TW200526533A - Use of glass-ceramic substrate - Google Patents

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TW200526533A TW094100118A TW94100118A TW200526533A TW 200526533 A TW200526533 A TW 200526533A TW 094100118 A TW094100118 A TW 094100118A TW 94100118 A TW94100118 A TW 94100118A TW 200526533 A TW200526533 A TW 200526533A
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Dirk Dr Sprenger
Rainer Liebald
Thilo Dr Zachau
Jorg Hinrich Dr Fechner
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Schott Ag
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Description

200526533 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於玻璃陶瓷之用途，該玻璃陶瓷係為玻 瓷基板之形式。 【先前技術】 對於照明裝置用材料的熱及機械穩定性以及熱膨脹 標的設定值具有高度的要求。熱膨脹之標的設定值對 用金屬及金屬合金（例如金屬線）製造無應力的熔融密 當重要。 此外，需要諸如在可見光區域中之透明度及在UV 域中之阻擋性，以及對過度曝光之抵抗力的性質。 透明基板被使用於相當多樣的燈類型，例如冷光反 用之蓋，使用於鹵素系統及上照式系統（u p 1 i g h ΐ s )中 係要提供作為U V阻擋器，及防止裂開。U V阻擋於背 明系統例如TFT平板顯示器中尤其重要。稱為背光之 種小型化的管型螢光燈被使用於此用途，在此情況， 玻璃係以可阻擋UV光的方式摻雜。因此，在平板背光 中需要扁平、透明的UV阻擋材料。在此應用中，由於 在之塑膠組件有由於UV光而變黃及變脆的傾向，因而 阻擋UV光之能力的需求尤其高。 迄今為止，已將可承受高溫之玻璃諸如，比方說， 酸鹽玻璃、無鹼鋁矽酸鹽玻璃或者矽石玻璃（在各情況 經摻雜），使用於此等應用，以得到UV阻擋性質。 D E 1 0 0 1 7 6 9 6 A 1說明使用浮法拉製（f 1〇a t - d r a w 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 璃陶 之 於使 封相 先區 射器 。其 ♦日召 ✓了、 4 任一 燈泡 系統 所存 對於 硼矽 中亦 η )鋁 5 200526533 硼矽酸鹽玻璃或經自其陶瓷化之玻璃陶瓷作為燈之輻射源 的透明覆蓋。 DE 1 0 0 1 7 7 0 1 A 1亦提及使用浮法拉製玻璃陶瓷於覆蓋 燈。 在形成輻射空間之一部分之燈零件的情況中，對於熱安 定性、U V阻擋及對過度曝光之抵抗力的需求尤其高。 【發明内容】 本發明之一目的為提供適合於照明應用之材料，尤其係 0 具高UV阻擋作用及對過度曝光之高抵抗力的材料。 此目的係由說明於申請專利範圍第1項中之用途所達 成。 根據本發明，將玻璃陶瓷基板使用作為燈組件。 【實施方式】 在本文中，應明瞭燈之組件係指燈的基本零件，其界定 燈之輻射空間，例如燈外殼之零件，或其作為例如螢光層 或互連體之載體，或其係其他基板，例如使用於均勻光分
