JPH04265294A - 半導体結晶の製造方法 - Google Patents
半導体結晶の製造方法Info
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- JPH04265294A JPH04265294A JP2425791A JP2425791A JPH04265294A JP H04265294 A JPH04265294 A JP H04265294A JP 2425791 A JP2425791 A JP 2425791A JP 2425791 A JP2425791 A JP 2425791A JP H04265294 A JPH04265294 A JP H04265294A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可視発光素子、高温用
ＭＯＳＦＥＴ等に用いる半導体結晶の製造方法に関する
。
ＭＯＳＦＥＴ等に用いる半導体結晶の製造方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣはきわめて安定であることから耐
環境素子材料として研究が進められているのみならず、
禁制帯幅が２．３９〜３．３３ｅＶまでと広い幅の多様
な結晶構造をとり、またｐｎ接合が製作可能であるため
、青色及び紫色発光ダイオード材料として注目されてい
る。
環境素子材料として研究が進められているのみならず、
禁制帯幅が２．３９〜３．３３ｅＶまでと広い幅の多様
な結晶構造をとり、またｐｎ接合が製作可能であるため
、青色及び紫色発光ダイオード材料として注目されてい
る。
【０００３】ＳｉＣはα（ヘキサーゴナール）型とβ（
キュービック）型の結晶構造をとるが再現性よく大型結
晶を成長することができるのはα型の６Ｈ型結晶であり
、最も実用化が進んでいる。
キュービック）型の結晶構造をとるが再現性よく大型結
晶を成長することができるのはα型の６Ｈ型結晶であり
、最も実用化が進んでいる。
【０００４】この６Ｈ型結晶の作成方法を図４に示す。
この図に示すように容器３２に珪砂３１とカーボン粉末
３３を混合し加熱する方法または図示しないがＳｉＣ粉
末を昇華してつくる方法があった。しかしこれらの方法
には問題があった。前者ではあまり大きな結晶が作成で
きなかった。また、後者では大きな結晶はできるものの
原料の特性によってできる結晶の特性が大きく異なった
。このことは例えばＵＳＰ４８６６０５に示されている
ように原料結晶の結晶型、粒型により大きく依存し、ま
た、原料結晶の不純物ができた結晶の不純物の特性を決
めるといった欠点があった。このため用いる材料として
は図４の方法で作成した結晶の粒型を選別して使用する
といった方法がとられていた。しかし、この方法では原
料の粉末に空気中の水分が製造工程の途中で含まれてし
まい、そのため基本的に純度の良い結晶が作れず、従っ
てできた結晶の純度もあまり良いものはできなかった。 即ち、ＳｉＣは空気中のＯ２ やＨ２ Ｏとこの結晶中
のＳｉが反応してＳｉＯ２ に成り易く、これがＳｉＣ
結晶の純度及び大型化を困難なものにしていた。
３３を混合し加熱する方法または図示しないがＳｉＣ粉
末を昇華してつくる方法があった。しかしこれらの方法
には問題があった。前者ではあまり大きな結晶が作成で
きなかった。また、後者では大きな結晶はできるものの
原料の特性によってできる結晶の特性が大きく異なった
。このことは例えばＵＳＰ４８６６０５に示されている
ように原料結晶の結晶型、粒型により大きく依存し、ま
た、原料結晶の不純物ができた結晶の不純物の特性を決
めるといった欠点があった。このため用いる材料として
は図４の方法で作成した結晶の粒型を選別して使用する
といった方法がとられていた。しかし、この方法では原
料の粉末に空気中の水分が製造工程の途中で含まれてし
まい、そのため基本的に純度の良い結晶が作れず、従っ
てできた結晶の純度もあまり良いものはできなかった。 即ち、ＳｉＣは空気中のＯ２ やＨ２ Ｏとこの結晶中
のＳｉが反応してＳｉＯ２ に成り易く、これがＳｉＣ
