RU2357313C2 - Способ изготовления суперконденсаторов или квантовых аккумуляторов и суперконденсатор или квантовый аккумулятор - Google Patents
Способ изготовления суперконденсаторов или квантовых аккумуляторов и суперконденсатор или квантовый аккумулятор Download PDFInfo
- Publication number
- RU2357313C2 RU2357313C2 RU2005102398/09A RU2005102398A RU2357313C2 RU 2357313 C2 RU2357313 C2 RU 2357313C2 RU 2005102398/09 A RU2005102398/09 A RU 2005102398/09A RU 2005102398 A RU2005102398 A RU 2005102398A RU 2357313 C2 RU2357313 C2 RU 2357313C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanoparticles
- capacitor
- quantum
- insulating material
- layers
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 2
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 claims description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims 11
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
- H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/46—Metal oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/36—Accumulators not provided for in groups H01M10/05-H01M10/34
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49108—Electric battery cell making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Изобретение относится к квантовым аккумулятрам и способам их изготовления. Техническим результатом изобретения является создание аккумуляторов с повышенными удельными характеристиками. Согласно изобретению способ и аккумулятор можно реализовать, используя материалы, состоящие из биполярных кристаллов в виде зерен или слоев нанометровой толщины, уложенных в электрически изолирующие матричные материалы или промежуточные слои, нанесенные на комбинированные пленки или на прочные плоские подложки, выполненные в виде намотанных или плоских конденсаторов, которые могут без потерь аккумулировать электрическую энергию в диапазоне свыше 15 МДж/кг на основе явления виртуального фотонного резонанса. 3 н. и 13 з.п. ф-лы.
Description
Изобретение относится к аккумулированию электрической энергии в материалах с особыми электрическими свойствами, которые в виде так называемых «суперконденсаторов» („Super Capacitors") или «квантовых аккумуляторов» пригодны для стационарного или мобильного использования, а также в качестве энергоаккумуляторов там, где важно быстрое высвобождение энергии.
Область техники
Энергоаккумуляторы независимы от стационарных источников и используются поэтому для питания электроприводов в транспортных средствах (автомобили, поезда, суда, а также в воздухоплавании и космонавтике) прежде всего в качестве замены энергии ископаемых топлив. Высококонцентрированная, лишенная потерь аккумулирующая способность материалов обеспечивает их применение также в бытовой технике для временного аккумулирования и передачи энергии, полученной, например, посредством солнечной техники. Материалы позволяют также конструировать новейшие электронные элементы, например постоянные DRAM (dynamic random-access memory), где наряду с большой аккумулирующей способностью важным является также предельно быстрая зарядка. Быстрая, без потерь разрядка электрически аккумулированной энергии позволяет использовать ее также в качестве детонаторов.
Уровень техники
До сих пор аккумулирование электрической энергии в отношении удельной потребности, аккумулирование, например, химической энергии сильно отставало, что, прежде всего, ограничивало использование в транспортных средствах. Это приводило к чрезмерному потреблению незаменяемой, химически аккумулированной энергии в виде ископаемых топлив. При техническом аккумулировании и разрядке химической энергии, например, посредством свинцовых аккумуляторов приходится преодолевать значительное внутреннее сопротивление, что негативно проявляется в тепловых потерях или ограничении скорости зарядки и разрядки аккумуляторов.
Прежние так называемые «суперконденсаторы» („Super Capacitors") разрабатывались на основе иных физических эффектов. Они могут эксплуатироваться в настоящее время только с очень малыми напряжениями, очень восприимчивы к ударам и имеют большие внутренние сопротивления. К тому же их способность к аккумулированию на порядки ниже.
Подробное изложение
Преимущества
Новый аккумулятор позволяет аккумулировать электрическую энергию того же порядка удельной массы, что и химическая энергия. Могут быть достигнуты значения, лежащие в области от 1 до свыше 15 МДж/кг. Материалы нового аккумулятора обеспечивают неограниченные зарядно-разрядные циклы, материалы при этом не изнашиваются. Аккумулятор устойчив к тряске, предельным ускорениям и температурам, также и пространственное положение не имеет значения.