佈，諸如漫射板。此術語並不涵蓋額外的覆蓋或保護基板。 包括此類型之組成之燈的類型可為例如ώ素燈或氣體 放電燈，諸如，比方說，背光配置（低壓放電燈）。高壓放 電燈中亦可有此類型的組成。此類型之燈類型係得知於例 如 W0 9 8 / 2 1 1 5 4 > US 5, 220, 249、US 5, 041，762 及 WO 99/45557 。 不同於其中個別的小型化螢光管係彼此並聯使用且係 設置於兩玻璃基板之間之習知之背光，亦有將光產生單元 6 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 200526533 直接設置於結構化基板上的背光。 結構化係使得藉由於基板中具有一定寬度（Wr i b )之平行 高起物（稱為障壁）產生具有一定深度及一定寬度（deha nnd 或Wehanne!)之溝槽，於該溝槽中設置放電磷光體，且其與 具有磷光體層之基板一起形成輻射空間，該基板經橫向密 封且經由引入線（1 e a d t h r 〇 u g h s )而設有電極。此稱為C C F L 系統（冷陰極螢光燈）。然而，亦可設想外部接觸-連接，即 利用外部施加電場點燃電漿（E E F L - 外部電極螢光燈）。 ^ 因此，在此有大的平板背光。根據本發明，在此類型之「平 板背光」中，結構化基板或界定輻射空間之另一基板兩者 或兩基板可由玻璃陶瓷所組成。高U V阻擋作用對於後一基 板尤其重要。
為製造結構化基板，使用標準的結構化單元，例如經適 當結構化的輥子，將例如經由滾壓（r ο 1 1 i n g )製得之起始玻 璃基板（即所謂的生（g r e e η )玻璃基板）結構化較佳-此 係在大約I g ( 7? / d P a s ) = 4至7 . 6之範圍内的玻璃黏度下進 行，即在玻璃的工作點與軟化點之間-然後再陶瓷化。 陶瓷化一般伴隨各向同性收縮，因此其對結構化沒有不利 影響。然而，基板之結構化亦可於陶瓷化之後進行。經結 構化之玻璃陶瓷基板具有深度及寬度尺寸自數十分之一毫 米至數毫米的結構較佳。此類型之結構化可利用製造在毫 米至厘米範圍内之結構的習知方法達成，其諸如壓印、劃 線、機器加工、化學蝕刻、雷射燒蝕等等。 圖1說明選定的名稱。p係溝槽及障壁寬度之總和。基 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 200526533 板厚度t亦係在數毫米之範圍内，其中t包括dchannd。 標準的基板格式係例如大約7 0 0毫米X 4 0 0毫米。 可看到此類型之平板背光的製造及尤其係裝設，相較於 許多背光管之製造及裝設大大地簡化。 在平板背光，例如前述的CCFL及EEFL中亦存在如同管 形式之相同的不同類型背光。 玻璃陶瓷具有由標的、受控、溫度受控、部分結晶所產 生之單一的性質光譜。視生玻璃之組成物、製造類型及在 Φ 進一步熱加工中之溫度程序之配合而定，熟悉技藝人士知 曉如何製造不同的晶體相類型、具不同晶體形態及尺寸之 結晶學物種及玻璃陶瓷中之不同晶體量。結果，尤其可設 定熱膨脹、機械穩定性等等。玻璃陶瓷之一優異的基本性 質係材料之高熱安定性，其較習知之多成分玻璃顯著為高。 玻璃陶瓷基板已被使用作為例如煙囪的觀看窗或用於 烹任板。 除了高熱安定性之外，對於根據本發明用途之玻璃陶瓷
基板的其他性質需求包括例如優異的透明度。 已知之玻璃陶瓷長久以來缺乏透明度及/或具有其個 自的顏色，而使其完全不適合使用於照明單元。 關於適合於根據本發明用途之材料的熱安定性，此參數 應較強化玻璃高。適合於此用途且例如為鋁矽酸鹽玻璃類 型之習知之玻璃具有在自7 5 0至8 0 0 °C之範圍内之轉變點 (T g )。因此，在此溫度值下，玻璃仍為固態。 由於無法測定玻璃陶瓷之所謂的「Tg」，因而權宜辦法 8 312/發明說明書(補件)/94·04/94100118 200526533 為基於玻璃陶瓷之黏度成溫度之函數測定仍然穩定的溫度 相關狀態。適當的玻璃陶瓷即使係在高溫下亦不應發生黏 性流動，且應可承受> 8 0 0 °C，以> 9 0 (TC較佳，> 1 0 0 〇 °C更佳 之燈操作溫度。 