RU2484548C1 - Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon - Google Patents
Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon Download PDFInfo
- Publication number
- RU2484548C1 RU2484548C1 RU2011145603/07A RU2011145603A RU2484548C1 RU 2484548 C1 RU2484548 C1 RU 2484548C1 RU 2011145603/07 A RU2011145603/07 A RU 2011145603/07A RU 2011145603 A RU2011145603 A RU 2011145603A RU 2484548 C1 RU2484548 C1 RU 2484548C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- emission
- formations
- crystal silicon
- matrix
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния.The invention relates to the field of electronic technology and can be used in the manufacture of products of light-indicating equipment and emission electronics based on field emission of a multi-tip carbon emitter matrix on single-crystal silicon wafers.
Известен способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода, в котором матрица образована слоями плетеной ткани, пропитанной высокотемпературным связующим веществом, например пироуглеродом [а.св. СССР №767858, МКИ H01J 1/30, 1978 г.]. При изготовлении матрицы по этому способу все нити ткани ориентируют под острым углом к направлению эмиссии электронов, а рабочую поверхность, которая является эмиттером электронов и состоит из множества нитей, образующих волокна, полируют.There is a method of manufacturing a matrix of a multi-tip field emission cathode, in which the matrix is formed by layers of woven fabric impregnated with a high-temperature binder, for example pyrocarbon [a.s. USSR No. 767858, MKI H01J 1/30, 1978]. In the manufacture of the matrix by this method, all the threads of the fabric are oriented at an acute angle to the direction of electron emission, and the working surface, which is an emitter of electrons and consists of many fibers forming fibers, is polished.
Однако при таком способе изготовления матрицы происходит разрушение связующего вещества под действием ионной бомбардировки при работе катода в техническом вакууме. Это приводит к расслоению материала и существенно ограничивает срок службы катода.However, with this method of manufacturing the matrix, the binder is destroyed under the action of ion bombardment during cathode operation in a technical vacuum. This leads to delamination of the material and significantly limits the service life of the cathode.
Известен также способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода, состоящего из однослойных нанотрубок [Bonard J.-М., Salvetat J.- P., Stockli Т., Heer W.A., Forro L. and Chatelain A. Appl. Phys. Lett., 1998, 73, p.918]. Трубки получали в дуговом разряде с графитовыми электродами, горящем при токе 100А и напряжении 25 В в атмосфере гелия при давлении около 0.5 атм. В аноде диаметром 5 мм предварительно высверливалось отверстие диаметром 3 мм, которое заполнялось смесью порошков графит-никель-иттрий в весовом отношении 2:1:1, используемой в качестве катализатора. Полученные однослойные нанотрубки составляли некую паутинообразную структуру с другими углеродными частицами и отделялись от них ультразвуковой обработкой в растворе. Образовавшаяся очищенная суспензия наносилась на подложку, на которой после сушки формировалась однородная пленка из случайно ориентированных одностенных нанотрубок, заполняющих поверхность подложки с плотностью 108 см-2. Коэффициент увеличения электрического поля на вершине трубки изменяется в диапазоне от 2500 до 10000 при среднем значении 3600, что примерно втрое выше соответствующего значения для многослойных нанотрубок.There is also known a method of manufacturing a matrix of a multi-tip field emission cathode consisting of single-walled nanotubes [Bonard J.-M., Salvetat J.- P., Stockli T., Heer WA, Forro L. and Chatelain A. Appl. Phys. Lett., 1998, 73, p. 918]. The tubes were obtained in an arc discharge with graphite electrodes burning at a current of 100 A and a voltage of 25 V in a helium atmosphere at a pressure of about 0.5 atm. A hole with a diameter of 3 mm was pre-drilled in the anode with a diameter of 5 mm, which was filled with a mixture of graphite-nickel-yttrium powders in a weight ratio of 2: 1: 1, used as a catalyst. The obtained single-walled nanotubes constituted a certain web-like structure with other carbon particles and were separated from them by ultrasonic treatment in solution. The resulting purified suspension was deposited on a substrate, on which, after drying, a uniform film was formed from randomly oriented single-walled nanotubes filling the surface of the substrate with a density of 10 8 cm -2 . The coefficient of increase in the electric field at the top of the tube varies in the range from 2500 to 10000 with an average value of 3600, which is approximately three times higher than the corresponding value for multilayer nanotubes.
