TW200422408A - Non-oriented electromagnetic steel plate with excellent iron loss property and the production method thereof - Google Patents

Description

玫、發明說明： 【明戶斤屬】 發明領域 本發明係有關於-種馬達鐵芯等所用之無方向性電磁 鋼板及其製造方法，更詳而言之，係有關於_種鐵損性尤 其是弛力退火後之_性優異的無方向性電磁鋼板及其製 造方法。 【^i*J 4支 背景技術 热方向性電磁鋼板在結晶粒徑為丨5 〇 # m左 因此，從製品特性、製程簡略化及高生產 以完工退火時之結晶粒成長性較好的鋼板 眾所周知 右時鐵損最小 性的觀點來看 為佳。 另外，當使用者施行鐵芯之沖孔加工時，沖孔加工之 沖孔精度是結晶粒愈細崎佳，且結晶粒徑宜在例如卿m 以下。如此一來，鐵損特性與沖孔加工精度對結晶粒徑之 要求正好相反。 备欲滿足這樣相反要求時，特別採取的對策係直接出 貨結晶粒徑細小之製品板’使用者在施行沖孔加工後，再 施行例如約2個小時之75(rc弛力退火處理來使結晶粒成 長。近年來，使用者對低鐵損材之需求漸增，且使用者均 J望生產性提鬲，故要求縮短弛力退火時間，因此弛力退 火時之結晶粒成長性較麵製品板f求量增加。 阻礙結晶粒成長的主gj之―，就是鋼中細微分散之夹 雜物。已知製品中含有之夾雜物的個數愈多，且尺寸愈小， 則愈會阻礙結晶粒成長。 即，如齊納氏（Zener)所言，由夾雜物之球相當直徑 r與夾雜物在鋼中佔有之體積佔有率作斤表示的r/f值愈小，結 晶粒成長會惡化。因此，為了使結晶粒成長良好，當然必 須減少夹雜物之個數，而且使夾雜物尺寸粗大也極為重要。 關於無方向性電磁鋼板之夾雜物之直徑及個數的較佳 範圍，例如專利文獻丨中所揭示者，係使夾雜物直徑為〇1 m]到l[//m]及大於之夾雜物分別係在每單位截面積 5000以上1 〇5以下I；個/mm2]及5〇〇以下[個/mm2]的範圍内。 為更易理解實際情形，將這些數值換算成單位體積之 鋼中所存在夾雜物的個數，即換算成夾雜物的個數密度， 則分別疋5χ 106到1χ 1〇9[個/mm3]&5x 1〇5以下[個/瓜瓜3]的 範圍。 阻礙無方向性電磁鋼板之結晶粒成長的夾雜物已知有 二氧化石夕、氧化紹等氧化物，硫化錳等硫化物，氮化铭、 氮化鈦等氮化物。 想除去該等夾雜物時，方法很明顯是只要在熔鋼階段 施行咼純化處理即可，另外還有幾個其他方法，例如將各 種元素添加到鋼内，使夹雜物變成無害的方法等。 關於氧化物，由於技術的進步，添加充分之身為強脫 氧元素之A1，並確保充分之浮出除去氧化物的時間，就可 在熔鋼階段除去氧化物使其無害。 關於硫化物，除了在熔鋼階段施行高純化處理以外， 例如專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4等所揭示者，已矣 有添加脫硫元素REM等來固定S的方法。又，關於&彳匕物 如專利文獻5、專利文獻6等所揭示者，亦已知有添加^來固 定N成為粗大夾雜物的方法。 然而，在熔鋼階段施行高純化處理，將導致製鋼成本 上升，所以並不可行。又，前述添加元素的方法，也並不 能充分促進可在降低溫度且縮短時間之製品板之完工退火 或沖孔加工後之弛力退火等時，使結晶粒成長良好及減少 鐵損。 值得一提的係即使將夾雜物之個數密度調整在專利文 獻1所揭示之建議範圍内，但是一旦在弛力退火時降低溫度 且縮短時間，則結晶粒成長依然不會改善。 這是因為按習知建議調整的夾雜物直徑或個數密度， 如後所述，與實際上會阻礙結晶粒成長之夾雜物之組成、 直徑'個數密度不同的緣故。 專利文獻1 (日本專利公開公報特開2001-27114號） 專利文獻2 (日本專利公開公報特開昭51_62115號） 專利文獻3 (日本專利公開公報特開昭56-1〇255〇號） 專利文獻4 (日本專利公報特許1167896號） 專利文獻5 (日本專利公報特許1167896號） 專利文獻6 (日本專利公報特許12459〇1號） t發明内容]J 發明概要 本發明之目的在於提供_種可使結晶粒充分成長粗大 200422408 而減少鐵損，尤其是即使沖孔加工後之退火處理較低溫且 日寸間短，仍然可充分成長粗大而減少鐵損的無方向性電磁 鋼板。 本發明之要旨如下。 5 (1)一種鐵損性優異之無方向性電磁鋼板，其鋼板内 所含有之球相當直徑小於l〇〇nm之夾雜物的個數密度為 l〇1G[個/mm3]以下。 (2) —種鐵損性優異之無方向性電磁鋼板，其鋼板内 所含有之球相當直徑小於50nm之夾雜物的個數密度為2 5 10 X 109[個/mm3]以下。 (3) 如（1)或（2)之鐵損性優異之無方向性電磁鋼 板，其中以質量％計，含有：C : 0.01%以下；Si: 〇.1%以 上7.0%以下；A1: 0.1%以上3.0%以下；Μη: 0.1%以上2〇 % 以下；REM: 0.0003% 以上0.05% 以下；Ti: 0.02% 以下· 15 S : 0.005%以下；及N : 0.005%以下，且剩餘部分為鐵及 不可避免之不純物，並且[A1]所示之A1質量％、[N]所示之 N質量％、及[Ti]所示之Ti質量％可滿足下述（1)式： log([Ti]x [N])-1.19x log([Al]x [Ν])+1·84>0 …（1)。 (4) 如（3)之鐵損性優異之無方向性電磁鋼板，係 20 以質量％計，更含有：Ρ : 〇·1%以下；Cu : 0.5%以下；Ca 或Mg : 0.05% 以下；Cr : 20% 以下；Ni : 1.0% 以下；％及 Sb其中一種或兩種的合計：0.3%以下；Zr: 0.01%以下；v : 0.01%以下；〇 : 0.005%以下，及B : 0.005%以下之一種以 上者。 8 200422408 (5) —種鐵損性優異之無方向性電磁鋼板的製造方 法，係使鋼在1200t：以上1300°C以下之溫度範圍内經過1分 鐘以上，且該鋼以質量％計，含有：C : 0.01%以下；Si : , 0.1%以上7.0%以下；A1 : 0.1%以上3.0%以下；Μη : 0·1 5 % 以上2.0% 以下；REM : 0.0003% 以上0.05% 以下；Ti : 0.02%以下；S : 0.005%以下；及N ·· 0.005%以下，且剩餘 部分為鐵及不可避免之不純物，並且[A1]所示之A1質量％、 [N]所示之N質量％、及[Ti]所示之Ti質量％可滿足下述（1) 式： 參 10 l〇g([n]x [N])- 1·19χ log([Al]x [Ν])+1·84>0 …（1)。 (6) 如（5)之鐵損性優異之無方向性電磁鋼板的製 造方法，其中前述鋼以質量％計，更含有：Ρ : 0.1%以下；

Cu : 0.5% 以下；Ca或Mg : 0.05% 以下；Cr : 20%以下；

Ni: 1.0%以下；Sn及Sb其中一種或兩種的合計：0.3%以下； 15 Zr : 0.01% 以下；V : 0.01%以下；〇 : 0.005% 以下，及B : 0.005%以下之一種以上者。 圖式簡單說明 鲁 第1圖是顯示直徑小於100nm之爽雜物之存在密度與 退火後之結晶粒徑及鐵損值之間關係的圖表。 _ 2〇 第2圖是顯示顯示直徑小於50nm之爽雜物之存在密度 與退火後之結晶粒徑及鐵損值之間關係的圖表。 第3圖是顯示與REM硫氧化物周邊複合之TiN夾雜物的 顯微鏡照片。 第4圖是顯示由（1)式求出之指標與有無細微TiN之間 9 第5圖是顯示由（1)式求出之指標與退火後之結晶粒 捏及鐵損值之間關係的圖表。 t實施方式3 用以實施發明之最佳形態 以下，具體描述本發明。 本發明人注意到無方向性電磁鋼板之磁特性會受到鋼 极中所含有之細微夾雜物的影響，並發現用以顯示良好磁 特性或沖孔性之夾雜物之尺寸及個數密度的適當範圍。 利用以下所示之鋼來說明夾雜物之尺寸及個數密度對 罐特性造成的影響，然而，該鋼僅為一例，本發明並不限 於此。 連續鑄造成分含有C、Si、A卜Mn、REM、Ti、S及N， 且剩餘部分為鐵及不可避免之不純物的鋼，再熱軋，並對 熱軋板進行熱軋板退火，且冷軋為厚度〇.5min，再進行850 °Cx 30秒的完工退火，然後對塗布有絕緣薄膜成為製品之 製品板再施行750°Cx 1.5個小時的弛力退火。 之後，觀察弛力退火後之製品板之夾雜物密度、結晶 粒徑及鐵損。其結果顯示於表1和第1圖及第2圖。 如表1及第1圖清楚可知，退火後之結晶粒徑及鐵損與 球相當直徑（以下，對於本發明之夾雜物的球相當直徑稱 為夾雜物徑或直徑）小於100nm之夾雜物的個數密度之間有 相關關係，即，失雜物之個數密度若為1χ 1〇ι〇[個/mm3]以 下，則結晶粒成長及鐵損之特性均良好。 又，如第2圖所示，當夹雜物徑小於5〇nm之夹雜物的 個數密度為2·5χ 109[個/mm3]以下時，特性顯著良好。 另一方面，如果雖然夾雜物徑1〇〇nmW上之夾雜物的 個數密度為lx 109[個/mm3]以下，但是夾雜物徑小於1〇〇nm 5之爽雜物的個數密度大於丨>< l〇1G[個/mm3]，則特性依然不 良。 值得一提的是夹雜物徑0·1#πι(=1〇〇ηηι)以上之夾 雜物之個數密度為1Χ 1〇9[個/mm3]以下的試樣亦檢測到多 量小於lOOnm之夾雜物。由此可明白夾雜物徑小於1〇〇nm， 〇特別是夾雜物徑小於50nm之細微夾雜物正是阻礙結晶粒成 長之主因，進而也是引起鐵損增加的因素。 此外，以上是當弛力退火進行750°Cx 1.5個小時，較一 為又進行之750°Cx 2個小時之弛力退火縮短時間的結果，若 是進行與習知同程度之弛力退火，由於細微夾雜物之束缚 作用導致的結晶粒成長差異更顯著，所以當然可更清楚明 瞭以上所述之結晶粒成長性及鐵損特性的佳/不佳。 從以上敘述可知若僅參考習知建議來指定夾雜物徑 iOOnm以上之夾雜物的個數密度，未必能獲得理想製品特 性。