EP1522082A2 - Verfahren zur herstellung von superkondensatoren - Google Patents

Verfahren zur herstellung von superkondensatoren

Info

Publication number
EP1522082A2
EP1522082A2 EP03729779A EP03729779A EP1522082A2 EP 1522082 A2 EP1522082 A2 EP 1522082A2 EP 03729779 A EP03729779 A EP 03729779A EP 03729779 A EP03729779 A EP 03729779A EP 1522082 A2 EP1522082 A2 EP 1522082A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layers
quantum
capacitors
range
electrical energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP03729779A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Rolf Eisenring
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eisenring Rolf
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of EP1522082A2 publication Critical patent/EP1522082A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
    • H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/54—Electrolytes
    • H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/46—Metal oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/36—Accumulators not provided for in groups H01M10/05-H01M10/34
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49108—Electric battery cell making

Definitions

  • the energy storage devices are independent of stationary sources and are therefore used to power electrical drives in mobile traffic (road, rail, ship and aerospace), primarily as an energy substitute for fossil fuels.
  • the highly concentrated loss-free storage capacity of the materials also allows use in domestic technology for the temporary storage and transport of e.g. energies obtained through solar technology.
  • the materials also enable the construction of new types of electronic components.
  • the lossless, rapid discharge of the electrically stored energy also allows it to be used as an explosive device.
  • the new storage facility allows electrical energy to be stored in the same weight-specific range as chemical energy. Values in the range from 1 to over 15 MJ / kg can be achieved.
  • the materials of the new storage allow unlimited charging and discharging cycles; the materials do not wear out.
  • the new storage works loss-free when loading and unloading.
  • the memory is robust against shocks, extreme accelerations and extreme temperatures, as is the positioning of the room.
  • the invention makes use of a physical effect which consists in the fact that very small amounts of dipolar crystals, for example Ti02 (high electronegativity) in an insulating medium / matrix, for example Si02 or polymer resins, due to a strong electrostatic field and at a critical voltage (charging conditions) become electrically conductive (semiconductors) through virtual photon resonance (a new kind of quantum physical effect) and thereby absorb energy, which is stored analogously to a plate capacitor by counteracting polarization.
  • the memories can be designed with voltages from a few volts to a few thousand volts. The storage capacity is only limited by the design. 15.3.
  • the storage crystals such as Ti02, SrTi03 or the like, are applied to a support surface in the size of a few nm either as a grain or as a layer together with the insulating medium.
  • rutile There are special requirements for the expansion of the crystals, above all the "rutile" type is necessary.
  • Two methods are used: a) A mixture of crystals and polymer resin is first dispersed and then by electrostatic spray technology onto a composite film consisting of a sandwich made of metal and polymer film, which is either flat or stretched on a tube-like body and is continuously moved, sprayed in. The metal film isolated in the composite forms the counterelectrode.
  • the insulation of the polymer prevents the charges from flowing off after impact together with the counterelectrode an electric field, which exerts strong surface forces due to the capacitive effect. These surface forces produce geometrically precise shapes, in the case of the tube exactly round layers and exact layer thicknesses Ensure no-shift layers.
  • the electrostatic field also causes the geometrical alignment of the dipoles.
  • the resin is cured by radiation curing in a protective atmosphere or by thermal curing.
  • the coated film is then cut open and shaped into a layer capacitor.
  • the layers can either be laid flat on top of each other or rolled up. Alternately, the metallic parts of the foils are connected and thereby form the positive and negative poles of the memory.
  • the storage bodies are covered with insulating materials and the electrodes are guided to external terminals.
  • a film capacitor made planar with foils, if made extremely long and with few layers, can be used as a highly flexible flat conductor with an almost infinite bandwidth for the connection between source and battery.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Ein Verfahren, mit dem sich sog. Quanten Batterien (Super Capacitors) realisieren lassen, aus Materialien, bestehend aus chemisch stark dipolaren Kristallen in Form von nanometergrossen Körnern oder Schichten, eingebettet in elektrisch isolierenden Matrixmaterialien oder Zwischenschichten, aufgetragen auf Verbundfolien oder auf feste flache Unterlagen, die zu Wickel- oder Flachkondensoren aufgebaut, die elektrische Energie aufgrund des Effektes der virtuellen Photonenresonanz im Bereich von bis über 15 MJ/kg verlustlos speichern können.

