RU2066074C1 - Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов - Google Patents

Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов Download PDF

Info

Publication number
RU2066074C1
RU2066074C1 RU9292015569A RU92015569A RU2066074C1 RU 2066074 C1 RU2066074 C1 RU 2066074C1 RU 9292015569 A RU9292015569 A RU 9292015569A RU 92015569 A RU92015569 A RU 92015569A RU 2066074 C1 RU2066074 C1 RU 2066074C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
address
image
electrode
data
diode
Prior art date
Application number
RU9292015569A
Other languages
English (en)
Other versions
RU92015569A (ru
Inventor
О.Ф. Огурцов
Б.И. Казуров
Г.Я. Красников
Б.П. Черноротов
Original Assignee
Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" filed Critical Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО"
Priority to RU9292015569A priority Critical patent/RU2066074C1/ru
Priority to US08/166,944 priority patent/US5473451A/en
Priority to JP33203093A priority patent/JPH075851A/ja
Priority to DE4344808A priority patent/DE4344808C2/de
Priority to CN93121491A priority patent/CN1048558C/zh
Priority to FR9315832A priority patent/FR2700051B1/fr
Priority to KR1019930030975A priority patent/KR970002987B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of RU2066074C1 publication Critical patent/RU2066074C1/ru
Publication of RU92015569A publication Critical patent/RU92015569A/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