結晶の純度及び大型化を困難なものにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のＳｉ
Ｃ結晶作成技術では、純度の高い、大口径の結晶を作成
することはできなかった。本発明は前記問題点に鑑みて
なされたもので、大口径で高純度かつ所望の結晶型の半
導体結晶の製造方法を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
Ｃ結晶作成技術では、純度の高い、大口径の結晶を作成
することはできなかった。本発明は前記問題点に鑑みて
なされたもので、大口径で高純度かつ所望の結晶型の半
導体結晶の製造方法を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は第１結晶型の半導体結晶を加熱することによ
り第２結晶型の半導体結晶に変換する第１の工程と、そ
の後減圧状態で加熱することにより前記第２結晶型の半
導体結晶内の不純物を除去する第２の工程と、続けて前
記第２結晶型の半導体結晶を原料にして種結晶表面に気
相成長層を形成する第３の工程とを備え、前記第１乃至
第３の工程を密閉容器内で行う事を特徴とする半導体結
晶の製造方法を提供するものである。
に本発明は第１結晶型の半導体結晶を加熱することによ
り第２結晶型の半導体結晶に変換する第１の工程と、そ
の後減圧状態で加熱することにより前記第２結晶型の半
導体結晶内の不純物を除去する第２の工程と、続けて前
記第２結晶型の半導体結晶を原料にして種結晶表面に気
相成長層を形成する第３の工程とを備え、前記第１乃至
第３の工程を密閉容器内で行う事を特徴とする半導体結
晶の製造方法を提供するものである。
【０００７】
【作用】上記構成により、所望の結晶型への変換→不純
物除去→結晶の気相成長の一連の工程を外気に材料を触
れさせることなく同一の密閉容器内で行う様にしている
ため、所望の結晶型に変換した後の結晶内に空気中の水
分が含まれる心配がなくなり、従って極めて純度の高い
大型の単結晶が形成できる。
物除去→結晶の気相成長の一連の工程を外気に材料を触
れさせることなく同一の密閉容器内で行う様にしている
ため、所望の結晶型に変換した後の結晶内に空気中の水
分が含まれる心配がなくなり、従って極めて純度の高い
大型の単結晶が形成できる。
【０００８】
【実施例】本発明の詳細を実施例に沿って説明する。図
１は本発明の第１の実施例に係る半導体結晶の製造方法
を示す。また図２には、この製造方法に使用する製造装
置を示す。先ずグラファイト製の容器１の周囲に、加熱
用ヒーター２を備えたＣＶＤ装置を用意し、これに原料
ガス例えばＳｉＨ４ 及びＣ３ Ｈ８ ３を流すことに
より壁面にβ型ＳｉＣ多結晶粉末を付着させる。β型Ｓ
ｉＣはα型に比べこの方法によって容易に得られる（図
１（ａ））。
１は本発明の第１の実施例に係る半導体結晶の製造方法
を示す。また図２には、この製造方法に使用する製造装
置を示す。先ずグラファイト製の容器１の周囲に、加熱
用ヒーター２を備えたＣＶＤ装置を用意し、これに原料
ガス例えばＳｉＨ４ 及びＣ３ Ｈ８ ３を流すことに
より壁面にβ型ＳｉＣ多結晶粉末を付着させる。β型Ｓ
ｉＣはα型に比べこの方法によって容易に得られる（図
１（ａ））。
【０００９】次いで、このβ型ＳｉＣ多結晶粉末を坩堝
１１に一旦収納する。この坩堝１１は図２に示した結晶
成長装置の一部となっている。この装置は熱処理炉と気
相成長装置を兼ねた構造になっており、内部に収納した
原料を外気に一切触れさせることなく処理することがで
きる様になっている。この粉末結晶１０を坩堝１１にい
れた際、ＳｉＣの種結晶１２は坩堝１１表面からずれた
位置に置き、不純物が表面に被着しない様にする。この
ために本結晶成長装置では横方向の移動装置１３を使用
した。次いで、チャンバー１５１ ，１５２ 内を１０
−５ｔｏｒｒ程度の真空にし、その後、Ａｒガスを導入
する。その後、坩堝１１を誘導加熱装置１６により高周
波加熱する。このとき、温度は１６００℃、雰囲気ガス
の圧力としては１気圧である。この状態で６時間程度加
熱を行うと、ソース部の原料４はすべて６Ｈ型ＳｉＣ５
１ に転移する。その後、チャンバー内を減圧し数Ｔｏ
