SU1345258A1 - Усилитель считывани на КМДП-транзисторах - Google Patents

Усилитель считывани на КМДП-транзисторах Download PDF

Info

Publication number
SU1345258A1
SU1345258A1 SU864077401A SU4077401A SU1345258A1 SU 1345258 A1 SU1345258 A1 SU 1345258A1 SU 864077401 A SU864077401 A SU 864077401A SU 4077401 A SU4077401 A SU 4077401A SU 1345258 A1 SU1345258 A1 SU 1345258A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
amplifier
transistor
drain
switching
Prior art date
Application number
SU864077401A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Игоревич Белоусов
Николай Геннадьевич Григорьев
Original Assignee
Московский Инженерно-Физический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Инженерно-Физический Институт filed Critical Московский Инженерно-Физический Институт
Priority to SU864077401A priority Critical patent/SU1345258A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1345258A1 publication Critical patent/SU1345258A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть применено в запоминающих устройствах, выполненных из КМДП-транзисторов, ДЛИ усилени  сигналов считываемой информации. Целью изобретени   вл етс  повышение надежности усилител . Усилитель считывани  содержит управл ющий транзистор 1, переключающие транзисторы 2 и 3 п-типа, установочный транзистор 4 и нагрузочные тран- . зисторы 5, 6 р-типа, шину 10 питани  и шину 11 нулевого потенциала. В режиме считывани  на вход 12 управлени  режимом работы усилител  подаетс  напр жение логического нул , а на входы 7 и 8 - напр жени , соответствующие считываемой информации. При этом закрываетс  транзистор 1 и открываетс  транзистор 4, в результате чего, усилитель работает с максимальным коэффициентой усилени . Надежность повьшаётс  также за счет того, что усилитель некритичен к разбросу значений пороговых напр жений и крутизны примен емых в нем транзисторов. 1 ил. 10 4 flirt д 1г -о 00 СП to 01 00 1 i

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах, выполненных из КМДП-транзисторов, дл  усилени  сигнала считываемой информации .
Цель изобретени  - повышение надежности усилител .
На чертеже пр иведена принципиальна  схема предложенного усилител  считывани .
Усилитель считывани  содержит управл ющий транзистор 1, первый 2 и второй 3 переключающие транзисторы п-типа, установочный транзистор 4, первый 5 и второй 6 нагрузочные транзисторы р-типа. На чертеже обозначен первый 7 и второй 8 информационные
25
входы, шина 10 питани , шина 11 нуле- 2о вход шунтируетс  с выходом через открытый транзистор 4, то этот инвертор не усиливает сигнал, - его назначение заключаетс  в установке в активное состо ние инвертора на транзисторах 3 и 6 и передаче сигнала, поступающего на вход 7, на вход инвертора на транзисторах 3 и 6.
Условие (1), необходимое дл  поддержани  режима работы усилител  в .рабочей, точке с максимальным коэффи- цнентом усилени , выполн етс  с большим запасом, при этом предложенный усилитель не критичен к разбросу значений пороговых напр жений и крутизны примен емых в нем транзисторов, поэтому он обладает повьшенной надежностью .
вого потенциала и вход 12 управлени  режимом работы усилител .
Усилитель считывани  работает следующим образом.
В статическом режиме на входе 12 поддерживаетс  напр жение, соответствующее логической единице. При этом на входах 7 и 8 могут поддерживатьс  любые напр жени  в пределах от уровн  логического нул  до логической единицы . В результате оказываютс  открытыми транзисторы 1, 5 и 6, благодар  чему на выходе 9 поддерживаетс  напр жение логической единицы. На стоках транзисторов 2, 3 и транзисторов 5 и 6 поддерживаетс  также напр жение логической единицы. Сквозное протекание тока и потребление мощности отсутствуют.
в режиме считывани  информации, на вход 12 подаетс  напр жение логического нул , а на входы 7 и В - напр жени , соответствующие считываемой информации. При этом закрываетс  транзистор 1 и открываетс  транзистор 4, благодар  чему усилитель оказываетс  в активном состо нии с мак- симальньш коэффициентом усилени . .Действительно, транзисторы 2 и 5 образуют инвертор, в котором благодар  открытому транзистору 4 напр жение на входе (вход образован объединенными затворами транзисторов 2 и 5) равно напр жению на выходе (выход образован объединенными стоками транзисторов 2 и 5). В такой рабочей точке инвертор обладает максимальным коэффициентом усилени  независимо от соотношени  между по30
35
40
45
50
55

