SA515360339B1 - تجميع مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة - Google Patents
تجميع مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة Download PDFInfo
- Publication number
- SA515360339B1 SA515360339B1 SA515360339A SA515360339A SA515360339B1 SA 515360339 B1 SA515360339 B1 SA 515360339B1 SA 515360339 A SA515360339 A SA 515360339A SA 515360339 A SA515360339 A SA 515360339A SA 515360339 B1 SA515360339 B1 SA 515360339B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- bed reactor
- fbr
- fluid bed
- reactor
- silicon
- Prior art date
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 4
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- COLZOALRRSURNK-UHFFFAOYSA-N cobalt;methane;tungsten Chemical compound C.[Co].[W] COLZOALRRSURNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical class [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- VZUPOJJVIYVMIT-UHFFFAOYSA-N [Mo].[Ni].[Cr].[Fe] Chemical compound [Mo].[Ni].[Cr].[Fe] VZUPOJJVIYVMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 claims 2
- 240000000662 Anethum graveolens Species 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 240000005499 Sasa Species 0.000 claims 1
- DUQYSTURAMVZKS-UHFFFAOYSA-N [Si].[B].[Ni] Chemical compound [Si].[B].[Ni] DUQYSTURAMVZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000008001 rakum palm Nutrition 0.000 claims 1
- 208000034809 Product contamination Diseases 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 9
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001347 Stellite Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N chromium;cobalt;iron;manganese;methane;molybdenum;nickel;silicon;tungsten Chemical compound C.[Si].[Cr].[Mn].[Fe].[Co].[Ni].[Mo].[W] AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- -1 hydrogen bromide (HBr) iodine Chemical compound 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMXTYBQNQCQHEU-UHFFFAOYSA-N ac1lawpn Chemical compound [Cr]#[Cr] RMXTYBQNQCQHEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N all-trans-retinol Chemical compound OC\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N chromium iron nickel Chemical compound [Cr].[Fe].[Ni] BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001293 incoloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001093575 Alma Species 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFMITUMMTDLWHR-UHFFFAOYSA-N Minoxidil Chemical compound NC1=[N+]([O-])C(N)=CC(N2CCCCC2)=N1 ZFMITUMMTDLWHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N [B].[Si] Chemical compound [B].[Si] CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOPFEAOYCURDIW-UHFFFAOYSA-N [Cr][Mo][Cr][Ni] Chemical compound [Cr][Mo][Cr][Ni] WOPFEAOYCURDIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011717 all-trans-retinol Substances 0.000 description 1
- 235000019169 all-trans-retinol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- YYXHRUSBEPGBCD-UHFFFAOYSA-N azanylidyneiron Chemical compound [N].[Fe] YYXHRUSBEPGBCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N bromosilane Chemical compound Br[SiH3] VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- IUWCPXJTIPQGTE-UHFFFAOYSA-N chromium cobalt Chemical compound [Cr].[Co].[Co].[Co] IUWCPXJTIPQGTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum nickel Chemical compound [Cr].[Ni].[Mo] OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N diiodosilane Chemical compound I[SiH2]I AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KQFUCKFHODLIAZ-UHFFFAOYSA-N manganese Chemical compound [Mn].[Mn] KQFUCKFHODLIAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229940107889 rogaine Drugs 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J silicon(4+);tetraiodide Chemical compound [Si+4].[I-].[I-].[I-].[I-] JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N triiodosilane Chemical compound I[SiH](I)I DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/442—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Glanulating (AREA)
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
Abstract
تجميع مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة PROBE ASSEMBLY FOR A FLUID BED REACTOR الملخـــص يبين هذا الاختراع تجسيمات لتجميع اجزاء مجس assembly probe لمفاعل ذى طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor. ويتضمن هذا التركيب عضو مفاعل ذى طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor (FBR) member وسدادة ضغط pressure tap متضمنة على جدار يحدد ممرا يقع خلاله عضو مفاعل ذى الطبقة السفلية المائعة FBR ومن أمثلة أعضاء المفاعل ذى الطبقة السفلية المائعة FBR نجد- دون حصر- مزدوج حرارى thermocouple، أنبوبة توزيع seed pipe، خط أخذ عينات للاجزاء particle sampling line, خط أخذ عينات من الغاز gas sampling line، خط إمداد الغاز gas feed line, سخان، سدادة ضغط ثانية أو اتحاد من كل ذلك. كما يبين الاختراع تجسيمات لتجميع أجزاء مجس يعمل على خفض أو استبعاد الحاجة إلى قضبان دعامية support rods وحلقات فى خلال المفاعل ذى الطبقة السفلية المائعة FBR، كما يخفض من فساد المكونات داخل المفاعل و/ أو يخفض من تلوث المنتج . الشكل 4.
Description
_— \ _ تجميع مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة Probe assembly for a fluid bed reactor الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع الحالى بتجميع مجس probe assembly للاستخدام مع مفاعل ذي طبقة مائعة fluid bed reactor (FBR) وبخاصة مفاعل ذي طبقة مائعة مميع بالتحلل الحراري pyrolytic decomposition 5 حامل للسيلكون - أو الجيرماثيوم siicon- or germanium- bearing gas ° لانتاج جسيمات سيليكون أو جيرمانيوم مغلفة siicon- or germanium-coated ad parties تجميع مجس عضو مفاعل ذي طبقة مفلية مائعة pinay ضغط pressure -tap التحلل الحرارى Pyrolytic decomposition للغاز الحامل للسيليكون siicon-bearing gas فى طبقات سفلية مائعة fluidized beds هى عملية رائعة لإنتاج عديد السيليكون polysilicon
٠ للصناعات الضوئية الفولتية photovoltaic وأشباه الموصلات semiconductor بسبب كتلة ممتازة
ونقل الحرارة؛ وزيادة السطح للترسب والإنتاج المستمر . مقارنة مع مفاعل من نوع سيمنز Siemens مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة يقدم معدلات إنتاج أعلى بكثير في جزء صغير من استهلاك الطاقة. مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة يمكن أن يكون مستمراً وأوتوماتيكى للغاية لخفض تكاليف العمل بشكل كبير.
١ المشكلة الشائعة في مفاعلات ذي طبقة سفلية مائعة هي ترسب المكونات الداخلية وجدران المفاعل المحيطية كرواسب السيليكون siicon على الجدران, المجس الحرارى temperate probe حنفية الضغط ؛ فوهة البذور seed nozzle وفوهات الغاز cgas nozzles وهياكل الدعم الداخلية interior support structures مشكلة شائعة أخرى هي تلوث الطبقة السفلية المائعة في درجات حرارة التشغيل المرتفعة التى بواسطة المواد المستخدمة لبناء المفاعل ومكوناته. على سبيل المثال؛ فقد
base metal من معدن خسيس silicon layer ينتشر فى طبقة السيليكون nickel تبين ان النيكل Yo في مفاعلات ذي طبقة سفلية مائعة Lan مشاكل مماثلة nickel alloys في بعض سبائك النيكل
الاي
_ اذ المكونة للتحلل الحراري للغاز الحامل للجرمانيوم germanium لإنتا Gla z جرمانيوم مغلفة .germanium-coated particles. الوصف العام للاختراع يتم الإفصاح عن تجسيمات لتركيب لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor © (088. ويضم تجميع مجس probe assembly لعضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة FBR وصنبور ضغط. عضو مفاعل ذي طبقة YELLIN مائعة (FBR) لديه سطح الخارجي أقصى بعد dimension DI عرضي خارجي» نهاية dum وطول 1.1 length صنبور الضغط لديه جدار يحدد jes ¢ أقصى بعد عرضي خارجي 02 dimension حيث البعد 01 أصغر من D2 النهاية canal) وطول 12 Jdength Ye جدار صنبور الضغط pressure tap wall متباعد بمسافة عن السطح الخارجي لعضو عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة (FBR) ¢ ليوجد مسافة بين عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة (FBR) وجدار صنبور الضغط. يقع عضو عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة (FBR) داخل ممر يحده جدار صنبور الضغط. في بعض التجسيمات» عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة (FBR) هو مزدوج حرارى thermocouple, ٠ أنبوب بذورء خط أخذ عينات الجزيئات sampling line عاعنا:هم» خط أخذ عينات الغاز ¢gas sampling line خط تغذية الغاز «gas feed line سخان؛ أو صنبور ضغط الثاني . في تجسيم cass طول Ll أكبر من طول 12 بحيث النهاية القصوي لعضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة (FBR) تقع تحت النهاية الطرفية لجدار صنبور الضغط عندما يكون تجميع المجس مثبت في مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة مع تجميع مجس يمتد بانحدار إلى حجرة التفاعل Yo لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة FBR في تجسيد آخرء؛ طول 11 هو أقل من أو يساوي طول 12 بحيث النهاية البعيدة لعضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة (FBR) تقع عند أو فوق النهاية البعيدة لجدار صنبور الضغط عندما يكون تجميع المجس مثبت في مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة مع مجس يمتد بانحدار إلي حجرة التفاعل لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة. في بعض الترتيبات» طول 12 له طول كافي للنهاية Yo البعيدة لصنبور الضغط لتمتد إلى الجزء المميع للطبقة المائعة داخل مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة اا