Использование: в области производства матриц для жидкокристаллических экранов и решает задачу обеспечения надежности функционирования активной матрицы при появлении дефектов в шинах данных, вызывающих отсутствие сигнала на шинах данных. Сущность изобретения: в активной матрице, содержащей множество адресных шин, расположенных параллельно друг другу, множество шин данных, расположенных перпендикулярно адресным шинам, множество сформированных в виде матриц строк и столбцов элементов изображения, каждый из которых содержит по крайней мере один электрод изображения и два переключающих элемента, причем каждый электрод изображения через первый переключающий элемент подключен к первой адресной шине и к первой шине данных, через второй переключающий элемент подключен ко второй шине данных, второй переключающий элемент выполнен в виде электронного ключа с токовой проводимостью в одном направлении. 3 з.п.ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к жидкокристаллическим экранам с активной матрицей в частности к жидкокристаллическим экраном с резервированием элементов матрицы.
В настоящее время значительно возросла потребность в жидкокристаллических экранах (далее ЖКЭ), используемых в телевидении, в видеотехнике, в вычислительной технике. При этом для получения качественного изображения требуется высокая надежность функционирования активной матрицы. Высокая надежность функционирования обычно достигается за счет резервирования отдельных элементов матрицы. Известна конструкция активной матрицы (I), которая содержит множество элементов изображения, сформированных на изолирующей подложке в виде матрицы строк и столбцов. Каждый элемент изображения содержит один электрод изображения и один переключающий элемент, в качестве которого используется тонкопленочный транзистор. Активная матрица содержит множество адресных шин, расположенных между строками элементов изображения и множество шин данных, расположенных между столбцами ортогонально адресным шинам. Электроды изображения подключаются к адресным шинам и шинам данных через переключающие транзисторы.
Cканирующие сигналы подаются в ТПТ через адресные шины, а видеосигналы через шины данных. При этом затворы ТПТ подключаются к адресным шинам, стоки ТПТ подключаются к шинам данных, а истоки ТПТ подключаются к электродам изображения.
Существенным недостатком такой активной матрицы является ее низкая надежность в работе вследствие того, что отказ любого переключающего транзистора приводит к отказу в работу данного элемента изображения, а появление дефектов (обрывов) в адресных шинах или шинах данных приводит к отказу элементов изображения, подключенных к дефектному участку адресной шины или шины данных. Указанных недостаток частично устраняется в другой известной конструкции активной матрицы для ЖКЭ (2), в которой используется резервирование отдельных элементов активной матрицы и которая выбрана авторами в качестве прототипа.
Резервирование заключается в том, что каждый элемент изображения содержит два переключающих элемента, причем каждый электрод изображения через первый переключающий элемент подключен к первой адресной шине и к первой шине данных, а через второй переключающий элемент присоединен ко второй последующей адресной шине и ко второй шине данных. В этой матрице в качестве переключающих элементов использованы переключающие тонкопленочные МДП транзисторы (ТПТ), с помощью которых электрод изображения подключен к двум адресным шинам и к двум шинам данных.
При такой конструкции активной матрицы отказ одного из двух ТПТ любого элемента изображения не приводит к отказу данного элемента изображения, т.к. видеосигнал на электрод изображения поступает от другого работающего ТПТ. При необходимости дефектный ТПТ может быть отключен от схемы с помощью лазерного луча, механического воздействия или химического травления.
При появлении дефекта (обрыва) в одной из двух адресных шин, к которым подключается любой элемент изображения нарушения работоспособности элемента изображения так же не происходит, т.к. в этом случае видеосигнал на электрод изображения поступает с помощью другой адресной шины не имеющей дефекта и от другой шины данных.
Однако, недостатком такой конструкции активной матрицы является то, что появление дефекта в одной и двух шин данных, обслуживающих элементы изображения, любого одного столбца, а именно шины данных, к которой электроды изображения подключаются через переключающий транзистор, приводит к отказу элементов изображения указанного столбца матрицы.
Кроме того, возможны и другие виде дефектов шин данных, связанные с плохим контактом между шинами данных и схемой управления, которая формирует видеосигналы для шин данных. Возможны также дефекты в выходных элементах схемы управления. Эти дефекты приводят к отсутствию видеосигнала на шинах данных. В этом случае при подключении электрода изображения через ТПТ к такой шине данных происходит обнуление напряжения электрода изображения, т. е. элементы изображения, которые подключаются к указанной шине данных через ТПТ становятся также неуправляемыми, т.е. дефектными.
Таким образом, разрядка электрода изображения на дефектную шину данных является результатом того, что второй переключающий элемент в активной матрице имеет токовую проводимость в двух направлениях и через него может производиться как зарядка электрода изображения, так и разрядка.
Предлагаемое изобретение устраняет указанные устраняет выше недостатки и решает задачу создания активной матрицы для жидкокристаллических экранов, обладающей высокой надежностью функционирования при появлении дефектов в шинах данных, вызывающих отсутствие сигнала на шинах данных.
На фиг. 1 показана схема активной матрицы, выполненной в соответствии с п. 1 формулы изобретения; на фиг.2 показана схема активной матрицы, выполненной в соответствии с п. 2 формулы изобретения; на фиг.3 показана форма напряжения в различных местах активной матрицы фиг.2: Ug напряжение сигнала на адресных шинах; Ud напряжение видеосигнала на шинах данных; U1 - напряжение на электроде изображения, когда первая и вторая шина данных функционируют; U2 напряжение на электроде изображения, когда первая шина данных является дефектной; U3 напряжение на электроде изображения, когда вторая шина данных является дефектной; U4 - напряжение на электроде изображения в случае отсутствия диода во втором переключающем элементе при дефектной второй шине данных; на фиг.4 показана топология участка активной матрицы, выполненной в соответствии с п. 3 формулы изобретения с использованием диода Шоттки; на фиг. 5 показано поперечное сечение вдоль оси А-А фиг.4; на фиг.6 показана схема активной матрицы для цветного жидкокристаллического экрана с треугольных расположением цветных элементов изображения, выполненной в соответствии с п. 1 и п.2 формулы изобретения; на фиг.7 показана схема активной матрицы для цветного жидкокристаллического экрана с треугольным расположением цветных элементов изображения, с уменьшенным числом шин данных, выполненной в соответствии с п.1 и п.2 формулы изобретения.