Description

Verfahren zur Speicherung von elektrischer Energie in sog. „Quantum Batterien"
Beschreibung
Konzentrierte Speicherung von elektrischer Energie in Materialien mit besonderen elektrischen Eigenschaften, die in Form von Batterien sog. „Super Capacitors bzw. Quantum Batteries " für den stationären wie beweglichen Einsatz geeignet sind, sowie als Energie-Speicherkörper, wo die schnelle Freisetzung der Energie wichtig ist.
1.2 Technisches Gebiet
Die Energiespeicher sind unabhängig von stationären Quellen und werden deshalb zur Speisung von elektrischen Antrieben im mobilen Verkehr (Strasse, Bahn, Schiff sowie Luft- und Raumfahrt) eingesetzt vor allem als Energie-Ersatz von fossilen Treibstoffen. Die hochkonzentrierte verlustfreie Speicherfähigkeit der Materialien erlaubt auch die Anwendung in der Haustechnik zur Zwischenspeicherung und Transport von z.B. durch Solar-Technik gewonnenen Energien. Die Materialien ermöglichen ebenso den Bau von neuartigen elektronischen Bauteilen. Die verlustfreie rasche Entladung der elektrisch gespeicherten Energie erlaubt auch den Einsatz als Sprengkörper.
1.3. Stand der Technik
Bisher stand die Speicherung von elektrischer Energie hinsichtlich des spezifischen Gewichtsbedarfs, der Speicherung von z.B. chemischer Energie sehr weit hinten nach, was vor allem den Einsatz im mobilen Verkehr benachteiligte. Dies führte zu einem übermässigen Verbrauch unersetzbarer, chemisch gespeicherter Energie in Form von fossilen Brennstoffen. Bei der technischen Speicherung und Entladung von chemischer Energie z.B. mittels Bleibatterien muss ein erheblicher Innenwiderstand überwunden werden, was sich durch Wärme-Verluste bzw. Einschränkung der Lade- und Entladegeschwindigkeit negativ äussert.
Die bisherigen sog. Super Capacitors werden auf der Grundlage von anderen physikalischen Effekten entwickelt. Sie können z.T. nur auf sehr geringen Spannungen betrieben werden, sind sehr schlagempfindlich und zeigen grosse Innenwiderstände. Zudem sind ihre spezifischen Speicherkapazitäten um Grössenordnungen kleiner.
1.4. Detaillierte Darstellung
1.4.1. Vorteile
Der neue Speicher erlaubt die Speicherung von elektrischer Energie in der gleichen gewichtsspezifischen Grössenordnung wie chemische Energie. Es können Werte im Bereich von 1 bis über 15 MJ/kg erreicht werden. Die Materialien des neuen Speichers erlauben unbegrenzte Lade- und Entladezyklen; die Materialien nutzen sich dabei nicht ab. Der neue Speicher arbeitet verlustfrei bei der Ladung wie bei der Entladung. Der Speicher ist robust gegen Erschütterungen, extreme Beschleunigungen und extreme Temperaturen, ebenso ist die Raumpositionierung belanglos.
1.4.2. Grundlage der Erfindung
Die Erfindung macht sich einen physikalischen Effekt zu Nutzen, der darin besteht, dass sehr kleine Mengen aus dipolaren Kristallen z.B. Ti02 (grosse Elektronegativität) in einem isolierenden Medium/Matrix z.B. Si02 oder Polymerharze durch ein starkes elektrostatisches Feld und bei einer kritischen Spannung (Ladebedingungen) durch virtuelle Photonen- Resonanz (ein neuartiger quantenphysikalischen Effekt) elektrisch leitend werden (Halbleiter) und dadurch Energie aufnehmen, die analog einem Plattenkondensator durch gegenwirkende Polarisation gespeichert wird. Die Speicher können mit Spannungen von einigen wenigen Volt bis zu einigen Tausend Volt ausgeführt werden. Die Speicherkapazität ist nur durch die Bauform begrenzt. 15.3. Technische Ausführung
