RU97111854A - Способ и устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния путем сублимационного выращивания - Google Patents
Способ и устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния путем сублимационного выращиванияInfo
- Publication number
- RU97111854A RU97111854A RU97111854/25A RU97111854A RU97111854A RU 97111854 A RU97111854 A RU 97111854A RU 97111854/25 A RU97111854/25 A RU 97111854/25A RU 97111854 A RU97111854 A RU 97111854A RU 97111854 A RU97111854 A RU 97111854A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon carbide
- wall
- reaction chamber
- crystal
- germinal
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 16
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims 14
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 title claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 claims 1
Claims (11)
1. Способ изготовления монокристаллов карбида кремния, отличающийся тем, что готовят по меньшей мере одну газонепроницаемо окруженную стенкой реакционную камеру, причем стенку по меньшей мере на обращенной к реакционной камере внутренней стороне выполняют из изготовленного путем химического осаждения из газовой фазы карбида кремния, по меньшей мере часть карбида кремния стенки сублимируют и наращивают на зародышевом кристалле в качестве монокристалла карбида кремния, стенку по меньшей мере одной реакционной камеры составляют из предварительно изготовленных фасонных тел.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для газонепроницаемого соединения фасонных тел используют элементарный кремний.
3. Устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния, отличающееся тем, что оно содержит по меньшей мере одну газонепроницаемо окруженную стенкой реакционную камеру, причем по меньшей мере обращенная к реакционной камере внутренняя сторона стенки выполнена из химически осажденного из газовой фазы карбида кремния, средства для расположения зародышевого кристалла так, что поверхность кристаллизации зародышевого кристалла обращена к реакционной камере для выращивания монокристалла карбида кремния, а также образующие стенку, предварительно изготовленные фасонные тела.
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что предусмотрены средства для расположения по меньшей мере одного зародышевого кристалла в по меньшей мере одной реакционной камере.
5. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что по меньшей мере один зародышевый кристалл состоит из карбида кремния и образует часть стенки реакционной камеры.
6. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что фасонные тела газонепроницаемо соединены друг с другом с помощью элементарного кремния.
7. Устройство по любому из пп. 3 - 6, отличающееся тем, что для состоящей из карбида кремния части стенки по меньшей мере преобладающе предусмотрен поликристаллический карбид кремния.
8. Устройство по любому из пп. 3 - 6, отличающееся тем, что для состоящей из карбида кремния части стенки в основном предусмотрен аморфный карбид кремния.
9. Устройство по любому из пп. 3 - 8, отличающееся тем, что стехиометрическое отношение кремния к углероду в карбиде кремния по меньшей мере в области сублимации стенки, которая предусмотрена в качестве источника пара для процесса сублимации, отклоняется от 1 не больше порядка 5%.
10. Устройство по любому из пп. 3-9, отличающееся тем, что по меньшей мере одной реакционной камере приданы в соответствие термические средства для нагрева и сублимации по меньшей мере части карбида кремния в области сублимации стенки и для установления заданного распределения температуры между областью сублимации и зародышевым кристаллом в по меньшей мере одной реакционной камере.
