SE429802B - Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid - Google Patents

Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid

Info

Publication number
SE429802B
SE429802B SE7901535A SE7901535A SE429802B SE 429802 B SE429802 B SE 429802B SE 7901535 A SE7901535 A SE 7901535A SE 7901535 A SE7901535 A SE 7901535A SE 429802 B SE429802 B SE 429802B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
ring
cylindrical
parts
portions
semiconductor device
Prior art date
Application number
SE7901535A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7901535L (sv
Inventor
G Eriksson
A Nilarp
Original Assignee
Asea Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asea Ab filed Critical Asea Ab
Priority to SE7901535A priority Critical patent/SE429802B/sv
Priority to US06/121,155 priority patent/US4370671A/en
Priority to BR8000967A priority patent/BR8000967A/pt
Priority to JP1893880A priority patent/JPS55113354A/ja
Priority to DE19803006023 priority patent/DE3006023A1/de
Priority to CA000346045A priority patent/CA1149084A/en
Priority to GB8005777A priority patent/GB2046992B/en
Publication of SE7901535L publication Critical patent/SE7901535L/sv
Publication of SE429802B publication Critical patent/SE429802B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/926—Elongated lead extending axially through another elongated lead

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

a 10 15 20 25 30 35 7901535-0 2 delar i dosan. Trots att faekmän är medvetna om dessa nackdelar har man pâ grund av den tillförlitliga inneslutningen, som uppnås, fortsatt att använda dosor av dessa. material och inte övergått till att använda slqvddshöljen i vilka delar av plast ingår, trots att mâng. utföranden av sådana skydds- höljen föreslagits.
Enligt ett sådant föreslaget utförande inneslutes halvledarsystemet mellan två. cylindriska anslutningskroppar, vardera anliggande med en ändyta. mot en sida pâ halvledarsystemet, medelst en 'krympslaug av polymematerial, som 1 oki-mp: :instans :om över ae bada cynnansn msiutningsnoppsrna och därefter uppvärmes till en temperatur som är erforderlig för att slangen skall krympa och anligga. mot anslutningskropparna. Den inneslutning som kan åstad- kommas med en lcrympslang har i praktiken visat sig vara helt otillfredsställ- ande. 'Lätning med ringar av gummi mellan metalliska eller keramiska delar har också. visat sig ge helt otillfredsställande resultat under driftsförhåll- anden; Enligt den föreliggande uppfinningen däremot har det med användning av delar av polymermaterial visat sig möjligt att åstadkomna en högvakuinntät inne- slutning, som är tillförlitlig även vid lång tids drift under mycket varie- rande temperaturbetingelser, såsom temperaturer av mellan -40°C och 170°C.
Den föreliggande uppfinningen avser en halvledarenordning, i vilken en halvledarskiva är anordnad mellan två metalliska anslutningskroppar för elektrisk ström, vilka har åtminstone i huvudsak. .oy-lindriska. delar- mot vilka en ringfomad kropp av polymermaterial anligger~oeh~tillsammans med anslutningskropparna bildar ett skyddande hölje omkring halvledarskivan, känneteoknad därav, att kroppen av- polymermaterial består av en ring av en sulfonpolymer eller av polyfenylenmilfid, -att de cylindriska delarna är för- sedda med utskjutande runt om gående och mot ringen anliggande partier eller ringen försedd med utskjutande runt om gående och mot de cylindriska delarna anliggande partier samt att ringen är förspänd på. de cylindriska delarna så. att yttrycket mellan mot varandra anliggande partier av-ringen och av de cy- lindriska delarna uppgår till minst 10 N/mm2 genom att mot de cylindriska delarna anliggande partier av ringen i obelastat tillstånd har mindre diame- ter än däremot anliggande partier av de cylindriska delarna.
Genom användning av nämnda utskjutande partier i förening med det koncentre- rade höge- y-ttrycket inträder vid användning av de specificerade polymereina en viss plastisk flytning hos materialet i ringen. Härigenom säkerställas att täta fogar åstadkommes mellan ring och cylindriska delar. 10 15 20 25 50 7901535-0 Förspäzmingen kan åstadkommas genom att ringens utvidgning vid uppvärmning respektive sammandragling vid avsvalning utnyttjas. Sedan ringen i uppvärmt tillstånd, då den har större diameter än de cylindriska. anslutningslcroppanxa, förts över dessa kïroppar, bringas den att avsvalna. Därvid åstadkommas inte bara en förspänning av ringen mot lcropparna i radiell riktning utan även en sammandragning av de cylindriska hoppar-na i axiell riktning. En sådan sammandragning är fördelaktig, om anslutningskroppazna gör kontakt med halv- ledarsystemet enbart genom tryck. Därigenom åstadkommas nämligen att halv- ledarsystemet fixeras i läge mellan anslutningslcroppazna.. Den sistnämnda fördelen uppnås inte om ringen utan uppvärmning skjutas på anslutninge- kropparna i axiell riktning, men en sådan appliceringsmetod är ändå. använd- bar eftersom den ger en tillförlitlig inneslutning.