Однако эмиссионные характеристики таких структур нестабильны - за десять часов непрерывной работы плотность тока эмиссии (при постоянном приложенном напряжении) снижается примерно на порядок. Это, по-видимому, связано с разрушением нанотрубок под действием быстрых электронов. Кроме того, технология изготовления таких нанотрубных эмиттеров является многостадийной, сложной и затратной.However, the emission characteristics of such structures are unstable - for ten hours of continuous operation, the emission current density (at a constant applied voltage) decreases by about an order of magnitude. This, apparently, is associated with the destruction of nanotubes under the action of fast electrons. In addition, the manufacturing technology of such nanotube emitters is multi-stage, complex and costly.
Наиболее близким по технической сущности и техническому результату к предложенному являются многоострийные катоды в виде композиционного пленочного материала, представляющего собой графитовую матрицу с включениями наноалмазных кристаллитов [патент RU 2309480, МПК H01J 1/30, H01J 9/02, 2007]. Получение наноалмазографитовых структур осуществляется осаждением в неравновесной плазме СВЧ газового разряда в магнитном поле паров углеродосодержащих веществ, например этанола, при температуре подложки в интервале от 200 до 350°С. Толщина пленки составляет 0,2-0,3 мкм. Такие многоострийные катоды позволяют получать стабильную автоэлектронную эмиссию в течение длительного времени работы прибора в условиях технического вакуума.The closest in technical essence and technical result to the proposed are multi-pointed cathodes in the form of a composite film material, which is a graphite matrix with inclusions of nanodiamond crystallites [patent RU 2309480, IPC H01J 1/30, H01J 9/02, 2007]. Obtaining nanodiamond graphite structures is carried out by deposition in a nonequilibrium plasma of a microwave gas discharge in the magnetic field of vapors of carbon-containing substances, for example ethanol, at a substrate temperature in the range from 200 to 350 ° C. The film thickness is 0.2-0.3 microns. Such multi-tip cathodes make it possible to obtain stable field emission for a long time of operation of the device in a technical vacuum.
Недостатком автоэмиссионных катодов, полученных на основе наноалмазографитовых структур, является то, что при увеличении плотностей автоэмиссионных токов, которое достигается при повышенных напряженностях внешнего электрического поля, происходит разрушение эмиттирующей структуры.The disadvantage of field emission cathodes obtained on the basis of nanodiamond graphite structures is that with an increase in field current density, which is achieved with increased external electric field strengths, the emitting structure is destroyed.
Целью изобретения является создание такой матрицы автоэмиссионного катода, которая при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства кремниевых интегральных схем, обладала бы высокой эффективностью токоотбора (высокой плотностью тока при небольших рабочих напряжениях автоэлектронной эмиссии).The aim of the invention is to create such a field emission cathode matrix, which, with a simplified manufacturing technology compatible with silicon integrated circuit manufacturing technology, would have high current-collection efficiency (high current density at low operating field emission voltages).
