KR980700460A - 실리콘 탄화물 단결정을 승화 성장시키기 위한 방법 및 장치(process and device for sublimation growing silicon carbide monocrystals) - Google Patents

실리콘 탄화물 단결정을 승화 성장시키기 위한 방법 및 장치(process and device for sublimation growing silicon carbide monocrystals) Download PDF

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Abstract

반응 챔버(2)는 기밀한 벽(20)에 의해 둘러싸이며, 상기 벽(2) 중 적어도 반응 쳄버(2)를 향한 내부면(21)이 CVD 공정에 의해 제조된 탄화물로 이루어진다. 벽(20)의 실리콘 탄화물의 적어도 일부가 승화되어 결정 시이드(3) 상에서 실리콘 탄화물-단결정(4)으로 성장된다.

Description

실리콘 탄화물 단결정을 승화 성장시키기 위한 방법 및 장치(PROCESS AND DEVICE FOR SUBLIMATION GROWING SILICON CARBIDE MONOCRYSTALS)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 SiC 단결정 제조 장치 실시예의 횡단면도이다.

Claims (13)

  1. a) 벽(20) 중 적어도 반응 챔버(2)를 향한 내부면(21)을 화학 기상 증착(CVD)에 의해 제조된 실리콘 탄화물로 제조한, 상기 벽(20)에 의해 기밀하게 둘러싸인 적어도 하나의 반응 챔버(2)를 준비하는 단계, 및 b) 벽(20)의 실리콘 탄화물 중 적어도 일부를 승화시켜 결정 시이드(3) 상에서 실리콘 탄화물 단결정(4)으로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 적어도 하나의 반응 챔버(2)의 벽(20)이 미리 제조된 성형품(23, 24)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 방법.
  3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 원소 실리콘을 성형품(23, 24)의 기밀한 접속을 위해 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 방법.
  4. a) 벽(20) 중 적어도 반응 챔버(2)를 향한 내부면(21)이 화학 기상 증착(CVD)에 의해 제조된 실리콘 탄화물로 이루어진, 상기 벽(20)에 의해 기밀하게 둘러싸인 적어도 하나의 반응 챔버(2), 및 b) 반응 챔버(2)를 향한, 실리콘 탄화물 단결정(4)을 성장시키기 위한 결정화 표면(9)을 가진 적어도 하나의 결정 시이드(3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 적어도 하나의 결정 시이드(3)가 적어도 하나의 반응 챔버(2) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  6. 제 4항에 있어서, 적어도 하나의 결정 시이드(3)가 실리콘 탄화물로 이루어지고 반응 챔버(2)의 벽(20)의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  7. 제 4항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 벽(20)이 미리 제조된 성형품(23,24,25)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 성형품(23, 24)이 원소 실리콘에 의해 서로 기밀하게 접속되는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  9. 제 4항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘 탄화물로 이루어진 벽(20)의 부분에 적어도 가급적 다결정 실리콘 탄화물이 제공되는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  10. 제 4항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘 탄화물로 이루어진 벽(20)의 부분에 적어도 가급적 비정질 실리콘 탄화물이 제공되는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  11. 제 4항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서, 벽(20)의 적어도 승화 영역(22)의 실리콘 탄화물 중의 실리콘(Si) 대 탄소(C)의 화학량론적 비율이 ±0.05 미만의 편차를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  12. 제 4항 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 벽(20)의 승화 영역(22)의 실리콘 탄화물 중 적어도 일부를 승화시키기 위한 그리고 적어도 하나의 반응 챔버(2)내의 결정 시이드(3)와 승화영역(22) 사이에 미리 주어진 온도분포를 세팅시키기 위한 열적 수단(50, 51, 6, 7, 8)이 적어도 하나의 반응 챔버(2)에 배치되는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
  13. 제 4항 내지 12항 중 어느 한 항에 있어서, 벽(20)의 실리콘 탄화물 중의 불순물의 양이 1015㎝-3미만인 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 단결정의 제조 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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