Såsom framgår av det tidigare består ringen av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid. Som exempel på sulfonpolymerer kan nänmas polysulfon, polyetersulfon och polyfenylensulfon. Speciellt fóredrages polyetersulfon.
Polymermaterialet i ringen kan vara försett med glasfiber i en halt av 0-50, företrädesvis 5-25, procent av samenlagda vikten av polymermaterial och glasfiber. Glasfibern har lämpligen en längd av O,2-2 mm. Inblandning av glasfiber ökar ringens formstabilitet vid lângtidsdrift.
Ringen förses företrädesvis med rillor på utsidan för att öka krypsträckan.
Uppfinningar är särskilt ägnad att koma till användning i halvledaranord- ningar för stora strömstyrkor, såsom strömstyrkor av 50 ampere och däröver.
Uppfinningar; skall förklaras närmare genom 'beskrivning av ett utföringsexem- pel under hänvisning till bifogade ritning, i vilken figurerna 1 och 2 visar två. utföringsformer av en halvledaranordning enligt uppfinningen i form av en tyristor i ett snitt i halvledaranordningens strömriktning.
Anordníngen enligt figur 1 har en rund kiselskiva 10 av p-n-p-n-typ. Kisel- skivan har i sin perifera del ett överdrag 11 av silikongunnni. Mot kiselski- van anligger på undersidan en flat skål 12 av silver, i vilken en lös molyb- denplatta 13 är placerad. En anslutningslcropp 14 av koppar anligger mot molyb- denplattan 15. Mot kiselskivans översida anligger på analogt sätt en flat skål 15 av silver, i vilken en lös molybdenplatta 16 är placerad. En anslut- ningslnropp 17 av koppar anligger mot molybdenplattan 16. Silverskålen 15 och molybdenplattan 16 är försedda med hål 18 respektive 19 och anslutninga- kroppen 17 med en central urtagning 20 och ett genomgående hål 21 för en styrelektrod 22. Styrelektroden är hermetiskt tätt ingjuten i en plugg 23 10 15 20 25 50 7901535-0 4 av samma material som i den senare beskrivna ringen 24. Pluggen utvändigt försedd med rillor 25 som ger hemetisk tätning mot hålet 21, då styr- elektrod med plugg, så att den blir förspänd med ett tryck av minst 10 N/mm2, tryckas in i hålet 21. Ealvledarsystemet inneslutes hermetiskt mellan anslut- ningskropparna med en ring 24 av polyetersulfon innehållande 20 viktprocent glasfiber (t ex Victrex 420 från ICI, Elngland). Ringen, som har en minsta gods-tjocklek i radiell led av 4 mm och en innerdiameter av 24,6 mm i obelas- tat tillstånd vid rumstemperatur, är formpressad vid en temperatur av 350°C och är försedd med rillor 26 på utsidan. Azzslutningskropparna har cylind- riska delar 14a och 17a. Dessa är försedda med rillor 27 respektive 28, vilka längst ut (i radiell riktning) har en diameter av 24,8 mm. Då ringen 24 anbringas på anslutningskropparxzas cylindriska delar värmas den upp till en temperatur av omkring 125°C. Dess innerdiameter, som före uppvärmningen såsom framgår ovan är omkring 1 7: mindre än ytterdiametern på. rillorna 26 och 27, blir då. tillräckligt stor för att ringen skall kunna placeras så. att den omsluter anslutningskmppazna. Sedan ringen fått svalna blir den imder kraftig förspänning förankrad vid anslutningskropparna såsom figuren visar. Halvledarsystemet blir därvid hennetiskt inneslutet.
Anordningen enligt figur 2 skiljer sig från anordningen enligt figur 1 endast därigenom att ringen 24 är försedd med rillor 29 och 50 och att de cylindriska delarna 142. och 17a saknar rillor.
På. anslutningskropparna anordnas nomalt kyllcz-oppar. Dessa är av konventio- nellt slag och visas inte i figuren. Genom att kylkropparna hålles pressade mot varandra, hållas anslutningskropparna pressade mot halvledarsystemet och ger erforderlig kontakt mellan halvledarsystemets delar och mellan halv- ledarsystemet och anslutningskropparna.
I det fall halvledaranordningen består av en diod har den givetvis ingen styrelektrod. I det fallet finns det ingen urtagning 20 och inget hål 21 i ' anslutningslccoppen 17 och inga hål 18 repektive 19 i silverskålen 15 respek- tive molybdenplattan 16 .

