TW200529417A - Solid-state image pickup device - Google Patents

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200529417 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種固體攝像元件，特別是關於一種於受 光感應部上設有用以提高光線之集光效率之波導的固體攝 像元件。 【先前技術】 於CCD型或CMOS型固體攝像元件中，於構成像素之例如 包含光電二極體之複數個受光感應部上，以夾有絕緣層之 方式設有晶載微透鏡，藉此使透過晶載微透鏡之入射光之 焦點靠近受光感應部附近，從而將光線導至受光感應部之 構成方式為目前的主流。 但是，伴隨像素尺寸之縮小化或佈線之多層化等，使得 絕緣層越厚’隨之對於受光感應部之光線之集光效率造成 之影響就越大。 近年來，作為用以回避如此問題之方法，衆所周知有於 對應系巴緣層中之受光感應部之位置設有波導，將透過晶載 微透鏡的入射光有效率地導至受光感應部之構成。（例如參 照專利文獻1、專利文獻2以及專利文獻3)。 在此，含有如此之方式構成之固體攝像元件，例如CM〇s 型固體攝像元件之構成示於圖6。 另外’於圖6之情形表示CM〇s型固體攝像元件之1像素份 之剖面圖。 、 CMOS型固體攝像元件3〇於半導體基板31内之特定之位 置形成有受光感應部32，於半導體基板31上形成有具有絕 92351.doc 200529417 表：保4:或*面平坦化之機能的例如氧化矽臈(Si0 、氣化秒^ 33上形成有具有表面保護或供給氫至受光 感應部之機能的例如氮切膜卿膜）34。且，於氮化石夕膜 34上形成有例如非添加石夕酸鹽玻璃膜⑽G膜）35，於膜 3 5上形成有佈線層3 6。 佈線層36由3層佈線層36卜362、363構成，各佈線層如、 3 62、363之構成係於絕緣膜（例如Si〇2膜）37中之特定位置形 成之槽38中埋入有佈線材料（例如Cu)39。 再者，40係用以防止佈線材料（Cu)擴散至絕緣膜w中， 而形成於各佈線層36之間的所謂障壁膜（例如siN膜、 膜）。又，於未圖示處，例如亦於槽38之周圍形成有用以防 止佈線材料擴散至絕緣膜中之障壁膜40。 於最上層之佈線層363之上方，介以絕緣膜37形成有鈍化 膜41，於該鈍化膜41上，介以平坦化膜42形成有彩色濾光 片43。 於彩色濾光片43上與受光感應部32對應之位置形成有晶 載微透鏡44。 於受光感應部32上之絕緣層（例如除絕緣膜37之以外，並 包含NSG膜35、障壁膜40以及SiN膜34之一部分）中至鈍化 膜41下端為止形成有以提高入射效率為目的之波導45。 波導45之構成為，以反射膜47僅覆蓋形成於絕緣層（例如 除絕緣膜37以外並包含NSG膜35、障壁膜40以及SiN膜34之 一部分）之孔（開口）46之側壁461，且於如此構成之孔46内埋 入有對可視光透明之材料膜（例如§丨02膜）48。 92351.doc 200529417 作為反射膜47可使用具有咼反射率之薄膜例如A〗膜、Ag 膜、Au膜、Cu膜以及W膜，但考慮到可長期使用於半導體 製程、加工簡單，以及具有高反射率等方面，以A1膜最為 合適。 於如此構成之CMOS型固體攝像元件3〇中，例如介以晶載 微透鏡44入射至波導45内之光線，會藉由覆蓋孔46之側壁 461之反射膜47反射並導向受光感應部32。 接著，就如此之CMOS型固體攝像元件之製造方法，特別 是其波導之形成方法以圖7至圖9加以說明。 