Поставленная цель достигается тем, что многоострийную катодную матрицу в виде наноостровковых автоэмиссионных углеродных структур получают на монокристаллическом кремнии заданной кристаллографической ориентации с использованием явлений самоорганизации субмонослойных углеродных покрытий при осаждении в СВЧ-плазме низкого давления и последующем высокотемпературном отжиге. Причем с увеличением температуры осаждения субмонослойных углеродных покрытий поверхностная плотность островковых нанообразований увеличивается до (5-14) 109 см-2 в зависимости от кристаллографической ориентации пластин кремния. Для увеличения коэффициента усиления электрического поля и уменьшения, тем самым, рабочих напряжений при получении повышенных значений токов автоэмиссии осуществляется формирование эмиссионных центров в виде интегральных столбчатых наноструктур высотой до нескольких десятков нанометров, которые получают в результате высокоанизотропного травления кремниевых пластин с использованием полученных углеродных островковых нанообразований в качестве масочного покрытия.This goal is achieved in that a multi-tip cathode matrix in the form of nanoisland field emission carbon structures is obtained on single-crystal silicon of a given crystallographic orientation using the phenomena of self-organization of submonolayer carbon coatings during deposition in low-pressure microwave plasma and subsequent high-temperature annealing. Moreover, with an increase in the deposition temperature of submonolayer carbon coatings, the surface density of island nano-formations increases to (5-14) 10 9 cm -2 depending on the crystallographic orientation of the silicon wafers. To increase the electric field gain and decrease, thereby, operating voltages when obtaining increased field emission currents, emission centers are formed in the form of integrated columnar nanostructures up to several tens of nanometers high, which are obtained as a result of highly anisotropic etching of silicon wafers using the obtained carbon island nano formations in as a mask coating.
Как известно, структура поверхности полупроводниковых кристаллов сильно модифицирована по отношению к структуре соответствующих атомных плоскостей в объеме. Это связано с тем, что объемоподобная свободная поверхность нестабильна из-за наличия большого количества ненасыщенных (оборванных) связей. Для того чтобы уменьшить свободную энергию поверхности, атомы смещаются из своих первоначальных положений, чтобы, образовав связи друг с другом, насытить оборванные связи. Дальнейшее уменьшение поверхности происходит за счет переноса заряда между оставшимися ненасыщенными связями (в результате некоторые из них становятся незаполненными, а другие заполненные). С другой стороны, смещение атомов приводит к возникновению механических напряжений в решетке, что увеличивает свободную энергию поверхности. Результат противодействия этих двух тенденций и определяют конкретную структуру реконструированной поверхности.As is known, the surface structure of semiconductor crystals is strongly modified with respect to the structure of the corresponding atomic planes in the bulk. This is due to the fact that the volume-like free surface is unstable due to the presence of a large number of unsaturated (dangling) bonds. In order to reduce the free energy of the surface, atoms are displaced from their original positions in order to saturate dangling bonds by forming bonds with each other. A further decrease in the surface occurs due to charge transfer between the remaining unsaturated bonds (as a result, some of them become unfilled, and others are filled). On the other hand, the displacement of atoms leads to mechanical stresses in the lattice, which increases the free energy of the surface. The result of the opposition of these two trends and determine the specific structure of the reconstructed surface.