Claims (2)

1. 7901535 - 0 N11 PATENTKBAV 1. Halvledaranordxxing, i vilken en halvledarskiva (10) är anordnad mellan två metalliska anslutningslcroppar (14, 17) för elektrisk ström, vilka. har åtminstone i huvudsak cylindriska delar (14a, 17a) mot vilka en ringformad kropp av polymermaterial anligger och tillsammans med anslutningslca-opparna bildar ett skyddande hölje omkring halvledarskivan (10), k ä n n e t e c k - n a d därav, att kroppen av polymermaterial består av en ring (24) av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid, att de cylindriska. delarna. är för- sedda med utskjutande runt om gående och mot ringen anliggande partier (27, 28) eller ringen invändigt är försedd med utskjutande runt om gående och, mot de cylindriska delarna anliggande partier (29, 50) samt att ringen är för- spänd på de cylindriska delarna så att yttrycket mellan mot varandra anliggande partier av ringen och de cylindriska delarna uppgår till minst 10 N/mmz genom att mot de cylindriska delarna anliggande partier av ringen i obelastat till- stånd har mindre diameter än däremot anliggande partier av de cylidriska. delarna.
2. Halvledaranordning enligt patentkrav 1 k ä. n n e t e c k - n a. a därav, m: ringen (24) är krympt på de cylindrar; delarna. (ma, wa) av anslutningskropparna (14, 17) genom vämeutvidgrzing och efterföljande avsvalning. 5, Halvledaranordning enligt något av patentkraven 1- 2 k ä n n e t e o k - n a d därav, att ringen (24) är skjuten på. de cylindriska delarna (14, 17) i axiell led. 4- Halvledaranordning enligt något av patentki-aven 1-3, k 'a'. n n e t e c k - n e. d därav, att ringen (24) består av polyetersulfon. 5. Halvledarazzordning enligt något av patentkraven 1-4, k ä. n n e t e c k - n a d därav, att ringen (24) är armerad med glasfiber.
SE7901535A 1979-02-21 1979-02-21 Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid SE429802B (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE7901535A SE429802B (sv) 1979-02-21 1979-02-21 Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid
US06/121,155 US4370671A (en) 1979-02-21 1980-02-13 Semiconductor device
BR8000967A BR8000967A (pt) 1979-02-21 1980-02-15 Dispositivo semicondutor
JP1893880A JPS55113354A (en) 1979-02-21 1980-02-18 Semiconductor device
DE19803006023 DE3006023A1 (de) 1979-02-21 1980-02-18 Halbleiteranordnung
CA000346045A CA1149084A (en) 1979-02-21 1980-02-20 Semiconductor device enclosure
GB8005777A GB2046992B (en) 1979-02-21 1980-02-20 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE7901535A SE429802B (sv) 1979-02-21 1979-02-21 Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7901535L SE7901535L (sv) 1980-08-22
SE429802B true SE429802B (sv) 1983-09-26