سا عندما يكون صنبور ضغط موضوع بحيث أنه يمتد من خلال فتحة في الرأس العلوي لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ومفاعل ذي طبقة سفلية مائعة يكون قيد التشغيل. في بعض التجسيمات؛ تجميع مجس يشمل مزيد من الدعم المباشر للنهاية البعيدة للجدار الخارجي لصنبور الضغط. ويمكن أن يشمل الدعم عضوا خارجي لديه أقصى بعد dimension D3 © عرضي خارجي (بفائدة 03 أكبر من او تساوي 02)؛ وعدد وافر من القضبان المتباعدة تمتد داخليا من العضو الخارجي. مواقع تدعم مركزيا وميكانيكيا توزان الأنبوب الداخلي داخل الجدار الخارجي. يستحسن؛ تجميع une أو جزء aie أن يضم الفولاذ المقاوم للصدأ ذو درجات حرارة عالية Blas high-temperature stainless steel النيكل nickel -الحديد ron - الكروم «chromium ٠ أو سبيكة الحديد ron الكروم chromium - النيكل nickel -الموليبدينوم «molybdenum أو سبيكة من نوع ممتاز أساسها الكوبالت الدطاه». في ترتيبات معينة؛ الأسطح الخارجية المكشوفة لمجس تجميع تشمل طبقة خارجية تتألف من سبيكة الكوبالت cobalt -الكروم cchromium كربيد التنجستن/الكوبالت ctungsten carbide/cobalt كربيد التنجستن tungsten JSS [carbide بورون cnickel boron كربيد السيليكون esiicon carbide أو نيتريد Vo السيليكون silicon nitride. تركيب الرأس الاعلى النموذجى يتضمن رأس علوي يحتوى فتحة واحدة على الأقل تمتد خلال الرأس العلوي. وتجميع المجس يتم وضعه بحيث يمتد من خلال الفتحة. تجسيمات لتجميع المجس الموضح هي مناسبة للاستخدام في مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة؛ Jin مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة يشمل وعاء vessel عدد وافر من جزيثات البذرة Seed particles داخل وعاء؛ ومصدر غاز .gas source 0 ٠ في بعض التجسيمات؛ مصدر الغاز هو مصدر الغاز الحامل السيليكون silicon-bearing gas ويتم تكوين المفاعل لإنتاج جزيئات السيليكون المغلفة بواسطة التحلل بالتحلل الحراري Jel pyrolytic decomposition الحامل السيليكون silicon وترسب السيليكون deposition of silicon على جزيئات البذورء Jie جزيئات بذور السيليكون silicon بعض تجسيمات؛ عضو YO مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة FBR يكون مزدوج حرارى يملك طول أكبر من طول صنبور الضغط. اا
El الاختراع ستصبح أكثر وضوحا من الوصف Wey وما سبق وغيرها من الأشياء؛ وميزات؛ التفصيلي التالي؛ والتي تنطلق مع الإشارة إلى الأشكال المرفقة. شرح مختصر للرسومات الشكل ١أ. منظر تخطيطى مرتفع لتجسيم واحد من التجميع الرأسي العلوي لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة. © . i ١ الشكل اب. منظر رسم فني علوي لحلقة الدعم لتركيب الرأسي العلوي للشكل بعد التلوث من ترسب ١ منظر تخطيطى علوي لتجميع رأسي علوي للشكل CY الشكل silicon السيليكون مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة. ٠
FOOSE الشكل؛: منظر تخطيطي علوي لتجميع مجس .4 منظر عرضى لتجميع مجس للشكل ro الشكل .4 الشكل: منظر رسم فني علوي لتركيب دعامي لتجميع المجس للشكل الشكل7: منظر تخطيطي علوي لتجسيم واحد لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة يتضمن تجميع مجس للشكل ؟. ve الوصف التفصيلى: لاستخدامه في نظام مفاعل probe assembly الموصوف هنا هي تجسيمات لتجميع مجس نظام مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة لتشكيل Jie ¢fluid bed reactor system ذي طبقة سفلية مائعة بواسطة التحلل بالتحلل الحراري للغاز الحامل للسيليكون وترسيب polysilicon البولي سيليكون السيليكون على جزيئات السيليكون المميعة أو جزيئات البذور الأخرى (على سبيل المثال؛ السليكا ٠ أو نظام مفاعل ذي طبقة + (quartz particles أو الجزيئات الرباعية «graphite الجرافيت silica بواسطة التحلل germanium-coated particles سفلية مائعة لتشكيل جزيئات الجرمانيوم المغلفة ادف
-- بالتحلل الحراري لغاز dels الجرمانيوم قوقع germanium-bearing وترسيب_ الجرمانيوم germanium على جزيئات الجرمانيوم dae) germanium particles أو جزيئات البذور الأخرى. تجسيمات لتجميع مجس الموضح تكون مناسب لإدخاله من خلال الرأس العليا أو الرأس السفلى لمفاعل ذي طبقة Alin مائعة؛ وتكون مناسبة للاستخدام في مفاعلات ذي طبقة سفلية © مائعة تمتلك بطانته غير معدنية non-metallic liner مثل بطانة السيراميك ceramic liner أو بطانة الكوارتز quartz finer تجميع مجس يجمع عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة وصنبور الضغط.
على الرغم من أن تجميع مجس الموضح هو مناسب للاستخدام في العديد من أنواع المفاعلات ذي طبقة سفلية مائعة؛ فإن المناقشة ستسمر مع التركيز على مفاعلات ذي طبقة سفلية Ve مائعة BSA لترسب السيليكون silicon تصنيع جسيمات السيليكون متعدد الكريستالات polycrystalline silicon بطريقة ترسيب الأبخرة الكيميائية التي تقتضي الانحلال الحراري لمادة تحتوي على السيليكون Jie silicon على سبيل المثال سيلاني SE silane سيلاني disilane أو هالوسيلاني Jie halosilanes ثلاثى كلوروسيلان trichlorosilanee أو رباعى كلورو سيلان tetrachlorosilane في مفاعل ذي طبقة سفلي مميع وهى معروفة لشخص من أهل المهنة ويتضح ١ من العديد من المنشورات بما في ذلك براءات الاختراع والمنشورات التالية البراءة الأمريكية 7 .م البراءة الأمريكية ٠79,177 ,7 البراءة الأمريكية €0,A00, TVA البراءة الأمريكية 4 2,8 البراءة الأمريكية 2,79,171» البراءة الأمريكية 4,707 »2,١ البراءة الأمريكية YY, YA ,د البراءة الأمريكية CE AAT, TAY البراءة الأمريكية 6,878,017 البراءة الأمريكية لاد مرك البراءة الأمريكية 5,517,917» البراءة الأمريكية 4,575 5,7١ ؛ البراءة الأمريكية oF, VY ATY ٠ البراءة الأمريكية 3,017,801 البراءة الأمريكية 71558317/700٠0 0 البراءة الأمريكية cd 181131/70٠0 البراءة Behl con 71331/709٠٠0 ASA الأمريكية 7/٠ البراءة الأمريكية 4474/7004 7 البراءة الأمريكية 411/٠١8 ت1كتى البراءة الأمريكية 4040/7009 000 البراءة الأمريكية 43/7008 0410 البراءة الأمريكية 4/7/احه . cr البراءة الأمريكية a YY OY TTY 0 A البراءة الأمريكية ١٠/4157فى Yo البراءة الأمريكية ١٠0١7850 YY البراءة الأمريكية LY CY 8257 » 0 و البراءة الأمريكية
ال مالف
7ه
١7/-
يتم ترسيب السيليكون silicon على جسيمات في مفاعل بواسطة تحلل الغازحامل السيليكون silicon-bearing gas المختار من مجموعة تتألف من سيلاني silane (SiHy) ثنائى سيلان disilane (ShHg) سيلان ذو ترتيب أعلي (مبميتلمنة) chigher order silanes ثنائي كلورو سيلان (وا571:0) «dichlorosilane ثلاثى كلورىو سيلان trichlorosilane (SIHCL) ورباعى كلوريد هه السيليكون SU «silicon tetrachloride (SiClL) برومو سيلان (:511:3) عصمات 0 7::0ل» ثلاثى برومو سيلان ctribromosilane (SiHBr3) رباعى بروميدالسيليكون siicon tetrabromide SE .»)513( يودو سيلانى diiodosilane (SiHol) ثلاثى يودو السيلان triodosilane (1ا5)» ورباعى يودو السيليكون silicon tetraiodide (SIL) وأخلاط منها. قد يكون الغاز Jalal للسيليكون مختلط مع الغازات التي تحتوي على واحد أو أكثر من الهالوجين halogen- ٠ «containing gases ٠ المعرف بأنه يتكون من أي من مجموعة من الكلور chlorine (CL) كلوريد الهيدروجين chydrogen chloride (HCD البروم bromine (Bry) بروميد الهيدروجين hydrogen bromide (HBr) اليود iodine (Io) يوديد الهيدروجين <hydrogen iodide (HI) وأخلاط منها. ويمكن أيضا أن يكون الغاز الحامل للسيليكون silicon مختلط مع واحد أو أكثر من الغازات الأخرى» بما في ذلك الهيدروجين hcogen (Ho) واحد أو أكثر من غازات خاملة bert gases VO مختارة من النيتروجين enitrogen (No) الهليوم chelium (He) الأرجون cargon (Ar) والنيون neon ©0. في تجسيم معين؛ الغاز الحامل السيليكون silicon هو سيلاني esilane والسيلاني silane