При неравновесной конденсации атомов углерода из газовой фазы, активированной СВЧ электрическим разрядом, которая, как правило, имеет место при осаждении на относительно холодных подложках, в результате взаимодействия атомов адсорбата с неоднородно напряженной поверхностью кремниевой подложки возникают ориентированные диффузионные потоки, приводящие к структурированному зародышеобразованию углеродной фазы. Движущей силой этих процессов является стремление системы пленка-подложка к минимуму свободной энергии за счет релаксации механических напряжений в системе адсорбат - подложка. Образующиеся поверхностные кремний-углеродные фазы после дополнительного высокотемпературного отжига структурируются в различные по размерам и форме островковые образования. Это является результатом фазового превращения, при котором даже сплошная, но упругонапряженная пленка, покрывающая подложку, при благоприятных температурных условиях может испытывать процесс релаксационного формоизменения вплоть до полного (коалесцентного) распада на изолированные островки. Процесс заключается в увеличении неравномерности толщин в различных частях пленки, образовании пор, и, наконец, утонении, и разрыве перемычек, и образовании наноостровков конденсированного материала с поверхностной плотностью, коррелирующей с плотностью поверхностных атомов кристаллической структуры подложки. Увеличение поверхностной плотности островковых нанообразований с ростом температуры осаждения обусловлено увеличением критических размеров зародышей и упругих искажений в прилегающих областях подложки по периферии зародышей. Это изменяет закономерности структурирования углеродных зародышевых образований на кремнии в процессе последующего высокотемпературного отжига, делая более энергетически выгодными наносистемы с большей плотностью покрытия атомами углеродного адсорбата поверхностных атомов кремниевой пластины.When nonequilibrium condensation of carbon atoms from the gas phase is activated by microwave electric discharge, which, as a rule, occurs during deposition on relatively cold substrates, the interaction of adsorbate atoms with a nonuniformly strained surface of the silicon substrate results in oriented diffusion fluxes leading to a structured nucleation of the carbon phase . The driving force of these processes is the tendency of the film-substrate system to a minimum of free energy due to relaxation of mechanical stresses in the adsorbate-substrate system. The resulting surface silicon-carbon phases after additional high-temperature annealing are structured into island formations of various sizes and shapes. This is the result of a phase transformation in which even a continuous, but elastically strained film covering the substrate, under favorable temperature conditions, can undergo a relaxation process of change up to complete (coalescence) decay into isolated islands. The process consists in increasing the non-uniformity of thicknesses in different parts of the film, the formation of pores, and, finally, thinning and rupture of jumpers, and the formation of nanoislands of condensed material with a surface density that correlates with the density of surface atoms of the crystal structure of the substrate. The increase in the surface density of island nano formations with increasing deposition temperature is due to an increase in the critical size of the nuclei and elastic distortions in the adjacent regions of the substrate along the periphery of the nuclei. This changes the patterns of structuring carbon nuclei on silicon during subsequent high-temperature annealing, making nanosystems with a higher density of coating of carbon atoms of the silicon atoms of the silicon wafer atoms more energetically beneficial.
Из-за различной селективности травления кремния и углерода в некоторых химически активных газовых средах такое структурирование субмонослойных углеродных покрытий позволяет использовать образующиеся углеродные островки в качестве безлитографической маски для получения интегральных кремниевых наноразмерных столбчатых структур с применением высокоразрешающего плазмохимического травления.Due to the different selectivity of the etching of silicon and carbon in some chemically active gaseous media, such a structuring of submonolayer carbon coatings makes it possible to use the formed carbon islands as a lithography-free mask to obtain integral silicon nanoscale columnar structures using high-resolution plasma-chemical etching.
Способ получения таких матриц многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния состоит в осаждении в неравновесной плазме СВЧ газового разряда в магнитном поле паров углеродосодержащих веществ, например этанола, при температуре подложки в интервале от 200 до 350°С. Давление плазмообразующего газа выбирается из диапазона, в котором осуществляется переход от осаждения графитовых к осаждению алмазных пленок, и составляет от 0,05 до 0,08 Па при вводимой в разряд плотности мощности от 3 до 5 Вт/см2. Толщина осажденного углеродного покрытия не должна превышать 1-1,5 нм. Температура вакуумного отжига полученных углеродных покрытий на пластинах кремния ориентации (100) и (111) составляет от 700 до 900°С. После отжига пластины кремния с осажденным углеродным покрытием подвергаются высокоанизотропному плазмохимическому травлению на определенную глубину, которая зависит от поверхностной плотности углеродных наноостровковых образований. Поверхностную плотность наноостровковых образований можно регулировать изменением температуры осаждения, причем большую плотность получают при большей температуре.A method for producing such arrays of multi-pointed carbon emitters on single-crystal silicon wafers consists in the deposition of a vapor of carbon-containing substances, for example ethanol, in a nonequilibrium plasma of a microwave gas discharge in a magnetic field at a substrate temperature in the range from 200 to 350 ° C. The plasma-forming gas pressure is selected from the range in which the transition from the deposition of graphite to the deposition of diamond films takes place, and ranges from 0.05 to 0.08 Pa with a power density introduced into the discharge from 3 to 5 W / cm 2 . The thickness of the deposited carbon coating should not exceed 1-1.5 nm. The vacuum annealing temperature of the obtained carbon coatings on silicon wafers of the (100) and (111) orientations is from 700 to 900 ° С. After annealing, silicon wafers with a deposited carbon coating undergo highly anisotropic plasma-chemical etching to a certain depth, which depends on the surface density of carbon nanoisland formations. The surface density of nanoisland formations can be controlled by changing the deposition temperature, and a higher density is obtained at a higher temperature.