ｒｒにする。その後２時間そのままで放置し、高純度化
を行う。これにより６Ｈ型ＳｉＣ内の不純物６が除去さ
れた（図１（ｂ））。
１１に一旦収納する。この坩堝１１は図２に示した結晶
成長装置の一部となっている。この装置は熱処理炉と気
相成長装置を兼ねた構造になっており、内部に収納した
原料を外気に一切触れさせることなく処理することがで
きる様になっている。この粉末結晶１０を坩堝１１にい
れた際、ＳｉＣの種結晶１２は坩堝１１表面からずれた
位置に置き、不純物が表面に被着しない様にする。この
ために本結晶成長装置では横方向の移動装置１３を使用
した。次いで、チャンバー１５１ ，１５２ 内を１０
−５ｔｏｒｒ程度の真空にし、その後、Ａｒガスを導入
する。その後、坩堝１１を誘導加熱装置１６により高周
波加熱する。このとき、温度は１６００℃、雰囲気ガス
の圧力としては１気圧である。この状態で６時間程度加
熱を行うと、ソース部の原料４はすべて６Ｈ型ＳｉＣ５
１ に転移する。その後、チャンバー内を減圧し数Ｔｏ
ｒｒにする。その後２時間そのままで放置し、高純度化
を行う。これにより６Ｈ型ＳｉＣ内の不純物６が除去さ
れた（図１（ｂ））。
【００１０】次いで種基板１２をスライドさせソース部
の上にセットする。さらに、種基板１２を２３００℃、
ソース部である坩堝１１を２４００℃まで加熱する。そ
の後、この６Ｈ型ＳｉＣ５２ を原料にして１２時間蒸
着を行うと、種結晶１２上にＳｉＣ結晶８が数ｃｍ成長
する（図１（ｃ））。
の上にセットする。さらに、種基板１２を２３００℃、
ソース部である坩堝１１を２４００℃まで加熱する。そ
の後、この６Ｈ型ＳｉＣ５２ を原料にして１２時間蒸
着を行うと、種結晶１２上にＳｉＣ結晶８が数ｃｍ成長
する（図１（ｃ））。
【００１１】このようにして成長した結晶は、高純度の
６Ｈ型の結晶がえられた。本実施例の製造方法では、β
型ＳｉＣ原料は熱処理により、まずα型に変換される。 このときできる結晶型により最終的にできる結晶の品質
を決定することができる。また、熱処理の雰囲気、圧力
と温度により、結晶型の制御を行うことができる。この
条件として、６Ｈ型を作成するには１５００℃で不活性
ガス中で行うことにより達成できる。原料はＣＶＤ法に
より作成されるため、純度よく作成できる。この原料を
用い昇華法で結晶を作成することにより、大口径で高純
度な６Ｈ型結晶を作成できるのである。一方従来の製造
方法では６Ｈ型以外に４Ｈ型または１５Ｒ型の結晶が混
在することがおおかったが本発明を用いることにより、
他の結晶型が混じることが少なくなった。
６Ｈ型の結晶がえられた。本実施例の製造方法では、β
型ＳｉＣ原料は熱処理により、まずα型に変換される。 このときできる結晶型により最終的にできる結晶の品質
を決定することができる。また、熱処理の雰囲気、圧力
と温度により、結晶型の制御を行うことができる。この
条件として、６Ｈ型を作成するには１５００℃で不活性
ガス中で行うことにより達成できる。原料はＣＶＤ法に
より作成されるため、純度よく作成できる。この原料を
用い昇華法で結晶を作成することにより、大口径で高純
度な６Ｈ型結晶を作成できるのである。一方従来の製造
方法では６Ｈ型以外に４Ｈ型または１５Ｒ型の結晶が混
在することがおおかったが本発明を用いることにより、
他の結晶型が混じることが少なくなった。
【００１２】図３は熱処理温度による原料中の多型の発
生確率を示したものである。縦軸は４Ｈ型ＳｉＣに対す
る６Ｈ型ＳｉＣの割合を示す。この様に１４００℃を超
えて６Ｈ型ＳｉＣが急増し、１５００℃以上では殆ど６
Ｈ型に転化する事が判る。従って結晶型変換のための熱
処理温度は１４００℃以上、好ましくは１５００℃以上
である方が良い。 これにより作成後の結晶の歩留りを向上できる。この様
にして得たＳｉＣ結晶を用いて、発光素子例えば青色発
光ダイオードを形成したところ高輝度のものを得た。
生確率を示したものである。縦軸は４Ｈ型ＳｉＣに対す
る６Ｈ型ＳｉＣの割合を示す。この様に１４００℃を超
えて６Ｈ型ＳｉＣが急増し、１５００℃以上では殆ど６
Ｈ型に転化する事が判る。従って結晶型変換のための熱