再者，本發明亦證實可指定直徑小於1〇〇mn之夾雜物的 20 個數密度以及指定直徑小於50nm之夹雜物的個數密度，以 獲得更良好製品特性。 此外，本發明係若滿足鋼板中之失雜物之尺寸及個數 密度的範圍，就可發揮良好製品特性者，並非是特別限定 構成鋼之成分者。 11 200422408 —在此σ兄明則述觀察時實際使用的方法作為失雜物觀 祭方法之-例。從試樣製品板之表面往下研磨到適當厚度 成為鏡面，且施行後述之姓刻處理後，再採取複製試樣， f错場發射型穿《子顯微鏡去觀察轉印為複製試樣之夹 物a此日守，亦可製作薄膜來觀察，而不用複製試樣。 夾雜物之直徑及個數密度係測量並評價一定觀察面積 ^之所有夾雜物。又，夾雜物之組成係由X射線能量散佈型 分析襞置及繞射線譜解析來決定。 關於爽雜物之最小尺寸，由於夾雜物之晶格常數為數 10埃耘度，所以明顯可知不存在在此尺寸以下之夾雜物，而 因為穩定存在之夹雜物核之直徑下限值大約為5nm ，故只要 遠擇可觀察到此層級的方法（例如倍率等）即可。 敍刻方法係使用例如黑澤氏等人之方法（黑澤文夫， 田口勇，松本龍太郎：日本發明金屬學雜誌，43 ( 1979)，p. 15 1〇68)，在非水溶劑中電解腐蝕試樣，僅溶解鋼而留下夾雜 物以抽提失雜物。 藉這種方法觀察如前述之含有Ti之鋼之製品中的細微 夾雜物組成’結果證實直徑小於l〇〇nrn之夾雜物當中，主要 (就個數而言，是指佔50%以上）為TiN、TiS或TiC等Ti化 20 合物。 以下，再針對此說明。另外展開檢討，結果發現電磁 鋼中開始生成TiN、TiS及TiC之溫度分別是在1200〜1300 °C、1000〜1100°C、及700〜800°C的範圍内。即，TiN是在鑄 造扁鋼胚等之後的冷卻過程生成的，而TiS及TiC是在鑄造 12 200422408 扁鋼胚等之後的冷卻過程生成之後，在常用熱軋製程的加 熱溫度下溶化，然後藉冷卻再生成。 此時，Ti在鋼中之擴散移動速度位於各開始生成溫度 區域中是較其他金屬元素慢數分之一左右，所以相較於其 5 他夾雜物，丁丨化合物無法充分成長，Ti化合物之直徑無法達 到100nm以上，成為直徑小於i〇〇nrn或視情況而定有時成為 小於50nm之細微夾雜物。 又，由於夾雜物徑較細微者，夾雜物之個數密度必然 增加，所以如前所述，自然會更強烈阻礙結晶粒成長。然 10 而，特別會強烈阻礙電磁鋼之結晶粒成長的主要夾雜物為 直徑小於lOOnm之細微夾雜物，而本發明首開先端揭示兩件 事：一為可限定該等直徑小於1 OOnm之夾雜物之個數密度以 顯著改善結晶粒成長，進而改善鐵損特性，二為大部分該 等夾雜物徑小於lOOnm之夾雜物為TiN、TiS或TiC等Ti化合 15 物。 此外，通常，想預防製造過程當中混入微量Ti一事頗 為困難。一般製鋼過程，除電磁鋼以外，亦製造含有相當 量Ti之其他鋼種，所以不可避免地會有來自黏附在耐火物 之黏附鋼及黏附溶渣等之Ti混入電磁鋼。 2〇 又，即使是僅製造電磁鋼時，也會有來自例如調整Si 成份用之矽鐵合金的Ti混入，且也可能熔渣與熔鋼發生反 應而將熔渣内之氧化鈦還原’導至鋼中出現金屬Ti。 以往已知不可避免地混入之微量Ti會阻礙結晶粒成 長，不過，經過本發明人的觀察研究，證實容許不可避免 13 200422408 地混入之Ti ’且更積極添加Ti以控制Ti量’使Ti量在理想範 圍，就可獲得結晶粒成長性更佳之無方向性電磁鋼板。 以下，以更詳細檢討之内容來說明夾雜物對鋼成分的 影響。欲使Ti化合物中之TiS無害時，習知技術是使用REM 5 的技術，即，添加REM以固定S，使硫化物系夾雜物減少的 技術。 在此，所謂REM，係指自原子序數57之鑭到原子序數 71之錙的15個元素，再加上原子序數21之銃及原子序數39 之釔，合計共17個元素的總稱。 10 本發明人仔細檢討添加REM而產生的現象，結果發現 一最佳成分範圍，可令REM以硫氧化物或硫化物形態來固 定S，如此不僅抑制細微TiS生成，還可在REM硫氧化物或 REM硫化物上複合析出TiN而排除Ti (清除）。 即，電磁鋼中開始生成TiN及A1N之溫度接近，而因為 15 A1在量上佔壓倒性優勢，所以當開始生成A1N之溫度僅較開 始生成TiN之溫度稍高時，鋼中之N就會消耗於優先與A1結 合而生成A1N，使得相較於A1，量僅少許之Ti與N結合的機 會明顯變少。 即便如此，由於處在可生成TiN之條件下，故仍會生成 2〇 TiN。然而，因為N量不夠，故無法充分成長，並且因為失 去在REM硫氧化物或REM硫化物上成長的機會，故將生成 單獨細微之TiN。 按此’可左右細微TiN生成的要件在於TiN之生成溫度 高於A1N之生成溫度，而這是由溶度積來決定。 14 200422408 即，若以[Ti]表示Ti質量％、[N]表示N質量％、[A1]表 示A1質量％，則TiN及A1N之生成溫度分別對應[Ti]x [N]及 [Α1]χ [Ν] 〇 本發明人致力檢討，結果發現當REM量在0.0003〜0.05 5質量％之範圍内時，若成分值可滿足下述（1)式，就可由 REM硫氧化物或REM硫化物以TiN形態排除Ti (清除），且 抑制細微TiN生成。 