Die Speicherkristalle wie Ti02, SrTi03 oder ähnliche, werden in der Grosse von einigen nm entweder als Korn oder als Schicht zusammen mit dem isolierenden Medium auf eine Trägeroberfläche aufgetragen. Es bestehen besondere Anforderungen an den Ausbau der Kristalle, vor allem ist der Typus „Rutil" notwendig. Es kommen zwei Verfahren zur Anwendung: a) Ein Gemisch aus Kristallen und Polymerharz wird zuerst dispergiert und dann durch elektrostatische Spritztechnik auf eine Verbundfolie bestehend aus einem Sandwich aus Metall- und Polymerfolie, die entweder flach oder auf einem rohrähnlichen Körper aufgespannt ist und kontinuierlich bewegt wird, aufgespritzt. Die im Verbund isolierte Metall- Folie bildet die Gegenelektrode. Durch die Isolierung des Polymers können die Ladungen nach dem Auftreffen nicht abfliessen. Sie bilden zusammen mit der Gegenelektrode ein elektrisches Feld, welches über die kapazitive Wirkung starke Oberflächenkräfte ausübt. Diese Oberflächenkräfte bewirken geometrisch genaue Formen, im Falle des Rohres genau runde Schichten und genaue Schichtdicken. Ebenso entstehen durch die Oberflächenkräfte grosse hydraulische Drücke, die für kompakte lufteinschlussfreie Schichten sorgen. Das elektrostatische Feld bewirkt zudem die geometrische Ausrichtung der Dipole. Die Härtung des Harzes geschieht durch Strahlungshärtung in einer Schutzatmosphäre oder durch thermische Härtung. Die beschichtete Folie wird dann aufgeschnitten und zu einem Schichtkondensator geformt. Die Schichten können entweder plan aufeinander gelegt oder aufgerollt werden. Abwechslungsweise werden die metallischen Teile der Folien verbunden und bilden dadurch die positiven und negativen Pole des Speichers. b) Durch Chemical Vapor Deposition (CVD) oder Physical Vapor Deposition (PVD) werden auf eine planare Oberfläche, die mit einer elektrisch leitenden Schicht z.B. Platin versehen ist, abwechslungsweise zahlreiche sehr dünne Schichten aus den Speicherkristallen z.B. Ti02 und der Isolationsschicht z.B. Si02 aufgetragen. Durch geeignete Temperung bei bis zu 700 Grad C werden polykristalline Schichten erzeugt. Die zur Resonanz zu gelangenden Schichten vom Typus Rutil werden beim Aufdampfen durch Überlappung der darüberliegenden Isolierschicht jeweils sandwichartig eingeschlossen. Dadurch werden die Resonatorschichten nach dem abschliessenden Tempern bei über 800 Grad C während der nachfolgenden Abkühlungsphase wegen der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten infolge Delamination nicht abgelöst. Schliesslich erfolgt eine metallische Deckschicht. Beide Schichten bilden die Elektroden des Speichers. Es können auch mehrfache Schichtkombinationen aufgetragen werden.
Abschliessend werden die Speicherkörper mit isolierenden Materialien ummantelt und die Elektroden auf äussere Klemmen geführt.
Ein mit Folien planar gefertigter Schichtkondensator kann, wenn extrem lang und mit wenigen Schichten ausgeführt, als hochflexibler Flachleiter mit beinahe unendlicher Bandbreite für die Verbindung zwischen Quelle und Batterie eingesetzt werden.

