC0n)s的灯了元件等之三端子型元 件、或薄膜二極體⑽:Thin Film Di〇de)元：等之代： 性的二端子型非線性元件等。 又 此外，本發明中的平坦化膜只要為至少表面具有平坦 性之透明絕緣膜者皆能使用，例如能使用丙烯酸系樹脂 (Acirlw resin)或聚醯亞胺（pQlyiniide)等之透明樹月旨。 :二：林發明中的絕緣膜，係能使用氧化石夕或氮化石夕. 專之無機絕緣膜。 依據本發明的液晶顯示裳置’雖於三個部位形成接觸 Π:於這些接觸孔皆貫穿第-電極上的絕緣膜，= 以一個步驟同時形成三個部位的接觸孔。並且，依據本: 明的液晶顯示裝置，由於橋接構造的導電路係以盘第二： 極相同的材料來形成，故在形成 A —包 各接觸孔來達成將第一電極盥 此=守此經由 ^包炷/、切換兀件或共用配線之間、 極與共用配線或切換元件之間予以雷性導通 二牛依據本發明的液日日日_裝置’能 製造步驟即能進行製造，且於平坦化膜上形成有第 319867 9 200835993 與第二電極之FFS模式的液晶顯示裝置。 ^ 此外，依據本發明的液晶顯示裝置，第一電極與第二 電極間的絕緣膜係具有作為用以形成輔助電容之電介質膜 之功能。因此，依據本發明的液晶顯示裝置，能藉由調整 絕緣膜的厚度而輕易地調整輔助電容的大小。例如，在縮 小各像素面積而成為高細密化的液晶顧示裝置之情形中， 當需要加大每單位面積的輔助電容時，能將作為電介質之 功能的絕緣膜厚度設薄，藉此能獲得充分大小的輔助電容。 { ^ 並且，只要施加至第一電極與第二電極間的電屋為一 定，電場強度就會與電極間距離以反比例之方式變大，因 此將絕緣膜的厚度設薄時，第一電極與第二電極間的電場 強度會變強。因此，當將絕緣膜的厚度設薄時，即使降低 施加至第一電極與第二電極間的電壓時，亦能獲得用以驅 動液晶分子之預定的電場強度。因此’依據本發明的液晶 顯示裝置，能提供一種可提升顯示品質且為低電壓驅動， I 並能謀求低消耗電力化之液晶顯不裝置。 而且，依據本發明的液晶顯示裝置，由於切換元件與 共用配線的表面係被平坦化膜覆蓋，故第二電極不會產生 如習知例的FFS模式的液晶顯示裝置的段差。因此，依據 本發明的液晶顯示裝置，另一方的透明基板與第二電極間 的間隔（亦即間隙）會變得均勻，且由於減少顯示區域内必 須以黑矩陣來遮光的區域面積，故開口率變大。因此，依 據本發明的液晶顯示裝置，可獲得能作為已小型化及高細 密化的液晶顯示裝置來使用之F F S模式的液晶顯示裝置。 10 319867 200835993 此外’依據上述發明的—態樣，其 .極係形成在每個與前述顯示區域的平括化膜==弟1 .娜掃描線及訊號線所劃分的區域對應之位：中：:述 一電極係分別電性連接至複數個前述切換元件，而固 則述弟二電極係形成於前述、件而 體，並連接至前述共用配線。域的表面整 依據此態樣的液晶顯示裝置，能獲 第二電極作Λ並搞雷托 f、、、巴緣艇表面的 像奸诚夕 下面的每個子 像素&域之弟一電極作為已 子 而達成上述本發明效果之之像素電極， ^棋式的液晶顯示裝置。 恭路據；"述發明的其他g樣’前述橋接構造的導 包路係形成於母個前述子像素區域。 確仵：=Γ液晶顯示裝置，能於絕緣膜的表面-邊 线作為像素氧極之功能的每個子像素區域的第— 弟一電極間的絕緣狀態，— '、 元件。 政將弟一電極電性連接至切換 此外，依據上述發明的另一離 义 述共用配線的連接部位係形成有=個料弟—電極與前 ，態樣的液晶顯示裝置，由於能 共用配線間的連接電阻， 电位兵 用配線施加至第二電:的：;= 示晝質良好的液晶顯示裝^的度，因此能獲得顯 ί外，依據上述發明的另-態樣，前述第一電極係开， 成於雨述顯示區域的平垣化膜的表面整體，且連接至前述 319867 11 200835993 共用配線，而前述第二雷 •的絕緣膜表面以前述複數於每個與前述顯示區域 .對應之位置，且各個; 個前述切換元件。 —味係刀別電性連接至複數 依據此態樣的液晶顯干壯 表面的每個子像素區域置電 之像素電極，且將絕緣膜下面的第一電妾=: 用配線之共通電極，且心m Ag連接至共 液晶顯示裝置。 