log([Ti]x [N])-1.19x log([Al]x [Ν])+1·84>0 …（1) 藉此，可令鋼板内所含有之球相當直徑小於l〇〇nmi 10 失雜物的個數密度為lx 101()[個/mm3]以下，或令鋼板内所 含有之球相當直徑小於50nm之夾雜物的個數密度為2·5χ 1 〇 [個/mm ]以下。因此，即使在同一退火條件下，結晶粒 成長卻更好，如此遂可提供一種可縮短退火時間之無方向 I*生電磁鋼板。尤其是在弛力退火時，可降低溫度且縮短時 15間並獲得良好鐵損特性。又，若是在習知一般弛力退火件 之750°Cx 2個小時的退火處理，將可更減少鐵損。 以下，配合參照表2，具體說明本發明的效果等。 表2中之Νο·11係以質量％計，含有：c: 〇 〇〇24% ; ^ : 扣 2·1% ’ A1 · 0.32% ; Μη : 0.2% ; S : 0.0025% ; Ή : 〇 〇〇16 〇 % ; N : 0·0019% ;及REM : 0.0054% 的鋼。 又，NcU2到Νο·20係以質量％計，含有：c : 〇 〇〇24% ; Si ： 2.1% ； Μη ： 0.2% ； S ： 0.0025% ； Ρ ： 〇 〇2% . Cu ： 〇 〇ι %，且更將A卜Ti、NAREM之含有量如表2所示作各種變 更的鋼。 15 200422408 連續鑄造該等鋼，再執如 軋為厚度0.50醜，再進行8卿並進行熱軋板退火，且冷 布絕緣薄膜製成製品板。此日^X3G秒的完項火，然後塗 ㈣之範以板之結晶粒徑均在30〜33 接著’對该寺製品板施行 個小時的弛力退火。4 施行時間短之75° 性。結果顯示於表2和第3圖及二圖研究其結晶粒徑及磁特 ίο

如ΝΟ.Π到N〇.14所示，當製品成分值適當，爽雜物量 在本發明範_時，施糾力退火後結晶粒可成長到結晶 粒控成為67〜71Mm’且磁特性（鐵損：π·)良好 2.7[W/kg]以下。

藉前述方法觀察該等製品中之夾雜物之直徑、個數密 度、及組成，結果發現No.ll中存在有〇 6χ 1〇1〇[個/mm3]之 直徑小於lOOnm的MnS，No.12到No.14中存在有〇·3〜〇 5x 15 1〇1G[個/mm3]之直徑小於l〇〇nm的CuJ，夾雜物之個數密度 均為lx 101G[個/mm3]以下。又，製品中還存在有直徑為 0·2[// m]〜2·0[// m]之REM硫氧化物及REM硫化物。 弟3圖顯不REM硫氧化物之一例。如弟3圖所示，含有 REM之夾雜物周邊變得粗大，可複合析出TiN。 2〇 如此可確認鋼中之REM可形成硫氧化物或REM硫化物 以固定S，藉此防止或抑制細微硫化物生成，且REM硫氧化 物或REM硫化物上更可複合析出直徑超過數十nm之TiN而 排除Ti (清除），藉此防止含有細微Ti之夹雜物生成。 Νο·15，儘管REM量在0_〇〇〇3〜0·05質量％之範圍内，但 16 200422408 是Ti量超過0.02質量％，且該製品板中存在有2·5χ 1〇10[個 /mm3]之直徑小於lOOnm之TiS，因此阻礙結晶粒成長，施行 弛力退火後之結晶粒徑只有35[//m]，且W15/50值不佳，為 3.06[W/kg]。

5 此時，直徑超過lOOnm之夾雜物中，觀察到附帶著TiN 之REM硫氧化物及REM硫化物，所以如前述可發現清除Ti 之效果，但是卻因為Ti過多，故無法藉REM硫氧化物及REM 硫化物來完全排除（清除），鋼中仍殘留Ti。推測會因為該 鋼中之Ti，使得經歷熱軋步驟後續之步驟的溫度時，將產 修 10 生相當量之TiC。因此，Ti量之上限宜為0.02質量％。 Νο.16、Νο·17、及Νο·18，雖然REM量在0.0003〜0.05 質量％之範圍内，且Ti量在〇·〇2質量％以下，但是成分值超 出前述評價式（1)所規定之範圍，所以該等製品板中觀察 到直徑超過lOOnm之夾雜物的A1N。 15 又，存在有1.6〜1·8χ 1〇10[個/mm3]之直徑小於lOOnm之

TiN。因此，施行弛力退火後之結晶粒徑為38〜41 [// m]， W15/50值不佳，為2.76〜2.83[W/kg]。 _ 接著，第4圖顯示（1)式左邊之值與有無夾雜物徑小 於lOOnm之細微TiN之間關係。由第4圖可知，滿足（1)式 · 20 時，可減少細微TiN。 又，第5圖顯示（1)式左邊之值與退火後之結晶粒徑 及鐵損值之間關係。由第5圖可知，滿足（1 )式時，結晶 粒徑成長性佳且鐵損值良好。 在此，值得一提的是如N〇」7及No·18所示’有時當Ti 17 200422408 量少時，反而生成細微TiN。此正如由（1)式亦可得知， 係由於當Ti量過少時，A1N之生成就較優先之故。 如果依習知建議，宜極力減少Ti量，故不論多費力也 必須去防止Ti混入鋼中，但是，若依本發明，就不必費盡 5 心力去減少丁丨，而宜視情況積極添加Ti，使鋼中之Ti量較不 可避免地混入之Ti量還高。