RU95122707A - Усилитель для радиотелефона - Google Patents

Усилитель для радиотелефона

Info

Publication number
RU95122707A
RU95122707A RU95122707/09A RU95122707A RU95122707A RU 95122707 A RU95122707 A RU 95122707A RU 95122707/09 A RU95122707/09 A RU 95122707/09A RU 95122707 A RU95122707 A RU 95122707A RU 95122707 A RU95122707 A RU 95122707A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
control
bias
input
transistor
current
Prior art date
Application number
RU95122707/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2170488C2 (ru
Inventor
Р.Блэк Грегори
Original Assignee
Моторола, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/166,054 external-priority patent/US5410275A/en
Application filed by Моторола, Инк. filed Critical Моторола, Инк.
Publication of RU95122707A publication Critical patent/RU95122707A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2170488C2 publication Critical patent/RU2170488C2/ru

Links

Claims (10)

1. Усилитель (201), содержащий вход управления смещением (117), вход смещения ( VB+ ), вход сигнала (115) и выход сигнала (207), причем вход (115) предназначен для приема входного сигнала, имеющего некоторый входной уровень мощности, выход (207) предназначен для снятия выходного сигнала, имеющего некоторый выходной уровень мощности, вход управления смещением (117) предназначен для приема сигнала управления смещением, имеющего некоторый управляющий ток, а вход смещения ( VB+ ) предназначен для приема тока смещения, отличающийся тем, что содержит первый и второй транзисторы (301, 303), имеющие клеммы стока, истока, затвора, и соответствующие пороговые напряжения, причем со стока второго транзистора снимают выходной сигнал (207), а клемма подачи смещения ( VB+ ), затворы первого и второго транзисторов и сток первого транзистора связаны с входной клеммой (115) входного сигнала и входной клеммой управления смещением (117), истоки первого и второго транзисторов связаны с общей нулевой точкой схемы (309), а первое пороговое напряжение и второе пороговое напряжение по существу равны.
2. Усилитель (201) по п. 1, отличающийся тем, что входная клемма управления смещением (117) связана с затвором первого и второго транзисторов со стоком первого транзистора через первый резистор (307).
3. Усилитель (201) по п. 1 или 2, отличающийся тем, что входная клемма подачи смещения ( VB+ ) связана со стоком второго транзистора через первый индуктивный элемент (305).
4. Усилитель (201) по п. 1 или 2, отличающийся тем, что входная клемма подачи смещения ( VB+ ) связана со стоком второго транзистора через первую линию передачи.
5. Усилитель (201) по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что первый транзистор (301) и второй транзистор (303) расположены на первом кристалле, в котором кремниевая подложка является электропроводной, а первый исток и второй исток соединены с кремниевой подложкой.
6. Схема многокаскадного усилителя (109), отличающаяся тем, что содержит первый сигнал управления (117), имеющий управляющее напряжение, первый каскад транзисторного усилителя (201), имеющий первый ток смещения, первый ток управления и первое пороговое напряжение, причем первый ток управления получен из управляющего напряжения и первого порогового напряжения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым током управления, первый каскад транзисторного усилителя (201) включает в себя усилитель (201) по любому из предыдущих пунктов, в котором выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и первого тока смещения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым управляющим током, второй каскад транзисторного усилителя (203), имеющий второй ток смещения, второй ток управления и третье пороговое напряжение, причем второй ток управления получен из управляющего напряжения и третьего порогового напряжения.
7. Многокаскадный усилитель (109) по п.6, отличающийся тем, что второй каскад транзисторного усилителя (203) содержит усилитель (201) по любому из пунктов 1-5, в котором выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и тока смещения, ток смещения находится в линейной зависимости от управляющего тока.
8. Радиотелефон (103), контроллер (111) для формирования первого сигнала управления (117), имеющего управляющее напряжение, передатчик (109), отличающийся тем, что содержит первый каскад транзисторного усилителя (201), имеющий первый ток смещения, первый ток управления и первое пороговое напряжение, причем первый ток управления получен из управляющего напряжения и первого порогового напряжения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым током управления, первый каскад транзисторного усилителя (201) содержит первый транзистор (301), имеющий входные клеммы стока, истока, затвора и первое пороговое напряжение, и второй транзистор (303), имеющий входные клеммы стока, истока, затвора и второе пороговое напряжение, при этом сток второго транзистора соединен с выходной клеммой сигнала (207), а клемма подачи смещения ( VB+ ) затвора первого и второго транзисторов и стока первого транзистора соединены с входной клеммой подачи сигнала (115) и входной клеммой управления смещением (117), исток первого и второго транзистора соединены с общей нулевой точкой (309) схемы, первое пороговое напряжение и второе пороговое напряжение по существу равны, так что выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и первого тока смещения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым управляющим током, второй каскад транзисторного усилителя (203), имеющий второй ток смещения, второй ток управления и третье пороговое напряжение, причем второй ток управления получен из управляющего напряжения и второго порогового напряжения.
9. Радиотелефон по п. 8, отличающийся тем, что второй ток смещения находится в линейной зависимости от второго тока управления.
10. Радиотелефон по п. 8 или 9, отличающийся тем, что второй каскад транзисторного усилителя (203) содержит первый (301) и второй (303) транзисторы, имеющие клеммы стока, истока, затвора и соответственно первое и второе пороговые напряжения, при этом сток второго транзистора соединен с выходной клеммой сигнала (207), а входная клемма подачи смещения ( VB+ ), затвора первого и второго транзисторов и стока первого транзистора соединены с входной клеммой сигнала (115) и входной клеммой управления смещением (117), истоки первого и второго транзисторов соединены с общей нулевой точкой (309) схемы, первое пороговое напряжение и второе пороговое напряжение по существу равны, так что выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и первого тока смещения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым управляющим током.
RU95122707/09A 1993-12-13 1994-11-03 Усилитель для радиотелефона RU2170488C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/166,054 US5410275A (en) 1993-12-13 1993-12-13 Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone
US08/166,054 1993-12-13
US08/166054 1993-12-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95122707A true RU95122707A (ru) 1998-03-20
RU2170488C2 RU2170488C2 (ru) 2001-07-10

