SA516371645B1 - جهاز آشعة سينية - Google Patents
جهاز آشعة سينية Download PDFInfo
- Publication number
- SA516371645B1 SA516371645B1 SA516371645A SA516371645A SA516371645B1 SA 516371645 B1 SA516371645 B1 SA 516371645B1 SA 516371645 A SA516371645 A SA 516371645A SA 516371645 A SA516371645 A SA 516371645A SA 516371645 B1 SA516371645 B1 SA 516371645B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- electron
- electron emitter
- ray
- heating element
- emission
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 208000025814 Inflammatory myopathy with abundant macrophages Diseases 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 3
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010067035 Pancrelipase Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229940092125 creon Drugs 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001455273 Tetrapoda Species 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/065—Field emission, photo emission or secondary emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
- G01N23/046—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material using tomography, e.g. computed tomography [CT]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V5/00—Prospecting or detecting by the use of ionising radiation, e.g. of natural or induced radioactivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30488—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30496—Oxides
Landscapes
- X-Ray Techniques (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
تتعلق النماذج المثالية المقدمة هنا بجهاز توليد أشعة سينية x-ray generating device. يتضمن الجهاز باعث إلكترون electron emitter واحد على الأقل (22، 22-1، 22-2، 22-3) والذي له ركيزة موصلة كهربيا electrically conductive substrate (23). تتضمن الركيزة الموصلة كهربيا طلاء من بنيات بحجم النانو nanostructures (24). يتضمن الجهاز أيضا عنصر تسخين heating element (21) ملحقة بكل ركيزة موصلة كهربيا. يتضمن الجهاز أيضا مكون استقبال إلكترون electron receiving component (14) مهيأ لتلقي إلكترونات electrons منبعثة من باعث الإلكترون الواحد على الأقل. يتضمن الجهاز أيضا مبيت مفرغ evacuated enclosure (10) مهيأ لتبييت باعث الإلكترون الواحد على الأقل، عنصر التسخين ومكون استقبال الإلكترون. باعث الإلكترون الواحد على الأقل مهيأ لانبعاث شوتكي عندما يكون عنصر التسخين في حالة التشغيل وباعث الإلكترون الواحد على الأقل منحاز سلبا. شكل 2
Description
جهاز أشعة سينية AN X-RAY DEVICE الوصف الكامل
خلفية الاختراع
تتعلق النماذج المثالية المقدمة هنا بجهاز dad] سينية x-ray device مهيأة للتشغيل في وضع
انبعاث شوتكى.
يتم توليد الأشعة السينية بواسطة قصف إلكترونات الطاقة energetic electrons على سطح
معدني -metal surface في هذا الضبط؛ يكون مصدر الأشعة السينية عبارة عن جهاز يتضمن 1)
باعث إلكترون electron emitter معروف بالكاثود cathode و2) مستقبل إلكترون electron
receiver معروف بالهدف أو الأنود anode الآنود هو جهاز بث الأشعة السينية emitter نيدت
يتم تجهيز الكاثود والآنود في تهيئة معينة؛ وبتم تبييته في مبيت مفرغ vacuum housing علاوة
على ذلك؛ يمكن أن يتضمن نظام الأشعة السينية x-ray system المكونات ll) 1) مصدر 0 الأشعة السينية؛ 2) التلاعب المحوسب وجهاز التلاعب ¢handling device 3) أجهزة الكف
cdetectors و4) وحدة القدرة power unit علاوة على ذلك؛ في توليفة مع المناطق التقنية الأخرى؛
يتم العثور على تطبيقات الأشعة السينية في التصوير الطبي والفحص الأمني والاختبارات غير
التدميرية في الصناعة. وكانت تكنولوجيا الكومبيوتر بتطوير استخدام الأشعة السينية في المجتمع
المعاصر؛ Sle ماسح scanner الأشعة السينية (الطوموغراف المحوسب computed tomography (CT) 15 هذا التقدم في تكنولوجيا الكشف قد سمحت بالحل محسن للطاقة؛ الصور الرقمية ومناطق
المسح الزائدة باستمرار. مع ذلك؛ وقد كانت تكنولوجيا توليد الأشعة السينية هي نفسها حيث كانت
تمثل ميلاد أنبوب كوليدج على مدار حوالي 100 سنة سابقة؛ عندما قام كوليدج وليام بتطوير
طريقة توليد الأشعة السينية بواسطة استبدال الأنابيب المملوءة بالغاز gas-filled tubes مع أنبوب
مفرغ evacuated tube يقوم بتبييت فتيل تنجستن ساخن hot tungsten filament لاستخدام انبعاث أيوني حراري .thermionic emission
الوصف العام للاختراع
ريما تستخدم كل أنابيب الأشعة السينية xray tubes المستخدم في التصوير بالأشعة السينية
الكاثودات cathodes الساخنة من فتائل التنجستن tungsten filaments بناء على انبعاث أيوني
حراري. في العقد الماضي أو ما إلى ذلك؛ كانت هناك محاولة لاستخدام أنابيب الكربون بحجم النانو (CNTs) carbon nanotubes ككاثود بارد لتوليد الأشعة السينية بواسطة انبعاث المجال. هذا الانبعاث الالكتروني electron emission محفز بواسطة مجال كهربي Sle electric field دون تسخين. يعتقد أن أنابيب الكريون بحجم النانو تعمل كأجهزة بث إلكترونات مثالية. مع ذلك؛ لاستخدامها في مصادر الأشعة السينية؛ تبدو عملية التصنيع وظروف العمل أنها هي التي تمثل عائقا أمام الخواص المادية. لا يزال المخرج الحالي أقل من (gi we التطبيقات العملية. بالتالي؛ واحد على الأقل من أهداف النماذج المثالية المقدمة هنا هو توفير باعث إلكترون بديل؛ والذي يمكن أن يقدم وسيلة بديلة للانبعاث الالكتروني للتغلب على المادة والعيوب التشغيلية الموجودة في الكاثودات الساخنة بالإضافة إلى في الكاثود البارد بناء على أنابيب الكربون بحجم النانو؛ Allg 0 تقوم بجلب مصادر الأشضعة السينية المتفوقة. علاوة على ذلك؛ يمكن أن تقدم النماذج المثالية
المقدمة هنا جهاز أشعة سينية محمول. بالتالي؛ تتعلق النماذج المثالية المقدمة هنا بجهاز أشعة سينية التي تستخدم انبعاث هجين hybrid emission أي انبعاث مجال أو الانبعاث الالكتروني بمساعدة الحرارة. بشكل أكثر أهمية؛ تقوم النماذج المثالية المقدمة هنا باستخدام انبعاث شوتكى. يسمح استخدام الانبعاث الالكتروني بمساعدة 5 الحرارة بالتعويض في خواص الكاثودات الساخنة والباردة. سوف تتضح فائدة النماذج المثالية؛ عندما يتم عقد المقارنات بين انبعاث شوتكى؛ الانبعاث الأيوني الحراري؛ وانبعاث المجال. سوف يكون معروفا أن الكاثود البارد يمكن تسميمه بواسطة امتزاز العناصر سالبة الشحنة الكهربية electronegative elements مثل الكبريت ¢(S) Sulfur الكلور Chlorine (©) الموجودة كأنواع غازية في الأنبوب. إذا كان الامتزاز dala سوف يتوقف الكاثود عن بث إلكترونات. بالنسبة لأنبوب انبعاث مجال الأشضعة السينية؛ يمكن إعادة تجديد الكاثود البارد بواسطة إزالة الأنبوب من المبيت وخبز الأنبوب بالكامل في فرن؛ وبعد ذلك إعادة تركيب الأنبوب لرؤية أثر الخبز» وهي عملية باهظة. على Lal) الأخرى؛ بالنسبة لأنبوب انبعاث شوتكى؛ ينشاً التسخين الناتج عن درجة حرارة متوسطة عندما يقوم الكاثود بمساعدة الإلكترونات بينما في الوقت ذاته تقوم بمنع امتزاز ذرات الغاز السام poisoning gas atoms أو الجزيئات على الكاثود. في حالة حدوث التسمم؛ يمكن 5 أن يتم التوليد بواسطة تسخين الكاثود بشكل مباشر دون إزالة الأنبوب من مبيت الأنبوب tube 8. سوف يؤدي الاستهلاك الأقل للقدر إلى مصدر قدرة مضغوط compact power source
أكثر ليتم استخدامه؛ وبالتالي تسمح لجهاز الأشعة السينية بأن يصبح قابل أكثر للانتقال. علاوة على ذلك؛ يقوم استخدام وضع الانبعاث الالكتروني هذا إلى الحاجة إلى نظام تبريد cooling system أو فترات تبريد وتسخين طويلة Allg تكون شائعة بالنسبة لأنظمة قائمة على أساس فتيل
filament-based systems ساخن. وفقا للنماذج المتالية المقدمة هنا تتعلق بجهاز توليد أشعة سينية x-ray generating device يتضمن باعث إلكترون واحد على الأقل يتضمن ركيزة موصلة كهربيا .electrically conductive substrate تتضمن الركيزة الموصلة كهربيا طلاء من بنيات بحجم .nanostructures sil جهاز ZY) السينية يتضمن Load عنصر تسخين heating element ملحقة بكل ركيزة موصلة كهربيا Geld الإلكترون الواحد على الأقل. جهاز الأشعة السينية يتضمن أيضا مكون استقبال إلكترون electron
Lie receiving component 0 لتلقي إلكترونات منبعثة من باعث الإلكترون الواحد على الأقل. جهاز الأشعة السينية يتضمن أيضا مبيت مفرغ مهياً لتبييت باعث الإلكترون الواحد على الأقل عنصر التسخين ومكون استقبال الإلكترون. باعث الإلكترون الواحد على الأقل مهياً لانبعاث شوتكى عندما يكون عنصر التسخين في حالة التشغيل وياعث الإلكترون الواحد على الأقل منحاز سلبا.