由於藉此，TiN可複合生成於 REM硫氧化物上或rem硫化物上，而從鋼中排除（清除）， 所以在經歷熱軋步驟後續之步驟的熱時，就不會發生TiN再 溶解且再析出單獨細微之TiN的情形。因此，不但增加熱軋 10步驟行程的設定自由度，並且還可獲得良好製品特性。即， 本發明與習知技術間關鍵性之差異點在於為獲得結晶粒成 長性佳且鐵損性優異之電磁鋼板，本發明係在上述之^量 最佳範圍内放寬限制或進行Ti量控制。 此外，開始生成TiN之溫度確實高於開始生成A1N之溫 15度的條件，可更穩定地抑制細微TiN生成。又，前述開始生 成TiN及A1N之溫度之差，以約1〇它以上為佳。 本發明人同時發現用以達成此溫度差之條件是只要使 Ti、N、及A1之各含有量滿足下述（2)式即可。 log([Ti]X [N])—1·19χ l〇g([Al]x [Ν])+1·70>〇 …⑵ 20 其中[Ti]表示Ti質量％、[Ν]表示Ν質量％、[Α1]表示A1 質量％。 又，若開始生成TiN及A1N之溫度之差在約15。〇以上， 則開始生成TiN之&度就更確實南於開始生成ain之溫 度’可更穩定地抑制細微TiN生成，所以更佳。 18 200422408

Ti 本發明人同時發現用以達成此溫度差之條件^ 口要使 N、及A1之各含有量滿足下述（3)式即可。 l〇g(rn]X [N])-U9x l〇g([Al]x _+ι·58>〇 ···⑴ 5 其中[Ti]表示Ti質量％、[N]表示N質量％、[Μ]表示μ 質量％。 、不 更進一步，若開始生成TiN及A1N之溫度之差在約⑼它 以上，則開始生成TiN之溫度就又更確實高於開始生成ain 之溫度，可更穩定地抑制細微TiN生成，所以又更佳。 本發明人同時發現用以達成此溫度差之條件是只要使 10 Ti、N、及A1之各含有量滿足下述（4)式即可。 log(|Ti]x [N])-U9x log([Al]x [N])+1.49>0 ... (4) 其中[Ti]表示Ti質量％、[N]表示N質量％、[A1]表示A1 質量％。 本發明人同時發現最佳的是只要使Ti、N、及八丨之各含 15 有量滿足下述（5)式即可。 log(|Ti]x [N])-1.19x log([Al]x [N])+1.35>0 ··. (5) 其中[Ti]表示Ti質量％、[n]表示N質量％、[Ai]表示A1 質量％。 又，Νο·19完全未添加REM，另，No 2〇2REM量為 20 0·0002質量％，兩者均未達到0.0003質量％。藉前述方法觀 察該等製品板中之夾雜物，結果發現存在有2·3〜2·9χ 1010[個/mm3]之細微TiS。因此，可知此時以Rem固定8的效 果未達充分。 該等製品板施行退火後之結晶粒徑只有33〜36[# m]， 19 200422408 結晶粒沒有成長，且W15/5G^佳，約3卿细左右。 此外，以上是當弛力退火較一般進行之弛力退火之時 間縮短時間的結果，若是進行與習知同程度之他力退火， 由於細微夹雜物之束缚作科致的結晶粒成長差異更顯 5著，_當财更清楚_以上所叙結晶粒成長性及鐵 損特性的佳/不佳。 接下來，說明本發明限定成分組成之較佳含有量的理 由。 性卷[C]:由於C不但對磁特性有害，還會因為析出c導致磁 %。政更顯著’故以〇.01質量％為上限。下限為含有〇質量 ^，⑻]:Si是可減少鐵損之元素。如果低於下限質量 為0鐵損性將惡化。另，若欲再更減少鐵損，則更佳下限 15 % 1量％。較佳下限為〇.3質量％，更佳下限為〇7質量 再佳下限為1.0質量％。又，若超過上限7 工性明_又白^ 处加 是/.’、、員不良’故以7.0質量％為上限。另，上限之較佳值 ▽軋性良好之4.0質量％，更佳值則為3 〇質量％， 值則為2.5質量％。 土 20限〇 [Γ!_:Α咬與Si_樣地可減少鐵損之元素。如果小於下 就3找’鐵損性將惡化，若大於上限3·0質量％，成本 ，、者上升。就鐵損性觀點而言，A1之下限宜為〇·2質量 ^較佳為0·3質量％，更佳為0.6質量％。 拼[Mn]:為增加鋼板硬度並改善沖孔性，Μη須添加 〇以上。另，基於經濟性理由，上限設為2·〇質量％ 20 [S] : S會變成MnS或TiS等硫化物，使結晶粒成長性、 载損性惡化。本發明雖可使其成為REM炎雜物而排除之（清 除）’不過還是令其實用上之上限為0 005質量％，較佳為 0·〇〇3質量％。下限為含有〇質量％。 [N] : Ν會變成Α1Ν或TiN等氮化物，使鐵損性惡化。本 發明雖可使其成為複合於REM夾雜物之TiN而排除之（清 除）’不過還是令其實用上之上限為0·005質量％。另，基 於蝻述理由，則上限宜為〇 003質量％，較佳為〇 〇〇25質量 % ’更佳為0.002質量％。 10 又，雖然基於前述理由，Ν宜儘可能減少，不過若想要 卜苇接近〇質量％，工業上的限制極大，所以下限須大於〇 質量％。另，實用上之下限以0.001質量％為標準，如果能 降到0.0005質量％，可更減少氮化物，若可降到〇 〇〇〇1質量 %，又更佳。 [Τι] · Τι會生成TiN或TiS等之細微夾雜物，使結晶粒成 長性、鐵損性惡化。本發明雖可使其成為複合於REM夾雜 物之TiN而排除之（清除），不過還是令其實用上之上限為 〇·〇2質量％。另，基於前述理由，較佳上限為〇 〇ι質量％， 更佳為0.005質量％。 20 此外，如前所述，下限須大於〇質量％。不過，Ti量若 過少，就無法發揮複合於REM夾雜物之清除致果。扪量若 超過瞧2質量％，可發揮複合於刪爽雜物之清=效 果’較佳，若更超過〇.〇〇15質量％，可強化清除效果，較 佳，若是0.002質量％以上，更佳，若是〇〇〇25質量％以上， 21 200422408 又更佳。 [REM] : REM可形成硫氧化物或REM硫化物以固定s， 藉此防止或抑制細微硫化物生成。又，還可成為TiN之複合 生成部位，並發揮丁丨清除效果。若小於下限值〇〇〇〇3質量 5 %，前述效果就不充分，又，若超過上限值〇·〇5質量％， 含REM夾雜物將阻礙結晶粒成長，故以〇⑽们質量％以上 〇·〇5質量％以下為適當範圍。 又，屬於REM之元素，不論僅使用丨種或組合使用2種 以上之元素，如果在本發明範圍内，均可發揮前述效果。 10 另，固定S之效果與REM量成正比，所以REM之下限 值宜為0.001質量％以上，〇〇〇2質量％以上較佳，〇 〇〇25質 量％以上更佳，0.003質量％以上又更佳。 又，如前所述，由於TiN可於REM硫氧化物或REM硫 化物上生成成長，以排除Ti(清除），所以相對於Ti量之rem 15量愈多，作為TiN生成部位之REM硫氧化物或REM硫化物 便會增加，理所當然可促進前述效果。 貫用上，相對於Ti量之REM量比例，即[REM]/[Ti]值若 大於0.25 ,就足夠所需，不過[REM]/[Ti]值若大於〇 5，可促 進前述效果，所以較佳，[REMy[Ti]值若大於1〇，更佳， 2〇 [REM]/[Ti]值若大於1·25，又更佳。 此外，只要並不嚴重妨礙本發明之鋼之效果，亦可含 有除以上所述成分以外的元素，此仍屬本發明之技術範圍。 以下，針對選擇性元素作說明。另，由於只須含有少 許即可，故該等元素之含有量下限值均為大於〇質量％。 22 200422408 [P] : P可提南材料強度且改善加工性。然而，一旦過 剩時，卻會損及冷軋性，故宜在0.1質量％以下。 [Cu] : Cu可提昇耐钱性且可提高比電阻以改善鐵損 性。然而，一旦過剩時，將使製品板表面產生鑄疤痕，損 5 及表面等級，所以宜在0.5質量％以下。 [Ca]及[Mg] · Ca及Mg為脫硫元素，可與鋼中之§發生 反應而形成硫化物以固定S。然而，Ca及Mg與REM不一樣， 其複合析出TiN之效果小。雖然若添加量愈多，可強化脫硫 效果，但是，一旦超過上限0.05質量％，過剩Ca&Mg之硫 10 化物將阻礙結晶粒成長。因此，宜在〇·5質量％以下。 [Cr] · Cr可提昇耐餘性且可提高比電阻以改善鐵損性。 然而，如果添加過剩，將導致成本變高，故以2〇質量％為 上限。 [Ni] : Ni可使有利於磁特性之集合組織發達，且改善鐵 15損性。然而，如果添加過剩，將導致成本變高，故以1〇質 量％為上限。 [Sn]及[Sb] : Sn及Sb為偏析元素。可阻礙會使磁特性惡 化（111 )之面之集合組織’且改善磁特性。不論僅使用1 種或組合使用2種，均可發揮前述效果。然而，一旦超過〇3 20 質量％，將使冷軋性惡化，故以0.3質量％為上限。 [Zr] : Zr即使微量也會阻礙結晶粒成長，且使弛力退火 後之鐵損性惡化。因此，宜儘量減少到〇〇1質量％以下 [V] · V會形成氮化物或碳化物，且阻礙磁壁移動和名士 晶粒成長。因此宜在0·01質量％以下。 23 200422408 [〇]: -旦含有超過請5質量％之〇，將會形成大量氧 化物，而該氧化物會阻礙磁壁移動和結晶粒成長。因 在0.005質量％以下。 。而該氮化 且儘量減少 [B] : Β是晶界偏析元素’且會形成氮化物 物會妨礙晶界移動，且使鐵損性惡化。因此， 到0.005質量％以下。 亦可添加除以上之外的公知元素，例如使用可改盖磁 特性元素之Bi及Ge等，只要按所需磁特性來適當選擇即°可。 接著，說明本發明較佳製造條件及其規定理由。首先 10是製鋼階段，在轉爐及2次精煉爐等使用常用方法進行精煉 時，熔潰之氧化度，即熔渣中Fe及Μη之總質量比宜在 1.0〜3.0%的範圍内。 其理由係因為熔渣之氧化度若小於1〇%，在電磁鋼之 Si範圍内Si的影響將提高Ti之活性，所以難以有效防止來自 15熔渣之覆蓋丁丨（由於還原而出現的金屬Ti)，使鋼中非必要 之Ti量增加，又，熔渣之氧化度若大於3·〇%，熔渣供給之 乳將使溶鋼中之REM非必要地氧化而無法變成琉化物，導 致不能充分固定鋼中之S。 此外，仔細斟酌採用之爐材耐火物等以盡量排除外來 20性氧化源亦很重要。另外，為了確保有充足時間使添加REM 時不可避免地生成之REM氧化物浮出，添加REM到鑄造為 止的時間宜在10分鐘以上。