يكون مخلوط بالهيدروجين ydrogen الغاز الحامل السيليكون Wis asilicon-bearing gas إلى جنب مع أي هيدروجين hydrogen مصاحب»؛ والغازات التي تحتوي على الهالوجين halogen-containing gases و/ أو ٠ الغازات الخاملة inert gases يتم ادخالها في مفاعل ذي طبقة سفلية مميعة والمتحللة حراريا داخل المفاعل لإنتاج السيليكون silicon الذي يترسب على جزيئات البذور seed particles داخل المفاعل. قد يحدث التلوث Lay تشكل رواسب السيليكون silicon على جدران المفاعل ومكونات المفاعل الداخلية Jo) سبيل (JB مجس درجة الحرارة demperature probe صنبورالضغط؛
فوهة البذور؛ دعامات داخلية؛ الخ). Yo الشكل ١أ هو رسم تخطيطي لتجميع رأس علوي نموذجي ٠١ خاص بمفاعل طبقة سفلية مميع. التجميع ٠١ يتضمن رأس علوي .٠١ عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠١ (FBR) de) سبيل (JE مزدوج حرارى (thermocouple, صنبور ضغط «fr وفوهة بذور Or تم اا
A
أعضاء (Yo في الرأس العلوي 07 47 (YY إدراجهما من خلال فتحات ذات حجم بعدي تعاوني نموذجية تتضمن؛ ولكن لا تقتصر على ؛ المزودج الحراري؛ (FBR) مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة سخان؛ صنبور Gl خط أخذ عينات الجزيئات؛ خط أخذ عينات الغازء خط تغذية ell أنبوب ضغط الثاني؛ او مزيج منهاء قد يكون صنبور الضغط الثاني المستخدم؛ على سبيل المثال؛ لتحديد «(FBR) الضغط على الارتفاع الثاني داخل مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة © سبيل lo) المكونات داخل مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة تخضع للقوى الميكانيكية مع الجزيئات المميعة) collisions من التصادمات vibratory forces المثال» القوى الاهتزازية تتضمن أيضا ٠١ خلال تشغيل المفاعل. وفقا لذلك؛ في بعض التجسيمات؛ رأس التجمع العلوي لتوفير الاستقرار لعضو المفاعل ذي Ve واحد أو أكثر من قضبان دعم 60 و / أو حلقات دعم
Ov وفوه البذور cfr صنبور الضغط (Fe FBR الطبقة السفلية المائعة ٠ © ٠ وصنبورالضغط Ve FBR في تجسيم موضح؛ عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة
Jig الذي Av ليمتد إلى طبقة سفلية مائعة تمتلك حدوده عليا I كل منهما يمتلك طول كافي
FBR متوسط الطول للطبقة السفلية المميعة. قد تكون أطوال عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠ وصنبورالضغط؛ ؛ على حالها تقريباء أو قد تختلف. يستحسن؛ على الأقل صنبور ضغط ٠ ان يكون لديه طول كافي ليمتد إلى الجزء المميع لطبقة سفلية مائعة. Ve كما ترى من أعلى. حلقة دعم 70 تتضمن ٠ دعم Adal شكل ١ب. هو مشهد موسع التي تمتد شعاعيا ظاهريا نحو وقد تتصل بمحيط بطانة مفاعل ذي VY عدد وافر من المباعدات حلقة دعم Ve تسهل تمركز حلقة الدعم YY طبقة سفلية مائعة المحيطة (لا يظهر). المباعدات ذات أبعاد بشكل فردي لتستوعب وتثبت ميكانيكيا (VE تتضمن أيضا عدد وافر من حلقات ١ وقضبان ov 5؛ فوهة البذور ٠ صنبور الضغط «Fe FBR عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠ من تاثير بطانة المفاعل أثناء تشغيل VY بمرور الوقت قد يحدث تلف للمباعدات To الدعم مفاعل و / أو من آثار الجزيئات المميعة. رواسب Jie توضح رواسب 90؛ ٠١ Ue هو رسم تخطيطي لتجميع رأس LY شكل السيليكون 5ا05م400 1:000؛ التي يمكن أن تشكل مع مرور الوقت خلال عملية مفاعل ذي طبقة يصبح من الضروري وقف عملية مفاعل بشكل دوري وتفكيك GSH سفلية مائعة. كما يزيد Yo المفاعل للتنظيف و / أو استبدال المكونات الملوثة. تأخير الصيانة يقلل كفاءة التشغيل وإخراج 7ه
q — — المنتج؛ وتكبد تكاليف تشغيل إضافية. قضبان الدعم Te حلقات الدعم 7٠0 و / أو الأسطح الخارجية لعضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة «Fr FBR صنبور الضغط cfr وفوهة البذور Ov Lad يمكن أن تكون مصادر لتلوث المنتج. وفقا لذلك؛ فإنه من المفيد تقلص عدد المكونات الشكل ٠. هو رسم تخطيطي لتجميع رأس عليا Ye متضمن تجميع مجس ١٠ مدخل من خلال فتحة ١١١ في الرأس العليا Ye قد تكون الفتحة ١١١ موضوعة مركزيا في الرأس العليا ١7٠؛ أو قد تكون متوزانة من المركز. تجميع المجس١١١٠ يشمل عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠١ وصنبور ضغط .٠0 اعضاء مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة نموذجي «FBR تشمل ولكن لا تقتصر lo مزدوج (gn أنبوب بذور؛ خط أخذ عينات الجسيمات؛ خط أخذ عينات Had) Ye ¢ خط تغذية الغازء سخان؛ صنبور الضغط الثاني؛ أو مزيج منها. في بعض التجسيمات؛ عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠١٠١ FBR هو مزدوج حراري . في ترتيبات (Alma عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة Fe » Al ٠٠١ FBR فوهة البذور يتم إدراجها من خلال فتحة أخرى ١57 في الرأس الاعلى .٠7١ في التجسيم البديل (لا يظهر)؛ يتم إدخال تجميع المجس ٠ من خلال فتحة في الرأس السفلي لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة. ١١ الشكل FR: ©. هما رسم تخطيطي ومنظر مستعرض؛ على التوالي 6 لتجميع مجس .١٠١٠١ شكل 1. منظر رسم علوي لهيكل الد عم ٠٠ من تجميع مجس .١٠١١ الشكل 7. هو رسم التخطيطي لتجسيم واحد لمفاعل مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠٠١ متضمن تركيب رأس عليا ٠ لشكل .١ يشمل المفاعل ٠٠١ جدار خارجي Yv. تحدد حجرة تفاعل YY المفاعل Yoo يتضمن أيضا فوهة Yeo لإدخال غاز التفاعل (على سبيل JE ٠ الغاز Jalal السيليكون silicon-bearing أو الحامل الجرمانيوم (germanium-bearing وفوهات تميع You واحدة أو اكثر. وتشمل غرفة التفاعل 77٠0 قاع جسيمات 760 على سبيل المثال؛ جزيئات السيليكون أو الجرمانيوم silicon or germanium particles خلال تشغيل المفاعل؛ على الأقل جزء من القاع يكون مميع. الحد YAY يمثل ارتفاع اف
“yam ونهاية قاصية ١١7 له سطح خارجي ١8١ FBR عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة الذي يحدد الممر.* عضو مفاعل ذي طبقة سفلية VEY Jaa لديه VE صنبور ضغط YE بعيدا عن السطح الخارجي eli) £Y يكون موضوع داخل ممر. الجدار ١70 FBR dalle يكون VET مفتوحة sam لديه نهاية VEY Jaa width 17 له عرض VEE لتحديد فراغ ٠7
Neg الفراغ Jab عملي لقياس الضغط ٠١460 صنبور الضغط 0 لمنع إعاقة VEE أسفل عبر الفراغ purge gas في بعض التجسيمات؛ يتدفق غاز تطهير أو hydrogen جزئيات القاع من دخول الفراغ. في بعض الأمثلة؛ غاز التطهير هو الهيدروجين لديه ٠١٠١ FBR كما هو موضح سابقا. عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة inert gas غاز خامل حيث (D2 لديه أقصى بعد خارجي عرضي ١80 صنبور ضغط DI أقصى بعد خارجي عرضي
FBR ذي طبقة سفلية مائعة Jolie أصغر من 02 . في بعض التجسيمات؛ يتركز عضو 01 ٠
NEY داخل ممر محدد بالجدار ٠٠ ١١١781 وعضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠4٠0 على الرغم من ان صنبور الضغط تم توضحيهما في الشكل. 0-8 بجود مقاطع عرضية دائرية؛ واحد من الخبراء العاديين في المجال كل من عضو مفاعل ذي طبقة سفلية Jia) سيفهم انه يمكن استخدام أشكال أخرى. على سبيل يكون لديهما شكل مربع؛ شكل مستطيل؛ شكل أهليلجي؛ شكل BVEY Jang ١707888 مائعة Vo سداسي الأضلاع؛ شكل ذو ثماني أضلاع؛ أو أي مقطع عرضي آخر مرغوب فيه. بدلا من ذلك 7؟ قد يكون لهما أشكال مستعرضة Jang ١70788 Astle عضو مفاعل ذي طبقة سفلية يمكن يتم إدخاله في ممر محدد ١١73© مختلفة طالما عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة
NEY بجدار Veo وصنبور الضغط Ll لديه طول ١١78© عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ٠. ٠١١ FBR ذي طبقة سفلية مائعة Jolie لديه طول 12. في بعض التجسيمات؛ كل من عضو
VAC ليمتد إلى القاع المميع؛ تحديدا دون حدود AS يكون طويل بشكل ٠660 وصنبور الضغط عبر الراس ٠١١١ تمثل الطول المتوسط للقاع مميع) ؛ وعندما يتم إدخال تجميع مجس All) YA. تجسيم موضح في الشكل © و ؛ و 7؛ يكون طول 11 أكبر Jie في ترتيبات معينة؛ . ١١١ العليا ما وراء الطرف J) _يمتد ١١788 .من طول 12 بحيث عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة YO يكون عضو مفاعل ذي طبقة Laie على سبيل المثال؛ .٠660 لصنبور الضغط VET القاصي 7ه
-١١-
سفلية مائعة ١0788 مزدوج ca طول 12 عادة يكون أكبر من طول 11 بحيث أن المزدوج الحراري سيكون أكثر دقة لقياس درجة الحرارة في الطبقة السفلية المائعة . في بعض التجسيمات؛ عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ١١731 لديه النهاية distalend Samal ؛ ١١ التي Say ٠٠١١-٠ سم إلى وراء النهاية البعيدة VET لصنبور الضغط ٠660 مثل 96-8 90-٠١ an سم؛ أو 4-٠7١ سم وراء النهاية البعيدة ١7 وفي مثال واحدء النهاية البعيدة ١ تكون 70-70١ سم
وراء النهاية البعيدة ET في تجسيم بديل (غير ظاهر)؛ يكون عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ١١١788 أقصر من صنبور الضغط ١50 ولا تمتد مارا بالنهاية البعيدة لصنبور الضغط. هذا الترتيب قد يقلل أو يمنع تلوث المنتج من عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة FBR في واحدة من Jie هذا
٠ التجسيم؛ عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ©7131 ١ هو المزدوج الحراري؛ والمزدوج الحراري يقيس درجة الحرارة داخل الفراغ بين المزدوج الحراري وجدار صنبور الضغط؛ Jie درجة حرارة غاز التطهير المتدفق من خلال الفراغ. في بعض الحالات»؛ درجة الحرارة داخل الفراغخ قد تكون فعليا Jie درجة حرارة القاع ضمن مسافة معتدلة فوق القاع. في تجسيد AT عضو Jolie ذي طبقة سفلية مائعة ١0798 هو خط تغذية الغاز.