dd مثال على النموذج المذكور أعلاه هو استبعاد نظام التبريد أو فترات التبريد والتدفئة المطولة
5 وهي مشتركة بالنسبة للأنظمة القائمة على أساس فتيل ساخن التي تستخدم انبعاث أيوني حراري. بالتالي؛ يمكن الحصول على جهاز أشعة سينية محمول. وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ باعث الإلكترون الواحد على الأقل Lge لانبعاث مجال عندما يكون عنصر التسخين في وضع الإطفاء والمكون المولد للإلكترون electron generating component الواحد على الأقل منحاز سلبا.
0 بالتالي؛ وفقا لهذه النماذج المثالية؛ يمكن أن تتم تهيئة جهاز daa) السينية لأوضاع التشغيل الثنائية التي تسمح بكل من انبعاث مجال وانبعاث قائم على أساس شوتكى. هذا النموذج له ميزة مثالية لتوفير جهاز متفوق يمكن أن يقوم بتوفير صور الأشعة السينية عند العديد من مستويات الدقة والتباين. وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ يمكن أن يتضمن جهاز الأشعة السينية مصدر قدرة كهربي
electrical power source 5 مهيا للتحكم في حالة تشغيل عنصر التسخين.
يمكن مثلا أن يقوم مصدر القدرة الكهربي؛ مثلا؛ بالتحكم في الانبعاث الالكتروني من باعث
الإلكترون الواحد على الأقل. علاوة على ذلك؛ وفقا للنماذج المثالية حيث يتضمن باعث الإلكترون
الواحد على الأقل مجموعة من أجهزة الباعث الإلكتروني (Say celectron emitters استخدام
مصدر القدرة لتنشيط أجهزة الباعث الإلكتروني المختلفة انتقائيا. هذا النموذج يتضمن ميزة مثالية
لتوفير جهاز أكثر تفوقا حيث المكونات المنفصلة للجهاز يمكن أن يتم التحكم فيها بشكل فردي.
وفقا لبعض من النماذج المثالية» مصدر القدرة الكهربي 28 Lad Liga لتوفير فرق جهد بين المكون
المولد للإلكترون الواحد على الأقل ومكون استقبال الإلكترون لأنبوب دايود diode tube في ثلاثة
أوضاع انحياز» (-»0: كاثود سالب؛ آنود أرضي)؛ (-6+: كاثود سالب» آنود (age و(60+:
كاثود أرضيء آنود موجب). يتم توفير أوضاع الانحياز هذه لحث انبعاث شوتكى أو انبعاث 0 المجال.
بالتالي» ثمة ميزة مثالية لهذا النموذج هي استبعاد نظام تبريد أو فترات التبريد والتدفئة المطولة وهي
شائعة للأنظمة القائمة على أساس فتيل ساخن التي تستخدم انبعاث مجال. بالتالي؛ يمكن الحصول
على جهاز أشعة سينية محمول بشكل أفضل.
وفقا لبعض من النماذج المثالية» مصدر القدرة الكهربي مهياً للتشغيل في وضع تيار مستمر «(DC) Direct Current 5 أي ثابت )= 0(« (- +(« (0؛ +( ؛ وضع نبضي ¢pulse mode أي
موجات مريعة لها 0<Vp عند الأآنود أو 0>Vp عند الكاثود؛ أو وضع تيار متردد Alternating
.sinus wave أي موجات سينية «(AC) current
ثمة ميزة مثالية لتوفير مصدر قدرة كهربي لها أوضاع مختلفة للتشغيل وهي القدرة على توفير جهاز
أكثر تفوقا. مثلاء في أوضاع نبض و تيار متردد؛ يمكن الحصول على الارتفاع المعين في الزمن؛ 0 التردد؛ دورة الجهد وشكل النبض للصورة الموجية.
وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ الركيزة الموصلة كهربيا مصنوعة من الصلب المقاوم للصداً
estainless steel النيكل enickel سبائك alloys النيكل؛ الحديد iron أو سبائك الحديد.
وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ تتم الإشابة أو الإشابة المشتركة للبنيات بحجم النانو مع عنصر
إشابة dopant element متضمن في العمود JA خلا ¢VIA IA <IB أو VIIA في الجدول 5 الدوري للعناصر.
وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ البنيات بحجم النانو مصنوعة من أكسيد الزنك Zinc oxide (ZnO) ثمة ميزة مثالية لهذه النماذج وهي القدرة على توفير بديل لأجهزة الباعث الإلكتروني قائمة على أساس أنبوب كريون بحجم النانو carbon nanotube (0171). يقوم استخدام هذا البديل بتوفير فائدة مثالية لتوفير باعث إلكترون والذي هو متوافق بشكل أكبر مع عملية انبعاث قائم على أساس شوتكى. أجهزة الباعث الإلكتروني القائمة على أساس الكربون مائلة إلى التلف عند درجات الحرارة والبيئة الغازية لعملية تصنيع الأنبوب المثالية. حيث أكسيد الزنك والمواد ذات الصلة لها درجة ذويان عالية وأكثر استقرارا من الناحية الكيماوية مع أداء انبعاث مجال جاذب لأنابيب الكريون بحجم التانو. 0 وفا لبعض من النماذج المثالية؛ مكون استتقبال الإلكترون مصنوعة من معدن؛ سبيكة معدنية metallic alloy مركب معدني «metallic compound أو مادة مركبة من السيراميك المعدني .metal ceramic composite تتعلق بعض من النماذج المثالية باستخدام جهاز توليد الأشعة السينية الموضح أعلاه؛ في جهاز مسح أمني بالأشعة السينية .security x-ray scanning apparatus 5 تتعلق بعض من النماذج المثالية باستخدام جهاز توليد الأشعة السينية الموضح أعلاه؛ في جهاز مسح طوموغرافي محوسب .computed tomography scanning apparatus تتعلق بعض من النماذج المثالية باستخدام جهاز توليد الأشعة السينية الموضح أعلاه؛ في جهاز مسح بالأشعة المخروطية .C-arm type scanning apparatus تتعلق بعض من النماذج المثالية باستخدام جهاز توليد الأشعة السينية الموضح أعلاه؛ في جهاز 0 مسح جيولوجي -geological surveying apparatus تتعلق بعض من النماذج المثالية باستخدام جهاز توليد الأشعة السينية الموضح أعلاه؛ في مطياف تألق بالأشعة السينية .X-ray fluorescence spectrometry شرح مختصر للرسومات سوف يكون ما سبق واضحا من الوصف المحدد التالي للنماذج المثالية؛ كما هو مبين في الأشكال 5 المصاحبة مثل الرموز المرجعية التي تشضير إلى نفس الأجزاء خلال المناظر المختلفة. الأشكال ليست بالضرورة على أساس مقياس» وتقوم بالتركيز على شرح النماذج المثالية.