藉由以上所述對策，可製造出 理想組成範圍内之鋼。 利用如前述之方法，熔製期望組成範圍内之熔鋼後， 24 1連、I鱗造法或鑄旋鑄造法來鑄造炼渣等的鎢片。 •此盼，鋼中之REM硫氧化物或REM硫化物會複合生成 Tl^’而為確保有足夠時間讓複合生成之TiN成長，進而為 獲仔本發明規定之尺寸之夾雜物的個數密度，很重要的一 占疋肩防止鑄片冷卻速度非必要地加快。 I7必/員適當调整存在於開始生成BN溫度之12⑽。c以 上13〇〇°C以下之溫度範圍的時間。在此，附帶一提，期望 、、成範圍内之鋼是從高溫狀態首度到達開始生成TiN溫度 卞開始生成TiN ’而此時如果快速通過12〇〇。〇以上13〇〇 10 c以下之溫度範圍，附帶生成於含有REM之夾雜物上的TiN 就热法充分成長，導致不能完全排除Ti (清除）。然後，一 旦排除不完全（清除），Ti將變成TiS或TiC等在較TiN低溫 下生成的夾雜物，且在後續步驟之熱處理時再熔解再析出 而成為細微夹雜物。因此，必須注意最初通過前述溫度範 15圍時的溫度控制。 再者，最佳溫度模式因製造成分而各有差異，不過， 重要的是要在開始生成TiN溫度之1200°C以上1300°C以下 之範圍内經過至少1分鐘以上，較佳之5分鐘以上，更佳之 20分鐘以上的時間。鋼溫度測量方法，可應用放射溫度計 20 測量和傳熱計算之計算解析。 前述表2，No.ll及No.12在1200°C以上130(TC以下之溫 度範圍内經過大於等於1分鐘小於20分鐘的時間，而No.13 及Νο·14更是經過數倍時間，盡量調節溫度模式成為緩冷 卻，遂可看到其弛力退火後之結晶粒徑及鐵損值更為改善。 25 200422408 此時，另行觀察直徑較100nm更細微之直徑小於5〇nm 之夾雜物，發現Νο·13及Νο·14製品中所含直徑小於50nm之 夾雜物的個數密度分別是2·1χ 109[個/mm3]及2·3χ 1〇9[個 /mm3]，兩者均為2·5χ 109[個/mm3]以下。 5 即，證實若延長存在於1200X：以上1300°C以下之溫度 範圍的時間，前述排除（清除）Ti之效果就更顯著而使小 於50nm之細微夾雜物的個數密度降低，所以製品特性提昇。 另’前述存在於1200°C以上1300°C以下之溫度範圍的 時間僅為一例，並不限於此。 10 用以調整存在於1200°C以上1300°c以下之範圍之時間 的方法，視鑄造設備而異，當然可使用用以保溫鑄片的設 備，而沒有保溫設備，亦可藉調整冷卻水流速，或者調整 鑄造尺寸或鑄造速度來達成。 然後，再施行熱軋，並視需要進行熱軋板退火，且藉i 15次或其間附帶中間退火之2次以上之冷軋處理完成製品厚 度，接著施行完工退火，再塗布絕緣薄膜。藉以上方法， 可將製品中之夾雜物控制在本發明範圍内。 (實施例） 將以質量％計，含有：c : 0.0024% ; Si : 2·1% ; Mn : 2〇 〇·2% ;及8 ·· 0·0025%並且還含有表2所示成分之鋼，以及， 更含有：Ρ : 0.02%及Cn : 〇·〇ΐ%之鋼炫解精煉，且連續鑄 造扁鋼胚，此時將扁鋼胚溫度從13〇〇χ：降到i2〇〇<t之時間 調整為3分鐘，之後，再經過熱軋、熱軋板退火、冷乾而製 成板厚0.5mm之冷軋板。 26 200422408 接下來，施行850tx 30秒的完工退火，且塗布絕緣薄 膳製成製品板，然後進一步又施行750°Cx 1.5個小時的弛力 退火後，觀察製品板中之夾雜物、結晶粒徑，及利用 愛普斯坦法（Epstein)觀察磁特性。觀察夾雜物之要領如 5前所述。觀察結晶粒徑，則是將板厚截面研磨成鏡面，且 施行硝酸液蝕刻以露出結晶粒並測量平均結晶粒徑。 由前述表2可知，依據本發明製造之製品板，其結晶粒 成長及鐵損值可獲得良好結果。另一方面，本發明範圍外 之製品板，其結晶粒成長及鐵損值的結果甚差。 泰 10 產業上可利用性 依本發明’係將無方向性電磁鋼板中含有之細微夾雜 物之尺寸及個數密度控制在適當範圍内，俾即使是施行簡 易退火仍可獲得充分良好磁特性。尤其係即使是施行簡易 弛力退火仍可獲得充分良好磁特性，不但可滿足使用者需 15求，還有助於減少能源消耗量。 27 200422408 σ> cn CO ro mmU, 0.50 0.62 0.75 1 0.S6 1 0.97 ίο bi 〇v f斧 昼參 f m i誶 k—1- 0.20 ο ίο 0.28 0 by o at co 0.75 mV 〇 K $1 Ϊ ~ 气輾 ο Μ ο at CD 0.62 0.88 g 〇> i 03 CO 直徑小於lOOnm之密麾(b) !