inner pipe (غير ظاهر)؛ صنبور الضغط يشمل أيضا أنبوب داخلي AT في تجسيم yo في مثل ٠. يحدد الممر المركزي وجدار الخارجي متباعد بعيدا عن الانبوب الداحلي ليحدد الفراغ المدخل في الممر المركزي المحدد بإنبوب FBR هذا الترتيب» عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة داخلي لصنبور الضغطً. قد يكون الأنبوب الداخلي بطول أكبر من؛ أقل من أو يساوي طول الأنبوب الداخلي لديه نهاية بعيدة مغلقة. candy الجدار الخارجي. في ترتيب
VET مفيد في أو قرب النهاية البعيدة OT في بعض الترتيبات؛ يتم توفير هيكل دعم Y. لجدار VET بأية وسيلة مناسبة للنهاية البعيدة ١6٠١ تجسيم واحد؛ يتم تأمين دعم 3 EY للجدار عدد VY outer member عضوا خارجي Jody الموضح مبين في الشكل ؛ ١6٠١ الدعم VEY وعضو TY يمتد داخليا من العضو الخارجي VTE قضبان الدعم؛ Jie وافر من المباعدات؛ له أقصي بعد خارجي عرض 03. في VT الدعم NTT اختياري joner member داخلي
YO تجسيدات معينة؛ يكون البعد 03 أقل من أو يساوي البعد D2 ويستحسن البعد 03 يشبه إلى حد كبير البعد 02. يوجد على الأقل أثنان من قضبان دعم .٠764 في بعض الترتيبات؛ يوجد ثلاثة
7ه
-؟١- الى خمسة قضبان دعم Jie OTE أربعة قضبان دعم ١64 في التجسيم الموضح. في بعض التجسيمات؛ قضبان الدعم VTE لديها ارتفاع كافي لتمدد إلي الأعلي إلي صنبور الضغط Veo عندما يتم تأمين الدعم ٠٠١ للنهاية البعيدة VET لصنبور الضغط. الدعم ٠6١ يسهل تحديد موقع عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ١78 داخل الجدار VEY ويوفر الدعم الميكانيكي لعضو Jolie ذي طبقة سفلية مائعة AY FBR عندما يتواجد العضو الداخلي OTT فإن العضو الداخلي 117 يكون له أقصى بعد عرضي خارجي 04 حيث البعد 04 أصغر من أو يساوي البعد 11 وبعد 04 أكبر من البعد 2. على الرغم من أن الشكل ؛. يوضح العضو الخارجي ١١" والعضو الداخلي ١676 لديهم أشكال دائرية؛ واحد من المهرة العاديين في الفن سيفهم أن العضو الداخلي يمكن أن يأخذ أي شكل Ye يكون قادرا على استقبال وتثبيت عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة 70701©8٠؛ والعضو الخارجي يمكن أن ياخذ أي شكل؛ عادة يكون شكل alae لشكل المستعرض الخارجي لصنبورالضغط. عندما العضو الداخلي ١176 موجود؛ يتم تأمين قضبان ١164 aed) بشكل صارم لواحد فقط من الاعضاء الخارجية ١67 والعضاء الداخلية ١64 لاستيعاب التمدد الحراري التفاضلي للمكونات. Vo فى هذا الترتيب المثالي» صنبور ضغط ١480 لديه بعد عرضى خارجى أكبر 72 من البعد العرضي الخارجي لصنبور الضغط التقليدي؛ Jie صنبور الضغط ٠ 5 في الشكل .٠١ في بعض التجسيمات؛ البعد 02 يكون Fn Jie can 1,07 Y,0 0,0 سم. في مثال candy البعد D2 يكون 5,٠ -8 سم. توفر هذها البعد العرضى ألاكبر تجميع مجس ٠١١ مع استقرار ميكانيكي أفضل داخل المفاعل؛ مما يقلل أو يلغي الحاجة لقضبان الدعم والحلقات في بعض التجسيمات. التقليل ٠ في عدد المكونات داخل Jolie ذي طبقة سفلية مائعة له العديد من Wha) على سبيل المثال. هناك سطوح أقل التي يُمْكِنْ أَنْ E38 المُنتجَ و/ أو تصبح ملوثة خلال تشغيل celia) وبالتالي تقليل متطلبات الصيانة الشاملة. بالإضافة إلى ذلك؛ يتم تبسيط صيانة المفاعل Le أن هناك عدد أقل من المكونات التي تتطلب (Galant والتفكيك؛ و / أو استبدال خلال عمليات الصيانة. شيدت أجزاء تجميع مجس ١٠١١ التى تمتد إلي Jolie ذي طبقة سفلية مائعة من مواد Yo قادرة على تحمل الضغط؛ الحرارة؛ والظروف الكيميائية داخل المفاعل. عادة؛ مكونات تجميع مجس ٠١١ على سبيل المثال؛ عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة VY FBR صنبور الضغط 7ه
س١ Eo وداعمة ١٠١ (إذا وجدت)؛ التي تمتد إلى مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة تتألف من معدن أو معادن مناسبة لخدمة وعاء الضغط في درجة حرارة تشغيل المفاعل بموجب الجمعية الأمريكية للمهندسين الميكانيكيين American Society of Mechanical Engineers (ASME) _رمز_الغلاية ووعاء الضغط. يستحسن؛ أن يتم اختيار المعادن التى تسبب تلوث ضئيل أو معدوم لللمنتج .
ا لمفاعلات ذات طبقة سفلية مائعة لتصنيع السيليكون esilicon تتضمن alae مناسبة؛ لكن لا تقتصر (lo الفولاذ المرتفع الحرارة high-temperature steels على سبيل المثال؛ الفولاذ المقاوم (JIT faites Taal وسبائك نيكل nickel معينة؛ على سبيل (Jd) خليطة إنكولوي اتش 800 80011 dncoloy® سبائك الحديد ron الكروم chromium - النيكل nickel - الموليبدينوم ¢diuxe molybdenum أو السبائك من نوع ممتاز أساسها الكوبالت cobalt—based
superalloys ٠١ (سبيكة أساسها الكوبالت led cobali—based alloy بنية بلورية مكعبة متمركزة deals) ومناسبة للاستخدام في درجات حرارة أعلى من 5460 dap مئوية ٠٠٠١( درجة فهرنهايت)). ويضم الفولاذ المقاوم للصدأ ؛ ٠١ "اتش كربون carbon بوزن 01-0504 % يصل إلي 767 وزن المنجنيز cmanganese يصل إلي 8048 56 وزن فوسفور phosphorus يصل إلي 6.07 % وزن الكبريت esulfur يصل إلي 900,75 وزن سيليكون Qs 967 »-١8 silicon
enitrogen وزن نيتروجين 900.١ تصل إلى nickel وزن نيكل Yo ٠١,4 chromium الكروم VO 960.07 الفولاذ المقاوم للصدأ 17064 تضم ما يصل إلى وزن Lion مع التوازن بكونها حديد وزن الفوسفور Yo ١56045 تصل إلى cmanganese يصل الى 707 وزن المنجنيز ccarbon كربون تصل الى 900,07 وزن الكبريت 007ا5»؛ تصل الى 900,75 وزن السيليكون phosphorus 760,1١ يصل إلى enickel وزن نيكل «% ١-4 chromium وزن الكروم %Y = VA silicon
.100 مع التوازن كونها حديد nitrogen النيتروجين Ody ٠ nickel-iron—chromium هو سبيكة النيكل والحديد والكروم Incoloy® 80011 Av + انكولوى اتش «(cobalt (تصل إلى وزن 907 كوبالت nickel/cobalt نيكل/كوبالت 9678-7 ٠ تضم وزن alloy يصل إلي وزن silicon السيليكون 90١ تصل إلي وزن chromium وزن الكروم 9077-4 وزن 6,1 -»,٠# carbon وزن الكربون 90 Y= +, v0 (manganese المنجنيز 658
8 الألومنيوم V0 aluminum ,+ ,+ وزن التيتانيوم ctitanium يصل إلي وزن 960,095 الكبريت للد مع الموازنة كونها حديد 100.
