SU427427A1 - TRAVELER FOR IRON OXIDE FILMS - Google Patents
TRAVELER FOR IRON OXIDE FILMSInfo
- Publication number
- SU427427A1 SU427427A1 SU1821673A SU1821673A SU427427A1 SU 427427 A1 SU427427 A1 SU 427427A1 SU 1821673 A SU1821673 A SU 1821673A SU 1821673 A SU1821673 A SU 1821673A SU 427427 A1 SU427427 A1 SU 427427A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- iron oxide
- oxide films
- traveler
- photolithography
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к технологии изготовлени фотошаблонов на напыленных пленках окиси железа.The invention relates to the technology of making photo masks on sprayed iron oxide films.
Известно, что пленки, формируемые реактивным катодным распылением в кислороде, не .поддаютс травлению в ко,пцентр,ированных кислотах при комнатной температуре.It is well known that films formed by reactive cathode sputtering in oxygen cannot be etched in co, centrifuge, and acidified at room temperature.
Повышение температуры увеличивает испарение .кислоты и ухудшает адгезию фоторезиста , что отрицательно вли ет на качество фотолитографии.Increasing the temperature increases the evaporation of the acid and impairs the adhesion of the photoresist, which negatively affects the quality of the photolithography.
Цель изобретени состоит в разработке травител дл пленок окиси железа, который позвол.ит получить воспроизводимый р-исунок при фотолитографии.The purpose of the invention is to develop an etchant for iron oxide films, which allows it to produce reproducible p-images with photolithography.
Суш,ность изобретени состоит в том, что дл травлени ллеиок окиси железа Ре2Оз используетс концелтрированна сол на кислота с добавлением солей FeCl2 или FeS04, ускор юш,их процесс.The dryness of the invention is that for etching iron oxide iron oxide Fe2O3, concentrated hydrochloric acid with the addition of FeCl2 or FeS04 salts is used, which accelerates their process.
Приготовл етс травитель следующим образом: в концентрированную сол ную кислоту (уд. вес 1,18) добавл етс соль FeCl2 или FeS04 из расчета: НС1 85-99 вес. % и FeCb или FeSO4 1 - 15 вес.%.The etchant is prepared as follows: FeCl2 or FeS04 salt is added to concentrated hydrochloric acid (spd. Weight 1.18) based on HC1 85-99 wt. % and FeCb or FeSO4 1 - 15 wt.%.
Мен количественный состав компонентов травител , можво регулировать скорость травлени наиылезшых пленок окиси железа.Changing the quantitative composition of the components of the etchant, you can adjust the etching rate of the iron oxide oxide films.
ЧТО очень существенно при проведении фотолитографии иа пленках Fe2O3, так как скоростью Т1ра(влени о/п.редел етс точность .передачи -рисунка при фотолитографии.THAT is very important when carrying out photolithography of Fe2O3 films, since the speed is T1p (the phenomenon of o / n determines the accuracy of the transfer of the figure during photolithography.
П р и м е р. Пленка окиси л елеза толщи0PRI me R. Oxide film
НОЙ 1500-:2000 А напыл етс на обезжиренную стекл нную подложку реактивным катодным распылением в кислороде. На подложку наноситс фоторезист на центрифуге при ско0 рости вращени 1100-1200 об/мин.The NOY 1500-: 2000A is sprayed onto a defatted glass substrate with reactive cathode sputtering in oxygen. A photoresist is applied to the substrate in a centrifuge at a rotation speed of 1100-1200 rpm.
После этого подложку сушат, экспонируют и про вл ют обычиы.м способом. Травление производ т в 1%-иом растворе FeS04 в концентрированной сол ной кислоте уд. веса 1,18.After that, the substrate is dried, exposed and developed using the method. Etching is carried out in a 1% solution of FeS04 in concentrated hydrochloric acid beats. weight 1.18.
После вытравливани рельефа фотошаблона фоторезист удал ют в диоксане и тщательно промывают в дистиллированной воде.After etching the relief of the photomask, the photoresist is removed in dioxane and washed thoroughly in distilled water.
00
Предмет изобретени Subject invention
Травитель дл пленок окиси железа на основе концентрированной сол ной кислоты, отличающийс тем, что, с .целью увеличени An etchant for iron oxide films based on concentrated hydrochloric acid, characterized in that, in order to increase
5 скорости травлени и улучшени воспроизводимост:- рисунка при фотолитографии, ои содержит соли двухвалентного железа от 1 до 15 вес. %.5 etching rates and improved reproducibility: - the pattern for photolithography, Ou contains salts of ferrous iron from 1 to 15 weight. %
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1821673A SU427427A1 (en) | 1972-08-11 | 1972-08-11 | TRAVELER FOR IRON OXIDE FILMS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1821673A SU427427A1 (en) | 1972-08-11 | 1972-08-11 | TRAVELER FOR IRON OXIDE FILMS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU427427A1 true SU427427A1 (en) | 1974-05-05 |
Family
ID=20525113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1821673A SU427427A1 (en) | 1972-08-11 | 1972-08-11 | TRAVELER FOR IRON OXIDE FILMS |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU427427A1 (en) |
-
1972
- 1972-08-11 SU SU1821673A patent/SU427427A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3637384A (en) | Positive-working diazo-oxide terpolymer photoresists | |
US4885230A (en) | Burn-in gumming composition for offset printing plates | |
JPS52123172A (en) | Spin coating method | |
JPS523583A (en) | Crystal film forming process | |
SU427427A1 (en) | TRAVELER FOR IRON OXIDE FILMS | |
ATE3088T1 (en) | PROCESS FOR MANUFACTURING PLANTFORMS. | |
SU424333A1 (en) | Method of etching chrome films | |
JPS59152407A (en) | Manufacture of multilayered interference film filter | |
JPS55154737A (en) | Method of forming pattern | |
SU122380A1 (en) | The method of etching the surface of chromium or chromium film deposited on a resistant substrate, such as glass, quartz, etc. | |
JPS5638458A (en) | Formation of resist pattern | |
JPS6074624A (en) | Formation of resist film | |
JPS5735860A (en) | Preparation of photomask | |
US1751909A (en) | Photographic resist and process of photographic etching | |
JPS63297204A (en) | Fine processing | |
JPS57209851A (en) | Composition for forming metal oxide film, and method for forming metal oxide film | |
JPS60191245A (en) | Resist film material and formation of resist pattern | |
JPS5756931A (en) | Manufacture of thin film element | |
SU703513A1 (en) | Method of producing phase randomizing masks | |
SU46142A1 (en) | The method of making fine scales | |
SU98302A1 (en) | A method of manufacturing cylindrical printing forms of intaglio printing and a device for its implementation | |
JPS5591127A (en) | Etching method | |
SU544626A1 (en) | Film-forming composition | |
SU509530A1 (en) | The method of obtaining complex iodides | |
SU163072A1 (en) |