Claims

Patentansprüche
Ein Verfahren zur Herstellung von sog. Super Capacitors, bzw. Quantum Battery, basierend auf dem 1. physikalischen Effekt wodurch elektrische Energie mittels photonenresonanzangeregten sehr kleinen chemisch dipolaren kristallinen Partikeln oder Schichten, die voneinander durch ein elektrisch isolierendes Medium getrennt sind und die das homogene elektrostatische Feld sehr kurzzeitig und lokal extrem stark konzentrieren und dabei sehr schnelle verlustfreie Ladungsausgleiche (Dirakstromstösse bei konstanter Spannung) bewirken, gespeichert wird, wobei die elektrischen Speicherschichten, als Gemisch aus flüssigem Verbindungsstoff z.B. Polymere und Nano-Kristallen, mittels elektrostatischen Spritzverfahren auf 2)vorgeformte und kontinuierlich bewegte Verbundfolien aufgetragen werden, wobei die eingeschlossene Metallfolie 3)die Gegenelektrode bildet und sich dadurch starke elektrische Felder bilden, wobei durch kapazitive Effekte starke Oberflächenkräfte entstehen, gekennzeichnet, dass sich dadurch formgenaue und kompakte Schichten bilden lassen und wobei sich dadurch die dipolaren Partikel auch elektrisch ausrichten und nach der Strahlungshärtung in einer Schutzatmosphäre 4.)positioniert bleiben, wonach die mit den besonderen elektrischen Material beschichteten und geschnittenen Folien zu 5.)Flachkondensatoren und bei extrem länglicher, dünner Ausführung auch als hochflexibles Verbindungsflachkabel mit beinahe unendlicher Bandbreite oder 6.)Wickelkondensatoren geformt werden, gekennzeichnet, dass die sehr formgenauen, homogenen und kompakten Schichten die Aufladebedingungen für eine Quantum Batterie garantieren und dass mit diesen Quantum Batterien 7.)elektrische Energie im Bereich von bis über 15 MJ/kg gespeichert werden kann. Gemäss Anspruch 1.) können die besonderen elektrischen Materialien auch mittels chemischen oder physikalischen Aufdampfverfahren auf ebene elektrisch leitende Trägerschichten als elektrische Speicherschichten und Isolationsschichten abwechslungsweise und jeweils 8.)überlappend aufgetragen und getempert werden, gekennzeichnet, dass dadurch entgegen unterschiedlicher thermischen Ausdehnung keine Delamination auftritt, und somit zusammen mit einer metallischen Deckschicht einen 9.)Schichtkondensor erzeugen, gekennzeichnet, dass dadurch sehr dünne und genaue Schichten die Aufladebedingungen für eine Quantum Batterie garantieren und dass mit diesen Quantum Batterien elektrische Energie bei Spannungen im Bereich von einigen wenigen V und bis mehrere kV im Bereich von bis über 15 MJ/kg gespeichert werden kann.
EP03729779A 2002-07-01 2003-06-26 Verfahren zur herstellung von superkondensatoren Withdrawn EP1522082A2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH113002 2002-07-01
CH11302002 2002-07-01
PCT/CH2003/000423 WO2004004026A2 (de) 2002-07-01 2003-06-26 Verfahren zur herstellung von superkondensatoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1522082A2 true EP1522082A2 (de) 2005-04-13

Family

ID=29783982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP03729779A Withdrawn EP1522082A2 (de) 2002-07-01 2003-06-26 Verfahren zur herstellung von superkondensatoren