処理温度は１４００℃以上、好ましくは１５００℃以上
である方が良い。 これにより作成後の結晶の歩留りを向上できる。この様
にして得たＳｉＣ結晶を用いて、発光素子例えば青色発
光ダイオードを形成したところ高輝度のものを得た。
【００１３】次ぎに、本発明の第２の実施例を説明する
。本実施例が先の実施例と異なる点は、昇華法の代わり
にガス輸送法を用いて気相成長膜を形成した事及び、種
結晶の表面を気相成長法によって成膜する前に塩素系ガ
スでエッチングした事にある。真空中で行う熱処理によ
る不純物除去までは先の実施例と全く同じ様に行う。 次ぎに、輸送ガスとしてＨ２ 又は不活性気体のいずれ
か単体または混合ガスを原料粉末から種結晶の方向に流
す。この様にすることによりＳｉＣの蒸発気体は、輸送
ガスにより上流側から下流側に輸送される。その後、種
結晶上にＳｉＣ結晶として成長する。成長温度としては
種基板、ソース部は昇華法と同じである。この様にする
ことによりソース部と種結晶の距離を離すことができる
。このためソースの容量に制限がなくなり成長できる結
晶の大きさを大きくすることができる様になった。この
様な方法によっても先の実施例と同様の効果を奏する。 さらに、本発明の第３の実施例を説明する。この実施例
が先の第１の実施例と大きく異なる点は、ＳｉＣの代わ
りにＺｎＳを原料に使用した事である。
。本実施例が先の実施例と異なる点は、昇華法の代わり
にガス輸送法を用いて気相成長膜を形成した事及び、種
結晶の表面を気相成長法によって成膜する前に塩素系ガ
スでエッチングした事にある。真空中で行う熱処理によ
る不純物除去までは先の実施例と全く同じ様に行う。 次ぎに、輸送ガスとしてＨ２ 又は不活性気体のいずれ
か単体または混合ガスを原料粉末から種結晶の方向に流
す。この様にすることによりＳｉＣの蒸発気体は、輸送
ガスにより上流側から下流側に輸送される。その後、種
結晶上にＳｉＣ結晶として成長する。成長温度としては
種基板、ソース部は昇華法と同じである。この様にする
ことによりソース部と種結晶の距離を離すことができる
。このためソースの容量に制限がなくなり成長できる結
晶の大きさを大きくすることができる様になった。この
様な方法によっても先の実施例と同様の効果を奏する。 さらに、本発明の第３の実施例を説明する。この実施例
が先の第１の実施例と大きく異なる点は、ＳｉＣの代わ
りにＺｎＳを原料に使用した事である。
【００１４】ＺｎＳには高温域でＣＶＤ法により成長し
た場合、立方晶型と六方晶型の結晶が混在するという欠
点があった。図１（ａ）と同様の炉中にジメチル亜鉛と
ジメチルイオウを混合し５００ ℃以上の高温で加熱す
ると多結晶ＺｎＳが成長することができる。この時炉の
温度を高くすることにより多結晶中にイオウ単体を含ま
ない多結晶を作製することが可能となる。しかし、低温
では立方晶しか生成しないが高温では六方晶の結晶が混
合する。そこで８００ ℃程度の温度でまず多結晶の作
製を行った後、図１（ｂ）と同様にるつぼに入れＡｒと
Ｈ２ Ｓガスの混合ガス中で９００ ℃程度で加熱する
。この時、雰囲気ガスの圧力を数十Ｔｏｒｒまで減圧す
ることにより、立方晶型結晶が得られやすくなる。その
後、同一チャンバー中でさらに減圧し、真空中で１１０
０℃で、まず不純物を除去し、その後ルツボ上部の低温
部に立方晶型ＺｎＳの種結晶を置き、数日程度で結晶を
成長することができる。 この様な方法によっても第１の実施例と同様の効果を奏
する。本発明は先の実施例に限定されるものではなく、
以下の様にしても良い。
た場合、立方晶型と六方晶型の結晶が混在するという欠
点があった。図１（ａ）と同様の炉中にジメチル亜鉛と
ジメチルイオウを混合し５００ ℃以上の高温で加熱す
ると多結晶ＺｎＳが成長することができる。この時炉の
温度を高くすることにより多結晶中にイオウ単体を含ま
ない多結晶を作製することが可能となる。しかし、低温
では立方晶しか生成しないが高温では六方晶の結晶が混
合する。そこで８００ ℃程度の温度でまず多結晶の作
製を行った後、図１（ｂ）と同様にるつぼに入れＡｒと
Ｈ２ Ｓガスの混合ガス中で９００ ℃程度で加熱する