الشكل 1 عبارة عن مخطط لجهاز أشعة سينية بناء على انبعاث أيوني حراري؛ الشكل 2 عبارة عن مخطط للأشعة السينية؛ وفقا للنماذج المثالية الموضحة هنا؛ الشكل 3 عبارة عن مثال توضيحي لباعث إلكترون ذو شبكة 10:ع؛ وفقا لبعض من النماذج المثالية الموضحة هنا؛ الشكل 4 عبارة عن مثال توضيحي لأشكال مختلفة من باعث إلكترون؛ وفقا لبعض من النماذج المثالية الموضحة هنا؛ الشكل 5 عبارة عن مخطط لجهاز أشعة سينية يتضمن العديد من أجهزة الباعث الإلكتروني» وفقا لبعض من النماذج المثالية الموضحة هنا؛ و الأشكال 16 واب عبارة عن صور توضح الخواص 7-1 للأجهزة الباعثة للإلكترون وفقا للشكل 5؛ 0 وفقا لبعض من النماذج المثالية الموضحة هنا. الوصف التفصيلي: في الوصف التالي؛ لأغراض الشرح وليس التقييد؛ هناك تفاصيل معينة مذكورة؛ مثل مكونات؛ عناصر؛ تقنيات؛ إلخ لتوفير فهم شامل للنماذج المثالية. مع ذلك سوف يكون واضحا للخبير في المجال أن النماذج المثالية يمكن تنفيذها بطرق أخرى بعيدا عن التفاصيل الموضحة هنا. في 5 الحالات الأخرى؛ تم استبعاد الوصف التفصيلي للطرق المعروفة والعناصر بحيث لا يتم إبهام وصف النماذج المثالية. هذه المصطلحات المستخدمة هنا هي لغرض شرح النماذج المثالية ولا يقصد بها تقييد النماذج المقدمة هنا. تتعلق النماذج المثالية المقدمة هنا بجهاز أشضعة سينية يستخدم الانبعاث الالكتروني القائم على أساس شوتكى. لشرح النماذج المثالية بشكل أفضل»؛ سوف يتم تحديد ومناقشة المشكلة أولا. يقوم 0 الشكل 1 بشرح أنبوب الأشعة السينية التقليدي. يقوم أنبوب الأشعة السينية وفقا للشكل 1 بإظهار أنبوب زجاجي مفرغ evacuated glass tube 10 يتضمن كاثود فتيل filament cathode ساخن 12 وآنود 4 مصنوع من سبيكة/معدن مقاوم refractory metal/alloy يواجه وجه الآنود 14 الكاثود 2 عند زاوية ميل محددة سلفا. يمر تيار كهربي celectric current مقدم بواسطة مصدر تزويد بالقدرة power supply 13؛ خلال الكاتود الفتيلي 12 الذي يؤدي إلى زيادة في درجة حرارة الفتيل 5 12 إلى مستوى يقوم ببث شعاع إلكترون electron beam 16 من هذا الفتيل. بعد ذلك يتم تسارع إلكترونات شعاع إلكترون 16 تجاه الآأنود 14 مع مجال كهربي. وهذا يؤدي إلى glad سيني x-
ray beam 18 والذي يتم توجيهه خارج الجهاز عبر نافذة 20. يقوم فرق الفولطية بين الكاثود
والأنود بتحديد طاقة الشعاع السيني. ريما تقوم كل أنابيب الأشعة السينية المستخدمة في التصوير بالأشعة السينية باستخدام الكاثودات الساخنة لفتائل التنجستن بناء على انبعاث أيوني حراري. في العقد الماضي أو ما إلى ذلك؛ يمكن محاولة استخدام أنابيب الكربون بحجم النانو ككاثود بارد لتوليد الأشعة السينية بواسطة انبعاث مجال. يتم تحفيز هذا الانبعاث الالكتروني بواسطة مجال كهربي عالي دون تسخين. يعتقد أن أنابيب الكربون بحجم النانو تعمل جهاز بث مثالي. مع ذلك؛ لاستخدامها في مصادر dad) السينية؛ تقوم عملية التصنيع وظروف العمل بتمثيل تحدي للخواص المادية. الخرج الحالي لا يزال تحت مستوى التطبيق العملي. بالتالي؛ يتمثل واحد على الأقل من أهداف النماذج المثالية المقدمة
0 هنا في توفير مصادر الأشعة السينية المحمولة مع أداء محسن بسبب Cel إلكترون بديل؛ والتي يمكن أن توفر وسيلة بديلة للانبعاث الالكتروني للتغلب على المادة والعيوب التشغيلية الموجودة في الكاثودات الساخنة بالإضافة إلى في الكاثود البارد بناء على أنابيب الكريون بحجم النانو. بالتالي؛ تتعلق النماذج المثالية المقدمة هنا بجهاز أشعة سينية التي تستخدم انبعاث هجين؛ انبعاث مجال أو الابعاث المساعد بالحرارة - Gla) شوتكى. خصيصاء تقوم النماذج المثالية المقدمة هنا
5 باستخدام الانبعاث الالكتروني القائم على أساس شوتكى. يؤدي الاستهلاك المنخفض للقدرة إلى انبعاث هجين يسمح بمصدر قدرة مضغوط بشكل أكبر بحيث يتم استخدامه؛ وبالتالي تسمح للأشعة السينية بأن تصبح أكثر قابلية للحمل. علاوة على ذلك؛ يقوم استخدام وضع الانبعاث الالكتروني هذا باستبعاد الحاجة إلى نظام تبريد أو فترات التبريد والتدفئة المطلوبة lly تكون شائعة للأنظمة القائمة على أساس فتيل ساخن.
0 الشكل 2 يشرح جهاز أشعة سينية وفقا للنماذج المثالية. يتضمن جهاز الأشعة السينية وفقا للشكل 2 أنبوب زجاجي مفرغ 10 يتضمن باعث إلكترون؛ أو الكاثود. 22 ومكون استقبال إلكترون 14. وجه مكون استقبال الإلكترون 14 يواجه باعث الإلكترون 22 عند زاوية ميل محددة سلففا. يمر التيار الكهربي؛ المقدم بواسطة مصدر تزويد بالقدرة 28 خلال عنصر تسخين 21 يؤدي إلى زيادة في درجة حرارة باعث الإلكترون 22 إلى مستوي يقوم ببث شعاع إلكترون 25 من باعث الإلكترون
5 22. هذا الانبعاث معروف بانبعاث شوتكى. على العكس من الانبعاث الالكتروني وفقا للشكل 1؛
والذي يتم حثه باستخدام مجال كهروستاتيكي electrostatic field يتم حث الانبعاث وفقا للشكل 2 عبر التسخين الحراري. بعد ذلك يتم تسارع إلكترونات شعاع الإلكترون 25 تجاه مكون استقبال الإلكترون 14 مع مجال كهربي. هذا يؤدي إلى شعاع سيني 26 موجه خارج الجهاز عبر نافذة 20. يقوم فرق القدرة بين باعث الإلكترون ومكون استقبال الإلكترون بتحديد طاقة شعاع سيني. يتضمن باعث الإلكترون 22 ركيزة موصلة كهربيا 23 تتضمن طلاء من بنيات بحجم النانو 24. عنصر التسخين 21 قابل للإلحاق بالركيزة الموصلة كهربيا 23 عبر اثنين من التغذية الكهربية عند نهاية الكاثود للأنبوب. يمكن أن ينمو طلاء البنية بحجم النانو 24 على الركيزة الموصلة كهربيا 3. يمكن أن يكون طلاء البنية بحجم النانو في صورة الجسيمات بحجم «nanoparticles ill 0 الأسلاك بحجم النانو cnanowires القضبان بحجم النانو 0800:0058 الأرجل الرباعية بحجم النانو Nano tetrapods أو الأنابيب بحجم النانو nanotubes يمكن أن تكون مواد الركيزة من الصلب المقاوم للصداًء النيكل؛ سبائك النيكل؛ الحديد أو سبائك الحديد. وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ يتم تكوين الركيزة مسبقا في العديد من الأشكال. وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ يتم وضع شبكة 30 بين سطح 23 يتضمن بنيات بحجم النانو 5 24 لباعث إلكترون ومكون استقبال الإلكترون 14 والذي يعمل كإلكترود استخلاص extraction celectrode كما هو مبين في الشكل 3. وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ يتم وضع مباعد spacer 1 بين باعث الإلكترون والشبكة 30. يمكن وضع الشبكة عند مسافة فاصل بين 100 ميكرو متر و1000 ميكرو متر إلى باعث الإلكترون والذي يتم تثبيته عبر المباعد. يتم وضع غطاء دائري أعلى الشبكة التي تعمل كإلكترود شبكي grid electrode يقوم بتوفير الفولطية إلى الشبكة؛ 32. 0 وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ يمكن أن يكون المباعد Sle عن مباعد سيراميك ceramic .spacer الشبكة مصنوعة من الأسلاك الموصلة electrically conductive wires Lu gS من القطر المساوي. علاوة على ذلك؛ الأسلاك مصنوعة من مواد ذات نقطة ذويان عالية وضغط بخار منخفض وموصلة كهربياء مثل تنجستن Tungsten (177)؛ موليبديتوم «(Mo) Molybdenum 5 تانتالوم ¢(Ni) Nickel JS ¢(Ta) Tantalum الصلب المقاوم للصداً؛ أو سبائك النيكل. يختلف قطر الأسلاك بين 30 ميكرو متر و150 ميكرو متر. يختلف معدل فتح الشبكة بين 750 و780.