По описанному способу были получены матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния кристаллографических ориентаций (100) и (111). Для пластин кремния обеих ориентаций с увеличением температуры осаждения плотность углеродных островковых образований увеличивается, а латеральный размер и высота имеют тенденцию к небольшому уменьшению. С увеличением температуры осаждения от 100 до 300°С поверхностная плотность углеродных наноостровков после вакуумного отжига при 700 и 900°С увеличивалась для пластин кремния ориентации (100) в интервале (1-7)109 см-2, а для пластин ориентации (111) - в интервале (3-13) 109 см-2. Латеральный размер углеродных кластеров при этом имел тенденцию к небольшому уменьшению от 18-20 до 12-15 нм. Изменение аспектных отношений эмиссионных центров в результате высокоанизотропного СВЧ плазмохимического травления пластин кремния с использованием углеродных островковых образований в качестве масочных покрытий приводит к оптимизации напряженностей полей порогов автоэмиссии. Так, например, для углеродных кластеров, самоорганизованных на пластинах кремния ориентации (111) при температуре 100°С, при увеличении их высоты в результате высокоанизатропного травления от 3-5 нм до 28-30 нм и фиксированной поверхностной плотности около 4·109 см-2 наблюдалось уменьшение порога эмиссии от 30 до 10 В/мкм. Дальнейшее увеличение их высоты до 53-55 нм, напротив, приводило к увеличению напряженности порога эмиссии до 52 В/мкм. Оценки показывают, что оптимум напряженности поля порога эмиссии достигается при аспектном отношении 1,5 и расстоянии между эмиссионными центрами около 200 нм.By the described method, matrices of multi-pointed carbon emitters on single-crystal silicon wafers of crystallographic orientations (100) and (111) were obtained. For silicon wafers of both orientations, the density of carbon islet formations increases with an increase in the deposition temperature, and the lateral size and height tend to decrease slightly. With an increase in the deposition temperature from 100 to 300 ° С, the surface density of carbon nanoislands after vacuum annealing at 700 and 900 ° С increased for (100) silicon wafers in the range (1-7) 10 9 cm -2 , and (111) for wafers ) - in the interval (3-13) 10 9 cm -2 . The lateral size of carbon clusters tended to slightly decrease from 18-20 to 12-15 nm. A change in the aspect ratios of emission centers as a result of highly anisotropic microwave plasma-chemical etching of silicon wafers using carbon islet formations as mask coatings leads to optimization of field emission threshold field strengths. So, for example, for carbon clusters self-organized on (111) silicon wafers at a temperature of 100 ° C, with an increase in their height as a result of highly anisotropic etching from 3-5 nm to 28-30 nm and a fixed surface density of about 4 · 10 9 cm -2 there was a decrease in the emission threshold from 30 to 10 V / μm. A further increase in their height to 53–55 nm, on the contrary, led to an increase in the emission threshold intensity to 52 V / μm. Estimates show that the optimum field strength of the emission threshold is achieved with an aspect ratio of 1.5 and a distance between emission centers of about 200 nm.
