JPS62269322A - 電力用半導体装置 - Google Patents
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、電力用半導体装置における制御１電極の圧接
構造に関し、この圧接構造は、例えば遮断電流１０００
Ａを超えるＧＴＯのような大容量の電力用半導体装置に
、適用されるものである。
構造に関し、この圧接構造は、例えば遮断電流１０００
Ａを超えるＧＴＯのような大容量の電力用半導体装置に
、適用されるものである。
（従来の技術）
近年の電力用半導体装置の大容量化にはめざましいもの
があり、例をゲート・ターンオフ・サイリスタ（ＧＴＯ
と呼ばれる）にとると、１９８０年代始めには最大遮断
電流Ｉ工。が８０ＯＡであったものが、年々１２００Ａ
、 ２０００Ａ 、 ２５００Δと上り、１９８０年
代半ばにはｌ１Ｑ２７０ＯＡのものの商品化が実現して
いる。 そして最大遮断電流Ｉ １ｃｏの増大に伴って
、ＧＴＯ素子をターンオフする際に流す逆方向のゲート
電流の最大値（Ｉ ＲＧＰ ）も年々増大し、Ｉ ｐａ
ｐ２００Ａから、５００Ａ、そして７００ Ａまでにも
なってきている。
があり、例をゲート・ターンオフ・サイリスタ（ＧＴＯ
と呼ばれる）にとると、１９８０年代始めには最大遮断
電流Ｉ工。が８０ＯＡであったものが、年々１２００Ａ
、 ２０００Ａ 、 ２５００Δと上り、１９８０年
代半ばにはｌ１Ｑ２７０ＯＡのものの商品化が実現して
いる。 そして最大遮断電流Ｉ １ｃｏの増大に伴って
、ＧＴＯ素子をターンオフする際に流す逆方向のゲート
電流の最大値（Ｉ ＲＧＰ ）も年々増大し、Ｉ ｐａ
ｐ２００Ａから、５００Ａ、そして７００ Ａまでにも
なってきている。
そのように大容量化した電力用半導体装置、すなわちパ
ワートランジスタ、サイリスタ、ＧＴＯなどにおいては
、素子の信頼性向上の目的で、ペレット上の素子制御電
極（サイリスタのゲート電極、トランジスタのベース電
極）と外部リードとの接触を、Δ１ワイヤのボンディン
グによるのではなく、圧接構造によって得るようになっ
てきている。
ワートランジスタ、サイリスタ、ＧＴＯなどにおいては
、素子の信頼性向上の目的で、ペレット上の素子制御電
極（サイリスタのゲート電極、トランジスタのベース電
極）と外部リードとの接触を、Δ１ワイヤのボンディン
グによるのではなく、圧接構造によって得るようになっ
てきている。
第７図はＧＴＯゲート電極近傍の圧接部分断面図である
。 同図において、１はＧＴＯ素子が形成されている半
導体ペレット、該ペレット１の中央部にはＡ１のゲート
電極１ａが配置され、グー１〜電極１ａの周囲にはカソ
ードエレメント１ｂが配置されている。 ２は銅製の圧
接カソードで、圧接カソード２はＭＯ製の緩衝板２ａ及
びＭＯ製フＡイル２ｂを介してカソードエレメント１ｂ
を圧接している。 ３は、圧接カソード２に対して、テ
フロンリング３ａとセラミックディスク３ｂの絶縁材で
絶縁をとった圧接ゲートである。 圧接ゲート３は、普
通、銅母材表面にＮｉメッキと数μｍ厚のＡ（Ｉメッキ
が施されており、圧接カソード２のバネ座２ｃｋ：置か
れたコイルバネ４によって附勢され、ＧＴＯのゲート電
極１ａを圧接している。
。 同図において、１はＧＴＯ素子が形成されている半
導体ペレット、該ペレット１の中央部にはＡ１のゲート
電極１ａが配置され、グー１〜電極１ａの周囲にはカソ
ードエレメント１ｂが配置されている。 ２は銅製の圧
接カソードで、圧接カソード２はＭＯ製の緩衝板２ａ及
びＭＯ製フＡイル２ｂを介してカソードエレメント１ｂ
を圧接している。 ３は、圧接カソード２に対して、テ
フロンリング３ａとセラミックディスク３ｂの絶縁材で
絶縁をとった圧接ゲートである。 圧接ゲート３は、普
通、銅母材表面にＮｉメッキと数μｍ厚のＡ（Ｉメッキ
が施されており、圧接カソード２のバネ座２ｃｋ：置か
れたコイルバネ４によって附勢され、ＧＴＯのゲート電
極１ａを圧接している。
第７図の圧接構造が採用されているＩＴＧＱ２０００Ａ
のＧＴＯでは、圧接面積５２ｍｍ２を有する圧接グー１
〜が１．５ｋ（］の加圧力でペレットのゲートＡＩ電極
に圧接され、その単位当り圧接力は、約０．０３に！１
／ｍ＋ｎ２になっている。
のＧＴＯでは、圧接面積５２ｍｍ２を有する圧接グー１
〜が１．５ｋ（］の加圧力でペレットのゲートＡＩ電極
に圧接され、その単位当り圧接力は、約０．０３に！１
／ｍ＋ｎ２になっている。
上記第７図の圧接構造によって、ワイヤボンディング接
続方法のようにボンディング部の金属疲労によると考え
られるワイヤ断切れが発生せず、半永久的なグー＋への
接触を保証することかできる。
続方法のようにボンディング部の金属疲労によると考え