علاوة على ذلك؛ يتم طلاء dag الأسلاك في الشبكة بطبقة رقيقة thin layer أو طبقات متعددة من مادة ذات خواص الانبعاث الالكتروني معروفة؛ مثل أكسيد المغتيميوم Magnesium oxide (MgO) والمواد ذات الصلة. بشكل بديل» الطلاء عبارة عن مادة باعثة emitting material لأشعة فوق بنفسجية (UV) Ultraviolet نيتريد الجاليوم (GaN) Gallium nitride والمواد ذات الصلة.
بالتالي» يقوم الطلاء بزيادة شدة خرج الإلكترونات من باعث الإلكترون. بالتالي» المزايا الكلية من هذا النوع لباعث الإلكترون كما هو مبين في أنبوب الأشضعة السينية الثلاثي triode X-ray tube كما هو مبين في الشكل 5؛ وهي اعتماد شعاع إلكترون على الآنود؛ ومخرج التيار المحسن. علاوة على ذلك؛ يقوم المجال المكون بين باعث الإلكترون والشبكة بتحديد شدة شعاع الإلكترون. Bye أخرى؛ يقوم فرق القدرة بين باعث الإلكترون ومكون استقبال الإلكترون 24 بتحديد طاقة شعاع
سيني. يقوم الشكل 4 بشرح أشكال مثالية حيث يمكن تشكيل باعث الإلكترون. باعث الإلكترون 22 في شكل هرم مستدير يتضمن ركيزة موصلة كهربيا 23 وطلاء من بنيات بحجم النانو 24. هناك مثال آخر لباعث إلكترون 22ب والذي تم توفيره في صورة اسطوانة صلبة تتضمن أيضا ركيزة موصلة كهربيا 23ب وطلاء من بنيات بحجم النانو 24ب. يقدم الشكل 4 مثال آخر على باعث 5 إلكترون في صورة اسطوانة مفرغة hollow cylinder 22ج والذي يصف ركيزة موصلة كهربيا £23 وطلاء من بنيات بحجم النانو 24ج. تم توفير مثال إضافي لباعث إلكترون في صورة نجم مفرغ 22د يتضمن ركيزة موصلة كهربيا 23د وطلاء من بنيات بحجم النانو 24د. يمكن تقدير أن هذه الأشكال يمكن تهيئتها للإستخدامات المختلفة للأشضعة السينية كأشكال يمكن أن تؤقر على ola) الإلكترونات المنبعثة emitted electrons يجب فهم أن هناك أشكال أخرى يمكن استخدامها 0 في جهاز الأشعة السينية وفقا للنماذج المثالية. وفقا لبعض من النماذج AU يمكن تكوين طلاء للبنية بحجم النانو nanostructure coating بواسطة طريقة طور في غازي سائل وعملية ترسيب البخار الكيماوي الصلب chemical vapour ((CVD) deposition أو طريقة حل كيماوي. وفقا لبعض من النماذج (Alla) طلاء البنية بحجم النانو مهياً ليتم تعديله؛ فيما يتعلق بالشكل؛ لتسهيل الانبعاث الالكتروني بواسطة الوسيلة الكيماوية chemical means 5 الوسيلة الكهروكيماوية electrochemical means أو الوسيلة البصرية optical means أو بعد عملية الوضع.
وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ يمكن عمل طلاء البنية بحجم النانو من أكاسيد coxides مركبات نيتريد 1065 مركبات سيليسيد csilicides مركب سللينيد selinides أو مركبات تيلوريد 61064. وفقا لبعض من النماذج المثالية» يمكن صنع طلاء البنية بحجم النانو من أشضباه موصلات من أكسيد Sls oxide semiconductors أكسيد الزنك. أكسيد الزنك عبارة عن شبه موصل لفجوة wide band gap semiconductor da—ulg من نوع «. ترتبط الموصلية بإتاحية الأوكسيجين oxygen المولد بعملية النمو. يتم تحقيق التحسين في الموصلية بواسطة إشابة العناصر الكيماوية chemical elements في الأعمدة VIIA «VIA IIA IB IA IA في الجدول الدوري للعناصر. يتم تطبيق علاج التسخين ما بعد الوضع لتجانس مواد الإشابة dopants أو لفصلها عن السطح. يمكن تغيير 0 المورفولوجيا بواسطة الوسيلة الكيماوية أو الكهروكيماوية لتحقيق عملية تحسين المجال الموضعي. يمكن استخدام العلاج بالأشعة فوق البنفسجية لتحسين خواص السطح. يمكن وضع طلاء السطح على البنيات بحجم النانو لتحسين عملية الانبعاث الالكتروني من خلال تقليل وظيفة العمل عند وجه جهاز البث. وفقا لبعض من النماذج المثالية. يمكن إضافة طبقة عازلة كيرييا dielectric Ole dayer ثاني أكسيد السيليكون Silicon dioxide (د510)»؛ على الركيزة الموصلة كهربيا في 5 المناطق حيث طلاء البنيات بحجم النانو غير موجودة. هذا الطلاء العازل diclectric coating يمكن أن يكون مفيدا في توجيه الانبعاث الالكتروني. Laie تطبيق التسخين المتوسط؛ عبر عنصر التسخين 21 بينما يكون باعث الإلكترون منحاز سلباء يتم انبعاث إلكترونات بواسطة انبعاث شوتكى. عندما يكون التسخين مطفاً بينما الكاثود منحاز سلباء الإلكترونات منبعثة بواسطة انبعاث المجال. يمكن أيضا أن تنطبق الوظيفة المضافة 0 لللتسخين؛ والتي تكون غائبة في تيار انبعاث مجال لمصادر الأشعة السينية؛ لتوليد باعث الإلكترون بواسطة إزالة الأنواع الممتزة كيماويا غير المطلوية من أوجه جهاز البث في حالة تسمم الكاثود. وفقا لبعض من النماذج المثالية؛ يمكن استخدام أجهزة الباعث الإلكتروني المتعددة في جهاز الأشعة السينية. الشكل 5 يشرح أنبوب الأشعة السينية حيث يكون هناك أجهزة الباعث الإلكتروني متعددة. في هذا النموذج؛ هناك ثلاثة أجهزة الباعث الإلكتروني 1-22؛ 2-22 و3-22 والتي يتم 5 تجميعها في أنبوب الإحاطة 10 حيث أجهزة الحث تواجه مكون استقبال الإلكترون 14. يمكن أن يختلف عدد وتباعد الأجهزة الباعثة للإلكترون.