Активная отображающая матрица (фиг. 1, 2) содержит множество адресных шин 1 1oC 1-(n+1) и шин данных 2 1oC 2-(m+1), а также множество строк и множество столбцов элементов изображения, каждый из которых содержит электрод изображения 3, два переключающих элемента, один из которых выполнен на транзисторе 4, а второй на транзисторе 5 и диоде 6.
Активная матрица функционирует следующим образом. Адресные сигналы Ug подаются на адресные шины последовательно во времени как показано на фиг.3, где Т это период повторения адресных сигналов, подаваемых на одну и ту же адресную шину, а t это длительность адресного сигнала. Следовательно, любой электрод изображения подключается последовательно во времени сначала к адресной шине данных через переключающий транзистор 4 на время t, а затем ко второй шине данных через переключающий транзистор 5 и диод 6. На фиг.3 изображена форма напряжения на адресных шинах Ug, напряжения на шинах данных Ud; U1; U2; U3, U4 напряжения на электроде изображения, подключенного к адресным шинам 1 2, 1 3 и шинам 2 - 2, 2 3.
И1 форма напряжения на электроде изображения, когда электрод последовательно заряжается от двух функционирующих шин данных 2 2 и 2 3. В период времени t2 через переключающий транзистор 4 электрод изображения заряжается до напряжения
Figure 00000002
.
За время t3 через переключающий транзистор 5 и диод 6 перезарядки электрода изображения не происходит, т.к.
Figure 00000003
. Напряжение
Figure 00000004
сохраняется на электроде изображения в течение периода Т. С приходом следующей пары адресных сигналов t5 и t6 электрод изображения перезаряжается до напряжения
Figure 00000005
и
Figure 00000006
соответственно. Если произошел обрыв в шине данных 2 2 (фиг.3, напряжения U2), то дефектный участок шины удерживается при напряжении Un, равном минимальному сигналу шины данных, с помощью шины 8 и диода 7.
В частном случае диоды 7 могут быть подключены непосредственно к "земле". В период времени t2 электрод изображения 3 заряжается до напряжения дефектного участка шины, т.е. до нуля. Затем за время t3 электрод изображения заряжается до напряжения работающей шины данных 2 3
Figure 00000007
. Далее за время t5 электрод снова разряжается до нуля, а за время t6 заряжается до напряжения шины данных 2 -3
Figure 00000008
.
Таким образом на электроде изображения в течение периода Т сохраняется напряжение видеосигнала, поступающего от второй шины данных 2 3.
Случай, когда обрыв произошел в шине 3 3, показан на фиг.3 формой напряжения U3. При включении переключающего транзистора 5 разрыв электрода изображения до напряжения дефектной шины 2 3 не происходит, т.к. полярность напряжения электрода изображения противоположно полярности диода 6 и диод находится в "закрытом" состоянии. В период времени электрод изображения перезаряжается до напряжения работающей шины данных 2 2.
Для сравнения на фиг. 3 U4 показывает форму напряжения на электроде изображения в случае отсутствия в активной матрице диода 6 при дефектной шине данных 2 3.
Таким образом, в данной конструкции активной матрицы в отличие от прототипа отказа в работе элементов изображения не происходит в случае обрыва второй шины данных при функционирующей первой шине данных. Кроме того, если произошел отказ в работе одного из "выходов" схемы управления видеосигналами шин данных и на какую-либо шину данных сигнал не поступает, то элементы изображения, подключенные к этой шине данных не выходят из строя, т.к. на указанные элементы изображения будет поступать сигнал данных от другой шины данных.
В качестве диода в конструкции активной матрицы могут быть использованы pin-диоды, диоды Шоттки, а также полевые транзисторы с замкнутыми затвором и истоком. Простая конструкция и технология изготовления тонкопленочного переключающего транзистора с диодом это формирование тонкопленочного полевого транзистора с диодом Шоттки или формирование тонкопленочного переключающего транзистора с МДП транзистором, у которого замкнуты между собой затвор и сток.
Пример изготовления активной матрицы, в которой использован в качестве второго переключающего элемента МДП транзистор с диодом Шоттки, показан на фиг.4 и фиг.5.
На фиг.4 показана топология элемента изображения активной матрицы, где 4 и 5 переключающие транзисторы, 3 электрод изображения, 1 2 и 1 3 адресные шины, 2 2 и 2 3 шины данных, 6 диод Шоттки, сформированный на пленке аморфного кремния 9 между проводящим контактом из легированной фосфором пленки аморфного кремния к стоку транзистора 5 и металлическим контактом 10 из пленки хрома к шине данных.
На фиг.5 показано поперечное сечение вдоль оси А А фиг.4. Структуру, показанную на фиг. 5, изготавливали описываемым ниже образом. На изолирующую подложку 11 с помощью вакуумного напыления наносили пленку хрома. Используя фотолитографию, из этой пленки формовали адресные шины, не показанные на фиг.5, и затворы 12 переключающих транзисторов. Затем осаждали пленку нитрида кремния 13, используемую в качестве затворного диэлектрика. Далее наносили прозрачную проводящую пленку окиси индия, из которой с помощью фотолитографии формировали электроды изображения 3. Затем напыляли легированную фосфором пленку аморфного кремния для получения в дальнейшем низкоомного контакта к аморфному кремнию. С помощью фотолитографии из этой пленки формировали контактные истоки 14 стока 15 переключающих транзисторов и контакт к электроду изображения 3. Далее наносили пленку аморфного кремния 16, из которой используя фотолитографию формировали полупроводниковые области переключающих транзисторов. После этого наносили пленку нитрида кремния 17, служащую защитным диэлектриком, в которой с использованием фотолитографии вскрывали контактные окна к аморфному кремнию для формирования диодов Шоттки в переключающих транзисторах 5 и контактные окна к стокам переключающих транзисторов 4. Затем напыляли последовательно пленку хрома 18 и алюминия 19 и с помощью фотолитографии формировали шины данных.
На фиг.6 и фиг.7 показаны два варианта использования изобретения в конструкциях активных матриц, в которых элементы изображения подключены к двум адресным шинам и к двум шинам данных.
Эти активные матрицы используются в жидкокристаллических цветных экранах с треугольным расположением цветных элементов изображения. Каждый элемент изображения указанных матриц содержит два электрода изображения 3 и 20 и четыре переключающих транзистора 4, 5, 21, 22. Электроды изображения через переключающие транзисторы подключены к двум адресным шинам 1 и к двум шинам данных 2.
В соответствии с изобретением стоки транзисторов 5 и 22 подключены к шине данных через диод 6, а шины данных через диод 7 подключены к шине 8, находящейся под напряжением Uп, или подключены непосредственно к "земле". Индексами R, G, B обозначено расположение соответствующих цветных фильтров на дисплейной панели.
Активные матрицы, изображенные на фиг.6 и 7 функционируют аналогично матрице, ранее рассмотренной и показанной на фиг.2.
Технологический маршрут реализации активных матриц, изображенных на фиг. 6 и фиг.7 аналогичен технологическому маршруту реализации структуры, рассмотренной и показанной на фиг.5. ЫЫЫ2 ЫЫЫ4 ЫЫЫ6