الاي
-؟١- في بعض التجسيمات؛ تكون الأسطح الخارجية لتجميع مجس ٠١١ مغلفة لتقلص إلي حد بعيد أو تمنع تلوث المنتج و/ أو للحد من أو منع التلف الخارجي من الاتصال بالجزيئات المميعة. على سبيل المثال؛ الأسطح الخارجية المكشوفة لتجميع مجس ٠١١ (على سبيل المثال؛ الأسطح الخارجية التي هي داخل مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة) قد تكون مغلفة مع سبيكة ستيلايت © عننا5 (سبيكة غير المغناطيسية non-magnetic كروم cobalt <lbsS—chromum مقاومة corrosion-resistant JS تضم الكوبالت cobalt ؛ الكروم cchromium الكربون «carbon واختياريا التنجستن ctungsten الموليبدينوم emolybdenum النيكل ¢nickel الحديد دمن الألومنيوم aluminum البورون boron المنجنيز phosphorus ssw sal ¢manganese الكبريت سقامى السيليكون esiicon و/أو التيتانيوم (titanium أو كربيد التنجستن/الكوبالت | tungsten Je) carbide/cobalt ٠ سبيل (JG) 96878 كربيد التنجستين 70١١ | tungsten carbide WC أكسيد الكربون %AY Carbon dioxide Co كربيد التنجستين 96١ / WC أكسيد الكربون %AT «Carbon dioxide Co كربيد التنجستين ٠ / WC أكسيد الكربون Carbon dioxide Co Chromium Cr 455% ¢/ .
في بعض الأمثلة؛ الأسطح الخارجية لتجميع مجس ٠١١ تكون مغلفة بسبيكة ستيلايت VY | ٠ ©عناء:؛ التي تضم 9077-77 (وزن / وزن) كروم %4,0=Y chromium (وزن / (Cs تنجستن ١ ctungsten - 961,5 (وزن / وزن) موليبدينوم cmolybdenum أكبر من او يساوي YY (وزن / وزن) سيليكون silicon 6,8 -901,9 (وزن / وزن) منجنيز cmanganese 1,1-ار٠ % (وزن / (Cis كربون carbon أكبر من او يساوي 767,9 (وزن / fron was (Cs » أكبر من او يساوي PY (وزن / وزن) نيكل nickel أكبر من او يساوي 96١ (وزن / وزن) بورون <boron ٠ أكبر من او يساوي 960.07 (وزن / وزن) كبريت «نلكد»؛ أكبر من او يساوي 960.07 (وزن / وزن) فوسفور phosphorus مع التوازن كونها كوبالت لل0000. ويضم تجسيم واحد ستيلايت Kennametal Stellite) Stellte® VY ستيلايت كينامتال) 79,5 90 (وزن / وزن) كروم %A,© «chromium (وزن / وزن) تنجستن ctungsten ,901 (وزن / وزن) سيليكون موعنانه؛ 561 (وزن / وزن) منجنيز Yo ٠89-1١, 4 cmanganese (وزن / وزن) كربون carbon أكبر من YO أو يساوي *,967 (وزن / وزن) حديد iron وأكبر من او يساوي 967 (وزن / وزن) نيكل nickel
مع الموازنة كونها كوبالت cobalt.
اا vo ذي طبقة Jolie تجسيمات تجميع مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة تشمل عضو (L1 وطول sams ؛ نهاية DI لديه سطح خارجي؛ اقصى بعد عرضي خارجي FBR سفلية مائعة 12 أقصى بعد خارجي عرضي 02 حيث البعد ee وصنبور الضغط يتتضمن جدار تحديد ذي طبقة سفلية مائعة Jolie يقع عضو Cua ل12؛ shy Gam أصغر من البعد 01 ؛ نهاية عن السطح الخارجي لعضو مفاعل ذي lam في الممر وجدار صنبور الضغط يكون مبعد 288 © وجدار FBR ليحدد الفراغ بين عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة FBR طبقة سفلية مائعة المزدوج الحراري؛ FBR صنبور الضغط. قد يكون عضو المفاعل ذي الطبقة السفلية المائعة السخان ؛ صنبورالضغط Glad خط تغذية lad أنبوب البذورء خط أخذ عينة الجزئي؛ خط عينة الثاني؛ أو مزيج منها. في بعض التجسيمات؛ الطول 11 أصغر من الطول 12 بحيث النهاية البعيدة لعضو Ve تقع تحت النهاية البعيدة لجدار صنبور الضغط عندما تجميع FBR ذي طبقة سفلية مائعة Je lie مجس يتم تثبيته في مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة مع تجميع مجس الذي يمتد اسفل إلي غرفة ذي طبقة Jolie التفاعل لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة. في بعض هذه التجسيمات المعينة. عضو خط Gl الجزئي؛ خط عينة due ومزدوج حراري؛ خط أخذ sill هو أنبوب FBR سفلية مائعة تغذية الغازء السخان ؛ صتبورالضغط الثاني؛ أو مزيج منها Vo في بعض التجسيمات؛ الطول 1.1 أصغر من أو يساوي الطول 12 حيث أن النهاية البعيدة تقع عند أو فوق النهاية البعيدة لجدار صنبور الضغط FBR ذي طبقة سفلية مائعة Jolie لعضو عندما يتم تثبيت تجميع مجس في مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة مع تجميع مجس الذي يمتد أسفل إلى غرفة التفاعل لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة. في بعض هذه التجسيمات المعينة عضو مفاعل هو أنبوب البذورء خط تغذية الغازء السخان ؛ أو مزيج منها. FBR ذي طبقة سفلية مائعة ٠ في أيا أو كل من التجسيمات المذكورة أعلاه ؛ قد يشتمل تجميع مجس أيضا الدعم المباشر للنهاية البعيدة لجدار صنبور الضغط؛ ودعامة تضم عضوا خارجي له اقصى بعد خارجي عرضي 3©؛ حيث البعد 03 أكبر من أو يساوي البعد 0 ؛ وعدد وافر من القضبان المتباعدة تمتد داخليا من العضو الخارجي. في أيا أو كل من التجسيمات المذكورة أعلاه؛ قد يشتمل تجميع مجس أو جزء منه الفولاذ Yo — النيكل -الحديد lls high-temperature stainless steel المقاوم للصداً بدرجات حرارة عالية 7ه
-؟١- الكروم Blew ca nickel-ron-chromum alloy الحديد -الكروم -النيكل -الموليبدينوم ron- «chromium-nickel- molybdenum alloy أو سبيكة ممتازة اساسها الكوبالت | cobalt-based superalloy في أيا أو كل من التجسيمات المذكورة أعلاه ؛ قد يشتمل السطح الخارجى المعرض لتجميع مجس طلاء يتكون من سبيكة الكوبالت - الكروم ccobalt-chromium alloy كربيد ه التنجستن/الكوبالت tungsten carbide/cobalt كربيد التنجستن/البورون نيكل tungsten ccarbide/nickel boron كربيد السيليكون «silicon carbide أو نيتريد السيليكون silicon nitride تجسيمات تركيب الرأس الاعلى Je lid ذي طبقة سفلية مائعة تشمل رأس ble متضمنة فتحة واحدة على الأقل من ADA وتجميع مجس وفقا LY أو كل من التجسيمات المذكورة أعلاه؛ حيث يتم وضع تجميع مجس من النوع الذي يمتد من خلال الفتحة. Ve تشمل تجسيمات مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة تجميع مجس وققا لأيا أو كل من التجسيمات المذكورة أعلاه. في بعض التجسيمات؛ يشمل المفاعل ذي طبقة سفلية مائعة أيضا وعاء؛ التي تعرف بغرفة التفاعل؛ عدد وافر من الجزيئات داخل غرفة التفاعل؛ ومصدر غاز في اتصال مع غرفة التفاعل» حيث يمتد تجميع المجس إلي غرفة التفاعل. في أيا أو كل من تجسيمات مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة المذكورة أعلاه؛ قد يكون مصدر vo الغاز الحامل السيليكون دع silicon-bearing ويتم تكوين مفاعل لإنتاج جزيئات المغلفة- بالسيليكون بواسطة التحلل بالتحلل الحراري للغاز الحامل السيليكون وترسيب السيليكون sion في الجزيئات. في أيا أو كل من تجسيمات مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة المذكورة أعلاه؛ الجزيئات قد تكون جزيئات السيليكون silicon particles وقد يتم تكوين مفاعل لإنتاج البولي سيليكون -polysilicon ف في أيا أو كل من تجسيمات مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة المذكورة أعلاه؛ قد يشتمل المفاعل ذي طبقة سفلية مائعة ايضا على رأس عليا تتضمن فتحة واحدة على الأقل من خلاله؛ ويتم وضع تجميع مجس من النوع الذي يمتد من خلال الفتحة. في بعض التجسيمات؛ جدار صنبور ضغط لديه طول كاف 12 أنه عند تشغيل مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة حيث أن الجسيمات المميعة تكون موجودة في الجزء المميع لطبقة سفلية مائعة في غرفة التفاعل؛ النهاية Yo البعيدة لجدار صنبور الضغط يمتد إلى الجزء المميع. لدف
ل \ _ في أيا أو كل من تجسيمات مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة المذكورة أعلاه؛ قد يكون عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة FBR مزدوج الحرارية وطول LI أصغر من طول 12 . نظرا للعديد من التجسيمات الممكنة التي قد تطبق مبادئ الكشف led أنه ينبغي أن يكون معترفا أن التجسيمات الموضحة هي أمثلة مفضلة فقط وينبغي ألا يؤخذ على أنه يحد من مجال الكشف. بدلا من ذلك؛ يتم تعريف نطاق الكشف من قبل العناصر التالية. 7ه
Claims (1)