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Усилитель считывани  на КМДП-тран- зисторах, содержащий первый, второй переключающие и управл ющий транзисторы п-типа, первый, второй нагрузочные и установочный транзисторы р-типа, причем затворы управл ющего и установочного транзисторов объединены и  вл ютс  входом управлени  режимом работы усилител , исток управл ющего транзистора соединен с шиной нулевого потенциала усилител , истоки нагрузочных транзисторов подключены к шине питани  усилител , сток первого переключающего транзистора соединен со стоком первого нагрузочного транзистора, затвор которого подключен к затвору второго нагрузочного транзистора, сток которого и сток второго переключающего транроговымт напр жени ми транзисторов п- и р-типов, необходимо лишь выполнение услови 
    и Пер п где Е
    + и
    ПОрр
    F
    (1)
    порп
    ПОрр
    5
    -напр жени  между истоками п- и р-канальных транзисторов;
    -пороговые напр жени  транзисторов п- и р-типов соответственно.
    В та.кой же рабочей точке оказываетс  и инвертор, образованный транзисторами 3 и 6, поскольку его вход объединен с входом инвертора на транзисторах 2 и 5. Однако, поскольку в инверторе на транзисторах 2 и 5
    Формула изобретени 
    Усилитель считывани  на КМДП-тран- зисторах, содержащий первый, второй переключающие и управл ющий транзисторы п-типа, первый, второй нагрузочные и установочный транзисторы р-типа, причем затворы управл ющего и установочного транзисторов объединены и  вл ютс  входом управлени  режимом работы усилител , исток управл ющего транзистора соединен с шиной нулевого потенциала усилител , истоки нагрузочных транзисторов подключены к шине питани  усилител , сток первого переключающего транзистора соединен со стоком первого нагрузочного транзистора, затвор которого подключен к затвору второго нагрузочного транзистора, сток которого и сток второго переключающего тран3 1345258
    зистора объединены и  вл етс  выхо-ком управл ющего транзистора и истоком дом усилител , отличающий-установочного транзистора, сток кото- с   тем, что, с целью повышени рого подключен к стоку первого перенадежности усилител , затворы нагру- ключающего транзистора, истоки пере- зочных транзисторов соединены с затво-ключающих транзисторов  вл ютс  ин- рами переключающих транзисторов, сто-формадионными входами усилител .
SU864077401A 1986-06-13 1986-06-13 Усилитель считывани на КМДП-транзисторах SU1345258A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864077401A SU1345258A1 (ru) 1986-06-13 1986-06-13 Усилитель считывани на КМДП-транзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864077401A SU1345258A1 (ru) 1986-06-13 1986-06-13 Усилитель считывани на КМДП-транзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1345258A1 true SU1345258A1 (ru) 1987-10-15

Family

ID=21241357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864077401A SU1345258A1 (ru) 1986-06-13 1986-06-13 Усилитель считывани на КМДП-транзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1345258A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1980, vol. 15, № 5, P.859, fig 7. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1984, vol.. 19, №-5, P. 554, fig 6. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0817385B1 (en) Voltage-level shifter
US4563601A (en) Level conversion input circuit
KR100324940B1 (ko) Mos논리회로및그mos논리회로를포함하는반도체장치
KR950007462B1 (ko) 멀티모드 입력회로
JPH02161692A (ja) バイト―ワイドメモリのデータ出力バッファ回路
US4740718A (en) Bi-CMOS logic circuit
US20040125661A1 (en) Temperature-compensated output buffer circuit
SU1345258A1 (ru) Усилитель считывани на КМДП-транзисторах
US5416368A (en) Level conversion output circuit with reduced power consumption
JPH0261821B2 (ru)
JPS60170320A (ja) Cmos出力駆動回路
JPH0680993B2 (ja) 差動増幅回路
US5399924A (en) Low current optional inverter
JPH0685497B2 (ja) 半導体集積回路
JPH0543212B2 (ru)
JP3052371B2 (ja) 入力バッファ回路
US6140844A (en) Amplifier
JPH0567950A (ja) コンパレータ
JP2646771B2 (ja) 半導体集積回路
JP3055505B2 (ja) レベル変換回路
GB2301213A (en) Dynamic level converter for a semiconductor memory device
US5703517A (en) Power reduction in a temperature compensating transistor circuit
JPH0353715A (ja) 出力バッファ回路
JPH0555905A (ja) Cmos論理ゲート
KR0147469B1 (ko) 출력 노이즈 감소회로