纟上述本条明效果之FFS模式的 電路IS成：=述發明的另-態樣，前述橋接構造的導 仿栌：刖处共用配線與前述顯示區域的交界部。 能的第：電極僅形成二，由於作為像素電極之功 1皇形戚於_不區域，故能在絕綾膜矣而一、喜 確保作為共通電極之功能 _ ^ 妝能，、真f b幻弟包極與乐二電極間的絕緣 狀…邊將弟一電極電性連接至共用配線。 此外，依據上述發明66 S ^ 電路係形成複數個。㈣橋接構造的導 依，態樣的液晶顯示裝置’由於能 共用配線間的遠接雷阳 ,,^ 用配線施加至第，的亀線電阻而使經由共 干貪4$極的㈣的劣化程度，因此能獲得顯 不旦貝良好的液晶顯示裝置。 制、止了達成上述目的’本發明的液晶顯示裝置的 衣k方法係具有以下（1)至（7)的步驟。 -種液晶顯示裝置的製造方法，係具有以下⑴至⑺ 319867 12 200835993 的步驟： ⑴:備第—透明基板的步驟，㈣—透明基板係具備 有..硬數條掃描線與訊號線，係於顯示區域形成矩陣 :六刀換7G件’係②置於複數條前述掃描線及訊號線 二：點附近；以及共用配線’係沿著前述顯示區域 的周緣部而形成； ⑵:料第—透明基板的顯示區域整體形成平坦化膜的 步驟； 、 ⑶於前述平坦化臈表面形成第一電極的步驟； 4)於經過前述⑶的步驟後之第一透明基板的表面整體 形成絕緣膜的步驟； (5 )於剷述絕緣膜及平担 出前述切換元件14=: 接觸孔以露 一 /、/、用配線，亚於耵述絕緣膜形成第 一接觸孔以露出前述第-電極的步驟； ⑹於在前述⑸的步驟中所獲得的透明基板的表面整體 形成由導電性材料所構成 再攻的膜之後，猎由姓刻於每個 二料稷數條掃描線及訊號線劃分的區域對應之位 一接觸孔將前述第-Hr心亚且經由前述第 电極與珂述切換元件或共用配線 接，並經由以經過前述第二接觸孔、前述 以及前述第三接觸孔之方式所形成的橋接 f極與前述共用配線或 切換兀件予以電性連接的步驟；以及 ⑺將弟—透明基板以預定距離間隔對向配置於前述⑻ 319867 13 200835993 的步驟令所獲得的第一透明基板表面，並於 及第二透明基板之間封入液晶。 κ弟一 依據本發明的液晶顯示裝置的製造方法，由於 個步驟來製造第_ 5楚一士在奋两 ,,.b 处 ι弟至弟二接觸孔，故無須增加製造步驟即 月匕衣造能達到上述發明效果的液晶顯示裝置。 【實施方式】 以下芩知、圖式，藉由實施例來說明本發明的較佳實施 形態、。以τ所示的實施例係例* FFS模^的液晶顯示= 以作為用以將本發明的技術思想予以具體化的液晶顯㈣ 置者’本發明並未限定於此FFS模式的液晶顯示裝置，^ 能應用於包含於申請專利範圍中的其他實施形態。 (實施例一） 〜 作為實施例一的FFS模式的液晶顯示裝置，係使用第 1圖至第5圖且依照製造步驟順序來說明具有平坦化膜且 將上電極作為共通電極並連接至共用配線之模式的液 〇 * 1 1〇t 的陣列基板2的兩像素份的示意平面圖。第2圖係顯示實 施例一的液晶顯示裝置的共用配線與共通電極的連接位^ X之圖。帛3圖係實施例一的液晶顯示裝置1〇A的厂部分 中的陣列基板的放大平面圖。第4A圖係沿著第i圖的 IVA-IVA線之示意剖面圖。第4B圖係沿著第}圖的Ινβ—Ινβ 線之示意剖面圖。第4C圖係沿著第3圖的iVC-Ivc線之示 意剖面圖。第5圖係實施例-的液晶顯示|置的變化例中 的X部分的陣列基板的放大平面圖。 319867 14 200835993 於製造實施例一的FFS模式的液晶顯示裝置丨〇A中的 -陣列基板AR時，首先，於玻璃基板等之透明基板丨丨的表 面整體形成金屬膜等之導電性層。接著，藉由眾知的光微 影法（photolithography)及蝕刻法，於顯示區域形成彼此 平行的複數條掃描線12，並於顯示區域的周圍（以下稱為 「邊框區域」）形成閘極配線（未圖示）。閘極配線未必是作 為掃描線用的配線來使用，由於閘極配線係與掃描線相同 ^材質的配線，故稱為「閘極配線」，可適當地作為各種 ' 用途來使用。 、 接著，於表面整體覆蓋由氮化石夕層或氧化石夕層所 的閘極絕緣膜13。