られるワイヤ断切れが発生せず、半永久的なグー＋への
接触を保証することかできる。
しかしながら、上記従来の圧接構造では、逆方向のグー
１〜電流の最大値（１，、ＧＰ）が３０ＯＡを超える大
容量のＧＴＯとなると、連続運転中に接触抵抗が次第に
増大してゆき、３〜５年で素子のゲート−カソード間の
抵抗が著しく増加し、ついには圧接部分の発熱によりペ
レットグー１〜電極１ａのＡ１蒸着層が溶融し、その結
果ＧＴＯのアノード−カソード（Ａ−Ｋ＞間の耐圧が劣
化することが分った。 そのような現象は一す−イリス
タの場合のばかパワートランジスタのベース圧接構造に
おいても現れている。
１〜電流の最大値（１，、ＧＰ）が３０ＯＡを超える大
容量のＧＴＯとなると、連続運転中に接触抵抗が次第に
増大してゆき、３〜５年で素子のゲート−カソード間の
抵抗が著しく増加し、ついには圧接部分の発熱によりペ
レットグー１〜電極１ａのＡ１蒸着層が溶融し、その結
果ＧＴＯのアノード−カソード（Ａ−Ｋ＞間の耐圧が劣
化することが分った。 そのような現象は一す−イリス
タの場合のばかパワートランジスタのベース圧接構造に
おいても現れている。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、圧接構造の制御電極を有する大容量電
力用半導体装置において、長期間の連続運転で該圧接部
の接触抵抗の増大による素子破壊を防止することである
。
力用半導体装置において、長期間の連続運転で該圧接部
の接触抵抗の増大による素子破壊を防止することである
。
［発明の構成］
（問題点を解決するだめの手段）
本発明の電力用半導体装置は、圧接制御電極とペレット
のＡＩ電極間に軟質金属のシートを挟んで圧接すること
を特徴とし、好ましくは０，１４ ｂｇ／ｍｔｎ２以上
の単位面積当り圧接力となるように構成りる。 軟質金
属のシー１〜としては銀、金、白金などの導電性金属の
３０〜１５０μｍの厚さの箔が好ましい。
のＡＩ電極間に軟質金属のシートを挟んで圧接すること
を特徴とし、好ましくは０，１４ ｂｇ／ｍｔｎ２以上
の単位面積当り圧接力となるように構成りる。 軟質金
属のシー１〜としては銀、金、白金などの導電性金属の
３０〜１５０μｍの厚さの箔が好ましい。
（作用）
従来装置にお（ブる接触抵抗の増大の原因は、第５図に
みるように、制御電極３（３ＣはＮ１メッキ、３ｄは銀
メッキ）の表面加工粗さ及びペレットＡ１電極１８面の
Ａ１グレイン粗さと、単位面積当りの圧接力が０．０２
ｋｇ／１ＩＩ１２程度の比較的低い値であることのた
めに、接触部５２における接触が不十分であり、逆方向
のゲート電流１．最大値が３００Δを超える値になると
、接触部５２の電位差が０．ＩＯＶ以上の値となる。
接触部電位差が０．１０ Ｖ以上になると、接触部近傍
に付着した電解質５１を通してペレットのＡ１電極１ａ
のＡ１原子が圧接電極３側に移動しはじめ、３年〜５年
の連続運転のすえにはグー］・−カソード間の抵抗がし
ちじるしく増大することがわかった。
みるように、制御電極３（３ＣはＮ１メッキ、３ｄは銀
メッキ）の表面加工粗さ及びペレットＡ１電極１８面の
Ａ１グレイン粗さと、単位面積当りの圧接力が０．０２
ｋｇ／１ＩＩ１２程度の比較的低い値であることのた
めに、接触部５２における接触が不十分であり、逆方向
のゲート電流１．最大値が３００Δを超える値になると
、接触部５２の電位差が０．ＩＯＶ以上の値となる。
接触部電位差が０．１０ Ｖ以上になると、接触部近傍
に付着した電解質５１を通してペレットのＡ１電極１ａ
のＡ１原子が圧接電極３側に移動しはじめ、３年〜５年
の連続運転のすえにはグー］・−カソード間の抵抗がし
ちじるしく増大することがわかった。
本発明装置においては、軟質金属のシートを挟んで圧接
されるから、第６図等価回路図に示ずように、圧接ゲー
トとペレットＡ１電極間の接触抵抗Ｒ８は、０，１４
ｋａ／ｎ＋ｌｌ１２以上の圧接力の場合、０゜０５ｍΩ
と従来接触抵抗の１／１０以下となって、接触部電子電
流１８に関連して圧接グー１へ接触部の電位降下は、Ｉ
ゆ７００Ａの場合でも、ぜい「い０．０２８Ｖまでにし
かならないので、接触部電位差０．１Ｖ以−［である場
合に著しく進行する電解質におけるＡ１の移動によるイ
オン電流 ｉＬが流れることなく、その結果、３００倍
以上の耐用年数が見込めることとなる。
されるから、第６図等価回路図に示ずように、圧接ゲー
トとペレットＡ１電極間の接触抵抗Ｒ８は、０，１４
ｋａ／ｎ＋ｌｌ１２以上の圧接力の場合、０゜０５ｍΩ
と従来接触抵抗の１／１０以下となって、接触部電子電
流１８に関連して圧接グー１へ接触部の電位降下は、Ｉ
ゆ７００Ａの場合でも、ぜい「い０．０２８Ｖまでにし
かならないので、接触部電位差０．１Ｖ以−［である場
合に著しく進行する電解質におけるＡ１の移動によるイ