根據本發明之玻璃陶瓷的黏性流動理想上係在較矽石 玻璃情況為高的溫度下開始，及玻璃陶瓷之穩定性與半透 明陶瓷例如基於A 1 2 0 3之陶瓷相似或甚至更高最佳。 除了優異的熱安定性之外，玻璃陶瓷應在〇 . 3毫米之壁 Φ 厚度下在可見區域（在380奈米及780奈米之間）中具有高 透射，例如> 7 5 %，以> 8 0 %較佳，> 9 0 %特佳，當將玻璃陶瓷 基板使用作為燈組件時，此性質相當重要。此外，在4 0 0 奈米及7 8 0奈米之間之波長範圍内具> 7 5 %或甚至> 8 0 %之透 射之具1毫米壁厚度之玻璃陶瓷係特佳。 良好的U V阻擋作用尤其對於T F T螢幕中之背景照明之 用途扮演重要的角色。應明暸術語「阻擋作用」係指在0 . 3 毫米之層厚度下低於1 %之透射。可對S 2 6 0奈米，以
S 3 0 0、$ 3 1 5、$ 3 6 5奈米較佳之波長達成阻擋作用。 對於根據本發明之一些用途，玻璃陶瓷應可與視特定應 用而由I目、鎢或合金諸如Vaconll⑧（「Kovar」）所組成之 電引入線形成良好的熔融密封。如此可於導電及導熱性金 屬引入線與燈材料之間產生永久隔絕密合，且可避免由於 在材料玻璃與金屬之熱膨脹方面之不同性質所產生的問 題，即可防止應力。舉例來說，可獲致在0與7 X 1 (Γ6 / K之 間的熱膨脹係數a 2 (w 3 "，以在3 X 1 (Γ 6 / K與5 X 1 0 _ 6 / K之間較 9 3 ] 2/發明說明書(補件)/94-04/94100118 200526533 佳。對於與鎢之熔融密封，在3 . 5 x 1 (Γ 6 / 1(與4 · 3 χ 1 (Γ 6 / K之 間的膨脹係數為特佳，及對於與鉬之熔融密封，在4 . 5 X 1 (Γ6 / Κ與5 . 0 χ 1 0_6 / 1(之間的膨脹係數為特佳。 對於根據本發明之玻璃陶瓷的應用，材料亦應為耐化學 劑性，以致例如於燈中發生的程序不會於長期造成影響。 填充材料應不可穿透材料，即材料應具有良好的長期密封 作用。即使係熱的經加壓填充材料亦不應對玻璃陶瓷造成 任何腐#虫。
根據本發明所使用之玻璃陶瓷基板係利用熟悉技藝人 士已知之陶究化程式所產生。陶究化程式係以將製得之玻 璃陶瓷對特定用途關於相應需要之性質最佳化的方式設 置。 關於最佳的熱安定性，可適當地使玻璃陶瓷内之玻璃的 比例最小化，即例如設定至少6 0體積％，以至少7 0體積％ 較佳，至少8 0體積％特佳之晶體相比例，及/或將其餘玻 璃相之組成物設為接近純矽石玻璃。 陶瓷化程式係以在溫度及時間程序方面配合期望晶體 相而採用，且其亦與其餘玻璃相之比及晶體相比例以及微 晶體大小配合。 此外，陶瓷化程式可容許對特定的元素設定表面化學或 深度分佈，以致在陶瓷化過程中，舉例來說，可在靠近表 面的區域中設定期望的鹼金屬含量，甚至係自「低鹼」至 「無驗」的微細設定。 在陶瓷化過程中，亦可對特定元素建立濃度梯度，其可 10 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 200526533 經由將其加入於晶體相中及/或使其殘留或富含於其餘玻 璃相中，尤其係經由形成玻化表面層（其之厚度及組成物可 由起始玻璃之組成物及陶瓷化大氣所決定）而達成。 此外，若需要，陶瓷化程式係配合關於晶核生成或晶體 形成程序之UV輻射的期望屏蔽程度。
玻璃陶瓷之U V阻擋性質（位置/陡度）可藉由一些措施 而適當地調整：除了加入U V阻擋添加劑，諸如比方說T i 0 2 之外，對於玻璃陶瓷有相較於玻璃之進一步的設定選擇： 顆粒大小（適用於最大U V散射）、顆粒大小分佈（顆粒大小 愈均勻，則邊緣愈陡）。玻璃陶瓷亦可以對於起始玻璃及陶 瓷化狀態使活性摻雜劑T i於其餘玻璃相與晶體相之間理 想分佈的方式設定。晶體顆粒愈大，則U V阻擋性質亦變得 愈大。在自1 0 - 1 0 0奈米範圍内之顆粒大小為較佳，及儘可 能單峰（m ο η 〇 m 〇 d a 1 )的顆粒大小分佈為較佳；存在顆粒的至 少6 0 %係在此大小範圍内，且總體積中之晶體相之比例的 量在5 0體積％與至多9 0體積％之間較佳。 此可防止在> 4 0 0奈米左右之範圍内的總透射過度減 小，及於自3 6 0 - 4 0 0奈米之範圍内獲致陡峭的U V邊緣。 在本發明之一具體例中，適合於根據本發明用途之玻璃 陶瓷具有以下之組成物（單位重量％，以氧化物計）·· S i 〇 2 5 0 - 7 0 A 12〇3 17-27 L i 2〇 >0-5