يجب فهم أنه يمكن استخدام عدد من أجهزة الباعث الإلكتروني في جهاز الأضعة السينية وفقا
للنماذج المثالية. يجب أيضا فهم أن الأجهزة الباعثة للإلكترون وفقا للشكل 5 يمكن أن تكون عبارة
عن باعث الإلكترون موضح في أي من الأشكال 2 إلى 4؛ أو جهاز بث من أي شكل آخر. يجب
فهم أن الأجهزة الباعثة للإلكترون تحتاج إلى أن تكون متطابقة Sag أن تتضمن أشكال مختلفة
من و/أو خواص تتعلق ببعضها البعض.
يمكن أن يكون نمط ترتيب الأجهزة الباعثة للإلكترون؛ بشكل غير مقيد؛ خطيا أو مستطيلا أو
مريعا أو دائريا أو سداسيا. Lad يتعلق بالعلاقة بمكون استقبال الإلكترون 14؛ يمكن تجهيز الأجهزة
الباعثة للإلكترون 1-22« 2-22 و3-22 بحيث تقوم كل منها ببث إلكترونات 25-125ج
الموجهة إلى بقعة بصرية focal spot واحدة على مكون استقبال الإلكترون 14؛ أو بحيث يمكن أن 0 تبرز صورة مكبرة أو مصغرة لنمط الانبعاث على مكون استقبال الإلكترون 14.
كل هذه الاختلافات يقصد بها أن تلبي متطلبات الأبعاد وشكل الشعاع السيني 26. يمكن أن يتم
تنشيط الأجهزة الباعثة للإلكترون 1-22؛ 2-22 و3-22 بشكل جماعي أو فردي أو آني أو
متتالي. هذه التنشيط المرن يسمح بوضع نبض التردد العالي لتوليد الأشعة السينية بواسطة وضع
تردد مخرج مصدر القدرة؛ ونطاق واسع من اختيار الجرعات بواسطة اختيار عدد أجهزة الباعث 5 الإلكتروني 1-22( 2-22 و3-22. يمكن التحكم في تنشيط الأجهزة الباعثة للإلكترون 1-22؛
2-2 و3-22 بواسطة مصدر التزويد بالقدرة 28.
تسمح النماذج المثالية المقدمة هنا بالتنشيط الفردي للأجهزة الباعثة للإلكترون 1-22( 2-22
و3-22؛ وبالتالي تقوم بتوفير آلية لتثبيت تيار الانبعاث comission current وهي غير متاحة في
نظام الأشعة السينية الحالي. يجب فهم أن عدم التجانس في الانبعاث عبارة عن مشكلة خطيرة في 0 كاثودات المنطقة الكبيرة أو الكاثودات المتعددة. هذه المشكلة تنبع من عدم التجانس الهندسي
والمادي لأجهزة الحث.
أو بمعنى آخر؛ تنبع مشكلة أجهزة الحث الموضح أعلاه من مشاكل المادة والمعالجة. وبالتالي؛
تتعلق بعض من النماذج المثالية بتحسين نمو مادة جهاز البث على الركيزة. وفقا لبعض من
النماذج المثالية؛ يتم حل وجود عدم التجانس بين أجهزة الحث أيضا على مستوى المكون. هذا 5 النموذج المثالي موضح بواسطة أخذ تهيئة كاثود ثلاثي كمثال وفقا للشكل 5.
الأشكال 16 5 6 يشرح الخواص الحالية والفولطية لتهيئة باعث الإلكترون وفقا للشكل 5. في كل
مخطط النقاط المخططة تمثل بواسطة المخططات المثلثة والمريعة والدائرية لباعث إلكترون 22-
1 2-2 و3-22؛ على التوالي» وفقا للشكل 5.
الشكل 16 يشرح تطبيق الفولطية oV بينما يتم الحفاظ على نفس المسافة بين نفس باعث الإلكترون ومكون استقبال الإلكترون. كل باعث إلكترون 1-22« 2-22 و3-22؛ سوف يقوم ببث تيار li
1 و31 على التوالي. كما هو مبين في الشكل وفقا للشكل 6أ؛ تختلف كمية التيار المقدم بواسطة
الانبعاث الالكتروني لكل باعث إلكترون. على الرغم من إمكانية وصف عدم التجانس كميا بواسطة
تحديد tha المريع المتوسط أو انحراف المريع المتوسطة الجذرية لقيم التيار المقاسة لكل أجهزة
Cull محل الاستفهام؛ هذا الفرق التخطيطي المبين في الشكل 16 مناسب لتوضيح هذه النقطة.
0 إذا كان كل من أجهزة الباعث الإلكتروني الثلاثة يمكن أ نتقوم Cay نفس lal بعد ذلك تحتاج الفولطية المختلفة Qv oly و»3 إلى أن تتطبق على الأجهزة الباعثة للإلكترون 1-22( 2-22 و3-22؛ على التوالي؛ كما هو مبين في الشكل 6ب. تقوم المتوالية المفيدة بإظهار نفسها Lovie تكون الأجهزة الباعثة للإلكترون موجهة إلى البقع البصرية المختلفة لتكوين شكل محدد من شعاع سيني. تقوم الآلية بتوفير تجانس فراغي pla il سيني بواسطة توفير تيار ثابت عند كل البقع
5 البصرية. هناك ميزة أخرى هي أنه عندما تكون الأجهزة الباعثة للإلكترون تتعلق ببقعة بصرية asl وتم الانحياز بشكل متتالي؛ تقوم أجهزة الحث بتوفير الانبعاث الالكتروني مع تجانس مؤقت مع تيار ثابت على مدار الزمن. علاوة على ذلك؛ لضمان الثبات وتجانس انبعاث الأشعة السينية؛ يمكن استخدام دارة مراقبة التغذية الراجعة feedback monitoring circuit للتحكم في عملية الانبعاث الالكتروني.
0 وفقا لبعض من النماذج cdi) مصدر القدرة الكهربي 28 مهياً Lad لتوفير فرق جهد بين المكون المولد للإلكترون الواحد على الأقل ومكون استقبال الإلكترون لأنبوب دايود في ثلاثة أوضاع انحياز» (-06: كاثود سالب؛ أنود أرضي))؛ te) كاثتود سالب»؛ أنود موجب) و(60+: كاثود أرضي؛ آنود موجب). يتم توفير استخدام أوضاع الانحياز هذه لضمان انبعاث شوتكى. بالتالي؛ ثمة ميزة مثالية لهذا النموذج هي استبعاد نظام تبريد أو فترات التبريد والتدفئة المطلوية التي هي
5 معروفة للأنظمة القائمة على أساس فتيل ساخن التي تستخدم انبعاث مجال. بالتالي؛ يمكن الحصول على جهاز أشعة سينية قابل للحمل بشكل أكبر.