オン電流 ｉＬが流れることなく、その結果、３００倍
以上の耐用年数が見込めることとなる。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例の図面の符号のうち第７図の符号と同じものは特
に従来構造と変更のないものであるため、その説明を省
略する。
に従来構造と変更のないものであるため、その説明を省
略する。
第１図は、第一実施例のＧＴＯのゲート圧接部分際面図
である。 １３は銅製の圧接ゲートで、若干反りのある
ペレットに対して圧接を均一にするために中央部がくり
抜かれ、環状縁の接触部１３ａはペレットのＡ１グー１
〜電極（図示せず）に対して約５０…ｍ２の接触面積を
有している。 この環状縁の接触部１３ａを包むように
、厚さ １００μｍのアニールをしたＡ［シートのキャ
ップ状成形品１１を嵌装する。 圧接ゲート１３は、４
０ｋｏｗ 〜１１００ｋｏ （０，８ｋｏｗ／ｍｍ２〜
２ ｋｇｗ／ｍｍ２）の圧接力を保持できるような皿バ
ネ１２ａ。
である。 １３は銅製の圧接ゲートで、若干反りのある
ペレットに対して圧接を均一にするために中央部がくり
抜かれ、環状縁の接触部１３ａはペレットのＡ１グー１
〜電極（図示せず）に対して約５０…ｍ２の接触面積を
有している。 この環状縁の接触部１３ａを包むように
、厚さ １００μｍのアニールをしたＡ［シートのキャ
ップ状成形品１１を嵌装する。 圧接ゲート１３は、４
０ｋｏｗ 〜１１００ｋｏ （０，８ｋｏｗ／ｍｍ２〜
２ ｋｇｗ／ｍｍ２）の圧接力を保持できるような皿バ
ネ１２ａ。
１２ｈで圧接させている。 冊バネ１２ｂと圧接グー１
−１３との間には座金１４ａが、また冊バネ１２ａど圧
接カソード２との間には座金１４１］と１／１１が装着
されている。 そして高い圧接力に耐えられる絶縁材と
して、座金１４ｂと１４ｃの間に雲母の絶縁シート１５
が挟装され、テフロンリング３ａとともに圧接ゲート１
３と圧接カソード２間の絶縁がとられている。
−１３との間には座金１４ａが、また冊バネ１２ａど圧
接カソード２との間には座金１４１］と１／１１が装着
されている。 そして高い圧接力に耐えられる絶縁材と
して、座金１４ｂと１４ｃの間に雲母の絶縁シート１５
が挟装され、テフロンリング３ａとともに圧接ゲート１
３と圧接カソード２間の絶縁がとられている。
ｍ２図は、第一実施例ＧＴＯについて、横軸の圧接グー
１〜の単位面積当り圧接力と縦軸のゲート接触抵抗との
関係を示すグラフである。 比較のために「キャップな
し」と表示したグラフ曲線は、第一実施例の銀キャップ
を嵌装しない場合、つまり従来圧接構造と同じ構造のも
のの場合を示したものである。 第２図にみるように、
圧接力が０．０６ ｋｇｗ ／ｍｍ２より低いところで
はキャップの有無ににって接触抵抗値にほとんど差がな
いが、キャップのない場合圧接力０，０６ ｋｇｗ ／
１１１ｍ２以上にしても接触抵抗的０．０８ｍΩで一
定になりそれ以上に接触抵抗は低下しないのに対し、第
一実施例のキャップのある場合圧接ノ３０，０６ ｋｇ
ｗ ／ｍｍ２以上でなお接触抵抗が低下し、圧接力０，
１２ ｋｏｗ ／ｍｌ１１２に至って接触抵抗は約０．
０５ｍΩで一定になることがわかる。
１〜の単位面積当り圧接力と縦軸のゲート接触抵抗との
関係を示すグラフである。 比較のために「キャップな
し」と表示したグラフ曲線は、第一実施例の銀キャップ
を嵌装しない場合、つまり従来圧接構造と同じ構造のも
のの場合を示したものである。 第２図にみるように、
圧接力が０．０６ ｋｇｗ ／ｍｍ２より低いところで
はキャップの有無ににって接触抵抗値にほとんど差がな
いが、キャップのない場合圧接力０，０６ ｋｇｗ ／
１１１ｍ２以上にしても接触抵抗的０．０８ｍΩで一
定になりそれ以上に接触抵抗は低下しないのに対し、第
一実施例のキャップのある場合圧接ノ３０，０６ ｋｇ
ｗ ／ｍｍ２以上でなお接触抵抗が低下し、圧接力０，
１２ ｋｏｗ ／ｍｌ１１２に至って接触抵抗は約０．
０５ｍΩで一定になることがわかる。
接触抵抗が０．０５ｍΩであると、Ｔ１．ｌｌ、Ｐが７
００Ａであっても、その場合の接触部の電位差ｖｄは、
Ｖ ａ ＝ ７００Ａ Ｘ ０．０５１ｎΩ−０，０３
５Ｖ ｒあり、Ａ１の移動が発生し始める電位差０．１
ｖよりも充分に小さく抑えられる。 実際に、圧接力
１．３ ｋｇｗ／ｌ１ｌＩｌ１２の第一実施例のＧＴＯ
と、キャップのない圧接力０．０２ ｋｇｗ ／ｍｍ２
の従来構造のＧＴＯとを、Ｔ３０．を規格値より増やし
た加速条件下で連続運転試験を行ってみると、従来構造
のＧＴＯでは３〜５時間でペレットのＡ１電極表面にＡ
１の移動による凹凸の変型部が発生したのに対して、第
一実施例のＧＴＯでは１０００時間の連続運転後でもそ