之後，藉由晴⑽⑻〜卿 ^position;化學氣相沉積）法將例如非晶石夕（以下稱為 …」）覆蓋於閘極絕緣膜13的表面整 法於TFT形成區域形…層所構== =14。在形成有半導體層14的位置 〔形成TFT的閘極電極g。 艮以的區域 導體S “將：金屬膜所構成的導電性層覆蓋於形成有半 =層14基㈣的表面整體。藉由光微影= 二以在❹區域U與掃插線U正 金屬膜所構成的導電性層形成為包含有源極將以 線〗5,並於TFT形成區域形成 电从S之訊號 區域了 .形士、后 〆極電極D，接著，於邊框 或l形成源極配線（未圖示）及 於化忙 線16，且為與以下所示的並 、—。於共用配 第2圖）對應的位置形有、电圣如之連接位置！（參照 成有見度局部加大的連接部J6”並 319867 15 200835993 且，訊號線15的源極雷搞Q ^ 性地重疊於半導體層14的//及汲極電極D部分皆局部 覆蓋彳二 化亀構成的膜，以：1:雖能使用由氮切層或氧 石夕層。接著，域化膜17 2性的硯點來看，期望為氮化 酸系樹脂或聚酿亞胺樹 ^整體依序層疊例如由丙稀 膜川及由™或Iz^f平坦化膜（亦稱為層間 0所構成的透明導電性層。 接著，藉由光微影法魅刻法 於每個子像素區域形成像十對透月¥屯性層， ^ 1豕I包極19a。在實施例一的、右曰 顯示裝置10A中，像夸恭托1n ^ ^ J的液晶 诼素电極19a係對應本發明的第—带 更且，於形成有像辛帝 1乐甩極。 ,、包極19 a之基板11的表面敕挪 預疋厚度形成由氮化石夕声或/ 正一 20。絕緣膜20係具有作為用以 = 步驟中形成於絕緣膜2〇 在後述的. 助電容之電Λ通€極之_成辅 的厚度，能將辅助電容的大小調整至期望的值。巴緣版 2、接著」從絕緣膜2。的表面分別同時形成第一接觸孔 &弟一妾觸孔21b、以及第三接觸孔21c，前述第一接 觸孔2^係貫穿絕緣膜2〇 ^弟接 、， 丁一冗联18、以及鈍化膜17， 亚達至共用配線16的連接部16ι的表面 抓係貫穿絕緣膜2〇 二弟―接觸孔 咬王琢I电極19a的表面；前诚筮 三接觸孔21c係貫穿平扫介臌u 別迷弟 n 牙十坦化胰18及鈍化膜17並達至汲極 琶極D的表面。形成這些接觸孔2la至仏的方法係能採 319867 16 200835993 用乾蝕刻法中的電漿蝕刻法。 接著於形成有接觸孔21a至21c的其;^ η aa全 體形成由ΙΤ0或IZ0所禮# ώ/^ 基板11的表面整 透明導電性層並經由接=導電性層。此時，藉由 像㈣iq由接觸孔…至❿’使共用配線16、 像素=細及汲極電極D成為彼此電性連接的狀態。 以射猎由光微影法與钱刻法將前述透明導電性層予 ^虫刻1成用以實際覆蓋顯示區域整體之共通電極 產rm?共通電極^且為每個子像素區域形成用以 故緣电麥效應之彼此平行的複數個.開縫24,並於導電 路23的周圍設置框狀的切口部25以將導電路共通 予”性絕緣。此外，於共通電極仏且 1 與共通電極22a的連接位置Η，以平面觀看時會金 ，、用配線16局部加大寬度後之連接部16ι重疊之方式來形 成連接部22a】。此外.，在第3圖中，係未圖示開縫24盘 框狀的切口部25。在實施例一的液晶顯示裝置i〇a中，共 通電極22a係對應本發明的第二電極。 、 如此，共通電極22a係經由第一接觸孔21a而與共用 配線16電性連接，而像素電極19a係㈣第二接觸孔 21b、導電路23、以及第三接觸孔21c而連接至tft的汲 極電極D。之後’於共通電極22a側的表面整體設置配向 膜（未圖示），完成實施例一的液晶顯示裝置1〇A的陣列基 板 AR。 土 雖未圖示與上述陣列基板^相對向的彩色濾光片基 板，但亦能使用與習知的FFS模式的液晶顯示面板用的彩 319867 17 200835993 色濾光片基板實質性相同的彩色濾光片基板。亦即，彩色 遽光片*板係於與各者的像素電極相冑向的位置形成各色 勺心色濾光層並在彩色濾光層的表面設置配向膜。接著， 在與彩色濾光層與透明基板之間的掃描線12及訊號線15 相對向的位置且為與TFT相對向的位置分別設置黑矩陣。 