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20060164788A1 (de)
EP (1) EP1522082A2 (de)
JP (2) JP4986398B2 (de)
CN (1) CN1679123B (de)
AU (1) AU2003240363A1 (de)
CA (1) CA2491552A1 (de)
RU (1) RU2357313C2 (de)
WO (1) WO2004004026A2 (de)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7729811B1 (en) 2001-04-12 2010-06-01 Eestor, Inc. Systems and methods for utility grid power averaging, long term uninterruptible power supply, power line isolation from noise and transients and intelligent power transfer on demand
US7595109B2 (en) * 2001-04-12 2009-09-29 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US7914755B2 (en) 2001-04-12 2011-03-29 Eestor, Inc. Method of preparing ceramic powders using chelate precursors
US7057881B2 (en) 2004-03-18 2006-06-06 Nanosys, Inc Nanofiber surface based capacitors
US20110170232A1 (en) * 2004-08-13 2011-07-14 Eestor, Inc. Electrical energy storage unit and methods for forming same
US7466536B1 (en) * 2004-08-13 2008-12-16 Eestor, Inc. Utilization of poly(ethylene terephthalate) plastic and composition-modified barium titanate powders in a matrix that allows polarization and the use of integrated-circuit technologies for the production of lightweight ultrahigh electrical energy storage units (EESU)
US7648687B1 (en) 2006-06-15 2010-01-19 Eestor, Inc. Method of purifying barium nitrate aqueous solution
US7993611B2 (en) 2006-08-02 2011-08-09 Eestor, Inc. Method of preparing ceramic powders using ammonium oxalate
US8853116B2 (en) 2006-08-02 2014-10-07 Eestor, Inc. Method of preparing ceramic powders
US8145362B2 (en) * 2006-08-04 2012-03-27 Eestor, Inc. Utility grid power averaging and conditioning
US20100295373A1 (en) * 2007-10-31 2010-11-25 Rolf Eisenring Method and apparatus for the loss-free transmission of electrical energy
JP5323373B2 (ja) * 2008-03-24 2013-10-23 タマティーエルオー株式会社 キャパシタ型蓄電池
WO2010023575A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Nxp B.V. A capacitor and a method of manufacturing the same
CN102282646A (zh) * 2009-01-16 2011-12-14 利兰·斯坦福青年大学托管委员会 量子点超级电容器和电子电池
US8877367B2 (en) * 2009-01-16 2014-11-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University High energy storage capacitor by embedding tunneling nano-structures
US8524398B2 (en) * 2009-04-01 2013-09-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University All-electron battery having area-enhanced electrodes
US20100285316A1 (en) * 2009-02-27 2010-11-11 Eestor, Inc. Method of Preparing Ceramic Powders
KR20130139743A (ko) * 2010-01-20 2013-12-23 에스톨, 인코포레이티드 바륨 이온 소스의 정제
US8611067B1 (en) * 2010-03-08 2013-12-17 Daniel A. Pearson Energy storage device
US9159493B2 (en) 2010-03-17 2015-10-13 The Secretary Of State For Defense Dielectrics
CN102074751B (zh) * 2010-12-16 2013-05-01 合肥中兴电子科技有限责任公司 一种蓄电池维护方法
JP5786028B2 (ja) * 2011-09-05 2015-09-30 株式会社日本マイクロニクス シート状電池の評価装置及び評価方法
CN104025329B (zh) * 2011-10-30 2017-07-04 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 可反复充放电的量子电池
CN102623173B (zh) * 2012-04-17 2014-05-28 电子科技大学 一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法
CA2872228C (en) * 2012-05-31 2017-03-28 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Semiconductor probe, testing device and testing method for testing quantum battery
RU2530765C1 (ru) * 2013-04-17 2014-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "МВТУ" (ООО "МВТУ") Способ накопления, хранения электрической энергии и устройство для его осуществления
US10434440B2 (en) * 2013-08-12 2019-10-08 Waters Technologies Corporation Mobile phase controller for supercritical fluid chromatography systems
CN106463617B (zh) * 2014-03-18 2019-08-16 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 电池
EP3207552B1 (de) * 2014-10-13 2019-01-23 Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden e.V. Verfahren zur herstellung eines kompakten mikro- oder nano-kondensators und kompakter mikro- oder nano-kondensator
JP6813982B2 (ja) * 2016-08-01 2021-01-13 株式会社日本マイクロニクス 二次電池
JP6961370B2 (ja) * 2017-03-15 2021-11-05 株式会社日本マイクロニクス 蓄電デバイス
CN210041358U (zh) * 2018-03-02 2020-02-07 意法半导体有限公司 电池充电***和移动设备
WO2020046476A1 (en) 2018-08-31 2020-03-05 Innophos, Inc. Botanical antioxidants
BR112021003870A2 (pt) 2018-08-31 2021-05-18 Innophos, Inc. modulador botânico de transtornos metabólicos
KR20210092187A (ko) 2018-08-31 2021-07-23 이노포스, 엘엘씨 피부 관리를 위한 식물성 추출물