Основа изобретения
В изобретении использован физический эффект, заключающийся в том, что очень маленькие частицы сильно биполярных кристаллических материалов, например TiO2 (с сильной электроотрицательностью), внедренные в изолирующую матрицу, например SiO2 или полимерная смола, в сильном электростатическом поле и при критическом напряжении (условия зарядки) из-за виртуального фотонного резонанса (новый квантовый физический эффект) становятся электропроводящими (полупроводником) и за счет этого получаю энергию, которая аккумулируется аналогично тому, как в обычном пластинчатом конденсаторе. Аккумуляторы могут быть выполнены с напряжениями от нескольких вольт до киловольт. Способность к аккумулированию ограничена только конструктивными размерами.
Техническая реализация
Аккумулирующие кристаллы, какие как TiO2, SrTiO3 или подобные, размельченные до размера зерен в несколько нм либо в виде слоя нанометровой толщины, наносят вместе с изолирующей средой на поверхность основы. Существуют особые требования к структуре кристаллов, прежде всего, необходим тип «рутила».
Возможны два способа изготовления.
1. Смесь измельченных кристаллических зерен и полимерной смолы сначала диспергируют, а затем методом электростатического распыления наносят на комбинированную пленку, которая состоит из металлической фольги и полимерной пленки, которая либо плоская, либо намотана на трубчатое тело. Металлическая фольга комбинированной пленки, электроизолированная полимерной смолой, образует ответный электрод. Смесь измельченных кристаллических зерен и полимерной смолы, которая электростатическим распылением наносится на комбинированную пленку, не имеет электрического контакта с электрическим проводником за счет электроизолирующих свойств смолы и, вследствие этого, комбинированная пленка накапливает заряд. Эти заряды создают вместе с металлической фольгой электрическое поле, которое посредством емкостного эффекта создает сильные поверхностные силы. Эти поверхностные силы обеспечивают формирование геометрически точных форм, в случае намотки комбинированной пленки вокруг трубчатого тела, перед зарядкой, могут быть сформированы точные кольцевые слои, однородные по толщине. Точно так же за счет поверхностных усилий возникают высокие гидравлические давления, которые заботятся о компактных безвоздушных слоях. Электростатическое поле вызывает к тому же геометрическое ориентирование диполей. Отверждение смолы происходит в результате радиационного или термоотверждения. Покрытую пленку затем разрезают и формуют в многослойный конденсатор. Слои можно либо плоско укладывать друг на друга, либо сворачивать. Металлические участки пленок попеременно соединяют и они образуют в результате этого положительные и отрицательные полюса аккумулятора.
2. Методом химического осаждения из паровой фазы (Chemical Vapor Deposition) или физического осаждения из паровой пазы (Physical Vapor Deposition) на плоскую поверхность основания, покрытую электропроводящим слоем, например, платины, образующей нижний электрод, наносят несколько очень тонких слоев аккумулирующих кристаллов, например TiO2, попеременно с изолирующими слоями, например SiO2. Посредством подходящего отжига при температуре до 700°С создают поликристаллические слои. После нанесения всех «резонансных» слоев образуется структура типа сэндвич, покрытая сверху слоем изолятора, обеспечивающим также фиксацию. Благодаря этому после последующих отжига при температуре свыше 800°С для образования фазы рутила и охлаждения «резонансные» слои не расслаиваются даже при сильно отличающихся коэффициентах теплового расширения. Наконец, наносят металлический покрывающий слой, образующий верхний электрод аккумулятора. Могут быть нанесены также несколько комбинаций слоев.
В конечном счете, аккумулятор будет покрыт изолирующим материалом, а электроды подсоединены к внешним клеммам управляющей логической схемы или проводящим дорожкам.
Claims (16)
1. Способ изготовления суперконденсаторов или квантовых аккумуляторов, аккумулирующих электрическую энергию в резонансно возбужденных очень маленьких кристаллических химически биполярных наночастицах в электроизолирующем материале, включающий этапы, на которых смешивают жидкий изолирующий материал и наночастицы для получения смеси, получают предварительно сформованную комбинированную пленку, причем указанная комбинированная пленка содержит изолированную металлическую фольгу, наносят указанную смесь на комбинированную пленку методом электростатического распыления для получения покрытой пленки, при этом указанная металлическая фольга образует ответный электрод, а при электростатическом распылении создается электрическое поле, при этом за счет поверхностных сил, создаваемых указанным электрическим полем совместно с емкостными эффектами, формируются геометрически точные слои и ориентируются по полю указанные наночастицы, осуществляют термическое или радиационное отверждение в защитной атмосфере.
2. Способ по по.1, дополнительно содержащий этап, на котором разрезают указанную покрытую пленку для получения множества пленок и размещают указанные пленки слоями для получения многослойной структуры типа сэндвич.