作為實施例一的液晶顯示裝置10A用的彩色遽光片基 板’只要於與前述導電路23或框狀的切口部25相對向的 r，置設^黑矩陣，藉此將來自此部分的漏光予以遮光即 可接著使上述的陣列基板與彩色濾光片基板彼此相對 向，並於兩基板間封入液晶，藉此獲得實施例一的液晶顯 示裝置10A。 依據上述方式所製造出的實施例一的液晶顯示裝置 10A’接觸孔雖形成於三個部位’但由於這些接觸孔皆貫穿 像素電極1 9a上的絕緣膜20，故能以一個步驟同時形成三 個部位的接觸孔。並且，依據液晶顯示裝置i〇a，由於橋 接構造的導電路23係以與共通電極仏相同的材料所形巧 成，故於形成共通電極22a之同時，能經由各接觸孔2u 至21c而達成各像素電極他與汲極電極〇之間、以及共 通電極22a與共用配線16之間的電性導通。因此，依據: 施例-的液晶顯示裝謂，能獲得無須增加製造步驟J 能製造’且於平坦化膜18上形成有像素電極…及共 極22a之FFS模式的液晶顯示裝置1 。 此外，依據實施例一的液晶顯示裝置10A，像素恭極 19a與共通電極22a間的絕緣膜2〇係具有作為用以形^辅 319867 18 200835993 助包谷之電介質膜的功能。因此，藉由調整絕緣膜2 〇的厚 度’即能輕易地調整辅助電容的大小。並且，只要施加至 像素電極1 9a與共通電極22a間的電壓為固定，由於電場 強度與電極間距離成反比而變大，因此當將絕緣膜2 Q的厚 度汉薄時’像素電極1 9a與共通電極22a間的電場強度會 艾強。因此，當將絕緣膜的厚度設薄時，即使降低施加 至像素電極19a與共通電極22a間的電壓，亦能獲得用以 驅動液晶分子之預定的電場強度。因此，依據實施例一的 液晶顯示裝置10A，可獲得能提升顯示品質且為低電壓驅 動，並旎谋求低消耗電力化之液晶顯示裝置1 。 並且，依據實施例一的液晶顯示裝置丨〇A，由於 等之表面係被平坦化膜覆蓋，故於共通電極22a不會產生 如同習知例的FFS模式的液晶顯示裝置之段差。因此，依 據實施例-的液晶顯示裝置1〇A，未圖示的彩色濾光片基 板與共通電極22a之間的間隔、即單元間隙（ceU g叩）會 、艾知均勻，且會減少顯示區域内以黑矩陣來進行遮光的區 域面積，故開口率變大。因此，依據實施例一的液晶顯示 裝置10A ’可獲得能作為顯示晝質良好且已小型化與高細 密化的液晶顯示裝置來使用之FFS模式的液晶顯示裝置 10A 〇 (實施例二） 接著，使用第6圖至第9圖且依照製造步驟順序來說 明具有平坦化膜且將下電極作為共通電極並連接至共用配 線之實施例二的FFS模式的液晶顯示裝置之例。第6圖係 319867 19 200835993 實施例二的液晶顯示裝置的陣列基板的兩像素份的示意平 面圖。弟7圖係％員示貫施例二的液晶顯示裝置的共用配線 與共通電極的連接位置中的陣列基板的放大平面圖。第8A 圖係沿著第6圖的VIIIA-VIIIA線之示意剖面圖。第8圖 係沿著第7的VIIIB-VIIIB線之示意剖面圖。第9圖係與 實施例二的液晶顯示裝置l〇B的變化例中的共通電極連接 之連接位置的陣列基板的放大平面圖。此外，由於實施例 (二的液晶顯示裝置10B中的共用配線與共通電極的連接位 κ置係與第2圖所示的實施例一的液晶顯示裝置1〇A的共用 配線與共通電極的連接位置X相同，故根據需要而援用第 2圖來說明。 貫施例二的FFS模式的液晶顯示裝置1〇^的陣列基板 AR，由於在透明基板n的表面形成掃描線12、閘極絕緣 膜13、‘半導體層14、包含有源極電極s之訊號線丨5、汲 極電極D、源極配線、共用配線16及其連接部16ι、鈍化 :膜Ϊ7、以及平坦化膜18的步驟係與實施例一的ffs模式 的液晶顯示裝置10A的陣列基板AR的製造方法實質上相 同，故省略其詳細說明。 形成平坦化膜18後，於平坦化膜18的表面整體形成 由ΙΤ0或ιζο所構成的透明導電性層，並藉由光微影法與 蝕刻法將共通電極22b形成預定的圖案。於共通電極22b 且為共用配線16與共通電極22b的連接位置χ(參照第2 ^1)中，以平面觀看時共用配線16及其連接部16〗不會重 ®，且會成為鄰接至共用配線16及其連接部16ι的位置之 319867 20 200835993 二接部22bl。