>1〇1〇個/啲5] 0.19 0Ό3 p CO 0.08 p O o to 〇 1# •5Γ賒 3 § |1 m -.Mk. Oi 〇> σ> pt m CO ui 退火後 #結晶粒桎 I//m] 2.60 rsy by PO 2.70 2*69 qo ro CO σ> 退火後 mm w 15/50 tw/kg) ◎ ◎ o Q 〇 >c X Γ 1 28 200422408 29 200422408 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示直徑小於l〇〇nm之夾雜物之存在密度與 退火後之結晶粒徑及鐵損值之間關係的圖表。 第2圖是顯示顯示直徑小於50nm之夾雜物之存在密度 5 與退火後之結晶粒徑及鐵損值之間關係的圖表。 第3圖是顯示與REM硫氧化物周邊複合之TiN夾雜物的 顯微鏡照片。 第4圖是顯示由（1)式求出之指標與有無細微TiN之間 關係的圖表。 10 第5圖是顯示由（1)式求出之指標與退火後之結晶粒 徑及鐵損值之間關係的圖表。 【圖式之主要元件代表符號表】

Claims (1)

1. 200422408 拾、申請專利範圍·· 1.二種鐵損性優異之無方向性電磁鋼板，其鋼板内所 3有之球相畲直徑小於100nm之夹雜物的個數密度 為 lx 1010[個/mrn3]以下。 5 2. 一種鐵損性優異之無方向性電磁鋼板，其鋼板内所 含有之球相當直徑小於50nm之夹雜物的個數密度 為 2·5χ 1〇9[個/mm3]以下。 3·如申請專利範圍第丨項之鐵損性優異之無方向性電 磁鋼板，其中以質量％計，含有·· c ·· 〇 〇1%以下； 10 Μ:0·1% 以上 7.0%以下；Al :0.1 %以上 3·0% 以下； Μη : 0.1% 以上 2·〇% 以下；rEM : 0·0003% 以上 〇 〇5 % 以下，Ti ·· 0.02% 以下；S : 0.005% 以下；及 ν : 0.005%以下，且剩餘部分為鐵及不可避免之不純 物，並且[A1]所示之A1質量％、[N]所示之N質量 15 %、及[Ti]所示之Ti質量％可滿足下述（1 )式： 1〇g([Ti]x [N]) — 1·19χ log([Al]x [Ν]) + 1·84>0 …（1)。 4·如申請專利範圍第2項之鐵損性優異之無方向性電 磁鋼板，其中以質量％計，含有：C : 0.01%以下； Si :0.1%以上7.0%以下；Α1: 0.1 %以上3.0%以下； 20 Μη: 0.1% 以上 2.0% 以下；REM: 0.0003% 以上 0.05 % 以下；Ti : 0.02% 以下；S : 0.005% 以下；及 Ν : 0.005%以下，且剩餘部分為鐵及不可避免之不純 物，並且[A1]所示之A1質量％、[N]所示之N質量 %、及[Ti]所示之Ti質量％可滿足下述（1)式： 31 l〇g([Ti]x [Ν])—1·19χ log([Al]x [Ν])+1·84>0 ··· d)。 5·如申請專利範圍第3項之鐵損性優異之無方向性電 磁鋼板，係以質量％計，更含有：p : 〇· 1 %以下； Cu : 0.5% 以下；Ca 或 Mg : 0.05% 以下；Cr : 20% 以下；Ni : 1.0%以下；Sn及Sb其中一種或兩種的 合計：0.3%以下；Zf: 0.01%以下；V: 0.01%以下； 〇: 0.005%以下，及B: 0.005%以下之一種以上者。 6·如申請專利範圍第4項之鐵損性優異之無方向性電 磁鋼板，係以質量％計，更含有：p : 〇 〇1%以下； Cu : 0.5% 以下；Ca 或 Mg : 0.05% 以下；Cr : 20% 以下；Ni : 1 ·〇%以下；Sn及Sb其中一種或兩種的 合計：0.3%以下；Zr : 0.01%以下；v : 〇 〇1%以下； 〇: 0.005%以下，及B : 0.005%以下之一種以上者。 7· —種鐵損性優異之無方向性電磁鋼板的製造方法， 係使鋼在1200°C以上1300°C以下之溫度範圍内經過 1分鐘以上’且該鋼以質量％計，含有：c: 0.01% 以下，Si: 0.1%以上7.0%以下；A1: 01%以上3.0 % 以下；Μη : 0.1% 以上 2.0% 以下；: 0.0003 % 以上 0.05% 以下；Ti : 0.02% 以下；s : 0.005% 以 下；及N : 0.005%以下，且剩餘部分為鐵及不玎避 免之不純物，並且[A1]所示之A1質量％、[n]所示之 N質量％、及[Ti]所示之Ti質量％可滿足下述（1) 式： l〇g([Ti]x [N]) —U9x log([Al]x [N]) + 184>〇 …⑴。 32 200422408 8.如申請專利範圍第7項之鐵損性優異之無方向性電 磁鋼板的製造方法，其中前述鋼以質量％計，更含 有：Ρ : 0.1% 以下；Cu : 0.5% 以下；Ca 或 Mg : 0.05 %以下；Cr : 20%以下；Ni : 1.0%以下；Sn及Sb 5 其中一種或兩種的合計：0.3%以下；Zr: 0.01%以 下；V : 0.01% 以下；Ο : 0.005% 以下，及 B : 0.005 %以下之一種以上者。

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