Family

ID=20337353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7901535A SE429802B (sv) 1979-02-21 1979-02-21 Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4370671A (sv)
JP (1) JPS55113354A (sv)
BR (1) BR8000967A (sv)
CA (1) CA1149084A (sv)
DE (1) DE3006023A1 (sv)
GB (1) GB2046992B (sv)
SE (1) SE429802B (sv)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57143849A (en) * 1981-03-02 1982-09-06 Toshiba Corp Flat semiconductor element
DE3308661A1 (de) * 1983-03-11 1984-09-20 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterelement
JPS6060172U (ja) * 1983-09-13 1985-04-26 本田技研工業株式会社 整流器付トランス装置
DE3421672A1 (de) * 1984-06-09 1985-12-12 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement
GB2162366B (en) * 1984-07-24 1987-09-30 Westinghouse Brake & Signal Semiconductor device contact arrangements
JPS62269322A (ja) * 1986-05-17 1987-11-21 Toshiba Corp 電力用半導体装置
JPH0760893B2 (ja) * 1989-11-06 1995-06-28 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN105934821B (zh) * 2014-01-21 2018-11-23 Abb瑞士股份有限公司 功率半导体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH506184A (de) * 1967-11-29 1971-04-15 Ckd Praha Halbleiterbauelement
US3772248A (en) * 1972-10-30 1973-11-13 Minnesota Mining & Mfg Polyether/polyarylsulfones
DE2630320A1 (de) * 1976-07-06 1978-01-12 Licentia Gmbh Scheibenfoermige halbleiterzelle mit einem ringfoermigen gehaeuse
US4093958A (en) * 1976-12-09 1978-06-06 Motorola, Inc. Semiconductor device assembly with improved fatigue resistance
US4278784A (en) * 1980-02-06 1981-07-14 Western Electric Company, Inc. Encapsulated electronic devices and encapsulating compositions

Also Published As

Publication number Publication date
GB2046992A (en) 1980-11-19
DE3006023A1 (de) 1980-09-04
US4370671A (en) 1983-01-25
GB2046992B (en) 1983-05-18
CA1149084A (en) 1983-06-28
BR8000967A (pt) 1980-10-29
SE7901535L (sv) 1980-08-22
JPS55113354A (en) 1980-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4099201A (en) Semiconductor rectifier assembly having an insulating material therein that evolves gases when exposed to an arc
CN1288841C (zh) 电子开关装置
SE446572B (sv) Isolator samt sett att framstella en isolator
CN104377074B (zh) 开关设备及其制造方法
SE429802B (sv) Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid
US7453681B2 (en) Metal oxide varistor with a heat protection
CN1304142A (zh) 过电压防护放电器
US4963970A (en) Vertical MOSFET device having protector
SE432496B (sv) Vermeoverforingsanordning for overspenningsavledare
US3736474A (en) Solderless semiconductor devices
EP3117455A1 (en) Semiconductor device
US20160155796A1 (en) Semiconductor Device Having a Positive Temperature Coefficient Structure
EP0194946B1 (en) Pressurized contact type double gate static induction thyristor
SE421462B (sv) Ventilavledare
DE3685748D1 (de) Formstuecke aus vernetzten fluorpolymeren und verfahren zu deren herstellung.
JP3547133B2 (ja) 熱収縮性物品
RU2262147C1 (ru) Подвесной изолятор с уплотнительной вставкой
CN85108787A (zh) 用于内燃机防护的压力补偿温度开关装置
EP1049175A1 (en) Reverse conducting thyristor, mechanical contact semiconductor device, and semiconductor substrate
KR100398818B1 (ko) 정전척을보호하기위한방법
BR9810902A (pt) Interruptor de religação automática para linhas aéreas de energia das séries de telefonia
CS208929B1 (en) Multilayer semiconductor device
KR20160143707A (ko) 게이트 링의 향상된 센터링 및 고정을 갖는 턴-오프 전력 반도체 디바이스, 및 그것을 제조하기 위한 방법
US8817445B1 (en) Voltage surge protection device and high voltage circuit breakers
CN102842621A (zh) 半导体二极管