另外’與圖6對應之部分附以同一符號。 又，如圖7A所示，就以下狀態加以說明··已於半導體基 板31之特定位置形成有接收入射光之受光感應部32，於其 上方形成有3層佈線層361、362、363，以及至其上之絕緣 膜（Si〇2膜）37為止之各層。 接著’於形成於最上層之佈線層363上之絕緣膜（Si〇2 二）上幵^成光阻膜（未圖示），使用衆所周知的微影技術將 孩光阻膜圖案化，而如圖7B所示，形成用以形成波導45之 圖案的光阻罩幕5〇。 然後，人 > …、 "以該光阻罩幕50藉由例如反應性離子蝕刻法 )等’餘刻除去受光感應部32上之絕緣層（例如除絕緣 膜3 7之外廿^人 亚包gNSG膜35、障壁膜40以及SiN膜34之一部 分）0 藉此 有用以 ’如圖8C所示，於受光感應部32上之對應位置形成 形成波導45之孔（開口）46。 92351.doc 200529417 卿卜4定η行例如反應性離子蝕刻法時使用之反應氣 f ’可石雀保絕緣層（例如除絕緣膜37之外並包含刪膜 障壁膜4G以及SiN膜34之_部分）與之間某種程度 之選擇比，從而可防止孔46之底部穿透SiN膜34之情形。 接著，除去光阻罩幕50，於包含孔46之整個面上，成膜 形成後述之反射膜47之金屬膜（A1膜）471。金屬膜〇1為獲得 固疋之膜厚，使用例如可獲得高被覆性（高覆蓋率）之 法成臈。 藉此，如圖8D所示，於含有孔46之表面形成有金屬膜47卜 接著，使用例如反應性離子蝕刻法（RIE法）等，如圖卯所 不，留下形成於孔46之側壁461之金屬膜471，除去除此以 外之金屬膜471。 接著，使用例如衆所周知之電漿法或高密度電漿法（HDp 法）等，於孔46内埋入透明材料膜（例如Si〇2膜）。或者使用 塗佈法，將例如SOG(旋塗式玻璃）或s〇D(旋塗式介電質）埋 入孔46内。 並且’其後實行平坦化處理，藉由除去孔46内以外之材 料膜，而如圖9F所示形成波導45，其構成為僅於孔仏之側 壁461形成有反射膜47，且於孔46内埋入有透明材料膜牦。 並且，之後，於包含絕緣膜37以及埋入於波導45内之Si〇2 膜之全面上依次形成鈍化膜41、平坦化膜42及彩色濾光片 43 ’於與彩色濾光片43之受光感應部32對應之位置，即於 孔46之上部形成晶載微透鏡44。 以此方式，形成圖6所示之含有可提高集光效率之構成的 92351.doc 200529417 CMOS型固體攝像元件3〇。 [專利文獻1 ] 曰本專利特開平7-45805號公報 [專利文獻2] 曰本專利特開平8-139300號公報 [專利文獻3] 曰本專利特開2002-11 8245號公報 [發明所欲解決之問題] 如上所述’作為覆蓋孔46之側壁461之反射膜47，考慮到 於半導體製程中長期使用、加工簡單以及具有高反射率等 方面，以A1膜最為合適。 並且，如上所述，A1膜為獲得固定的膜厚，乃藉由具有 高被覆性（高覆蓋率）之CVD法而形成。 但疋，A1膜藉由CVD法成膜之情形時，會產生如下所示 之問題。 即，欲獲得具有高反射率之反射膜47之情形時，其成膜 條件以於低溫區域中實行成膜之處理雖較為有效，但因於 低溫區域中，由於是對金屬膜之表面進行選擇成長，故而 難以對形成於孔46之側壁461之絕緣層，即絕緣膜取細 膜35、障壁膜彻及SiN臈34之表面直接進行_成膜。 如此，欲獲得具有高反射率之反射膜47之情形時，於低 溫區域之㈣條件下要能有效成膜，需依存於初期之核之 產生、成長。 即 於低溫區域中成膜之情形 於成膜初期，基板表面 92351.doc -10- 200529417 上會南岔度地產生較小的核 成長，於部分地方形成連續 粒之粒徑較小、且表面凹凸 高反射率之膜。 ，在此之後，核以該核為中心 膜。故而，因該連續膜之結晶 亦較少，故而可期望獲得具有 另外’若於高溫區域巾實行成膜，可對形成於孔46之側 壁461之絕緣層表面直接形成繼，但因於高溫區域中會產 生汽相成長，因此A1氣體會形成粒子而㈣於絕緣層表 面，即使假設於絕緣層表面可形成顧，但形成之_被 覆性低下，且目形成於膜表面之㈣之凹凸造成反射率低 下，進而與絕緣層表面密著性差。 即，於高溫區域中成膜之情形，因成膜是在高溫區域中 實行’故而於成膜初期，基板表面上以低密度產生較大的 核’在此之後，核會以該核為中心成長。但是，伴隨成長 的推進’於形成連續膜時，與低溫區域中成膜之情形相比 各個核會成長得更大。故而，該連續膜之結晶粒徑較大， 表面之凹凸亦較明顯，從而變為反射率較低者。 又，雖亦考慮到使用濺鍍法對形成於孔46之側壁461之絕 緣層表面形成蝴之方法，然該情料，於未圖示處，與 藉由CVD法成膜相比’因覆蓋率（特另|J是側壁覆蓋率）明顯較 低，故而為獲得孔46之侧壁461所需之膜厚，需於基板Μ 之表面上實行該膜厚數倍乃至數十倍之成膜，&而其後之 加工步驟非常困難甚或無法進行。 又’藉由讀法特有之懸突，亦存有無法獲得孔46之側 壁461所需之膜厚的可能性。 92351.doc 200529417 因此，業者考慮有例如於反射膜（A1膜）47與孔46之側壁 46丨（即絕緣膜37)之間，形成作為基礎膜之金屬膜（基礎金屬 膜），從而解決上述課題之方法。 但是，例如將先前用於障壁金屬膜或密著層等之Ti(鈕） 等之VA族元素或Ti(鈦）等之IVA族元素作為基礎金屬膜成 胺之情形時，則會產生以下所示之問題。 即，於固體攝像元件中，為降低受光感應部之介面水平 或修復結晶格子之紊亂從而抑制白點的產生，設計為利用 形成於受光感應部上之包含例如電漿siN膜或八丨膜之遮光 膜，將該等膜中所含之氫供給至受光感應部。 於圖6之情形中，即設計為自例如形成於受光感應部32 附近之SiN膜34，將氫供給至受光感應部32。 但是，因上述VA族元素或IVA族元素之材料具有氫吸收 率較南之特性，故而造成含有此種材料之基礎膜會吸收自 SiN膜34供給至受光感應部32之氫，因此無法改善上述介面 水平或結晶格子之紊亂，造成固體攝像元件3〇之特性降低。 另外，圖6之情形中，係表示自形成於受光感應部32周圍 之SiN膜34供給氫至受光感應部32之情形，但除此之外，亦 可考慮自例如遮光膜（未圖示）或埋入於孔46之材料膜等 供給氫至受光感應部之情形。 於如此之情形中，氫亦會被基礎膜吸收。 本發明有鑒於上述問題，提供一種固體攝像元件，其含 有波導，該波導可抑制基礎膜吸收供給至受光感應部的 氫’且形成有表面形態以及被覆性乃至於密著性良好且具 92351.doc -12- 200529417 有高反射率之反射膜。 【發明内容】 本發明之固體攝像元件，其構成為：於受光感應部上之 絕緣層中設有波導，藉由包含以CVD法形成之A1膜之反射 膜覆蓋波導之側壁，於反射膜與波導之側壁之間形成有基 礎膜，基礎膜由VIA族元素形成。 根據本發明之固體攝像元件，於受光感應部上之絕緣層 中設有波導，藉由包含以CVD法形成之A1膜之反射膜覆蓋 波導之側壁，於反射膜與波導之側壁之間形成有基礎膜， 基礎膜由VIA族元素形成，因此在製程中可避免基礎膜吸收 供給至受光感應部之氫。 又，因含有以CVD法形成之A1膜之反射膜可於低溫區域 中成膜’故而可獲得含有表面形態或被覆性乃至於密著性 良好之反射膜的波導。 【實施方式】 作為本發明之一種實施形態，將本發明適用於CM〇s型固 體攝像元件（CMOS感應器）的情形之概略構成示於圖i。 