11. Устройство по любому из пп. 3 - 10, отличающееся тем, что доля загрязнений в карбиде кремния стенки не превышает существенно 1015 см-3.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4442819 | 1994-12-01 | ||
| DEP4442819.7 | 1994-12-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU97111854A true RU97111854A (ru) | 1999-06-10 |
| RU2155829C2 RU2155829C2 (ru) | 2000-09-10 |
Family
ID=6534664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97111854/12A RU2155829C2 (ru) | 1994-12-01 | 1995-11-14 | Способ и устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния путем сублимационного выращивания |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0795050B1 (ru) |
| JP (1) | JP3902225B2 (ru) |
| KR (1) | KR100415422B1 (ru) |
| DE (2) | DE59506491D1 (ru) |
| FI (1) | FI972315A (ru) |
| RU (1) | RU2155829C2 (ru) |
| TW (1) | TW282556B (ru) |
| WO (1) | WO1996017113A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2747401B1 (fr) * | 1996-04-10 | 1998-05-15 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede pour la formation de carbure de silicium (sic) monocristallin sur un germe |
| JP3725268B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2005-12-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 単結晶の製造方法 |
| EP1268882B1 (en) * | 2000-03-13 | 2011-05-11 | II-VI Incorporated | Axial gradient transport apparatus and process for producing large size, single crystals of silicon carbide |
| FR2839730B1 (fr) * | 2002-05-15 | 2004-08-27 | Centre Nat Rech Scient | Formation de carbure de silicium monocristallin |
| JP4499698B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2010-07-07 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP4688108B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2011-05-25 | 株式会社デンソー | 種結晶の固定状態の評価方法 |
| WO2013124464A1 (en) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Sgl Carbon Se | Cvd coated crucible and use |
| US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
| US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
| US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
| US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
| US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
| US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
| US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
| EP3892761A1 (en) | 2016-04-28 | 2021-10-13 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | Vapour-phase epitaxial growth method, and method for producing substrate equipped with epitaxial layer |
| JP7464806B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2024-04-10 | 学校法人関西学院 | ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置 |
| RU2736814C1 (ru) * | 2020-04-03 | 2020-11-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Способ получения монокристаллического SiC |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147572A (en) * | 1976-10-18 | 1979-04-03 | Vodakov Jury A | Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition technique |
| JPH04265294A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-21 | Toshiba Corp | 半導体結晶の製造方法 |
| JPH05208900A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-20 | Nisshin Steel Co Ltd | 炭化ケイ素単結晶の成長装置 |
-
1995
- 1995-11-14 KR KR1019970703724A patent/KR100415422B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-14 DE DE59506491T patent/DE59506491D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-14 DE DE19581382T patent/DE19581382D2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-14 RU RU97111854/12A patent/RU2155829C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1995-11-14 JP JP51801496A patent/JP3902225B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-14 EP EP95936440A patent/EP0795050B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-14 WO PCT/DE1995/001576 patent/WO1996017113A1/de active IP Right Grant
- 1995-11-17 TW TW084112224A patent/TW282556B/zh not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-30 FI FI972315A patent/FI972315A/fi not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU97111854A (ru) | Способ и устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния путем сублимационного выращивания | |
| RU98120936A (ru) | Монокристаллический sic и способ его получения | |
| JPS5529154A (en) | Semiconductor device | |
| RU2094547C1 (ru) | Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа | |
| KR980700460A (ko) | 실리콘 탄화물 단결정을 승화 성장시키기 위한 방법 및 장치(process and device for sublimation growing silicon carbide monocrystals) | |
| JP3419144B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
| GB8810111D0 (en) | Diamond growth | |
| RU99103350A (ru) | Монокристаллический карбид кремния и способ его получения | |
| RU99105847A (ru) | Монокристалл sic и способы его получения | |
| EP0964081A3 (en) | Single crystal SiC and a method of producing the same | |
| JPH0230699A (ja) | 炭化珪素単結晶成長方法および装置 | |
| RU96103332A (ru) | Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов | |
| RU98121013A (ru) | Монокристаллический sic и способ его получения | |
| JPH031485Y2 (ru) | ||
| EP1404904B1 (en) | Production method of alpha-sic wafer | |
| JP3717562B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS6350393A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH0248495A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の成長方法 | |
| JPS6222960B2 (ru) | ||
| JPH01305898A (ja) | 炭化珪素単結晶製造方法および装置 | |
| JPS5510436A (en) | Susceptor for vapor phase crystal growth | |
| RU2005139163A (ru) | СПОСОБ САМООРГАНИЗУЮЩЕЙСЯ ЭНДОТОКСИИ МОНО 3C - SiC НА Si ПОДЛОЖКЕ | |
| JPS6152119B2 (ru) | ||
| JPH031486Y2 (ru) | ||
| Maeda et al. | SiC Single Crystal Growth |