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5800575A (en) * 1992-04-06 1998-09-01 Zycon Corporation In situ method of forming a bypass capacitor element internally within a capacitive PCB
JP3173143B2 (ja) * 1992-07-09 2001-06-04 松下電器産業株式会社 積層フィルムコンデンサ用積層体およびその製造方法
US5711988A (en) * 1992-09-18 1998-01-27 Pinnacle Research Institute, Inc. Energy storage device and its methods of manufacture
JPH06236826A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Hitachi Ltd 薄膜状絶縁膜およびその形成方法並びにその形成装置
US5710436A (en) * 1994-09-27 1998-01-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Quantum effect device
US5705259A (en) * 1994-11-17 1998-01-06 Globe-Union Inc. Method of using a bipolar electrochemical storage device
KR100250480B1 (ko) * 1997-08-30 2000-04-01 김영환 반도체소자의 캐패시터 제조방법
WO2000022637A1 (en) * 1998-10-13 2000-04-20 Select Molecular Technologies Corporation High capacitance energy storage device
US6399521B1 (en) * 1999-05-21 2002-06-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Composite iridium barrier structure with oxidized refractory metal companion barrier and method for same
KR100487069B1 (ko) * 2000-04-12 2005-05-03 일진나노텍 주식회사 새로운 물질로 이루어진 전극을 이용하는 수퍼 커패시터 및 그 제조 방법
AU2001274857A1 (en) * 2000-05-18 2001-12-03 Georgia Tech Research Corporation High dielectric constant nano-structure polymer-ceramic composite
US7031136B2 (en) * 2002-04-09 2006-04-18 Ngimat Co. Variable capacitors, composite materials
US20090195961A1 (en) * 2002-07-01 2009-08-06 Rolf Eisenring Method and device for storing electricity in quantum batteries
JP2006523384A (ja) * 2003-03-05 2006-10-12 ダフ， ウィリアム ビー． ジュニア 電力特性を強化した電荷保存デバイス
JP4392336B2 (ja) * 2004-03-25 2009-12-24 パナソニック株式会社 強誘電体容量素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2004004026A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1679123B (zh) 2010-04-28
RU2005102398A (ru) 2005-08-20
CA2491552A1 (en) 2004-01-08
US20060164788A1 (en) 2006-07-27
JP4986398B2 (ja) 2012-07-25
AU2003240363A1 (en) 2004-01-19
AU2003240363A8 (en) 2004-01-19
RU2357313C2 (ru) 2009-05-27
US20080016681A1 (en) 2008-01-24
CN1679123A (zh) 2005-10-05
JP2005531922A (ja) 2005-10-20
US7895721B2 (en) 2011-03-01
JP2010093306A (ja) 2010-04-22
WO2004004026A3 (de) 2004-03-25
WO2004004026A2 (de) 2004-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1522082A2 (de) Verfahren zur herstellung von superkondensatoren
US9767960B2 (en) Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
EP2596508B1 (de) Verwendung organischer und metallorganischer materialien mit hoher dielektrizitätskonstante zur verbesserung von energiespeichervorrichtungen und entsprechende verfahren
EP2791989B1 (de) Gehäuse für eine batteriezelle mit einer lackbeschichtung zur elektrischen isolation, batteriezelle, batterie sowie kraftfahrzeug
CN105283926B (zh) 利用有机和有机金属高介电常数材料改进能量存储设备中的电极和电流及其改进方法
CN103947015B (zh) 全固态薄膜电池的制造方法
US8890476B2 (en) Fuel cell/supercapacitor/battery power system for vehicular propulsion
WO2017139451A1 (en) para-FURUTA POLYMER AND CAPACITOR
CN107112759B (zh) 熵能转移方法以及电路
DE112010005062T5 (de) Modulare Batterie mit polymerer Kompressionsabdichtung
DE112018001797T5 (de) Festkörper-sekundärbatterie
US20210159005A1 (en) Pulsed E-field Propulsion System
DE102012205931A1 (de) Elektrochemischer Energiespeicher und Verfahren zum Herstellen desselben
CN101989493A (zh) 一种有电量锁存功能的陶瓷电容器暨物理电池
US10998142B2 (en) High energy density capacitor system and method
DE102017207439A1 (de) Elektroden mit verbesserter Beschichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102010022831A1 (de) Doppelschichtkondensator
Das-Gupta et al. Piezoelectricity in uniaxially stretched and corona poled polyvinylidene fluoride
DE102018205299A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schichtaufbaus für einen Lithium-Ionen-Festkörperakkumulator
US20140147772A1 (en) Polarizable ion-conducting material
US20110170232A1 (en) Electrical energy storage unit and methods for forming same
Fukuhara et al. Realizing a supercapacitor in an electrical circuit
US20140272577A1 (en) Methods and apparatus for high capacity anodes for lithium batteries
WO2014182379A1 (en) Electric energy storage device
DE102012000084A1 (de) Elektrische Energiespeicher in der Form sich durchdringender und elektrisch leitfähiger Halbleiternetzwerke

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20050119

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL LT LV MK

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: EISENRING, ROLF

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: EISENRING, ROLF

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
17Q First examination report despatched

Effective date: 20090924

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20130103