Claims (4)

1. Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов, каждый элемент отображения которой содержит электрод отображения, соединенный с выходами двух переключающих элементов, адресные входы которых подключены к двум смежным горизонтальным адресным шинам, а информационные входы - соответственно к двум смежным вертикальным шинам данных, отличающаяся тем, что второй переключающий элемент выполнен в виде электронного тока с токовой проводимостью в одном направлении, информационный и адресный входы которого являются соответственно информационным и адресным входами переключающего элемента.
2. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что электронный ключ с токовой проводимостью в одном направлении выполнен в виде МДП-транзистора и диода, один электрод которого является информационным входом электронного ключа, а другой электрод соединен со стоком МДП-транзистора, исток которого является выходом электронного ключа, а затвор является адресным входом электронного ключа, шины данных через ограничительный элемент подключены к шине опорного напряжения.
3. Матрица по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что диод электронного ключа представляет собой диод Шоттки.
4. Матрица по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что диод электронного ключа представляет собой МДП-транзистор с замкнутыми между собой затвором и стоком.
RU9292015569A 1992-12-22 1992-12-30 Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов RU2066074C1 (ru)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9292015569A RU2066074C1 (ru) 1992-12-30 1992-12-30 Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов
US08/166,944 US5473451A (en) 1992-12-22 1993-12-15 Active matrix liquid crystal displays having diodes connected between second transistors and second data buses
JP33203093A JPH075851A (ja) 1992-12-30 1993-12-27 アクティブ・マトリクス液晶ディスプレイ
DE4344808A DE4344808C2 (de) 1992-12-30 1993-12-28 Aktive Matrix für Flüssigkristallanzeigen
CN93121491A CN1048558C (zh) 1992-12-30 1993-12-28 有源矩阵液晶显示器
FR9315832A FR2700051B1 (fr) 1992-12-30 1993-12-29 Matrice active pour affichages à cristaux liquides.
KR1019930030975A KR970002987B1 (ko) 1992-12-30 1993-12-29 능동형 액정표시소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9292015569A RU2066074C1 (ru) 1992-12-30 1992-12-30 Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2066074C1 true RU2066074C1 (ru) 1996-08-27
RU92015569A RU92015569A (ru) 1996-09-27