同時’於共通電極22b之後述的 _ 的形成位置形成比第-接觸孔仏猶大的 ’對岸本㈣^—的液晶顯示裝置⑽中，共通電極22b係 =本發明的第-電極。此外，於第7圖中，係未圖示開 預定S开於/成有共通電極225的基板11的表面整體以 20= 化石夕層或氧化石夕層所構成的絕緣膜 大小！ 了在比形成於共通電極22b的第-接觸孔21a的 表面孔内埋人有絕緣膜2G。接著，從絕緣膜20的 第三21a、第二接觸孔2ib、以及 C，刖述弟一接觸孔21a係貫穿絕緣膜2〇、 寸、f ^ 18以及鈍化膜17，並達至汲極電極D的表面； ::=3罐係貫穿絕緣臈2°並達至共通電極22b 表面，刚迷弟三接觸孔21c係貫穿絕緣膜2〇、平坦化膜 、鈍化膜17並達至共用配線16的連接部1匕的表 時，共通電極2 2 b未露出於接觸孔2丨&的周圍壁。 :將這些接觸孔21&至21c的方法係能採用乾钱刻法中的 电漿I虫刻法。 接著’於形成有接mL21aJ_21c的基板n的表面整 、广成由ΙΤ0 $ ΙΖ0所構成的透明導電性層。此時 =導電性層並經由接觸孔21a至21c，共用配線16、曰像 '、電極19b、以及汲極電極D成為彼此電性連接的狀態。 之後，藉由光微影法與蝕刻法，於每個子像素區'域形 像素電極19b。同時，於各個像素電極m形成用以產 319867 21 200835993 生邊緣電場效應之彼此平行的複數個騎24，並以在連接 位置X中形成導電路23之方式，去除導電路㈡周圍的透 明導電性層。㈣上述構成，_料電路23與各像素電極 19b之間的絕緣性。在實施例二的液晶顯示裝置⑽中， 各像素電極19b係對應本發明的第二電極。 』如此，各像素電極19b係經由第一接觸孔…而與汲 極電極D電性連接’而共通電極2此係經由第二接觸孔 21b、導電路23、以及第三接觸孔…而連接至共用 16。之後’於共通電極22b側的表面整體設置配向膜（未圖 不），完成實施例二的液晶顯示裝I 1〇β的陣列基板ar。 由於之後的製造步驟係與實施例一的液晶顯示裝置i〇a的 製造步驟相同，故省略詳細的說明。 依據上述方式所製造出的實施例二的液晶顯示裝置 10B接觸孔雖形成於三個部位，但由於這些接觸孔皆貫穿 /、通电極22b上的絕緣膜2〇 ’故能以一個步驟同時形成三 個部位的接觸孔。並且’依據液晶顯示裝置ι〇β，由於‘ 接構&的V电路23係以與像素電極i 9b相同的材料所形 成’故於形成像素電極19b之同時，能經由各接觸孔〜 至21c而達成各像素電極19b與汲極電極d之間、以及共 通電極22b與共用配線16之間的電性導通。因此，依據實 ，例二的液晶顯示裝置1〇B，能獲得無須增加製造步驟即 月匕衣仏且於平坦化膜丨8上形成有像素電極1牝及共通電 極22b之FFS模式的液晶顯示装置丨〇B。此外，由於實施 例二的液晶顯示裝置i 0 B的作用及效果係與實施例—的液 319867 22 200835993 晶顯示裝置相同，故省略其詳細說明。 .(比較例一） 接著，爲了確認本發明的液晶顯示裝置的效果，作為 比較例一的FFS模式的液晶顯示裝置，係使用第1 〇圖及第 11圖且依照製造步驟順序來說明未具有平坦化膜之模 式的液晶顯示裝置之例。第10圖係比較例一的FFS模式的 液晶顯示裝置的陣列基板的兩像素份的概略平面圖。第 ,11A圖係沿著第1〇圖的XIA_XIA線之概略剖面圖。第 圖係第10圖的XIB-XIB線之概略剖面圖。在第1〇圖及第 11圖中’與第i圖至第5圖所示的實施例—的液晶顯示裝 置相同的構成部分係附上相同的參照符號來進行說明。 該比較例一的FFS模式的液晶顯示裝置10C的陣列基 板从係於玻璃基板等之透明基板11❸表面全體形成金屬 '等之V電層後’藉由’光微影法及钱刻法形成彼此平行 之具有，極部分的複數條掃描線12與複數條共用配線i 6。 接著，於形成有掃描線12與共用配線16的透明基板 ^的表面整體覆蓋例如由⑽或iZQ所構成的透明導電性 層，並藉由光微影法與_法㈣成共通電極22。 =雖連舆:。用配線16電性連接，但未與㈣以』 的二緣覆=化_氧”層所_ 品龄μ 、13接者’以CVD法於閘極絕緣膜13的* 开^區ΐ盖例如a_Si層後，藉由光微影法及韻刻法於m …。