Na2〇 0-5 11 312/發明說明書(補件)/94-04/94 ΙΟΟ Π 8 200526533 Κ2〇 0-5 MgO 0-5 Ζη〇 0-5 Ti〇2 0-5 Zr〇2 0-5 T a 2 Ο 5 0-8，以 0-5 較佳
Ba〇 0-5
Sr〇
P 2 0 5 0-5 0-10，以0 - 5較佳，0 - < 4特佳 F 6 2 0 3 0-5 C 6 0 2 0 - 5 B i 2 0 3 0 - 3 W〇3 0-3 Μ 〇 0 3 0 - 3 及若適用之至多4重量％之一或多種標準的澄清劑諸如，比 方說，S η 0 2、C e 0 2、A s 2 0 3、S b 2 0 3、硫酸鹽、氣化物。
此組成物之特徵在於主晶體相/3 -石英固態溶液（B Q S S ) 及/或熱液石英（keatite)。 主晶體相係指形成所有晶體相總和之大於5體積％之比 例的晶體相。 來自此組成物範圍之玻璃陶瓷基板尤其適用於平板背 光單元，明確言之係作為結構化基板及/或作為界定輻射 空間之另一基板，即蓋板。 在本發明之再一具體例中，根據本發明所使用之玻璃陶 12 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 200526533 瓷具有以下之組成物（單位重量％，以氧化物計）： S i 〇2 35-70 ， 以 35-60 較 佳 A 1 2 0 3 14-40 , 以 16. 5-40 較 佳 M g〇 0-20， 以 4 - 2 0較佳 6-2 0 特 佳 ZnO 0-15, 以 0 - 9較佳； ，0 -4特佳 Ti〇2 0-10, 以 1 - 1 0較佳 Zr〇2 0-10, 以 1 - 1 0較佳 T a 2 0 5 0-8， 以0 -5較佳， 0 - 2特佳 BaO 0-10, 以 0 - 8較佳 CaO 0-10, 以0 -〈8較佳， 0- 5特佳， 0-0 極特佳
SrO 0-5， B 2 0 3 0-10 p205 0-10 F 6 2 0 3 0-5 C e 0 2 0-5 B i 2 0 3 0-3 W〇3 0-3 M 0 0 3 0-3 以0 - 4較佳 以> 4 - 1 0較佳 以0 - 5較佳，0 - < 4更佳 及若適用之至多4重量％之一或多種標準的澄清劑諸如，比 方說，S η 0 2、C e 0 2、A s 2 0 3、S b 2 0 3、硫酸鹽、氣化物。 此組成物之特徵在於主晶體相尖晶石、假藍寶石、 B Q S S、α -石英、堇青石及相關的固態溶液，尤其係Ζ η尖 晶石/假藍寶石、Mg/zN BQSS。 13 3 ]2/發明說明書(補件)/94-04/941001 ] 8 200526533 來自此組成物範圍之玻璃陶瓷基板尤其適合使用作為 極熱燈（例如，鹵素或Η I D燈）中之蓋板。 UV阻擋作用可經由改變陶瓷化條件而以標的方式設 定。就UV阻擋性質而言，陶瓷化基板優於相同組成物之未 經陶瓷化基板（即其之生玻璃基板）。因此，其相當適用於 根據本發明之用途。