のような変化はみられなかった。 従って市場における
耐用年数が３００倍以上となることが期待できる。
００Ａであっても、その場合の接触部の電位差ｖｄは、
Ｖ ａ ＝ ７００Ａ Ｘ ０．０５１ｎΩ−０，０３
５Ｖ ｒあり、Ａ１の移動が発生し始める電位差０．１
ｖよりも充分に小さく抑えられる。 実際に、圧接力
１．３ ｋｇｗ／ｌ１ｌＩｌ１２の第一実施例のＧＴＯ
と、キャップのない圧接力０．０２ ｋｇｗ ／ｍｍ２
の従来構造のＧＴＯとを、Ｔ３０．を規格値より増やし
た加速条件下で連続運転試験を行ってみると、従来構造
のＧＴＯでは３〜５時間でペレットのＡ１電極表面にＡ
１の移動による凹凸の変型部が発生したのに対して、第
一実施例のＧＴＯでは１０００時間の連続運転後でもそ
のような変化はみられなかった。 従って市場における
耐用年数が３００倍以上となることが期待できる。
本発明において制御１１電極の形状は、第一実施例にＪ
３ける形状のものに限られない。
３ける形状のものに限られない。
第３図は第二実施例のＧＴＯのゲート圧接部分の断面図
である。 圧接ゲート３３は全面でペレッ！〜△１電極
に圧接する形状であるとともに、圧接グー１〜の取出部
３３ａが圧接部の中心から上方に立上り、カソードボス
ト２の内部に至って横方向に取り出される形式のもので
ある。 取出部３３ａの表面には絶縁材３３ｂが施され
ている。
である。 圧接ゲート３３は全面でペレッ！〜△１電極
に圧接する形状であるとともに、圧接グー１〜の取出部
３３ａが圧接部の中心から上方に立上り、カソードボス
ト２の内部に至って横方向に取り出される形式のもので
ある。 取出部３３ａの表面には絶縁材３３ｂが施され
ている。
圧接ゲート３３の圧接面には全面に１５０μｍ厚の銀キ
ャップ３１が嵌装されている。 そして４枚のワッシｔ
３２ａ 、３２ｂ 、３２ｃ 、３２ｄが圧接ゲートを
単位面積当りの圧接力０，１４ ｋａｗ ／ｌ１ｌＩ１
１２以上の圧接力で圧接する。
ャップ３１が嵌装されている。 そして４枚のワッシｔ
３２ａ 、３２ｂ 、３２ｃ 、３２ｄが圧接ゲートを
単位面積当りの圧接力０，１４ ｋａｗ ／ｌ１ｌＩ１
１２以上の圧接力で圧接する。
第４図は小型の圧接ゲートをもつ第三実施例のＧＴＯの
ゲート圧接部分断面図である。 ブロック状の圧接ゲー
ト４３の圧接面には５０μＡ厚の銀キャップ４１が嵌装
され、２枚の冊バネ４２ａと４２ｂが、圧接ゲート４３
を単位面積当り ０．１４ｋｇｗ ／ｍｍ２以上の圧接
力で圧接する。
ゲート圧接部分断面図である。 ブロック状の圧接ゲー
ト４３の圧接面には５０μＡ厚の銀キャップ４１が嵌装
され、２枚の冊バネ４２ａと４２ｂが、圧接ゲート４３
を単位面積当り ０．１４ｋｇｗ ／ｍｍ２以上の圧接
力で圧接する。
第二及び第三実施例の場合にも加速連続運転試験で第一
実施例と同様、耐用年数の増加が期待できる。
実施例と同様、耐用年数の増加が期待できる。
［発明の効果］
本発明の電力用半導体装置によれば、制御Ｉ主電極軟金
属の箔を介して素子電極に強く圧接できるから、その接
触抵抗が小となって制御電極における大容量の電流の流
れる場合にも接触電位差を０．１ｖ以下の小さいもので
することができ、その結果素子Ａ１電極から電極金属の
移動をほとんど皆無として、長期間の運転をした後にも
接触抵抗−１０＝ の増大がなく、電力用半導体装置の寿命は格段の延長が
可能となった。
属の箔を介して素子電極に強く圧接できるから、その接
触抵抗が小となって制御電極における大容量の電流の流
れる場合にも接触電位差を０．１ｖ以下の小さいもので
することができ、その結果素子Ａ１電極から電極金属の
移動をほとんど皆無として、長期間の運転をした後にも
接触抵抗−１０＝ の増大がなく、電力用半導体装置の寿命は格段の延長が
可能となった。
第１図は本発明第一実施例のＧＴＯゲート圧接部分断面
図、第２図は本発明の効果を第一実施例について説明す
るグラフ、第３図は第二実施例のＧＴＯゲート圧接部分
断面図、第４図は第三実施例のＧＴＯゲート圧接部分断
面図、第５図は本発明の詳細な説明する図、第６図は第
５図の等価回路図、第７図は従来のＧＴＯゲート圧接部
分断面図である。 １１．３１．４１・・・銀シート、 １３．３３゜４３
・・・圧接ゲート（制御電極）、 １ａ・・・ベレツ１
〜ゲート△１電極（素子電極）、 ２・・・圧接カソー
ド、 １２ａ 、１２ｂ 、３２ａ 〜３２ｄ 。 ４２ａ、４２ｂ・・・皿バネ。 １ｌ− ｃｈｃｏｔｂ、ｒ＞ｗｃ＊ Ｃ％１ ４ｇ８ｆ：ｅ
：；６ｃ；Ｏｃ； ｃ； ｃ；Ｑ６＝； ば 第３図 第４図 図面の浄書（内容に変更なし） 第５図 第６図
図、第２図は本発明の効果を第一実施例について説明す
るグラフ、第３図は第二実施例のＧＴＯゲート圧接部分