域形成由a-Si層所構成的半導體層14。於形成有 319867 23 200835993 • 層14的位置之掃描線12的區域形成有 . 接著，將以金屬膜等所構成的導電性芦承罢认/ 半導體層14的透明基板u的表面整體；G光=有 與㈣法形成包含有源極電極w D。过線15的源極電極§部分與汲極電極β电 性地重疊於半導體層14的表面。接著，於 局# 、覆蓋由氮化石夕層所構成的鈍化膜17。 、土反々表面整體 ^著’於與汲極電極Df+應的位置之鈍化膜Η 觸孔21，並局部露出沒極電極D。接著，於表面整體^ 例如由ΙΤ0或IZ0所構成的透明導電 = ㈣接成㈣跑心與㈣電性層隸連接Γ 二:二藉由光微影法熱刻法’以成為第1〇圖 式’於以訊.號線15所圍繞的每個區域的純化膜 …彡翁魏個騎24的像素電極 〜、 者的像素電極會成為經由接觸孔 21而與汲極電極D電性連接的狀態。 之後’於像素電極19側的表面整體設置配向膜 Z ’完成比較例-的液晶顯示裝置撕的陣列基板化。 的製造步驟係與實施例一的液晶顯示裝置m的 衣驟相同，故省略詳細的說明。 以上逑方式所構成的比較例一的液晶顯示裝置⑽， 僅：f 22與共用配線16係直接連接，故接觸孔u ^ '個部位，但在共用配線1 6的附近，會在像素 319867 24 200835993 包極19的局部產生段差，且Τ{?Τ的表面會變成凹凸狀態。 因此，比較例一的液晶顯示裝置1〇c，由於不僅在彩色濾 光片基板上與TFT相對向的部分，亦須於與段差部相對向 的口卩刀叹置黑矩陣以進行遮光，故至少此段差部的部分， 其開口率會降低。 亚且，由於由遮光性材料所構成的共用配線16係平行 配置於掃描線12之間，故此共用配線16亦會造成開口率 :低。liU匕’比較例一的&晶顯示裝£ 1〇c與實施例一及 貫施例二的液晶顯示裝置10A與液晶顯示裝置10B相比， 開口率必然比較低。 (比較例二） Μ接著，爲了確認本發明的效果，作為比較例二，係使 用：12圖至第14圖且依照製造步驟順序來說明具有平坦 化版之FFS模式的液晶顯示裳置之例。第12圖係比較例二 的液晶顯示裝置的陣列基板的兩像素份的示意平面圖。第 13圖係比較例二的液晶顯示裝置的χ部分中的陣列基板 放大平面圖。第14Α圖係沿著第12圖的xiva_xiv“ 略剖面圖。第圖係沿著第13圖的⑽_㈣線之概略 ^圖。在弟12圖至第u®中，與第」圖至第3圖所示 :實施例-的FFS模式的液晶顯示裝置1〇A相同的構成部 刀係附上相㈣參照符號，並省略其詳細㈣。此外 :比較例二的液晶顯示裝置中的共用配線與共通電極的連 2置係與第2圖所示的實施例一的液晶顯示裝置m的 ，、用配線與共通電極的連接位相同，故根據需要援用 319867 25 200835993 弟2圖來進行說明。 美杯11 比制幸又例—的FFS模式的液晶顯示裝置i〇d的陣列 " 、衣造步驟中，由於在透明基板11的表面妒成包 含有閘極電極G之掃描線12:閘極絕緣膜i 體成/ :广包含有源極電極s之訊號線15、沒極電極D+、=層 線、共用配線1 fi Θ甘、垂4立M , p ^ 膜18的m 膜17、以及平坦化 腰的开4步驟實質上係與實施例-的FFS模式的液晶顯 示裝置10A的陳列其妃AA制*卜 俱式耵/夜日日顯 說明。）陣歹J基板^的製造步驟相同，故省略其詳細 形成平坦化膜18後，於後述的共通電 =的連接位置物第2圖)中，以貫穿連接部:用： L，坦化:屮18與鈍化膜17之方式來形成第-接觸孔 二接部161的表面。接著’於形成有平坦化膜 透明^ =反11的表面整體形成由1 τ 〇或⑽所構成的 層’並藉由光微影法與_法將共通電極22 形成位U案二同時’於以下所述的第二接觸孔2ib的 ^ /比昂二接觸孔训的大小還大的孔。此時， 共通電極22盥i£用献始,β a 土 〜、用配線^的連接部16l會藉由.第一接觸 + 内的透明導電性層而成為電性連接的狀態。 接者，於形成有共通電極22的基板u的表面整體， 度/成由氮切層或氧切層所構成的絕緣膜 %，比形成於共通電極22的第二接觸孔21b的大 面、二Ϊί:埋入有絕緣膜20。