良好的U V阻擋作用可經由於玻璃陶瓷中存在T i 0 2而進 一步獲得改良。因此，根據本發明所使用之玻璃陶瓷包含 至少0 . 1重量％之丁 i 0 2較佳，> 1重量％之T i〇2較佳及> 2重 量％之T i 0 2特佳。 此外，玻璃陶瓷基板具有相當高之對過度曝光的抵抗 力。舉例來說，於利用U V光照射1 5小時後，觀察到於可 見光（於7 5 0奈米下測量）中之高透射沒有下降或僅有非常 輕微的降低（1 %絕對值，以< 0 · 5 %絕對值較佳）。 此性質對於根據本發明之用途同樣相當重要。 在此同樣地，玻璃陶瓷基板優於迄今為止所使用的玻璃 基板。 本發明係基於範例具體例作說明。 圖2顯示範例具體例A1及比較實施例V1對於自3 0 0奈 米-5 5 0奈米之波長範圍的透射曲線（透射率[°/〇]對波長[奈 米])。測量係於0. 3毫米厚的試樣上進行。 範例具體例A 1係關於以下組成物之L A S (Li2〇-Al2〇3-Si〇2)玻璃陶竞： 主成分 重量％ 14 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 200526533 S 1 〇2 67.1 A 1 2 0 3 L 1 2〇 Mg〇 Zn〇 T i 〇2 Ζγ〇2 A S 2 0 3 K20 2 1.3 3. 8 1 . 1 1 . 7 2.6 1 . 7 0. 2 0. 1 N a 2 0 0. 4 陶瓷化係以特徵在於加熱升溫及保溫時間的多階段程 序進行。此情況中之最大溫度不超過1 0 0 0 °c ，且保溫時間 係配合最佳的微晶體成長。微晶體大小一般係在2 0至9 0 奈米之大小左右，且晶體相比例係至少5 0 %。 比較實施例V 1係關於以下組成物之玻璃： 主成分 重量％ S i O2 Ti O2 71.65 4. 0 B 2 0 3 16.9 A 1 2〇3 1.15 N a 2 0 3.75 K2O 1.45 CaO 0.6 M g 0 0. 4 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 15 200526533 A s 2 0 3 0 . 1 圖2顯示玻璃陶瓷A1之U V阻擋作用，其相較於已經良 好之U V阻擋玻璃V1進一步顯著地獲得改良，儘管A1之 Ti〇2含量低，但於可見光中之透射損耗卻相當低或甚至可 以忽略。 A1在與應用相關的一些基本性質方面較V1為佳：例如 在大約0 ppm/K下之α3〇/3。。甚低於Vl(3.9 ppm/K)，其意 謂材料可較佳地承受波動的溫度，例如，於熱燈中。此外， Φ 其可與矽石玻璃-通常使用於燈構造中之材料 _ 較佳 地配合。與V 1之大約5 5 0 °C ( T g〜5 0 0 °C )相比，A 1可承受至 少8 5 0 °C之熱負荷（在低於此溫度下材料不再變形）。 A1由於其之較佳的UV阻擋作用而較VI更適合作為燈組 件，尤其係用於具有易變黃之塑膠成分之器具的燈，例如， 用於背光。在此情況，尤其係U V - A區域（3 6 5奈米左右）經 有效地阻擋。其結果如圖2所示為透射之3 0個百分比（即 絕對值）或以上的改良（減小）。
圖3顯示範例具體例A1及範例具體例A 2 (其與A 1之不 同處僅在於具有降低的Ti〇2含量（2.0重量％而非2.6重量 °/〇)及增加的S i 0 2含量（大約0 · 3重量％ )及增加的A 12 0 3、Ζ η 0 及Zr〇2含量（在各情況中大約0. 1重量％))與兩比較實施例 V 2及V 3 (其係對應於A 1及A 2之生玻璃，即未經陶瓷化的 基礎玻璃；V2具有與A1相同的組成物，及V3具有與A2 相同的組成物）的透射曲線（250-550奈米）。 測量係於0 . 3毫米厚的試樣上進行。 16 312/發明說明書(補件)/94_04/94100118 200526533 圖3不僅說明經由提高T i 0 2含量對U V阻擋作用造成的 改良（V 2對V 3 )，並且尤其說明經由陶瓷化所提供之U V阻 擋作用的大大改良（A 1對V 2及A 2對V 3 )。 圖4顯示範例具體例A 1 a及A 1 b之透射曲線。 A 1 a及A 1 b具有與A 1相同的組成物。然而，如由X -射 線繞射術所測定，由於陶瓷化程式的變化，其包含平均微 晶體尺寸大約3 0奈米（A 1 a )及大約5 0奈米（A 1 b )的微晶體。 測量係於厚度4毫米的試樣上進行。