- عناصر الحماية«fluid bed reactor لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة top head assembly تجميع رأس علوي -١ويشمل :رأس علوية top head مشتملة على ثقب aperture واحد على الاقل نافذذ خلاله + حيث يتم تصميمالرأس العلوي top head لتمتد عبر اعلى غرفة التفاعل reaction chamber بالمفاعل ذا الطبقة© السفلية المائعه؛ وتجميع مجس مثبت بحيث أنه يمتد نحو الأسفل خلال aperture dill في غرفة التفاعل reactionchamber عندما يتم تثبيت تجميع الرأس العلوي top head assembly في المفاعل ذا الطبقةالسفلية المائعه ¢fluid bed reactor تجميع المجس probe assembly مشتمل على:عضو مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor (FBR) member له سطح خارجي outer «surface ٠٠١ بحد أقصى بعد خارجي عرضي D1 طرف بعيدء وبطول 1.آ؛ وسدادة الضغط pressure tap لها جدار محددا ممرء بحد ad) بعد خارجي عرضي 2 cuaFBR يتم وضع عضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية Cua 2 طرف بعيد وبطول <D2> DIداخل ممر سدادة الضغط pressure tap ¢ وجدار سدادة الضغط pressure tap wall يكون مبعدبعيدا عن السطح الخارجي outer surface لعضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية FBR ليحدد VO حيز بين عضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية FBR وجدار سدادة الضغط.7- تجميع رأس علوي Wh top head assembly للعنصر ١ حيث عضو المفاعل ذا الطبقةالمائعة السفلية FBR عبارة عن مزدوج حراري dthermocouple أنبوب البذور ¢seed pipe خطسحب عينات الجسيمات sampling ine عاعتاتدر» خط سحب عينات الغاز «gas sampling lineخط تغذية الغاز gas feed fine ؛ سخان cheater سدادة ضغط ثاني «second pressure tap أو Yo مزيج منهم."- تجميع رأس علوي op head assembly طبقا للعنصر ١ حيث 12 <11 بحيث أنه يتم وضعالطرف البعيد distal end للعضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية FBR أسفل الطرف البعيدdistal end لجدار سدادة الضغط عندما يتم تثبيت تجميع الرأس العلوي top head assembly فيمفاعل ذا طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor .اا؛- تجميع رأس علوي Wh (op head assembly للعنصر , حيث عضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية FBR عبارة عن أنبوب pipe sill 8680» ومزدوج حراري cthermocouple خط سحب عينات الجسيمات sampling ine عاعتاتدر» خط سحب عينات الغاز «gas sampling line خط تغذية الغاز gas feed line سخان cheater سدادة ضغط ثاني second pressure tap أو مزيج منهم . 8- تجميع رأس علوي top head assembly طبقا للعنصر ١ حيث 21,1 12 بحيث أنه يتم وضع الطرف البعيد distal end لعضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية FBR عند أو Gs الطرف البعيد distal end لجدار سدادة الضغط Laie pressure tap wall يتم تثبيت تجميع الرأس العلوي top head assembly في مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor ٠ +- تجميع رأس علوي top head assembly طبقا للعنصر © حيث عضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية FBR عبارة عن أنبوب البذور (seed pipe خط تغذية الغاز feed line 5قع؛ سخان cheater أو مزيج منهم. -١/ تجميع رأس علوي top head assembly طبقا للعنصر )¢ يضم أيضا طرف بعيد distalend لجدار سدادة الضغط pressure tap wall على مقربة من دعامة support وتشتمل الدعامة :support yo عضو خارجي member «عاناه_به الحد الأقصى للبعد الخارجي العرضي D3 حيث 32> 03. و عدد وافر من قضبان مباعدة spacer rods تمتد إلى الداخل من العضو الخارجي -outer member - تجميع رأس علوي top head assembly طبقا للعنصر ١ وفيه يشتمل تجميع المجس probe assembly أو جزء منه على الفولاذ المقاوم للصداً الحرارى chigh-temperature stainless steel Yo سبائك_النيكل والحديد والكروم ¢nickel-iron-chromium alloy وسباتك الحديد والكروم والنيكل والموليبدينوم iron-chromium- nickel molybdenum alloy تق أو سبيكة فائقة اساسها الكوبالت.cobalt-based superalloy 8- تجميع رأس علوي als top head assembly للعنصر ١ حيث الأسطح الخارجية المكشوفة exposed outer surfaces لمجس تجميع تشتمل على طلاء يضم سبائك الكوبالت والكروم cobalt- chromium alloy YO كربيد التنجستن [tungsten carbide الكوبالت cobalt كربيد التنجستن ovoy=« \ _ tungsten carbide | بورون النيكل enickel boron كربيد السيليكون silicon carbide أو نيتريد السيليكون silicon nitride -٠ مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor يتضمن: وعاء cvessel الذى يعرف بغرفة التفاعل reaction chamber ¢ © عدد كبير من الجزيئات particles داخل غرفة التفاعل ‘reaction chamber و مصدر للغاز gas source متصل بغرفة «reaction chamber Je Will واحد او اكثر من فوهات التمييع «fluidization nozzes و تجميع رأس علوي top head assembly طبقا لأي من عناصر الحماية 9-١ مثبت أعلى غرفة التفاعل .reaction chamber -١١ I مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة Wh fluid bed reactor للعنصر ٠١ حيث مصدر الغاز gas source عبارة عن مصدر غاز حامل سيليكون silicon-bearing gas ويتم تكوين مفاعل reactor لإنتاج جزيئات المغلفة بالسيليكون silicon-coated particles بواسطة التحلل بالتحلل الحراري jal pyrolytic decomposition حامل سيليكون يمع silicon-bearing وترسيب deposition السيليكون silicon على الجسيمات particles -١٠ Yo مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة Wh fluid bed reactor للعنصر ٠١ حيث الجسيمات عبارة عن جسيمات سيليكون silicon particles يتم تصميم المفاعل reactor لانتاج عديد السيليكون polysilicon -١٠ مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor مصمم لانتاج جسيمات مطلية بالسيلكون silicon coated particles بواسطة التحلل بالتحلل الحراري lal pyrolytic decomposition محمل ٠ بالسيلكون ممع silicon-bearing وترسيب deposition السيليكون siicon الجسيمات g & 10 «particles المفاعل ذا طبقة سفلية مائعه يضم: وعاء cvessel الذى يعرف بغرفة التفاعل reaction chamber ¢ عدد كبير من الجزيئات particles داخل غرفة التفاعل ¢reaction chamber لدفمصدر اللغاز المحمل بالسيلكون silicon-bearing gas متصل بغرفة التفاعل «reaction chamber واحد او اكثر من فوهات التسييل fluidization nozzles رأس علوي top head مشتملد على ثقب aperture واحد على الاقل نافذ خلاله يتم وضع الرأس العلوي top head اعلى غرفة التفاعل «reaction chamber و 0 تجميع مجس probe assembly مثبت بحيث أنه يمتد للاسفل خلال الثقب aperture في غرفةالتفاعل reaction chamber تجميع المجس probe assembly يضم: عضو مفاعل ذا طبقة سفلية مائعه FBR له سطح خارجي couter surface بحد أقصى بعد خارجي عرضي «D1 طرف بعيدء وبطول 1.آ؛ و سدادة الضغط pressure tap لها جدار محددا ممرء بحد أقصى بعد خارجي عرضي Cua D2FBR طرف بعيد وبطول 12 حيث يتم وضع عضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية «D2> 1 Yo يكون مبعد pressure tap wall الضغط sala وجدار ¢ pressure tap داخل ممر سدادة الضغط ليحدد FBR لعضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية outer surface بعيدا عن السطح الخارجي وجدار سدادة الضغط. FBR حيز بين عضو المفاعل ذا الطبقة المائعة السفلية حيث جدار سدادة ١١ للعنصر Wha fluid bed reactor مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة -4Vo الضغط pressure tap wall لها طول 12 كاف إلي حد cam عندما يكون المفاعل ذا الطبقة السفلية المائعه fluid bed reactor مشتغلا بحيث أن الجسيمات المميعة fluidized particles توجد في جزء المميع لعضو المفاعل ذا الطبقة السفلية المائعة «fluid bed in the reaction chamber فإن الطرف البعيد distal end لجدار سدادة الضغط pressure tap wall يمتد إلي جزء المميع fluidized portion-١ Yo مفاعل ذي طبقة سفلية مائعة fluid bed reactor طبقا للعنصر ٠١ 489 عضو المفاعل ذا الطبقة السفلية المائعه FBR عبارة عن مزدوج الحرارية thermocouple و12 .L1> - تجميع رأس علوي top head assembly وفقا لعنصر الحماية ١ حيث الرأس العلويي top head يضم ايضاً ثقب second aperture SG ممتد aA تجميع الرأس العلوي top head assembly يضم ايضاً:الاعضو مفاعل ذو طبقة YELLIN مائعه FBR ثانى Cale بحيث أنه يمتد للاسفل خلال dl) الثانى second aperture في غرفة التفاعل .reaction chamber -١١7 تجميع رأس علوي top head assembly وفقا لعنصر الحماية ١١ حيث العضو المفاعل ذو الطبقة السفلية المائعه FBR لتجميع المجس probe assembly عبارة عن مزدوج حراري.thermocouple © A )= تجميع رأس علوي top head assembly وفقا لعنصر الحماية VY حيث العضو المفاعل ذو الطبقة السفلية المائعه FBR الثاني عبارة عن فوهة بذر .seed nozzle ايف; oT -Y a ا . rad 0 ا ا Nap” RN iy Coa ro] د | 3 ١ NLL [| *#ي انا 0 Po Et i TT ¢ ile : 1 . oF 1 1 لس ا ا ل لل wr JE = | 4 | : i 1 ! [RAE ES I i Thu i EN ; i لا i 1 1 0 : k= te : i HIN BE a oH 1 ؛ لايل ET EINE ny | Hh FI Fl 1 Po is : ل 1 | م ا i i 1 oi ا RE Vell ا | | > Ld 8 1 أ ki Ni i i : : A IAN يخس i 3 i i d لسر 0 ' ف د NE vi A الم Sa inns | الل 1 1 حا : I, Fog ce \ . + CL Pr EI vy او Eo 1 " Ei ا بكل اب ا 3 0) : id ا ا 8 لل : الا—Y¢— $ on % * : a ¥ 0 وو ص .تت J oe SOON الم 1 أ 0 ا 5 2 pp” . oOo £ 1 | | 4 Tg * 1 ال femmes froma x 4 3 L سسا ا لمي an ا ليللا 5 1 1 i J “i أي By wae Say a Re aka IE ا IN BB ia 1 Vii, GON B SE maa ERR Ci ا Nae Lo ER EIR ١ ا WF اح BN. ل Nae VNTR ؟ BE 21 - INE - fF Tir OEE She ل ل ال لا ا٠ . - نيا الا Ea ا ا ا ا أ BR. '" bs | ب . = rg | ; Noel bi : § Sop Po a, + 8 i i لظ اد ] Ee + A ناا H 1 3 1 ايسا ; FP if ! Ke 1 HY ا Ye i 0 il 1 il Li Hl 0 1 7 I< Lo 9ه_ \ اج a ١ اا + 4 , } الخلا Ne 4 } 5+ ET Sh ٠ ب 7م 1 \ Foes | bu J =r AHL LT 4 i : yay عن Sr ag AOE HL | 1-1 tN HE | 2 Lu لا لاا 1 ] 1 — : 1 0 , I الل ْ ا 1 PRL 0 " | el hi 8 ٍْ 1 1 ً ّ 1 = Lid - ل Ax ١١ | ا 9 ١ شكل ده-١- 02 هم 01 em PTT ١٠ Nae gil Ll Yes ii .: nl ا و 0 ع ا اا ب Pid i fu} IRE Oo Sih + Hi + Hi ca il j Hi 1H HY i ض 1 إ 1 َ HEE HH ض Lid 1 Fe ب أ ءا {ERE 1 ا ا 4 كل 5 ده a wn i y ب ْ 3 \Y ¥ : vir {) ERY \ fa () yoy I Je.VY. ET Vet yy J § ON vey ام | _YA. o Ka AER Ee al HE veal ا ل اليس با ا ا ا ا كنع - -7 الت ا ZN fe SARE 7 ML N Reafionl o HEE tl m0 3 ود تلت م sid va, 334 يا BAN Eula WANT ل١ لا TE / لا > صلل ]ال ا ا Rages 3 ١ ب رارم م ل ا حا للا ا ا 1 اللا ا : 1 ١ شكل ال شكل | | \ = بكي 9همدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب TAT الرياض 57؟؟١١ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: patents @kacst.edu.sa
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/670,200 US9587993B2 (en) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Probe assembly for a fluid bed reactor |
| PCT/US2013/068474 WO2014074505A1 (en) | 2012-11-06 | 2013-11-05 | Probe assembly for a fluid bed reactor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA515360339B1 true SA515360339B1 (ar) | 2017-05-11 |
Family
ID=50621182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA515360339A SA515360339B1 (ar) | 2012-11-06 | 2015-04-26 | تجميع مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9587993B2 (ar) |
| JP (1) | JP2016500573A (ar) |
| KR (1) | KR102137212B1 (ar) |
| CN (1) | CN103945942B (ar) |
| DE (1) | DE112013005291T5 (ar) |
| SA (1) | SA515360339B1 (ar) |
| TW (1) | TWI638902B (ar) |
| WO (1) | WO2014074505A1 (ar) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9587993B2 (en) * | 2012-11-06 | 2017-03-07 | Rec Silicon Inc | Probe assembly for a fluid bed reactor |
| CN105981133B (zh) * | 2014-02-14 | 2019-06-28 | 应用材料公司 | 具有注入组件的上部圆顶 |
| US9404177B2 (en) * | 2014-08-18 | 2016-08-02 | Rec Silicon Inc | Obstructing member for a fluidized bed reactor |
| US9254470B1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-02-09 | Rec Silicon Inc | Segmented liner and transition support ring for use in a fluidized bed reactor |
| US9962672B1 (en) * | 2016-11-09 | 2018-05-08 | Rec Silicon Inc | Reactor component placement inside liner wall |
| JP7453109B2 (ja) | 2020-09-18 | 2024-03-19 | 東邦チタニウム株式会社 | 溶融物送りパイプの通路区画構造、及び、金属マグネシウムの製造方法 |
| EP4363094A1 (en) * | 2021-06-30 | 2024-05-08 | Dow Global Technologies LLC | Plate grid distributors and methods of using the same |
| KR102673093B1 (ko) * | 2023-08-02 | 2024-06-07 | (주)센테크이엔지 | 환원로용 온도센서의 센서봉을 구성하는 표면경화처리된 보호관 제조방법 |
Family Cites Families (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2815663A (en) * | 1954-12-13 | 1957-12-10 | Phillips Petroleum Co | Slip probe assembly |
| US3012861A (en) | 1960-01-15 | 1961-12-12 | Du Pont | Production of silicon |
| US3012862A (en) | 1960-08-16 | 1961-12-12 | Du Pont | Silicon production |
| US3343417A (en) * | 1965-04-12 | 1967-09-26 | United Aircraft Corp | Temperature and pressure probe |
| US3339411A (en) * | 1965-06-23 | 1967-09-05 | Bedford Controls Inc | Electrode probe assembly |
| US3459040A (en) * | 1966-11-23 | 1969-08-05 | Us Air Force | Enthalpy sensor |
| US3596518A (en) * | 1968-06-17 | 1971-08-03 | Gen Motors Corp | Gas temperature measurement |
| US3619381A (en) * | 1968-12-23 | 1971-11-09 | George R Fitterer | Determining oxygen content of materials |
| US3630080A (en) * | 1969-11-13 | 1971-12-28 | Julian S Taylor | Temperature, pressure and flow rate sensing probe and associated gauge plug |
| US3802926A (en) * | 1972-04-24 | 1974-04-09 | Corning Glass Works | Thermocouple with spaced electrically insulating sheaths |
| FR2189730B1 (ar) * | 1972-06-16 | 1976-03-12 | Est Aciers Fins | |
| FR2281562A1 (fr) * | 1974-08-09 | 1976-03-05 | Otto & Co Gmbh Dr C | Sonde se trouvant dans une chambre a haute pression |
| US4217463A (en) * | 1978-03-13 | 1980-08-12 | National Distillers And Chemical Corporation | Fast responsive, high pressure thermocouple |
| US4290306A (en) * | 1979-03-05 | 1981-09-22 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for probing into a refining furnace or the like for temperature measurement for sampling, or for both |
| US4314525A (en) | 1980-03-03 | 1982-02-09 | California Institute Of Technology | Fluidized bed silicon deposition from silane |
| US4444516A (en) * | 1982-02-02 | 1984-04-24 | Vanzetti Infrared And Computer Systems, Inc. | Infrared temperature probe for high pressure use |
| US4416913A (en) | 1982-09-28 | 1983-11-22 | Motorola, Inc. | Ascending differential silicon harvesting means and method |
| US4460802A (en) * | 1982-12-15 | 1984-07-17 | Westinghouse Electric Corporation | Radially activated thermocouple assembly |
| US4519810A (en) * | 1983-06-17 | 1985-05-28 | Chevron Research Company | Circulation loop for carrying out two-stage reactions |
| US4623400A (en) * | 1985-02-22 | 1986-11-18 | Procedyne Corp. | Hard surface coatings for metals in fluidized beds |
| US4788871A (en) * | 1986-08-14 | 1988-12-06 | Steeltin Can Corporation | Probe for sensing temperature and/or pressure |
| US4820587A (en) | 1986-08-25 | 1989-04-11 | Ethyl Corporation | Polysilicon produced by a fluid bed process |
| US4883687A (en) | 1986-08-25 | 1989-11-28 | Ethyl Corporation | Fluid bed process for producing polysilicon |
| US4899741A (en) * | 1987-01-14 | 1990-02-13 | Hgm Medical Laser Systems, Inc. | Laser heated probe and control system |
| US4765751A (en) * | 1987-06-29 | 1988-08-23 | United Technologies Corporation | Temperature and pressure probe |
| US4868013A (en) | 1987-08-21 | 1989-09-19 | Ethyl Corporation | Fluidized bed process |
| US5139762A (en) | 1987-12-14 | 1992-08-18 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Fluidized bed for production of polycrystalline silicon |
| JPH02233514A (ja) | 1989-03-06 | 1990-09-17 | Osaka Titanium Co Ltd | 多結晶シリコンの製造方法 |
| US5005986A (en) * | 1989-06-19 | 1991-04-09 | Texaco Inc. | Slag resistant thermocouple sheath |
| US4974455A (en) * | 1989-08-29 | 1990-12-04 | Lear Siegler Measurement Controls Corporation | Dilution extractive probe |
| DE3929993A1 (de) * | 1989-09-08 | 1991-03-14 | Degussa | Temperaturwaechter |
| US5520682A (en) * | 1991-09-06 | 1996-05-28 | Cryomedical Sciences, Inc. | Cryosurgical instrument with vent means and method using same |
| US5324114A (en) * | 1992-01-02 | 1994-06-28 | Waekon Industries, Inc. | Temperature and pressure sensor for cooling systems and other pressurized systems |
| US5254168A (en) * | 1992-06-04 | 1993-10-19 | Howard Littman | Coating apparatus having opposed atomizing nozzles in a fluid bed column |
| GB2272058B (en) * | 1992-10-30 | 1997-01-29 | Schlumberger Ind Ltd | Thermocouple probe |
| US5312186A (en) * | 1992-11-04 | 1994-05-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High temperature probe |
| ZA943399B (en) * | 1993-05-20 | 1995-11-17 | Bp Chem Int Ltd | Polymerisation process |
| US5810934A (en) | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Silicon deposition reactor apparatus |