並且，於絕緣膜20的表 乂、貝牙絕緣膜20、平坦化膜18、以及鈍化膜17並達 319867 26 200835993 至汲極包極D表面之第二接觸孔21 b。此時，並 係未露出於接觸孔21b的周m壁。 極22 接著，於形成有第二接觸孔21b的基板 形成由itcm IZ0所構成的透明導電性層。J表面整體 電性層係成為經由第二接觸孔21b而與汲極電二；:： 接的狀態。 电位U电性連 藉由光微影法錢職，於每個子像素區域形 成預疋圖木的像素電極19。此一 形成用以產生邊缘雷"座1 各像素電極19 生政緣電％效應之平行的複數個開縫24。 此，各像素電極19會成為經由第二接觸孔2 + 極ϋ電性連接的狀態。 及極电 一之4後，於像素電極19側的表面整體設置配向膜（未圖 不）’凡成比較例二的液晶顯示裝置1〇D的陣列基板从。 =Γ=造步驟係與實施例一的液·晶顯示裝置_的 农k步驟相同，故省略詳細的說明。 以上述方式製作出的比較例二的F F s模式的液晶顯示 裝置10D係實質上具備有與實施例-與實施例二的FFS、模 式的液晶顯示裝置1GA及液晶顯示裝£1QB相同的光學特 f生；、、;、而比較例一的液晶顯示裝置10D ,接觸孔雖僅存 在兩個#位㉟兩個部位的接觸孔必須以不同的步驟來形 成。因此’可知在製造比較例二的ffs模式的液晶顯示裝

置⑽時，與製造實施例—及實施例二的液晶顯示裝置10A 與液晶顯不裝i lGB的步驟數相比，接觸孔的製造步驟會 多出一個步驟。 319867 27 200835993 此外，在實施例一及實施例二中 極19之開、缝24,雖顯示形成長产方」_為5又置於像素電 加立〜 双长度方向兩端閉合的形肤， 中’=’、能將開縫形成其令一方端側具有開口者。此情步

於能使邊緣電場效應發揮達至_具㈣H 二==端部的開，液晶分子 奋：故與開縫之兩端側閉合的液晶顯示裝置相比， :心必須猎由設置於彩色濾光片基板的黑矩陣來進行遮 先之部分的面積，故能獲得顯示開口率大，且顯示 液晶顯示裝置。 儿< 【圖式簡單說明】 第1圖係實施例-的液晶顯示裝置的陣列基板之兩像 素伤的不意平面圖。 第2圖係顯示液晶顯示裝置的共用配線與共通電極的 連接位置X之圖。 第3圖係實施例一的液晶顯示裝置的χ部分中的陣列 基板的放大平面圖。 第4Α圖係沿著第1圖的iVA_IVA線之示意剖面圖。 第4B圖係沿著第1圖的IVB—IVB線之示意剖面圖。 第4C.圖係沿著第3圖的IVC-IVC線之示意剖面圖。 第5圖係實施例一的液晶顯示裝置的變化例中的χ部 分的陣列基板的放大平面圖。 第6圖係實施例二的液晶顯示裝置的陣列基板的兩像 素份的示意平面圖。 第7圖係貫施例二的液晶顯示裝置的χ部分中的陣列 319867 28 200835993 基板的放大平面圖。 • 第^圖係顯示沿著第6圖的VIIIA-VIIIA的示意剖面 圖。 第8β圖係沿著第7圖的VIIIB-VIIIB線的示意剖面 圖。 第9圖係貝施例—的液晶顯示裝置的變化例中的X部 分中的陣列基板的放大平面圖。 第10圖係比較例一的FFS模式的液晶顯示裝置的陣列 基板的兩像素份的概略平面圖。 f 11A圖係沿著第10圖的XIA_XIA線的概略剖面圖。 第11B圖係沿著第10圖的χΐΒ_χΐβ線的概略剖面圖。 第12圖係比較例二的液晶顯示裝置的陣列基板的兩 像素份的示意平面圖。 第13圖係比較例二的液晶顯示裝置的χ部分中的陣列 基板的放大平面圖。 第14Α圖係沿著第12圖的χΐνΑ_ΧΙνΑ線的概略剖面 圖。 第14B圖係沿著第13圖的XIVB-XIVB線的概略剖面 【主要元件符號說明 2、AR陣列基板 11 透明基板 13 閘極絕緣膜 15 訊號線 10A至10D液晶顯示裝置 12 掃描線 14 半導體層 16 共用配線 319867 29 200835993 16ι 連接部 17 純化膜 18 平坦化膜 19、 19a 、19b像素電極 20 絕緣膜 21、 21a 至21c接觸孔 22、 22a、22b共通電極 23 導電路 24 開缝 25 框狀的切口部 D i sp 顯示區域 Trim 邊框區域 D >及極電極 G 閘極電極 S 源極電極 30 319867