وفقا لبعض من النماذج (Alla مصدر القدرة الكهربي مهياً للتشغيل في وضع تيار مستمرء أي ثابت (-» 0)؛ (-؛ +( )0< +)؛ وضع (ad أي موجات dan ye ذات أنود أرضي : أو مع كاثود أرضي؛ أو وضع تيار متردد» أي موجات سينية ثمة ميزة مثالية لتوفير مصدر قدرة كهربي له أوضاع مختلفة للعمليات وهي القدرة على توفير جهاز JST تفوقا. Ole في أوضاع النبض و تيار متردد؛ يمكن الحصول على وقت محدد وتردد ودورة الجهد وشكل النبض للصورة الموجية. يجب ped أن جهاز الأشعة السينية الموضحة هنا يمكن استخدامه في عدد من المجالات. Ole يمكن استخدام جهاز الأشعة السينية في جهاز مسح أمني «Mie ¢security scanning apparatus حيث يمكن العثور عليه في الفحص الأمني للمطار. حيث يسمح استخدام عنصر التسخين و انبعاث (Sig بجهاز قابل للحمل؛ يمكن تنفيذ جهاز الأضعة السينية بسهولة في هذا النظام 0 الأمني. dd مثال AT هو استخدام جهاز الأشعة السينية تمت مناقشته في أجهزة المسح الطبي medical scanning devices مثل جهاز المسح بالطوموغراف المحوسب أو جهاز مسح dad المخروطية؛ والتي يمكن أن تتضمن جهاز صغير للمسح بالأشعة المخروطية. ثمة مثال DAT لاستخدام جهاز الأشعة السينية الموضحة هنا موجود في جهاز مسح جيولوجي. 5 يجب فهم أن جهاز الأشعة السينية الموضحة هنا يمكن استخدامه في أي جهاز اختبار غير تدميري non-destructive testing apparatus هناك مثال صغير لجهاز الأشعة السينية يمكن أن يكون Ble عن ماموجراف أو تصوير clan ومطياف تألق بالأشعة السينية؛ إلخ. تم تقديم وصف النماذج المثالية المقدمة هنا لأغراض الشرح. لا يقصد بالوصف أن يكون محدد أو لتقييد النماذج المثالية إلى الصورة المحددة المكشخوف عنهاء؛ والتعديلات والتغييرات الممكنة في 0 ضوء التعليمات المذكورة أعلاه أو يمكن الحصول عليها من ممارسة النماذج البديلة المخلفة للنماذج المقدمة. تم اختيار وشرح الأمثلة الموضحة هنا لشرح المبادئ وطبيعة النماذج المثالية المختلفة وتطبيقها العملي للسماح للخبير في المجال باستخدام النماذج المثالية بالطرق المختلفة ومع العديد من التعديلات كما هو مناسب للاستخدام المحدد المذكور. يمكن دمج خواص النماذج الموضحة هنا في كل التوليفات الممكنة للطرق و الجهاز والوحدات والأنظمة ومنتجات برمجيات الكومبيوتر. 5 يجب فهم أن النماذج المثالية المقدمة هنا يمكن ممارستها في أي توليفة مع بعضها البعض.
يجب فهم أن المصطلح 'يتضمن" لا يستبعد ضرورة وجود العناصر الأخرى أو خطوات غير تلك المذكورة والصيغ المفردة التي تتخطى العنصر الذي لا يستبعد وجود مجموعة هذه العناصر. يجب فهم أن أي إشضارات مرجعية لا تقوم بتقييد منظور عناصر الحماية؛ حيث يمكن تنفيذ النماذج المثالية في ga على الأقل بواسطة كل من الأجهزة والبرامج؛ وأنه يمكن تمثيل العديد من "لوسائل” "الوحدات" أو "seal بواسطة نفس البرنامج.
في الأشكال والوصف؛ تم Ca SN عن النماذج المثالية. مع ذلك؛ هناك العديد من الاختيارات والتعديلات التي تتم على هذه النماذج. بالتالي؛ على الرغم من البنود المحددة المستخدمة؛ إلا أنه يتم استخدامها في منظور شامل ووصفي وليس لأغراض التقييد؛ هذا المنظور الخاصة بالنماذج
محدد بواسطة عناصر الحماية التالية.
Claims (4)
- عناصر الحماية 1 جهاز توليد أشعة سينية x-ray generating device يتضمن: باعث إلكترون electron emitter واحد على الأقل )22 1-22؛ 2-22« 3-22) يتضمن ركيزة موصلة كهربيا electrically conductive substrate (23)» حيث تتضمن الركيزة الموصلة كهرييا electrically conductive substrate طلاء من بنيات بحجم النانى nanostructures )24(¢ عنصر تسخين heating element )21( ملحق بكل ركيزة موصلة كهربيا electrically conductive substrate لباعث الإلكترون electron emitter الواحد على الأقل؛ مكون استقبال إلكترون electron receiving component )14( مهياً لاستقبال إلكترونات electrons منبعثة من باعث الإلكترون electron emitter الواحد على الأقل؛ و مبيت مفرغ canal Liga (10) evacuated enclosure باعث الإلكترون electron emitter الواحد 0 على الأقل» عنصر التسخين heating element ومكون استقبال الإلكترون electron receiving ‘component Gua باعث الإلكترون electron emitter الواحد على الأقل Lge لانبعاث شضوتكى عندما يكون عنصر التسخين heating element في حالة التشغيل وباعث الإلكترون electron emitter واحد على الأقل منحاز سلباء 5 جهاز توليد الأضعة السينية x-ray generating device يتضمن أيضا مصدر قدرة كهربي electrical power source )28( مهيا للتحكم في dla تشغيل عنصر التسخين heating element )21(« حيث مصدر القدرة الكهربي electrical power source )28( مهياً a لتوفير فرق جهد بين المكون المولد للإلكترون electron generating component الواحد على الأقل )22 1-22« 22- 0 2< 3-22) ومكون استقبال الإلكترون electron receiving component )14( في ثلاثة أوضاع انحياز «bias modes )—0¢(¢)¢7+( 5 )40+(
- 2. جهاز توليد الأشعة السينية x-ray generating device وفقا لعنصر الحماية 1؛ حيث تتم تهيئة باعث الإلكترون electron emitter الواحد على الأقل (1-2222؛ 2-22؛ 3_22) كذلك لبعث— 1 7 — مجال عندما يكون عنصر التسخين heating element )21( في حالة إيقاف التشغيل ويكون باعث الإلكترون emitter 0000»ل» الواحد على الأقل منحاز سلبا.
- 3. جهاز توليد الأشضعة السينية x-ray generating device وفقا لعنصر الحماية Gua] مصدر القدرة الكهربي electrical power source )28( مهيا للتشغيل في وضع تيار مستمر Direct.(AC) Alternating current أو وضع تيار متردد pulse mode وضع نبضي «(DC) Current
- 4. جهاز توليد الأشعة السينية Wy x-ray generating device لأي من عناصر الحماية 3-1 Cus الركيزة الموصلة كهربيا electrically conductive substrate )23( مصنوعة من الصلب 0 المقاوم للصداً «stainless steel التيكل nickel سبائك اليكل nickel based alloys الحديد iron.iron based alloys أو سبائك الحديد5. جهاز توليد الأشعة السينية x-ray generating device وفقا لعنصر الحماية 1؛ حيث مكون استقبال الإلكترون electron receiving component )14( مصنوع من معدن» سبيكة معدنية emetallic alloy 5 مركب معدني emetallic compound أو مادة مركبة من السيراميك المعدني.metal ceramic composite6. جهاز توليد الأضعة السينية Bg x-ray generating device لعنصر الحماية 1؛ حيث باعث الإلكترون electron emitter الواحد على الأقل )22 1-22« 2-22« 3-22( يتضمن أيضا شبكة deg age (30) grid 20 عند مسافة ثابتة بين 100 ميكرو متر و1000 ميكرو متر عبر مباعد.(31) spacer iS is RRR مح : IU SUS 1 : AAA AAA AA AAA AAA A 5 1 ا ااا ايها 3 1 H CCR : 3 ميد يميه يه لهي يديه كيه رد له هيه يديد 1 : Alans 1 : ع 0 : ذ 0 ع : yo 1 ذ : ء 1 2 RE 1 ذ ض 1 I 3 : RE k : RE 1 2 RE 0 : ل 0 : RE 0 ذ : 3d i ض I ait : 3 | : 0 ص __ ا _ ٍ ٍ : NERS ET المتستح 2 : HE To rrrro—"" 85 0 ذ ض : HE RN 8 : HE 5 8 إٍْ ل : HE BR 22 ب ٍْ : : yi 5 8 ١س أل ٍ : : FE Le اس : : - ف 1 i 3 : 8 ممه ممه مهمه ممم مه مدن ER ل ا coisas ممم § 3 2000000 Eanes 1 ْ ْ' ححا sri : Rao: :: : ا : ل 8 5 i 2 & 3 2 0 0 8 1 الح 1 RR : FE i 1 : id | ْ: ض fad متم 8 : موود FEE § 2 1 8 3 = = SHR heh= 5 X QUA LLL 8إٍْ جع 3 ا 85 1ا جح 5 23 2 ¥4 a :ججح ججح جح جح HR LL 0 اRI ل 2 arin 3 ihe :3 EOIN yd EE Vy 3 5 0 i1 Sheree iH ham ا0 0 dd3 SI niin1 سسسب JERR ii اماما ولخو ممم لور الا واوا Te i rrr a a rs renee. >ب0 ممم مه مماعة معمة مل عم عه ع عع ع عع ع خا AA A م م ا ع با ا ابد تللم ممم ممم ميمه ماده لادلاو وام aay : : : i Vi 1 : : HES : 3 8 Hn: : 1 i vi 1 : : 0 : : i i 1 : : yo 3 : : Pl 3 : : 0 : E ا HS A——— : 3 8 RR pn Vou 1 ِ ue Yy i \ ¢ 08 ٍ : H 3 RN ee a yo المي RAO AN RAEN م 8 !