。この時、雰囲気ガスの圧力を数十Ｔｏｒｒまで減圧す
ることにより、立方晶型結晶が得られやすくなる。その
後、同一チャンバー中でさらに減圧し、真空中で１１０
０℃で、まず不純物を除去し、その後ルツボ上部の低温
部に立方晶型ＺｎＳの種結晶を置き、数日程度で結晶を
成長することができる。 この様な方法によっても第１の実施例と同様の効果を奏
する。本発明は先の実施例に限定されるものではなく、
以下の様にしても良い。
【００１５】１ ＳｉＣ，ＺｎＳに限らず他の化合物
半導体例えばＧａＮやＩＩ−ＩＶ族化合物半導体のＣｄ
Ｓｅ，ＣｄＴｅ等の多型構造を有する結晶の製造にも本
発明は適用できる。 ２ ここでは青色発光ダイオードとしてｎ型ＳｉＣ結
晶上にＡｌＮを含んだｎ型ＳｉＣ結晶、さらにその上に
高濃度Ｐ型ＳｉＣ結晶を液層エピタキシャル法で成長し
た素子に適用することにより高光度青色発光素子が達成
できるが、他の発光素子例えば緑色発光素子にもその他
高温素子にも本発明で形成した結晶を利用できる。また
ＣｄＴｅ，ＣｄＳは放射線検出器、可視光検出器にも適
用できる。 ３ ここでは、気相成長時に不純物を添加しなかった
が、この段階で不純物を加えてＰ型或いはＮ型層を形成
する様にして発光素子を得ても良い。その他、本発明は
、その主旨を逸脱しない範囲で種々変形して使用するこ
とができる。
半導体例えばＧａＮやＩＩ−ＩＶ族化合物半導体のＣｄ
Ｓｅ，ＣｄＴｅ等の多型構造を有する結晶の製造にも本
発明は適用できる。 ２ ここでは青色発光ダイオードとしてｎ型ＳｉＣ結
晶上にＡｌＮを含んだｎ型ＳｉＣ結晶、さらにその上に
高濃度Ｐ型ＳｉＣ結晶を液層エピタキシャル法で成長し
た素子に適用することにより高光度青色発光素子が達成
できるが、他の発光素子例えば緑色発光素子にもその他
高温素子にも本発明で形成した結晶を利用できる。また
ＣｄＴｅ，ＣｄＳは放射線検出器、可視光検出器にも適
用できる。 ３ ここでは、気相成長時に不純物を添加しなかった
が、この段階で不純物を加えてＰ型或いはＮ型層を形成
する様にして発光素子を得ても良い。その他、本発明は
、その主旨を逸脱しない範囲で種々変形して使用するこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、所望の結晶型で、高純度、大口径の半導体結晶を歩
留りよく作成することができる。また、本発明により、
結晶を高純度にできるので従来より高抵抗の基板を作成
することができる。これにより、高耐圧素子などの作成
が容易になった。
ば、所望の結晶型で、高純度、大口径の半導体結晶を歩
留りよく作成することができる。また、本発明により、
結晶を高純度にできるので従来より高抵抗の基板を作成
することができる。これにより、高耐圧素子などの作成
が容易になった。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す断面図
【図２
】 本発明の第１の実施例を示す断面図
】 本発明の第１の実施例を示す断面図
【図３】
本発明の第１の実施例を説明する図
本発明の第１の実施例を説明する図
【図４】 従来例
を示す図
を示す図
１ グラファイド製容器
２ ヒーター
３ 原料ガス
４ 原料粉末
１１ 坩堝
１２ 種基板
１３ 種結晶移動装置
１４ 断熱材
１５ 石英チャンバー
１６ 高周波コイル
Claims (1)
- 【請求項１】 第１結晶型の半導体結晶を加熱するこ
とにより第２結晶型の半導体結晶に変換する第１の工程
と、その後減圧状態で加熱することにより前記第２結晶
型の半導体結晶内の不純物を除去する第２の工程と、続
けて前記第２結晶型の半導体結晶を原料にして種結晶表
面に気相成長層を形成する第３の工程とを備え、前記第
１乃至第３の工程を密閉容器内で行う事を特徴とする半
導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2425791A JPH04265294A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2425791A JPH04265294A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04265294A true JPH04265294A (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12133191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2425791A Pending JPH04265294A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04265294A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996017113A1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von siliciumcarbid-einkristallen durch sublimationszüchtung |
| US5989340A (en) * | 1995-11-14 | 1999-11-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Process and device for sublimation growing of silicon carbide monocrystals |
| FR2839730A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Centre Nat Rech Scient | Formation de carbure de silicium monocristallin |
| JP2011219295A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP2425791A patent/JPH04265294A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996017113A1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von siliciumcarbid-einkristallen durch sublimationszüchtung |
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| WO2003097905A2 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Centre National De La Recherche Scientifique | Appareil et procede pour la formation de carbure de silicum monocristallin |
| WO2003097905A3 (fr) * | 2002-05-15 | 2004-04-08 | Centre Nat Rech Scient | Appareil et procede pour la formation de carbure de silicum monocristallin |
| JP2006503781A (ja) * | 2002-05-15 | 2006-02-02 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 単結晶炭化ケイ素の形成 |
| US7655091B2 (en) | 2002-05-15 | 2010-02-02 | Centre National De La Recherche Scientifique | Formation of single-crystal silicon carbide |
| JP2011219295A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置 |
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