另外，圖1係表示對應於CM0S型固體攝像元件之丨個像素 之剖面。 本實施形態之CMOS型固體攝像元件1〇〇係於半導體基板 1内之特定位置形成有受光感應部2，於半導體基板以，形 成有具有絕緣、表面保護或表面平坦化之機能之例如氧化 石夕膜（SH3膜）3,於該氧切膜3±，形成有具有表面保護或 將虱供給至文光感應部之機能的例如氮化矽膜⑽膜)“ 92351.doc -13- 200529417 並且，於該氮化石夕膜4上，形成有例如非添加石夕酸玻璃膜 (NSG膜）5,於該^^〇膜5上，形成有佈線層^ 、 佈線層6由3層佈線層6卜62、63構成。各佈線層61、62、 63之構成係於絕緣膜（例如Sl〇2膜）7中之特定位置形成之槽 8内埋入有佈線材料（例如Cu)9。

10係用以防止佈線材料(Cu)擴散至絕緣臈中而形成於夂 佈線層6之間的所謂障壁膜（例如SiN膜、Sic膜又，於I 圖示處，例如於槽8之周圍亦形成有用以防止佈線材料擴散 至絕緣膜中之障壁膜1 〇。 另外，如上所述，表示有佈線層6形成為3層之情形，但 佈線層6由例如更多之複數層形成之情形時，於形成於特定 位置之槽8内埋入有佈線材料9的絕緣膜7’可構成為例如於 其間介以障壁膜1 0而相應其數量疊層若干層。 於最上層之佈線層63之上方，介以絕緣膜7形成有純化膜

11，於該鈍化膜11上，介以平坦化膜12形成有彩色渡U 13。 於彩色濾光片13上與受光感應部12對應之位置，形成有 晶載微透鏡14。 於叉光感應部2上之絕緣層（例如除絕緣層7之外，並包含 NSG膜5、障壁膜1〇以及SiN膜4之_部分）中，至純化膜u 之下立而為止形成有用以提高入射效率之波導15。 波導15之構成為：藉由反射膜17僅覆蓋形成於絕緣層（例 如除絕緣層7之外，並包含NSG膜5、障壁膜1〇以及以^^膜々 之一部分）之孔（開口）16之側壁16卜於如此構成之孔46内， 9235 l.doc -14- 200529417 埋入對可視光透明之材料膜（例如Si〇2膜）18。 反射膜17以具有高反射率之薄膜例如A1膜形成。該八丨膜 措由C VD法形成。 又，該反射膜17以例如30 nm〜100 nm之膜厚形成。 並且，本實施形態中，特別是於反射膜（八丨膜）17與孔Η 之側壁161之間形成有基礎膜19，基礎膜17包含VIA族元素 之金屬材料而形成。 作為VIA族元素，可列舉貿(鎢）、M〇(鉬）、Cr(鉻）之3種元 素。该等VIA族元素相較於例如障壁金屬膜或密著層等所使 用之VA族元素（Ta、V、Nb)或IVA族元素（Ti、Zr、Hf)之情 形，具有氫吸收率較低之特性。 该基礎膜19藉由例如濺鍍法形成。又，該基礎膜19形成 例如3 nm〜10 nm之膜厚。 藉此’構成具有可提高入射光之集光效率之構造的CM〇s 型固體攝像元件。 根據本實施形態之固體攝像元件1 〇〇，於波導丨5中，因於 藉由CVD法形成之反射膜（A1膜）17與孔16之側壁161之間， 形成有包含氫吸收率較低之VIA族元素之金屬材料之基礎 膜19 ’故而可獲得具有例如自§iN膜4供給至受光感應部2 之氫不會被基礎膜19吸收之構成的波導15。 又’根據本實施形態之固體攝像元件100，因於反射膜J 7 與孔16之側壁161之間形成有基礎膜19，故而形成於該基礎 膜19之表面上之反射膜17可作為於低溫區域中形成之反射 膜17 〇 92351.doc -15- 200529417 藉此，可獲得具有表面形態或被覆性乃至於密著性良好 之反射膜17。 ‘ 即’如圖6所示之構成，孔之側壁為絕緣膜（例如Si〇2膜） 等，於該絕緣膜之表面藉由CVD法直接形成反射膜之情形 時，為於絕緣膜上直接形成反射膜，必須於高温區域中形 成，故而此時形成之反射膜會成為表面形態不佳，又未形 成固定之膜厚且與基礎膜（例如絕緣膜）之密著性差等狀態。 對此，根據本實施形態之固體攝像元件丨〇〇，因孔丨6之側 . 壁161部分，於絕緣膜之表面形成有基礎膜19(包含via族元 素之金屬材料之膜），故而可將形成於該基礎膜19之表面之 反射膜（A1膜）17，於低溫區域中而非高溫區域中形成。 藉此，反射膜17可於低溫區域中成膜，故而可形成無表 面粗糙等之表面形態良好的反射膜17。 又，所形成之反射膜17可獲得以固定之膜厚形成之被覆 f良子者1 7又，亦不必擔心例如入射之光線受到於孔之 開口部形成之懸突遮擔。 _ 又，可獲得與金屬膜（A1膜）19之密著性良好之反射膜Η。 _ 根據本實施形態’基礎金屬膜191係使用賤鑛法而形成之 構成，然亦可為使用CVD法形成之構成。 又於本灵施形怨中，係表示於孔丨6之側壁丨6丨與反射膜 (A1膜）17之間形成有單層基礎膜（包含族元素之金屬材· 料之腺）19之情形（參照圖1}，然而例如，若不影響對受光感. 應部2供給氫，财可為以下構成：於基礎膜19與反射膜17 之間’形成有例如密著性良好之膜或反射膜17之膜質、成 92351.doc -16- 200529417 膜性良好之膜。 又’於本實施形態中，如圖1所示，表示有氫自形成於受 光感應部2附近之SiN膜4供給至受光感應部2之情形，但除 此之外’亦可考慮例如自遮光膜（未圖示）或埋入於孔16之材 料膜1 8等供給氫至受光感應部之情形。於如此之構成中， 本發明亦為有效。 另外’本發明適用於以下構成之固體攝像元件··如上述 貫施形態，自形成於受光感應部2之附近即接近受光感應部 2之位置的SxN膜4供給氫至受光感應部2。 接著，使用圖2至圖5，表示圖1所示之CMOS型固體攝像 元件之製造方法。 於圖2至圖5中，表示圖1所示之CMOS型固體攝像元件， 斗寸別疋形成其波導之情形。又，該製造方法係使用設有例 如實行濺鍍法之腔室或實行CVD法之腔室之裝置而進行。 於圖2至圖5之情形中，表示對應於CM〇s型固體攝像 元件之1個像素的剖面圖，與圖丨對應之部分附有同一符號。 又，如圖2A所示，從以下狀態開始說明··已於半導體基 板1形成:有受光感應部2，於其上方形成有氧化石夕膜_ ’）氮化石夕膜（SiN膜）4、卩及非添加石夕酸玻璃膜（NSG 膜）5,於NSG膜5上形成有3層佈線層61、62、 接著，於形成於最上層之佈線層63上之絕緣膜（Si〇2膜）7 ^形成光阻膜（未圖示），使用衆所周知的微影技術將該光阻 胲圖案化，而如圖2B所示，形成用於形成波導15之圖案之 光阻罩幕20。 92351.doc 200529417 然後，介以該光阻罩幕20藉由例如反應性離子蝕刻法 (RIE法）等蝕刻除去受光感應部2上之絕緣層。 藉此，如圖3C所示，於受光感應部32上之對應位置形成 有用於形成波導15之孔（開口）16。 接著’將於上述步驟中形成之於受光感應部2上之對應位 置形成有孔16之半導體基板1，搬送至濺鍍腔室内。 並且’將成為後述之基礎膜19之膜（基礎金屬膜）191藉由 錢鑛法成膜。基礎金屬膜191藉由VIA族元素之金屬材料例 如W(鎢）成膜。 另外’當例如佈線6包含更多的佈線層而構成，且形成高 縱橫比之孔（例如丨·5以上）16之情形時，較好的是使用可提 南指向性之濺鍍法，例如遠距離濺鍍法、準直濺鍍法、離 子化錢艘法形成基礎金屬膜191之處理。