الم : : 8 RN Se ل : : i Ra ا : : 8 Fie = : : 0 : Hl 1 2 So 1 ا : 8 3 NN Poteet is قا i : 1 3 2 ARR es 1 RR — Booed الل ا ا | : 1 ُ i : 208% 39088 1d 1 i & 8 Vi aad | ¢ 5 Vi 3 8 BR 8 1 Ui hi = HE ii > xv ا ا a ل a ممت أ تج 0 H { ; i H 1 i mn 8 HH +d SERRE 11 va RRR FI SI an yt bo 1 امم 1d HE 0 [: bd vod 8 0: vod : 1 yl ia 58 0 yo RE 0 : HE od BRERA NS va RR Hg ل AA A ال تت لت الم ا 1 AMM NEE EEE EEE BRE x PA \ ٠ > ١ 0 ( شكل v ل / 8 \ v Y02 ل ل اج Lo mh Avy El | | 0 i. di ل a iL A٠ 2 2 ٠ YA rrr} STR قل © هوا 0 الم كي ا لبتم أسسا I سس UlLow IE A 1 ond ET RT ب Y Pu 0 ا rary الب * 0 =n إِ=Ay { y . شكل ه٠ 2 3 ٠ حالى ١-7١7 برسم ىلاح ARES A 8 1 1 : & F Ses 4 <> 8 0 ف en eed يض ¥ رك Y Nt i & : 8 5 ا 3 إْ § i ١ ¥ م 3 i & » aN لم فا ب مه لماه اميه اعد سا اا ل ا = § ¥ EE الج لام لاج لا اللا ابلا c NI ؛ w i ; : a) 3 i ¢ 3 1 8 i i 8? 1 8 : نج 3 Lg} : رع SOEUR.NF 7 © ُ في & : مم الل 1 Boe + 9 بج 1 1 ان اد اك ال ال 1 i لج ال اال ال ا { 1 0 0 Fe N مر 0 م Py Vo am فولطية | ا" /؟ لا x ¥ Jes شكل “ب Ldلاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا Sued Authority for intallentual Property RE .¥ + \ ا 0 § 8 Ss o + < م SNE اج > عي كي الج TE I UN BE Ca a ةا ww جيثة > Ld Ed H Ed - 2 Ld وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. Ad صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب 101١ .| لريا 1*١ v= ؛ المملكة | لعربية | لسعودية [email protected]
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201461937677P | 2014-02-10 | 2014-02-10 | |
| PCT/EP2015/052788 WO2015118177A1 (en) | 2014-02-10 | 2015-02-10 | An x-ray device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA516371645B1 true SA516371645B1 (ar) | 2020-10-22 |
Family
ID=52473906
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA516371645A SA516371645B1 (ar) | 2014-02-10 | 2016-08-09 | جهاز آشعة سينية |
| SA516371636A SA516371636B1 (ar) | 2014-02-10 | 2016-08-09 | باعث إلكترونات لأنبوب أشعة إكس |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA516371636A SA516371636B1 (ar) | 2014-02-10 | 2016-08-09 | باعث إلكترونات لأنبوب أشعة إكس |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10319555B2 (ar) |
| EP (2) | EP3105773B1 (ar) |
| JP (2) | JP6804304B2 (ar) |
| KR (2) | KR102368515B1 (ar) |
| CN (2) | CN106463321B (ar) |
| AU (2) | AU2015213990B2 (ar) |
| BR (2) | BR112016018345B1 (ar) |
| CA (2) | CA2939139A1 (ar) |
| MX (2) | MX360238B (ar) |
| RU (2) | RU2682182C2 (ar) |
| SA (2) | SA516371645B1 (ar) |
| WO (2) | WO2015118177A1 (ar) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10283311B2 (en) * | 2015-08-21 | 2019-05-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | X-ray source |
| GB2537196B (en) * | 2015-10-02 | 2017-05-10 | Mario Michan Juan | Apparatus and method for electron irradiation scrubbing |
| NZ743361A (en) | 2015-12-04 | 2021-07-30 | Luxbright Ab | An electron guiding and receiving element |
| US10096148B1 (en) | 2017-04-26 | 2018-10-09 | The Aerospace Corporation | Portable x-ray computed tomography |
| TWI651748B (zh) * | 2017-07-10 | 2019-02-21 | 法商歐洲雷射系統與方案解決公司 | 低壓佈線離子電漿放電源，及其用於具有二次發射之電子源的應用 |
| DE102017008810A1 (de) * | 2017-09-20 | 2019-03-21 | Cetteen Gmbh | MBFEX-Röhre |
| CN108072672B (zh) * | 2017-12-14 | 2021-03-02 | 清华大学 | 一种烧蚀结构形貌及产物的在线监测装置及其监测方法 |
| EP3776621A4 (en) * | 2018-04-06 | 2021-12-15 | Micro-X Limited | LARGE AREA, STABLE FIELD EMITTER FOR HIGH CURRENT APPLICATIONS |
| KR102027407B1 (ko) * | 2018-05-16 | 2019-11-04 | 원광대학교산학협력단 | 탄소나노튜브 실을 이용한 필드 에미터 및 냉음극 구조 |
| KR101956153B1 (ko) | 2018-10-04 | 2019-06-24 | 어썸레이 주식회사 | 탄소나노튜브를 포함하는 얀의 제조방법 및 이로부터 제조된 얀 |
| KR101962215B1 (ko) | 2018-11-30 | 2019-03-26 | 어썸레이 주식회사 | 일 방향으로 정렬된 얀을 포함하는 탄소나노튜브 시트를 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 탄소나노튜브 시트 |
| KR101992745B1 (ko) | 2019-01-24 | 2019-06-26 | 어썸레이 주식회사 | 구조적 안정성이 우수하고 전자 방출 효율이 향상된 이미터 및 이를 포함하는 x-선 튜브 |
| US10825634B2 (en) * | 2019-02-21 | 2020-11-03 | Varex Imaging Corporation | X-ray tube emitter |
| US11315751B2 (en) * | 2019-04-25 | 2022-04-26 | The Boeing Company | Electromagnetic X-ray control |
| RU2710455C1 (ru) * | 2019-06-06 | 2019-12-26 | Закрытое акционерное общество "СуперОкс" (ЗАО "СуперОкс") | Многополостной катод для плазменного двигателя |
| KR102099411B1 (ko) * | 2019-07-26 | 2020-04-09 | 어썸레이 주식회사 | 구조적 안정성이 우수한 전계 방출 장치 및 이를 포함하는 x-선 튜브 |
| US11719652B2 (en) * | 2020-02-04 | 2023-08-08 | Kla Corporation | Semiconductor metrology and inspection based on an x-ray source with an electron emitter array |
| CN113311012A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-27 | 西湖大学 | 基于多晶x射线衍射仪的电化学检测装置及其测试方法 |
| RU209775U1 (ru) * | 2021-08-31 | 2022-03-23 | Общество с ограниченной ответственностью "Пространство-время" | Импульсный пьезоэлектрический источник рентгеновского излучения |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4924485A (en) * | 1987-09-22 | 1990-05-08 | Hoeberling Robert F | Portable radiography system using a relativistic electron beam |
| KR0141174B1 (ko) * | 1994-12-28 | 1998-06-15 | 윤종용 | 초 순간 수상관의 직렬형 음극 신호 개선장치 |
| JPH08250054A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | 拡散補給型電子線源およびそれを用いた電子線装置 |
| DE69823441T2 (de) | 1997-09-30 | 2004-09-23 | Noritake Co., Ltd., Nagoya | Elektronen emittierende Quelle |
| EP1036402B1 (en) * | 1997-12-04 | 2003-07-16 | Printable Field Emitters Limited | Field electron emission materials and method of manufacture |
| US6277318B1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-08-21 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabrication of patterned carbon nanotube films |
| DE60007830T2 (de) * | 1999-08-20 | 2004-12-02 | Fei Co., Hillsboro | Schottky-emissionskathode mit verlängerter lebensdauer |
| US6456691B2 (en) | 2000-03-06 | 2002-09-24 | Rigaku Corporation | X-ray generator |
| JP2001250496A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Rigaku Corp | Ｘ線発生装置 |
| US6334939B1 (en) * | 2000-06-15 | 2002-01-01 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Nanostructure-based high energy capacity material |
| US20040240616A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-02 | Applied Nanotechnologies, Inc. | Devices and methods for producing multiple X-ray beams from multiple locations |
| US7085351B2 (en) * | 2000-10-06 | 2006-08-01 | University Of North Carolina At Chapel Hill | Method and apparatus for controlling electron beam current |
| US6553096B1 (en) * | 2000-10-06 | 2003-04-22 | The University Of North Carolina Chapel Hill | X-ray generating mechanism using electron field emission cathode |
| US6876724B2 (en) | 2000-10-06 | 2005-04-05 | The University Of North Carolina - Chapel Hill | Large-area individually addressable multi-beam x-ray system and method of forming same |