圖4顯示可經由改變顆粒大小而微調UV邊緣。在此情 況，顆粒大小係經由改變陶瓷化條件，明確言之為晶體成 長步驟中之最大溫度/保溫時間而設定。 圖5顯示範例具體例A 3於經Η 0 K - 4燈照射1 5小時之前 (A3a)及之後（A3b)的透射曲線（350-600奈米）。 測量係於0 . 7毫米厚的試樣上進行。 範例具體例A 3係關於具有如下之與A 1相近之組成物之 含鹼LAS玻璃陶瓷的試樣： 主成分 重量％
Si〇2 67.3 A 12〇： Li2〇MgOZnO Ti〇2 Z r 0 2 21.3 3. 1 ·2. 1 · 17 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 200526533 A S 2 0 3
Na2〇 曲線顯示經照射試樣未受到任何的過度曝光。因此，根 據本發明所使用之材料極度可抵抗過度曝光。 圖6顯示比較實施例V 4於經Η 0 K - 4燈照射1 5小時之前 (V4a)及之後（V4b)的透射曲線（300-600奈米）。 測量係於0 . 2 2毫米厚的試樣上進行。
比較實施例V 4係組成物如下之玻璃（單位重量％ ):
Si〇2 N a 2 0 68.5 10.9
5.
CaO
BaO
ZnO
Ti 〇2
Ce〇2 2 . 6 曲線顯示不同於A 3之情況（參照圖5 )，在U V邊緣之區 域中發生過度曝光。此亦證明相較於根據本發明所使用之 材料對於根據本發明用途之顯著降低的適用性。 圖7再次顯示A1之透射曲線，此次係與市售的玻璃V 4， 以及Z E R 0 D U R⑧型之玻璃陶瓷（具有冷-石英固態溶液作為 晶體相之零膨脹L A S玻璃陶瓷的進一步代表）之曲線（A 4 ) 作比較。此玻璃陶瓷的不同處在於> 6 8奈米之平均微晶體 18 312/發明說明書(補件)/94·04/941001】8 200526533 大小及> 7 0體積％之晶體相比例。 測量係於0 . 2毫米厚的試樣上進行。 曲線顯示相較於使用於商業U V阻擋應用（包招 之玻璃V 4，A 1及A 4亦具有良好的透射性質，即 中之高透射及充分陡惰的UV邊緣。 圖8顯示平板背光之結構，明確言之為具有根 所使用之根據A 1之玻璃陶瓷基板的平板E E F L (外 光燈）。 於燈中） 於可見光 據本發明 部電極螢
la、lb =玻璃陶瓷基板 2 =介電層 3 a、3 b = 電極 4 = M g 0 層 5 =電漿 6 =在UV及在可見光中之光發射 7 =尤其用於轉變UV成分之磷光體 8 =障壁 9 =玻璃玻料 1 a及1 b係玻璃陶瓷基板，但亦可僅有1 a或 璃陶瓷基板，而另一基板則為玻璃基板，例如鋁 玻璃基板。良好的UV阻擋作用對於基板1 a尤其 此對此基板使用玻璃陶瓷基板為特佳。 範例具體例A 5 : 使用經結構化之輥子在大約1 0 5 d P a s之黏度一 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 1 b為玻 硼矽酸鹽 重要，因 將組成 19 200526533 物A 1之滾壓生玻璃基板（其之尺寸係配合未 寸（例如，監視器（例如1 7英吋或1 9英吋）i 1 6 : 9 T V系統））結構化，然後再陶瓷化而製4 溶液相，以致基板具有在毫米範圍内的期望 構0
使用此基板於製造平板背光。 圖9顯示將作為範例具體例6之組成物A 基板裝設於包括習知之管狀螢光燈之平板顯 均勻光分佈用之漫射板。設若適當設定晶體 此等晶體顆粒由於散射效應而可使光漫射及 的 UV-A/B/C。
元件符號： 1 =具UV-C阻擋直至254奈米 3 1 3奈米之螢光燈 2 =反射器 3 = 先傳導聚合物 來的顯示器尺 $1者大格式的 ^ /3 _石英固態 溝槽及障壁結 1之玻璃陶瓷 示器中作為供 顆粒大小，則 阻擋任何殘留 ，可能阻擋至 4 = 反射板 5 = 漫射板 6 =稜鏡板 7 =圖案 範例具體例A 7 : 在再一具體例中，範例具體例A 5及A 6之 係由以下組成物之透明玻璃陶瓷所組成： 玻璃陶瓷基板 312/發明說明書(補件)/94-04/94〗00118 20 200526533