以下’具體的表示將W膜成膜作為基礎膜之情形的條件。 目標：W 氣體、流量：Ar、1 〇 seem DC功率（目標功率）：bkW 基板溫度：< 20(TC 膜厚· 10〜5 0 nm 藉此’如圖3D所示，於含有孔16之表面上形成基礎金屬 膜 191 〇 另外’如上述之成膜條件所示，藉由於半導體基板1上將 基礎金屬膜191以1〇 nm〜5〇疆之膜厚形成，而於孔16之側 壁161上形成例如膜厚為3 nm〜10 nm之基礎金屬膜191。 92351.doc -18- 200529417 接著’將於上述步驟中形成之於孔16之側壁161以及絕緣 膜7上形成有基礎金屬膜1 91之半導體基板1以空氣密閉之 方式自濺鍍腔室搬送至CVD腔室。 而且，於含有孔16之基礎金屬膜191上，將成為後述之反 射膜17之膜（金屬膜）171藉由CVD法成膜。金屬膜171係由 A1膜成膜。 以下，具體表示A1膜成膜之情形之條件。 氣體：MPA(甲基吡咯啉達因阿蘭） 壓力：30Pa

基板溫度：90〜120°C 膜厚·· 40〜100 nm 此時，因上述步驟（圖3D)中，已於孔16之側壁161形成有 基礎金屬膜191，故而使用CVD法可於金屬膜上將A1膜171 成膜1，而如上述之成膜條件所示，可於低溫區域（9014 2〇 °C )中形成A1膜171。 又，如上所述，將形成有基礎金屬膜191之半導體基板1 以空氣密閉之方式自濺鍍腔室搬送至CVD腔室，藉此可防 止基礎金屬膜191接觸空氣而氧化，故而可良好地將金屬膜 (A1膜）171成膜。 藉此，如圖4E所示，成為於基礎金屬膜191上形成有金屬 膜（A1膜）171之狀態。 另外，亦如成膜條件中所示，於半導體基板1上，將金屬 膜171以40 nm〜100 nm之膜厚形成，藉此於孔Μ内，可將金 屬膜171以30 nm〜100 nm之膜厚形成。 92351.doc -19- 200529417 另外’作為使用CVD法將A1膜成膜時所用之氣體（前·驅氣 體）’乃使用MPA(甲基吡咯噠因鋁烷），但除此之外，可使 用例如DMAH(二甲基氫化鋁）、TMA(三甲基鋁）以及 DMEAA(二甲基乙胺鋁烷）等。 接著，使用例如反應性離子蝕刻法（RIE法）等，留下覆蓋 孔16之側壁161的基礎金屬膜191以及金屬膜（八丨膜）171，除 去除此之外的基礎金屬膜191以及金屬膜171。 藉此，如圖4F所示，形成僅於孔16之側壁161形成有基礎 金屬膜191之狀態下的基礎膜19，而形成於該基礎膜19之表 面形成有金屬膜1 91之狀態下的反射膜17。 接著，使用例如衆所周知的電漿法或高密度電漿法（HDp 法）等，將透明之材料膜（例如Si〇2膜）埋入孔16内。或者， 使用塗佈法將例如SOG(旋塗式玻璃）或SOD(旋塗式介電質） 埋入於孔46内。 其後，實行平坦化處理，除去孔16内以外之材料膜。 藉此’如圖5 G所示，形成於孔16内埋入有透明材料膜丄8 而構成的波導15。 之後’於包含絕緣膜7、埋入波導15内之Si02膜18之前面 上依次形成鈍化膜11、平坦化膜12及彩色濾光片13，於彩 色濾光片1 3之與受光感應部2對應之位置，即孔1 6之上部， 形成晶載微透鏡14。 以此方式，形成圖1所示之具有可提高集光效率之波導的 CMOS型固體攝像元件10〇。 根據上述製造方法，其係於孔1 6之側壁1 6 1形成成為基礎 92351.doc -20- 200529417 膜19之基礎金屬膜（包含VIA族元素之金屬材料之膜）191之 後，藉由CVD法形成成為反射膜17之金屬膜（Ai膜）171，因 此使用CVD法形成反射膜時，可於作為獲得高反射率之成 膜條件即低溫區域中成膜。 