| JP2002238885A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-27 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線焦点位置制御方法及びそのプログラム並びにｘ線ｃｔ装置及びｘ線管 |
| JP3810656B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2006-08-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 微小ｘ線源 |
| US6672925B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Vacuum microelectronic device and method |
| US6828717B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron gun having short length and cathode-ray tube apparatus using such electron gun |
| US7233101B2 (en) * | 2002-12-31 | 2007-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate-supported array having steerable nanowires elements use in electron emitting devices |
| JP2004241295A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブを用いた電子放出素子用電極材料およびその製造方法 |
| EP1766653B1 (en) * | 2004-05-17 | 2009-08-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle beam exposure system |
| JP2005332735A (ja) | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Ci Techno:Kk | 電子放出素子及びその製造方法 |
| EP1791186A1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | Stormled AB | Light emitting diode and method for manufacturing the same |
| US7850941B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-12-14 | General Electric Company | Nanostructure arrays and methods for forming same |
| JP4984234B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-07-25 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | Ｘ線発生装置 |
| US7839028B2 (en) * | 2007-04-03 | 2010-11-23 | CJP IP Holding, Ltd. | Nanoelectromechanical systems and methods for making the same |
| US7627087B2 (en) | 2007-06-28 | 2009-12-01 | General Electric Company | One-dimensional grid mesh for a high-compression electron gun |
| DE102007034222A1 (de) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Siemens Ag | Röntgenröhre mit einer Feldemissionskathode |
| KR100911434B1 (ko) | 2007-12-17 | 2009-08-11 | 한국전자통신연구원 | Ｃｎｔ를 이용한 삼극형 구조의 초소형 ｘ 선관 |
| EP2079095B1 (en) * | 2008-01-11 | 2012-01-11 | UVIS Light AB | Method of manufacturing a field emission display |
| JP5294653B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | マルチｘ線発生装置及びｘ線撮影装置 |
| JP2010186694A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Toshiba Corp | Ｘ線源、ｘ線発生方法およびｘ線源製造方法。 |
| RU2011143319A (ru) * | 2009-03-27 | 2013-05-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Структурированный эмиттер электронов для визуализации с кодированным источником с помощью рентгеновской трубки |
| JP2011034734A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Stanley Electric Co Ltd | 電界放出型電子源 |
| EP2375435B1 (en) | 2010-04-06 | 2016-07-06 | LightLab Sweden AB | Field emission cathode |
| US20110280371A1 (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | Sabee Molloi | TiO2 Nanotube Cathode for X-Ray Generation |
| JP5578612B2 (ja) | 2010-07-30 | 2014-08-27 | 株式会社リガク | 電子放出装置の電流制御装置 |
| JP2014502014A (ja) * | 2011-04-04 | 2014-01-23 | ヴァキューム・サイエンス・アンド・インストゥルメント・カンパニー・リミテッド | 電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーおよびその製造方法 |
| CN102262990A (zh) * | 2011-07-04 | 2011-11-30 | 中山大学 | 一种改善氧化铁纳米冷阴极发射特性的方法 |
| US9099273B2 (en) * | 2011-10-05 | 2015-08-04 | Lightlab Sweden Ab | Method for manufacturing nanostructures and cathode for field emission lighting arrangement |
| RU2014126428A (ru) * | 2011-11-28 | 2016-01-27 | Конинклейке Филипс Н.В. | Рентгеновская трубка с подогреваемым автоэмиссионным эмиттером электронов и способ приведения в действие упомянутой трубки |
| KR101917742B1 (ko) * | 2012-07-06 | 2018-11-12 | 삼성전자주식회사 | 메쉬 전극 접합 구조체, 전자 방출 소자, 및 전자 방출 소자를 포함하는 전자 장치 |
| DE102013214096A1 (de) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Substrat für einen Feldemitter, Verfahren zur Herstellung des Substrates und Verwendung des Substrates |
-
2015
- 2015-02-10 RU RU2016135638A patent/RU2682182C2/ru active
- 2015-02-10 KR KR1020167025325A patent/KR102368515B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-10 WO PCT/EP2015/052788 patent/WO2015118177A1/en active Application Filing
- 2015-02-10 EP EP15705247.3A patent/EP3105773B1/en active Active
- 2015-02-10 US US15/117,872 patent/US10319555B2/en active Active
- 2015-02-10 BR BR112016018345-2A patent/BR112016018345B1/pt active IP Right Grant
- 2015-02-10 CN CN201580019030.XA patent/CN106463321B/zh active Active
- 2015-02-10 JP JP2016568132A patent/JP6804304B2/ja active Active
- 2015-02-10 AU AU2015213990A patent/AU2015213990B2/en active Active
- 2015-02-10 WO PCT/EP2015/052789 patent/WO2015118178A1/en active Application Filing
- 2015-02-10 CA CA2939139A patent/CA2939139A1/en not_active Abandoned
- 2015-02-10 CA CA2939138A patent/CA2939138C/en active Active
- 2015-02-10 MX MX2016010340A patent/MX360238B/es active IP Right Grant
- 2015-02-10 MX MX2016010341A patent/MX363864B/es active IP Right Grant
- 2015-02-10 BR BR112016018369-0A patent/BR112016018369B1/pt active IP Right Grant
- 2015-02-10 CN CN201580019020.6A patent/CN106463320B/zh active Active
- 2015-02-10 KR KR1020167025324A patent/KR102313234B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-10 US US15/117,861 patent/US10825635B2/en active Active
- 2015-02-10 AU AU2015213991A patent/AU2015213991B2/en active Active
- 2015-02-10 RU RU2016135642A patent/RU2675791C2/ru active
- 2015-02-10 EP EP15704775.4A patent/EP3105772B1/en active Active
- 2015-02-10 JP JP2016568131A patent/JP2017510051A/ja active Pending
-
2016
- 2016-08-09 SA SA516371645A patent/SA516371645B1/ar unknown
- 2016-08-09 SA SA516371636A patent/SA516371636B1/ar unknown
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA516371645B1 (ar) | جهاز آشعة سينية | |
| Parmee et al. | X-ray generation using carbon nanotubes | |
| Yue et al. | Generation of continuous and pulsed diagnostic imaging x-ray radiation using a carbon-nanotube-based field-emission cathode | |
| US11183357B2 (en) | MBFEX tube | |
| CN102498539A (zh) | 用于聚焦场发射的碳纳米管阵列 | |
| US20160290936A1 (en) | Transparent type flat panel x-ray generation apparatus and x-ray imaging system | |
| Kandlakunta et al. | Development of multi-pixel x-ray source using oxide-coated cathodes | |
| JP6980740B2 (ja) | Ｘ線デバイス | |
| Ryu et al. | Carbon nanotube field emission x-ray system for computed tomography | |
| Behling | Cathodes of medical X-ray tubes | |
| NZ723276B2 (en) | An x-ray device | |
| NZ723275B2 (en) | An electron emitter for an x-ray tube | |
| Choi et al. | Improvement of Emission Current by Using CNT Based X-Ray Tube | |
| Choi et al. | CNT based X-ray source for inspection system |