Family

ID=22601620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95122707/09A RU2170488C2 (ru) 1993-12-13 1994-11-03 Усилитель для радиотелефона

Country Status (15)

Country Link
US (2) US5410275A (ru)
JP (1) JPH08507192A (ru)
KR (1) KR0160574B1 (ru)
CN (1) CN1037056C (ru)
AU (1) AU1087595A (ru)
BR (1) BR9405759A (ru)
CA (1) CA2154584C (ru)
DE (2) DE4499891C2 (ru)
FR (1) FR2713857B1 (ru)
GB (1) GB2294832B (ru)
RU (1) RU2170488C2 (ru)
SE (1) SE9502813L (ru)
SG (1) SG52466A1 (ru)
WO (1) WO1995017042A1 (ru)
ZA (1) ZA948745B (ru)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5410275A (en) * 1993-12-13 1995-04-25 Motorola Inc. Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone
JP3139734B2 (ja) * 1995-11-07 2001-03-05 日本電気株式会社 可変利得増幅器
JP3881079B2 (ja) * 1997-03-14 2007-02-14 株式会社アドバンテスト 半導体集積回路素子
US6191656B1 (en) 1999-07-23 2001-02-20 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency, unilateral dual stage RF amplifier
JP2001127701A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Hitachi Ltd 電力増幅器モジュール
US6448855B1 (en) * 2000-04-13 2002-09-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Accurate power detection circuit for use in a power amplifier
WO2002003543A1 (fr) * 2000-06-30 2002-01-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Amplificateur haute frequence
WO2002003544A1 (fr) * 2000-06-30 2002-01-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Amplificateur haute frequence
WO2003098796A1 (en) * 2002-05-16 2003-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Power amplifier end stage
DE60224922D1 (de) * 2002-05-31 2008-03-20 Ericsson Telefon Ab L M Leistungsverstärker
US6784745B2 (en) * 2003-01-31 2004-08-31 Lsi Logic Corporation Adjustable current-mode equalizer
KR100663450B1 (ko) * 2003-05-19 2007-01-02 삼성전자주식회사 집적 가능한 전압조정 초고주파 전력 증폭기
CN101071312B (zh) * 2006-05-12 2010-04-21 苏州中科集成电路设计中心有限公司 共源共栅电流镜偏置方法及其偏置电路
RU2505573C2 (ru) 2007-04-05 2014-01-27 Эвери Деннисон Копэрейшн Самоклеящаяся усадочная этикетка и изделие с этикеткой
US8282754B2 (en) 2007-04-05 2012-10-09 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
BR122014017822A2 (pt) 2010-01-28 2019-07-16 Avery Dennison Corporation Sistema para aplicação de rótulos
WO2013188694A1 (en) * 2012-06-14 2013-12-19 Skyworks Solutions, Inc. Process-compensated hbt power amplifier bias circuits and methods
RU2571402C1 (ru) * 2014-11-17 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Свч избирательный усилитель на основе планарной индуктивности с низкой добротностью
KR101796989B1 (ko) * 2016-04-29 2017-11-13 현대자동차주식회사 차량용 앰프 및 그를 포함하는 차량