即，如上所述，於孔之側壁之絕緣膜（Si〇2膜）7等之表面 以CVD法直接形成反射膜之情形，為於絕緣膜7上直接形成 反射膜’則必須於咼溫區域中形成，此時形成之反射膜便 成為表面形態或被覆性乃至於密著性差之狀態。 對此，於上述製造方法中，由於於孔丨6之側壁16丨之絕緣 膜之表面形成有基礎膜19(包含VIA族元素之金屬材料之 膜），因此可將於該基礎膜19之表面形成之反射膜（ai膜）i 7 於低溫區域而非高溫區域中形成。 因此，藉由CVD法形成金屬膜（ai膜）171時，可於基礎金 屬膜191上良好地將將A1膜171成膜。藉此，可形成表面粗 糙等較少之表面形態良好的反射膜丨7。 又’於孔16之開口部或側壁161，可避免形成懸突而形成 具有一定膜厚之A1膜17 1。藉此，可形成被覆性良好之反射 膜17 〇 又’可於基礎金屬膜（包含VIA族元素之金屬材料之 膜）191形成密著性良好之A1膜17卜且可形成密著性良好之 反射膜19。 於上述實施形態中，就本發明適用於CMOS型固體攝像元 件之情形加以說明，但本發明同樣適用於其他固體攝像元 件’例如CCD固體攝像元件。 92351.doc -21 - 200529417 另外，本發明並非僅限於上述實施形態者，可於不脫離 本發明之要旨的範圍内獲得其他各種構成。 [發明之效果] 根據本發明之固體攝像元件，可獲得既可抑制供給至受 光感應器部之氫被基礎膜吸收，且表面形態及被覆性乃至 於密著性良好之反射膜，故而可獲得不會使受光感應部之 特性劣化，且含有具高反射率以及高覆蓋率之反射膜之波 導。 口此，本發明可提供一種固體攝像元件，其含有具高性 月匕且肖b夠使光線之入射光率大幅度提高的波導。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之固體攝像元件之一實施形態之概略 構成圖（剖面圖）。 圖2之A、B係表示圖1之固體攝像元件之製造方法之一實 施形態之製造步驟圖（其丨）。 圖3之C、D係表示圖1之固體攝像元件之製造方法之一實 施形態之製造步驟圖（其2)。 圖4之E、F係表示圖丨之固體攝像元件之製造方法之一實 施形態之製造步驟圖（其3)。 圖5之G、Η係表示圖丨之固體攝像元件之製造方法之一實 施形態之製造步驟圖（其4) 圖6係表示先前的固體攝像元件之概略構成圖（剖面圖）。 圖7之A、Β係表示圖6之固體攝像元件之製造步驟圖（其 1)。 92351.doc -22- 200529417 圖8之C、D係表示圖6之固體攝像元件之製造步驟圖（其 2)。 圖9之E、F係表示圖6之固體攝像元件之製造步驟圖（其 3)。 【主要元件符號說明】 1 半導體基板 2 受光感應部 3 氧化矽膜（SiO膜） 4 氮化矽膜（SiN膜） 5 非添加矽酸膜（NSG膜） 6(61 ， 62 ， 63) 佈線層 7 絕緣膜（Si02膜） 11 鈍化膜 12 平坦化膜 13 彩色濾光片 14 晶載微透鏡 15 波導 16 161 側壁 17 反射膜（CVD-A1膜） 18 材料膜 19 基礎膜 92351.doc -23-

Claims (1)

1. 200529417 十、申請專利範圍： 1. 一種固體攝像元件，其特徵在於： 於受光感應部上之絕緣層中設有波導， 藉由包含以CVD法形成之…膜的反射膜覆蓋上述波導 之側壁， 於上述反射膜與上述波導之側壁之間形成有基礎膜， 上述基礎膜藉由VIA族元素形成。 2. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述基礎膜係藉由錢鍍 法或CVD法形成。 92351.doc