3. Способ по п.1 или 2, в котором указанный изолирующий материал состоит из смолы.
4. Способ по п.1 или 2, в котором наночастицы состоят из TiO2.
5. Способ по п.3, в котором наночастицы состоят из TiO2.
6. Способ по п.1 или 2, в котором конденсатор формируют в виде или подобно плоскому конденсатору.
7. Способ по п.3, в котором конденсатор формируют в виде или подобно плоскому конденсатору.
8. Способ по п.1 или 2, в котором конденсатор формируют в виде или подобно намотанному конденсатору.
9. Способ по п.3, в котором конденсатор формируют в виде или подобно намотанному конденсатору.
10. Способ по п.1 или 2, в котором в качестве указанных наночастиц выбирают нанокристаллы.
11. Способ по п.3, в котором в качестве указанных наночастиц выбирают нанокристаллы.
12. Способ изготовления суперконденсаторов или квантовых аккумуляторов, аккумулирующих электрическую энергию в резонансно возбужденных очень маленьких кристаллических химически биполярных наночастицах, разделенных изолирующим материалом, включающий этапы, на которых обеспечивают поверхность основы, попеременно наносят слой наночастиц и слой изолирующего материала на указанную поверхность методом химического или физического осаждения из паровой фазы для получения многослойной структуры, в которой слои наложены друг на друга, отжигают указанную многослойную структуру при температуре выше 800°С для достижения кристаллической фазы типа рутила, при этом не происходит расслоения из-за различных коэффициентов теплового расширения.
13. Способ по п.12, в котором наночастицы состоят из TiO2.
14. Способ по п.12, в котором указанный изолирующий материал представляет собой SiO2.
15. Способ по п.12, в котором в качестве указанных наночастиц выбирают нанокристаллы.
16. Суперконденсатор или квантовый аккумулятор, основанный на физическом явлении, заключающемся в том, что очень маленькие частицы сильно биполярного кристаллического материала, разделенные изолирующей средой и находящиеся в сильном электрическом поле и при критическом напряжении, становятся электропроводящими за счет виртуального фотонного резонанса, при этом частицы в течение короткого времени чрезвычайно сильно локально концентрируют однородное электрическое поле, так что возбуждаются очень быстрые и без потерь обмены зарядами, вызывающие импульсы тока Дирака при постоянном напряжении, вследствие этого частицы получают энергию, которая аккумулируется.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1130/02 | 2002-07-01 | ||
| CH11302002 | 2002-07-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005102398A RU2005102398A (ru) | 2005-08-20 |
| RU2357313C2 true RU2357313C2 (ru) | 2009-05-27 |
Family
ID=29783982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005102398/09A RU2357313C2 (ru) | 2002-07-01 | 2003-06-26 | Способ изготовления суперконденсаторов или квантовых аккумуляторов и суперконденсатор или квантовый аккумулятор |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20060164788A1 (ru) |
| EP (1) | EP1522082A2 (ru) |
| JP (2) | JP4986398B2 (ru) |
| CN (1) | CN1679123B (ru) |
| AU (1) | AU2003240363A1 (ru) |
| CA (1) | CA2491552A1 (ru) |
| RU (1) | RU2357313C2 (ru) |
| WO (1) | WO2004004026A2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2530765C1 (ru) * | 2013-04-17 | 2014-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "МВТУ" (ООО "МВТУ") | Способ накопления, хранения электрической энергии и устройство для его осуществления |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7729811B1 (en) | 2001-04-12 | 2010-06-01 | Eestor, Inc. | Systems and methods for utility grid power averaging, long term uninterruptible power supply, power line isolation from noise and transients and intelligent power transfer on demand |
| US7914755B2 (en) | 2001-04-12 | 2011-03-29 | Eestor, Inc. | Method of preparing ceramic powders using chelate precursors |
| US7595109B2 (en) * | 2001-04-12 | 2009-09-29 | Eestor, Inc. | Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries |
| US7057881B2 (en) | 2004-03-18 | 2006-06-06 | Nanosys, Inc | Nanofiber surface based capacitors |
| US20110170232A1 (en) * | 2004-08-13 | 2011-07-14 | Eestor, Inc. | Electrical energy storage unit and methods for forming same |