断面図、第４図は第三実施例のＧＴＯゲート圧接部分断
面図、第５図は本発明の詳細な説明する図、第６図は第
５図の等価回路図、第７図は従来のＧＴＯゲート圧接部
分断面図である。 １１．３１．４１・・・銀シート、 １３．３３゜４３
・・・圧接ゲート（制御電極）、 １ａ・・・ベレツ１
〜ゲート△１電極（素子電極）、 ２・・・圧接カソー
ド、 １２ａ 、１２ｂ 、３２ａ 〜３２ｄ 。 ４２ａ、４２ｂ・・・皿バネ。 １ｌ− ｃｈｃｏｔｂ、ｒ＞ｗｃ＊ Ｃ％１ ４ｇ８ｆ：ｅ
：；６ｃ；Ｏｃ； ｃ； ｃ；Ｑ６＝； ば 第３図 第４図 図面の浄書（内容に変更なし） 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 制御電極が、軟金属の箔を介し、素子電極に圧接構
造で接続していることを特徴とする電力用半導体装置。 ２ 単位面積当りの圧接力が、０．１４ｋｇｗ／ｍｍ＾
２以上である特許請求の範囲第１項記載の電力用半導体
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61111808A JPS62269322A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 電力用半導体装置 |
| US07/045,468 US4882612A (en) | 1986-05-17 | 1987-05-04 | Power semiconductor device |
| DE87107084T DE3786951T2 (de) | 1986-05-17 | 1987-05-15 | Leistungshalbleiteranordnung. |
| EP19870107084 EP0246574B1 (en) | 1986-05-17 | 1987-05-15 | Power semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61111808A JPS62269322A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 電力用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269322A true JPS62269322A (ja) | 1987-11-21 |
Family
ID=14570674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61111808A Pending JPS62269322A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 電力用半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4882612A (ja) |
| EP (1) | EP0246574B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62269322A (ja) |
| DE (1) | DE3786951T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018056244A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 圧接ユニットおよび電力用半導体装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3018971B2 (ja) * | 1995-12-18 | 2000-03-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| DE19903245A1 (de) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul |
| EP1291914A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-03-12 | ABB Schweiz AG | Druckkontaktierbares Leistungshalbleitermodul |
| US20210305166A1 (en) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | Cree, Inc. | Power semiconductor package with improved performance |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194565A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1639402B2 (de) * | 1968-02-08 | 1976-12-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Steuerbares halbleiterbauelement |