| JP2956581B2 (ja) * | 1996-05-15 | 1999-10-04 | 本田工業株式会社 | 流体測定用プローブ |
| DE29619778U1 (de) * | 1996-11-15 | 1998-03-12 | Steinel Ag, Einsiedeln | Druck- und Temperatursensor |
| US5855678A (en) * | 1997-04-30 | 1999-01-05 | Sri International | Fluidized bed reactor to deposit a material on a surface by chemical vapor deposition, and methods of forming a coated substrate therewith |
| US6189390B1 (en) * | 1998-04-02 | 2001-02-20 | Compliance Instrument, Inc. | Method and apparatus for measuring gas velocity or other flow characteristic |
| US6073492A (en) * | 1998-12-17 | 2000-06-13 | Kay-Ray Sensall, Inc. | Ultrasonic sensor for very high temperatures and pressures |
| US6231230B1 (en) * | 1999-03-23 | 2001-05-15 | Alltemp Sensors Inc. | Retractable thermowell |
| DE19948395A1 (de) | 1999-10-06 | 2001-05-03 | Wacker Chemie Gmbh | Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor |
| US6354734B1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-03-12 | Kvaerner Oilfield Products, Inc. | Apparatus for accurate temperature and pressure measurement |
| US6353210B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-03-05 | Applied Materials Inc. | Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe |
| GB0014580D0 (en) * | 2000-06-14 | 2000-08-09 | Bp Chem Int Ltd | Appatarus and process |
| US6827786B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-12-07 | Stephen M Lord | Machine for production of granular silicon |
| KR100411180B1 (ko) | 2001-01-03 | 2003-12-18 | 한국화학연구원 | 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치 |
| US6592253B2 (en) * | 2001-10-09 | 2003-07-15 | Northrop Grumman Corporation | Precision temperature probe having fast response |
| US6642807B1 (en) * | 2002-04-29 | 2003-11-04 | Magnetrol International Incorporated | Coaxial probe for high temperature and high pressure applications |
| US7036224B2 (en) * | 2003-05-12 | 2006-05-02 | Mamac Systems, Inc. | Method of making fluid sensor probe |
| US6759489B1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-07-06 | Eastern Petrochemical Co. | Fluidized bed methods for making polymers |
| US20050092245A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Ahn-Sik Moon | Plasma chemical vapor deposition apparatus having an improved nozzle configuration |
| US7111982B1 (en) * | 2004-01-30 | 2006-09-26 | Swonger Jr Karl William | Combined temperature and pressure probe for a gas turbine engine |
| US20050245920A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Vitullo Jeffrey M | Cell necrosis apparatus with cooled microwave antenna |
| WO2006094714A1 (de) | 2005-03-05 | 2006-09-14 | Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg | Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium |
| JP5086256B2 (ja) | 2005-07-19 | 2012-11-28 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | シリコン噴流流動層 |
| DE102005042753A1 (de) | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor |
| KR100756310B1 (ko) | 2006-02-07 | 2007-09-07 | 한국화학연구원 | 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기 |
| KR100661284B1 (ko) | 2006-02-14 | 2006-12-27 | 한국화학연구원 | 유동층 반응기를 이용한 다결정실리콘 제조 방법 |
| KR100813131B1 (ko) | 2006-06-15 | 2008-03-17 | 한국화학연구원 | 유동층 반응기를 이용한 다결정 실리콘의 지속 가능한제조방법 |
| KR100783667B1 (ko) | 2006-08-10 | 2007-12-07 | 한국화학연구원 | 입자형 다결정 실리콘의 제조방법 및 제조장치 |
| US7935327B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-05-03 | Hemlock Semiconductor Corporation | Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process |
| DE102007021003A1 (de) | 2007-05-04 | 2008-11-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat |
| SG192438A1 (en) | 2008-06-30 | 2013-08-30 | Memc Electronic Materials | Fluidized bed reactor systems and methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls |
| DE102009009869B3 (de) * | 2009-02-20 | 2010-07-08 | Temperaturmeßtechnik Geraberg GmbH | Flexibler Temperatur- und Druckfühler |
| US8168123B2 (en) | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
| CN101928001A (zh) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种制备粒状多晶硅的新型流化床反应装置 |
| WO2011063007A2 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Rec Silicon Inc | Fluid bed reactor |
| US8413501B2 (en) * | 2010-03-26 | 2013-04-09 | The Boeing Company | Wake measurement probe |
| KR101329030B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2013-11-13 | 주식회사 실리콘밸류 | 유동층 반응기 |
| US20120100059A1 (en) | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of Polycrystalline Silicon By The Thermal Decomposition of Trichlorosilane In A Fluidized Bed Reactor |
| KR101329035B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2013-11-13 | 주식회사 실리콘밸류 | 유동층 반응기 |
| KR101329033B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2013-11-14 | 주식회사 실리콘밸류 | 유동층 반응기 |
| US20130129570A1 (en) * | 2011-04-20 | 2013-05-23 | Siliconvalue Llc. | Polycrystal silicon manufacturing apparatus |
| KR101329032B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2013-11-14 | 주식회사 실리콘밸류 | 다결정 실리콘 제조장치 및 이를 이용한 다결정 실리콘의 제조방법 |
| US9587993B2 (en) * | 2012-11-06 | 2017-03-07 | Rec Silicon Inc | Probe assembly for a fluid bed reactor |
-
2012
- 2012-11-06 US US13/670,200 patent/US9587993B2/en active Active
-
2013
- 2013-11-05 JP JP2015540859A patent/JP2016500573A/ja active Pending
- 2013-11-05 DE DE112013005291.1T patent/DE112013005291T5/de not_active Withdrawn
- 2013-11-05 TW TW102140018A patent/TWI638902B/zh active
- 2013-11-05 CN CN201380003729.8A patent/CN103945942B/zh active Active
- 2013-11-05 KR KR1020157011314A patent/KR102137212B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-05 WO PCT/US2013/068474 patent/WO2014074505A1/en active Application Filing
-
2015
- 2015-04-26 SA SA515360339A patent/SA515360339B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9587993B2 (en) | 2017-03-07 |
| CN103945942A (zh) | 2014-07-23 |
| TWI638902B (zh) | 2018-10-21 |
| KR102137212B1 (ko) | 2020-07-23 |
| TW201435133A (zh) | 2014-09-16 |
| JP2016500573A (ja) | 2016-01-14 |
| KR20150082260A (ko) | 2015-07-15 |
| US20140123896A1 (en) | 2014-05-08 |
| WO2014074505A1 (en) | 2014-05-15 |
| CN103945942B (zh) | 2017-06-27 |
| WO2014074505A9 (en) | 2015-05-07 |
| DE112013005291T5 (de) | 2015-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA515360339B1 (ar) | تجميع مجس لمفاعل ذي طبقة سفلية مائعة | |
| US9023425B2 (en) | Fluid bed reactor | |
| CN106458608B (zh) | 流化床反应器和用于制备多晶硅颗粒的方法 | |
| CN103384642B (zh) | 通过在流化床反应器中使二氯硅烷热分解而生产多晶硅 | |
| BR112013019902B1 (pt) | aparelho de reator e método para reagir um ou mais compostos em um gás | |
| KR102165127B1 (ko) | 유동층 반응기에서의 실란의 열 분해에 의한 다결정 규소의 제조 | |
| JP2008133168A (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
| TW201111492A (en) | Gasification reactor | |
| TW201922344A (zh) | 反應裝置及三氯矽烷的製造方法 | |
| JP2015139736A (ja) | 流動床反応器及びそれを用いたニトリル化合物の製造方法 | |
| US20160186319A1 (en) | Silicon carbide stack bottom seal arrangement | |
| CN207811279U (zh) | 一种钟罩封头、钟罩以及还原炉 | |
| TWI701078B (zh) | 用於生產顆粒多晶矽的流化床反應器 | |
| US10632438B2 (en) | Fluidized bed reactor and process for producing polycrystalline silicon granules | |
| US10974218B2 (en) | Fluidized bed reactor for production of granular polycrystalline silicon | |
| TW201819039A (zh) | 襯裡壁內的反應器組件布置 | |
| US10562777B2 (en) | Process and apparatus for production of granular polycrystalline silicon | |
| CN105460938B (zh) | 用于流化床反应器的阻挡元件 |