Увеличение температуры осаждения до 300°С на кремниевой пластине данной ориентации приводит к уменьшению латеральных размеров углеродных кластеров после отжига при Т=900°С от 19 до 15 нм и увеличению их поверхностной плотности до 1,3·1010 см-2. Это соответствует среднему расстоянию между эмиссионными центрами около 80 нм. При таких условиях самоорганизации углеродных кластеров на пластинах кремния ориентации (111) напряженности порогов эмиссии практически не зависят от их аспектных отношений.An increase in the deposition temperature to 300 ° C on a silicon wafer of this orientation leads to a decrease in the lateral size of carbon clusters after annealing at T = 900 ° C from 19 to 15 nm and an increase in their surface density to 1.3 · 10 10 cm -2 . This corresponds to an average distance between emission centers of about 80 nm. Under such conditions of self-organization of carbon clusters on silicon wafers of (111) orientation, the intensity of emission thresholds is practically independent of their aspect ratios.
Полученные многоострийные автоэмиссионные катодные матрицы на пластинах монокристаллического кремния с регулируемыми поверхностной плотностью и аспектным отношением столбчатых эмиссионных центров при испытаниях показали хорошие характеристики, а именно высокую стабильность эмиссии при амплитуде флуктуации тока менее 3,5% на начальном этапе, что позволяет прогнозировать срок службы катода на уровне не менее 10000 часов, а также высокую эффективность эмиссии. Они характеризовались плотностью тока до 0,3 А/см2 при регулируемом значении напряженности поля порога автоэлектронной эмиссии от 10 до 30 В/мкм.The obtained multi-edge field emission cathode arrays on single-crystal silicon wafers with adjustable surface density and aspect ratio of columnar emission centers during the tests showed good characteristics, namely, high emission stability with a current fluctuation amplitude of less than 3.5% at the initial stage, which makes it possible to predict the cathode life by level of at least 10,000 hours, as well as high emission efficiency. They were characterized by a current density of up to 0.3 A / cm 2 with an adjustable field strength of the field emission threshold from 10 to 30 V / μm.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011145603/07A RU2484548C1 (en) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011145603/07A RU2484548C1 (en) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011145603A RU2011145603A (en) | 2013-05-20 |
RU2484548C1 true RU2484548C1 (en) | 2013-06-10 |
Family
ID=48785860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011145603/07A RU2484548C1 (en) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2484548C1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2600505C1 (en) * | 2015-06-23 | 2016-10-20 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Method of forming epitaxial array of monocrystalline nanoislands of silicon on sapphire substrate in vacuum |
RU2652651C2 (en) * | 2016-09-15 | 2018-04-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Method of the multi-pin auto emission cathode matrix manufacturing on a mono-crystalline silicon |
RU2653843C2 (en) * | 2016-08-01 | 2018-05-15 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Method of increasing the density and stability of a matrix current of a multiple auto-emission cathode |
RU2654522C1 (en) * | 2016-06-22 | 2018-05-21 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ") | Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates |
RU2770303C1 (en) * | 2021-04-20 | 2022-04-15 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Nanocarbon material for suppression of secondary electron emission and method for its production |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1003196A1 (en) * | 1998-11-19 | 2000-05-24 | Nec Corporation | Carbon material, method for manufacturing the same material, field-emission type cold cathode using the same material and method for manufacturing the same cathode |
US6652762B2 (en) * | 1999-01-27 | 2003-11-25 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for fabricating nano-sized diamond whisker, and nano-sized diamond whisker fabricated thereby |
RU2309480C2 (en) * | 2005-08-04 | 2007-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПП "Контакт" | Material and method for manufacturing multipoint field-emission cathode |
RU2415204C2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-03-27 | Элемент Сикс Лимитед | Colourless diamond layer |
JP4751841B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-08-17 | 財団法人高知県産業振興センター | Field emission type electrode and electronic device |
-
2011