| US7466536B1 (en) * | 2004-08-13 | 2008-12-16 | Eestor, Inc. | Utilization of poly(ethylene terephthalate) plastic and composition-modified barium titanate powders in a matrix that allows polarization and the use of integrated-circuit technologies for the production of lightweight ultrahigh electrical energy storage units (EESU) |
| US7648687B1 (en) | 2006-06-15 | 2010-01-19 | Eestor, Inc. | Method of purifying barium nitrate aqueous solution |
| US7993611B2 (en) | 2006-08-02 | 2011-08-09 | Eestor, Inc. | Method of preparing ceramic powders using ammonium oxalate |
| US8853116B2 (en) | 2006-08-02 | 2014-10-07 | Eestor, Inc. | Method of preparing ceramic powders |
| US8145362B2 (en) | 2006-08-04 | 2012-03-27 | Eestor, Inc. | Utility grid power averaging and conditioning |
| RU2446545C2 (ru) * | 2007-10-31 | 2012-03-27 | Рольф АЙСЕНРИНГ | Способ и устройство передачи электрической энергии без потерь |
| JP5323373B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2013-10-23 | タマティーエルオー株式会社 | キャパシタ型蓄電池 |
| US8697516B2 (en) | 2008-08-26 | 2014-04-15 | Nxp, B.V. | Capacitor and a method of manufacturing the same |
| EA201190076A1 (ru) * | 2009-01-16 | 2012-06-29 | Зе Боард Оф Трастиз Оф Зе Лилэнд Стенфорд Джуниор Юниверсити | Ультраконденсатор и электронная аккумуляторная батарея с квантовой точкой |
| US8877367B2 (en) * | 2009-01-16 | 2014-11-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | High energy storage capacitor by embedding tunneling nano-structures |
| US20100285316A1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-11-11 | Eestor, Inc. | Method of Preparing Ceramic Powders |
| JP2012523117A (ja) * | 2009-04-01 | 2012-09-27 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 面積を増大させた電極を有する全電子バッテリー |
| WO2012134424A2 (en) * | 2010-01-20 | 2012-10-04 | Eestor, Inc. | Purification of barium ion source |
| US8611067B1 (en) * | 2010-03-08 | 2013-12-17 | Daniel A. Pearson | Energy storage device |
| GB2478843B (en) * | 2010-03-17 | 2014-09-17 | Secr Defence | Improvements in dielectrics |
| CN102074751B (zh) * | 2010-12-16 | 2013-05-01 | 合肥中兴电子科技有限责任公司 | 一种蓄电池维护方法 |
| KR101685461B1 (ko) * | 2011-09-05 | 2016-12-20 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 시트상 이차전지의 평가장치 및 평가방법 |
| WO2013065093A1 (ja) * | 2011-10-30 | 2013-05-10 | 株式会社日本マイクロニクス | 繰り返し充放電できる量子電池 |
| CN102623173B (zh) * | 2012-04-17 | 2014-05-28 | 电子科技大学 | 一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法 |
| CA2872228C (en) * | 2012-05-31 | 2017-03-28 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Semiconductor probe, testing device and testing method for testing quantum battery |
| WO2015023533A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Waters Technologies Corporation | Mobile phase controller for supercritical fluid chromatography systems |
| JP6147417B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2017-06-14 | 株式会社日本マイクロニクス | 電池 |
| EP3207552B1 (de) * | 2014-10-13 | 2019-01-23 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden e.V. | Verfahren zur herstellung eines kompakten mikro- oder nano-kondensators und kompakter mikro- oder nano-kondensator |
| JP6813982B2 (ja) * | 2016-08-01 | 2021-01-13 | 株式会社日本マイクロニクス | 二次電池 |
| JP6961370B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-11-05 | 株式会社日本マイクロニクス | 蓄電デバイス |
| CN110224454B (zh) * | 2018-03-02 | 2024-05-10 | 意法半导体有限公司 | 用于移动站的电池交换*** |
| WO2020046478A1 (en) | 2018-08-31 | 2020-03-05 | Innophos, Inc. | Botanical modulator of metabolic disorders |
| EP3843557B1 (en) | 2018-08-31 | 2023-09-20 | Innophos, LLC | An extract of anacardium occidentale for use in treating oxidation induced dna damage |
| EP3843558A1 (en) | 2018-08-31 | 2021-07-07 | Innophos, Inc. | Botanical extract skin care |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5800575A (en) * | 1992-04-06 | 1998-09-01 | Zycon Corporation | In situ method of forming a bypass capacitor element internally within a capacitive PCB |
| JP3173143B2 (ja) * | 1992-07-09 | 2001-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 積層フィルムコンデンサ用積層体およびその製造方法 |
| US5711988A (en) * | 1992-09-18 | 1998-01-27 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Energy storage device and its methods of manufacture |