重量％ 成分 58.5 Si〇2 2 0.3 A 1 2 0 3
4. 2 MgO 8.4 Z η 0 T i 〇2 Zr〇2 0.5 A s 2 0 3 【圖式簡單說明】 圖1說明選定的名稱。 圖2顯示範例具體例A1及比較實施例V1的 圖3顯示範例具體例A1及範例具體例A 2與兩 例V2及V3的透射曲線。 圖4顯示範例具體例A 1 a及A 1 b之透射曲線。 圖5顯示範例具體例A 3於經Η 0 K - 4燈照射15 (A 3 a )及之後（A 3 b )的透射曲線。 圖6顯示比較實施例V 4於經Η 0 K - 4燈照射1 5 (V 4 a )及之後（V 4 b )的透射曲線。 圖7顯示A 1之透射曲線與市售的玻璃V 4以及 型之玻璃陶究之曲線（A 4 )的比較。 圖8顯示平板背光之結構。 圖9顯示將作為範例具體例6之組成物A1之 基板裝設於包括習知之管狀螢光燈之平板顯示器 均句光分佈用之漫射板。 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 L射曲線。 比較實施 小時之前 小時之前 ZER0DUR® 玻璃陶瓷 中作為供 21 200526533 【主要元件符號說明】 圖 8 · la、lb 2 3a、3 b
圖 9 ·· 1 奈米之螢光燈 2 3
玻璃陶瓷基板 介電層 電極 MgO層 電漿 在UV及在可見光中之 尤其用於轉變UV成分 障壁 玻璃玻料 具UV-C阻擋直至254 反射器 光傳導聚合物 反射板 漫射板 稜鏡板 圖案 光發射 之磷光體層 米，可能阻擋至3 1 3 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118 22

Claims (1)

  1. 200526533 十、申請專利範圍： 1 . 一種利用玻璃陶瓷基板作為燈之組件的用途。 2 .如申請專利範圍第1項之用途，其中該基板係背光配 置之部分。 3 .如申請專利範圍第2項之用途，其中該基板係平板背 光之部分。 4 .如申請專利範圍第1項之用途，其中該基板係提供作 為漫射板。
    5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之用途，其中該 基板具有選自以下組成物範圍（單位重量％，以氧化物計） 之組成物： Si〇2 50-70 ' Al2〇317-27、 Li2〇>0-5、 Na2〇0-5、 K2〇0_5、 MgO 0-5、ΖηΟ 0-5、Ti〇2 0-5、Zr〇2〇-5、Ta2〇5〇-8、BaO 0 - 5、 SrO 0-5 ' P2O5 0-1 0 > Fe2〇3 0-5、Ce〇2 0-5、Bi2〇3 0-3、W〇3 0 - 3、Μ o 0 3 0 - 3、標準澄清劑 0 - 4。 6.如申請專利範圍第1至4項中任一項之用途，其中該 基板具有選自以下組成物範圍（單位重量％，以氧化物計） 之組成物： Si〇235-70、 Al2〇314-40、 MgO 0-20、 ZnO 0-15、 Ti〇2〇-10 、 Zr〇2 0-10、 Ta2CU 0-8、 BaO 0-10、 CaO 0-10、 SrO 0-5、 B 2 0 3 0-10、P2O5 0-10、Fe2〇3 0-5、Ce〇2 0-5、Bi2〇3 0-3、 W〇3 0-3、Moth 0-3、標準澄清劑 0-4 ° 7.如申請專利範圍第1至6項中任一項之用途，其中該 基板包含至少0 . 1重量％之T i 0 2，以> 1重量％之T i 0 2較佳。 23 312/發明說明書(補件)/94-04/94100118
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