- 2011-11-09 RU RU2011145603/07A patent/RU2484548C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1003196A1 (en) * | 1998-11-19 | 2000-05-24 | Nec Corporation | Carbon material, method for manufacturing the same material, field-emission type cold cathode using the same material and method for manufacturing the same cathode |
US6652762B2 (en) * | 1999-01-27 | 2003-11-25 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for fabricating nano-sized diamond whisker, and nano-sized diamond whisker fabricated thereby |
RU2415204C2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-03-27 | Элемент Сикс Лимитед | Colourless diamond layer |
RU2309480C2 (en) * | 2005-08-04 | 2007-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПП "Контакт" | Material and method for manufacturing multipoint field-emission cathode |
JP4751841B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-08-17 | 財団法人高知県産業振興センター | Field emission type electrode and electronic device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2600505C1 (en) * | 2015-06-23 | 2016-10-20 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Method of forming epitaxial array of monocrystalline nanoislands of silicon on sapphire substrate in vacuum |
RU2654522C1 (en) * | 2016-06-22 | 2018-05-21 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ") | Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates |
RU2653843C2 (en) * | 2016-08-01 | 2018-05-15 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Method of increasing the density and stability of a matrix current of a multiple auto-emission cathode |
RU2652651C2 (en) * | 2016-09-15 | 2018-04-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Method of the multi-pin auto emission cathode matrix manufacturing on a mono-crystalline silicon |
RU2770303C1 (en) * | 2021-04-20 | 2022-04-15 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Nanocarbon material for suppression of secondary electron emission and method for its production |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2011145603A (en) | 2013-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100383493B1 (en) | Method of preparing film of carbon nano-tube and film of carbon nano-tube prepared thereby | |
Gao et al. | Field emission of large-area and graphitized carbon nanotube array on anodic aluminum oxide template | |
RU2484548C1 (en) | Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon | |
JP5698982B2 (en) | Illumination lamp, nanocarbon material composite substrate, and manufacturing method thereof | |
US20090200912A1 (en) | Methods for Growing Carbon Nanotubes on Single Crystal Substrates | |
RU2309480C2 (en) | Material and method for manufacturing multipoint field-emission cathode | |
Hwang et al. | Charged clusters in thin film growth | |
RU2474909C1 (en) | Method to increase degradation resistance of high-current multi-spike field-emission cathodes | |
RU2400858C1 (en) | Method of producing graphene nano-ribon fet | |
US6059627A (en) | Method of providing uniform emission current | |
Gupta et al. | Field emission properties of highly ordered low-aspect ratio carbon nanocup arrays | |
RU2588611C1 (en) | Method of increasing current density of field emission and degradation resistance of field-emission cathodes | |
Li et al. | Effect of adsorbates on field emission from flame-synthesized carbon nanotubes | |
Yue et al. | Amazing ageing property and in situ comparative study of field emission from tungsten oxide nanowires | |
Uh et al. | Improved field emission properties from carbon nanotubes grown onto micron-sized arrayed silicon pillars with pyramidal bases | |
Minh et al. | Selective growth of carbon nanotubes on Si microfabricated tips and application for electron field emitters | |
JP3524542B2 (en) | Manufacturing method of carbon nanotube | |
JP2005059135A (en) | Device using carbon nano-tube, and its manufacturing method | |
Mittal et al. | Carbon nanotube based 3-dimensional hierarchical field emitter structure | |
Chen et al. | Large current carbon nanotube emitter growth using nickel as a buffer layer | |
RU2652651C2 (en) | Method of the multi-pin auto emission cathode matrix manufacturing on a mono-crystalline silicon | |
RU2654522C1 (en) | Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates | |
JP5549028B2 (en) | Method for producing flaky nanocarbon material, electron-emitting device, and surface-emitting device | |
RU2813858C1 (en) | Method of increasing efficiency of multi-tip electron field emission cathodes | |
RU2653843C2 (en) | Method of increasing the density and stability of a matrix current of a multiple auto-emission cathode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141110 |