| US3585454A (en) * | 1969-04-01 | 1971-06-15 | Westinghouse Electric Corp | Improved case member for a light activated semiconductor device |
| DE2014289A1 (de) * | 1970-03-25 | 1971-10-14 | Semikron Gleichrichterbau | Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE2257078A1 (de) * | 1972-11-21 | 1974-05-30 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit druckkontakt |
| DE2556469C3 (de) * | 1975-12-15 | 1978-09-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
| DE2902224A1 (de) * | 1979-01-20 | 1980-07-24 | Bbc Brown Boveri & Cie | Kontaktsystem fuer leistungs-halbleiterbauelemente |
| SE429802B (sv) * | 1979-02-21 | 1983-09-26 | Asea Ab | Halvledaranordning innefattande en tetande ringformad kropp av en sulfonpolymer eller av polyfenylensulfid |
| US4305087A (en) * | 1979-06-29 | 1981-12-08 | International Rectifier Corporation | Stud-mounted pressure assembled semiconductor device |
| JPS5633886A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | Light drive semiconductor device |
| JPS60150670A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-05-17 JP JP61111808A patent/JPS62269322A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-04 US US07/045,468 patent/US4882612A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-15 DE DE87107084T patent/DE3786951T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-15 EP EP19870107084 patent/EP0246574B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194565A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018056244A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 圧接ユニットおよび電力用半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3786951T2 (de) | 1994-01-05 |
| DE3786951D1 (de) | 1993-09-16 |
| EP0246574A2 (en) | 1987-11-25 |
| EP0246574A3 (en) | 1988-09-21 |
| US4882612A (en) | 1989-11-21 |
| EP0246574B1 (en) | 1993-08-11 |
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