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5949604B2 (ja) * 1974-12-13 1984-12-04 ソニー株式会社 トランジスタのバイアス回路
US4618815A (en) * 1985-02-11 1986-10-21 At&T Bell Laboratories Mixed threshold current mirror
US4694201A (en) * 1985-04-30 1987-09-15 Motorola, Inc. Current-saving CMOS input buffer
US4990976A (en) * 1987-11-24 1991-02-05 Nec Corporation Semiconductor device including a field effect transistor having a protective diode between source and drain thereof
JPH0229543U (ru) * 1988-08-15 1990-02-26
US4896121A (en) * 1988-10-31 1990-01-23 Hughes Aircraft Company Current mirror for depletion-mode field effect transistor technology
US4896061A (en) * 1988-12-13 1990-01-23 Siemens Aktiengesellschaft GaAs analog switch cell with wide linear dynamic range from DC to GHz
US4975632A (en) * 1989-03-29 1990-12-04 Texas Instruments Incorporated Stable bias current source
US5126688A (en) * 1990-03-20 1992-06-30 Oki Electric Co., Ltd. Power amplifying apparatus for wireless transmitter
US5079456A (en) * 1990-11-05 1992-01-07 Motorola, Inc. Current monitoring and/or regulation for sense FET's
US5142696A (en) * 1991-04-16 1992-08-25 Motorola, Inc. Current mirror having increased output swing
US5220290A (en) * 1991-06-03 1993-06-15 Motorola, Inc. Power amplifier
US5160898A (en) * 1991-06-03 1992-11-03 Motorola, Inc. Power amplifier
EP0606094B1 (en) * 1993-01-08 1999-10-06 Sony Corporation Monolithic microwave integrated circuit
US5410275A (en) * 1993-12-13 1995-04-25 Motorola Inc. Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU95122707A (ru) Усилитель для радиотелефона
US4996443A (en) Integrated circuit for level shift
US4794283A (en) Edge sensitive level translating and rereferencing CMOS circuitry
KR930020852A (ko) 반도체 집적 회로 장치
JPH03235517A (ja) スイッチ回路
KR920010900A (ko) 반도체지연회로
US5767721A (en) Switch circuit for FET devices having negative threshold voltages which utilize a positive voltage only
KR970056052A (ko) 반도체 스위치
KR880012008A (ko) 전원절환회로
KR890005977A (ko) 증폭기 장치
KR890005992A (ko) 상보신호 출력회로
US4698524A (en) MESFET logic using integral diode level shifting
KR940017217A (ko) 티티엘(ttl) 레벨의 입력 신호를 수신하는 입력 회로
KR970067329A (ko) 전원 전환 회로
US4961015A (en) MOS current switching circuit
ATE139069T1 (de) Stromsenke
US6255885B1 (en) Low voltage transistor biasing
KR960009401A (ko) 비교기 회로
DK0840454T3 (da) Niveauskiftekredsløb
CA1298628C (en) Amplifier circuit
GB2292856A (en) Slew-rate limited bus driver
EP0435600A2 (en) Integrated sample and hold circuits
KR960027331A (ko) 버퍼회로 및 바이어스회로
US5063343A (en) Current pump structure
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로