| JPH06236826A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Hitachi Ltd | 薄膜状絶縁膜およびその形成方法並びにその形成装置 |
| US5710436A (en) * | 1994-09-27 | 1998-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Quantum effect device |
| US5705259A (en) * | 1994-11-17 | 1998-01-06 | Globe-Union Inc. | Method of using a bipolar electrochemical storage device |
| KR100250480B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2000-04-01 | 김영환 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
| IL142586A0 (en) * | 1998-10-13 | 2002-03-10 | Select Molecular Technologies | High capacitance energy storage |
| US6399521B1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-06-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Composite iridium barrier structure with oxidized refractory metal companion barrier and method for same |
| KR100487069B1 (ko) * | 2000-04-12 | 2005-05-03 | 일진나노텍 주식회사 | 새로운 물질로 이루어진 전극을 이용하는 수퍼 커패시터 및 그 제조 방법 |
| WO2001089827A1 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-29 | Georgia Tech Research Corporation | High dielectric constant nano-structure polymer-ceramic composite |
| US7031136B2 (en) * | 2002-04-09 | 2006-04-18 | Ngimat Co. | Variable capacitors, composite materials |
| US20090195961A1 (en) * | 2002-07-01 | 2009-08-06 | Rolf Eisenring | Method and device for storing electricity in quantum batteries |
| WO2004079793A2 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Duff William B Jr | Electrical charge storage device having enhanced power characteristics |
| JP4392336B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2009-12-24 | パナソニック株式会社 | 強誘電体容量素子の製造方法 |
-
2003
- 2003-06-26 CA CA002491552A patent/CA2491552A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-26 CN CN038203197A patent/CN1679123B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-26 EP EP03729779A patent/EP1522082A2/de not_active Withdrawn
- 2003-06-26 JP JP2004516408A patent/JP4986398B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-26 AU AU2003240363A patent/AU2003240363A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-26 RU RU2005102398/09A patent/RU2357313C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-06-26 WO PCT/CH2003/000423 patent/WO2004004026A2/de active Application Filing
- 2003-06-26 US US10/519,491 patent/US20060164788A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-08-22 US US11/892,353 patent/US7895721B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-27 JP JP2010015505A patent/JP2010093306A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2530765C1 (ru) * | 2013-04-17 | 2014-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "МВТУ" (ООО "МВТУ") | Способ накопления, хранения электрической энергии и устройство для его осуществления |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060164788A1 (en) | 2006-07-27 |
| US7895721B2 (en) | 2011-03-01 |
| WO2004004026A2 (de) | 2004-01-08 |
| US20080016681A1 (en) | 2008-01-24 |
| EP1522082A2 (de) | 2005-04-13 |
| AU2003240363A1 (en) | 2004-01-19 |
| CN1679123A (zh) | 2005-10-05 |
| JP2005531922A (ja) | 2005-10-20 |
| RU2005102398A (ru) | 2005-08-20 |
| CN1679123B (zh) | 2010-04-28 |
| JP2010093306A (ja) | 2010-04-22 |
| AU2003240363A8 (en) | 2004-01-19 |
| JP4986398B2 (ja) | 2012-07-25 |
| WO2004004026A3 (de) | 2004-03-25 |
| CA2491552A1 (en) | 2004-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2357313C2 (ru) | Способ изготовления суперконденсаторов или квантовых аккумуляторов и суперконденсатор или квантовый аккумулятор | |
| CN102598173B (zh) | 全固态电化学双层超级电容器 | |
| US7289312B2 (en) | Electrical charges storage device having enhanced power characteristics | |
| US9728812B2 (en) | Electrostatic energy storage device and preparation method thereof | |
| JP2012515448A (ja) | 量子ドット型ウルトラキャパシタ及び電子バッテリー | |
| US20090195961A1 (en) | Method and device for storing electricity in quantum batteries | |
| JP6603688B2 (ja) | 高エネルギー密度蓄電装置 | |
| CN110476213B (zh) | 含有电解质的改良超级电容器 | |
| Kumar et al. | Photolithographic Fabrication of Supercapacitor Electrodes | |
| CN102969798B (zh) | 场效应电能储存方法、场效应电能储存装置和场效应电池 | |
| Dănilă et al. | Supercapacitors to future storage devices | |
| JP2002299601A (ja) | 蓄電体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120627 |