Claims (1)

1. 200835993 十、申請專利範圍： 1 · 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： 具備有夾著液晶層的一對透明基板，且於前述一對 透明基板中一方的前述液晶層側形成有· 複數條掃描線及訊H係於顯示區域配置成 狀； 切換元件’係設置於複數條前述掃描線及訊號線的 交叉點附近； 共用配線’係沿著前述顯示區域的周緣部而形成； 平坦化膜，係至少形成於顯示區域整體，· 第一電極，係形成於前述平坦化膜的表面； 絕緣膜，係形成於前述第—電極上；以及 1第二電極，係形成於前述絕緣膜上，且於每個盥以 月·J述複數條掃描線及訊號線劃分的區域對應之位置且 有複數個開缝；其中， 〃 2述第二電極係經由形成於前述絕緣膜及平坦化 =弟—接觸孔而電性連接至前述共用配線或切換元 前述第一電極係藉由以盥έ 义 的第二接觸孔、前 成於丽述絕緣膜 膜與平坦化膜之第以及形成於前述絕緣 的材料所形成之橋接構造的導電路，而電性連 2如申::：：Ϊ極不同之前述切換元件或共用配線。 .月專利乾圍第1項之液晶顯示裝置，其中，前述第 319867 31 200835993 电：係：成在每個與前述顯示區域的平坦化膜表面 =别述複數條掃描線及訊號線所劃分的區域對應之 w施且各個^第—電極係分別電性連接至複數個前 =、Γ件’而别述第二電極係形成於前述絕緣膜的至 二=_的表面整體，並連接至前述共用配、線。 .專利範圍第2項之液晶顯示褒置，其中，前述橋 ==導電路細彡成於每個細前述翻線及訊號 線所^分的區域對應之位置。 4·如:請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其t，前述第 與前述共用配線的連接輕係形成複數個。 .2請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，前述第 雕“極係形成於前述顯示區域的平坦化膜的表面整 :二,錢接至前述共用配線，而前述第二電極係形成 =固與刚述顯示區域的絕緣膜表面以前述複數條掃 “、線及訊號線所劃分的區域對應之位置，且各個前述第 一電極係分別電性連接至複數個前述切換元件。 6. 範圍第5項之液晶顯示裝置，其中，前述橋 ㈣&的導電路係形成於前述共用配線與前述顯示區 域的交界部。 7. H请專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中，前述橋 接構造的導電路係形成複數個。 8. —種液晶顯示裝置的製造方法，其特徵在於： 具有以下（1)至（7)的步驟： ⑴準備第—透明基板的步驟，該第—透明基板係具備 319867 32 200835993 Lt::號線，係於顯示區域形成矩 於線的1 設置於複數條前述掃描線及訊 點附近’·以及共用配線，係沿著 不£域的周緣部而形成； (2 )於刖述牮—透明基板的至少顯示區域整 坦化膜的步驟； ^取十 (3)於前述平坦化膜表面形成第_電極的步驟； ⑷於經過前述⑶的㈣後之第—透縣板的表面整 體形成絕緣膜的步驟； ⑸於前述I緣膜及平坦化膜形成第一及第三接觸孔 以露々出前述切換元件與共用配線，纟於前述絕緣膜 形成第二接觸孔以露出前述第一電極的步驟； (6)於在前述（5)的步财所獲得的透㈣基板的表面整 體形成由導電性材料所構成的膜之後，藉由钱刻於 母個與以前述複數條掃描線及訊號線劃分的區域 對應之位置形成具有複數個開縫的第二電極，並且 經由前述第一接觸孔將前述第二電極與前述切換 =件或共用配線予以電性連接，並經由以經過前述 第二接觸孔、前述絕緣膜上、以及前述第三接觸孔 之方式所形成的橋接構造的導電路，而將前述第一 電極與前述共用配線或切換元件予以電性連接的 步驟；以及 (7)將第二透明基板以預定距離間隔對向配置於前述 (6)的步驟中所獲得的第一透明基板表面，並於前 319867 33 200835993 述第一及第二透明基板之間封入液晶的步驟。 34 319867