Family

ID=20134848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU9292015569A RU2066074C1 (ru) 1992-12-22 1992-12-30 Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5473451A (ru)
JP (1) JPH075851A (ru)
KR (1) KR970002987B1 (ru)
CN (1) CN1048558C (ru)
DE (1) DE4344808C2 (ru)
FR (1) FR2700051B1 (ru)
RU (1) RU2066074C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494475C2 (ru) * 2009-07-17 2013-09-27 Шарп Кабушики Каиша Дисплейное устройство и способ управления

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100343376B1 (ko) * 1993-12-31 2002-11-23 고려화학 주식회사 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물
JP3187254B2 (ja) * 1994-09-08 2001-07-11 シャープ株式会社 画像表示装置
JP3471928B2 (ja) * 1994-10-07 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置の駆動方法
JP3085633B2 (ja) * 1994-11-08 2000-09-11 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JP3234131B2 (ja) * 1995-06-23 2001-12-04 株式会社東芝 液晶表示装置
US5959599A (en) * 1995-11-07 1999-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type liquid-crystal display unit and method of driving the same
TW329500B (en) 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
JPH10104663A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
KR20000066090A (ko) * 1999-04-13 2000-11-15 김영환 액정 표시 소자의 정전기 방지 장치
KR20020091692A (ko) * 2001-05-31 2002-12-06 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막 트랜지스터 액정표시장치
US7687327B2 (en) * 2005-07-08 2010-03-30 Kovio, Inc, Methods for manufacturing RFID tags and structures formed therefrom
TWI344133B (en) 2006-02-24 2011-06-21 Prime View Int Co Ltd Thin film transistor array substrate and electronic ink display device
TW200841310A (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Univ Nat Chiao Tung Pixel driving circuit, and its driving method and application
KR101325053B1 (ko) * 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
WO2009072452A1 (en) 2007-12-03 2009-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Tft arrangement for display device
WO2011074379A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
CN106681072A (zh) * 2017-01-04 2017-05-17 惠科股份有限公司 一种像素结构、液晶面板和液晶显示器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4642620A (en) * 1982-09-27 1987-02-10 Citizen Watch Company Limited Matrix display device
US4748445A (en) * 1983-07-13 1988-05-31 Citizen Watch Co., Ltd. Matrix display panel having a diode ring structure as a resistive element
US4728172A (en) * 1984-08-08 1988-03-01 Energy Conversion Devices, Inc. Subassemblies for displays having pixels with two portions and capacitors
JPS61267782A (ja) * 1985-05-23 1986-11-27 三菱電機株式会社 表示素子
JPS63186216A (ja) * 1987-01-28 1988-08-01 Nec Corp アクテイブマトリツクス液晶表示器
SE466423B (sv) * 1987-06-01 1992-02-10 Gen Electric Saett och anordning foer eliminering av oeverhoering vid matrisadresserade tunnfilmstranssistorbildenheter med flytande kristaller
GB2206721A (en) * 1987-07-03 1989-01-11 Philips Electronic Associated Active matrix display device
JPS6477026A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Seiko Epson Corp Active matrix panel
US5075674A (en) * 1987-11-19 1991-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate for liquid crystal display
JP2678017B2 (ja) * 1988-06-13 1997-11-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
GB2237431A (en) * 1989-10-16 1991-05-01 Philips Electronic Associated Active matrix liquid crystal display device
JPH05142572A (ja) * 1991-11-22 1993-06-11 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3053276B2 (ja) * 1991-11-22 2000-06-19 株式会社東芝 液晶表示装置
JP2788818B2 (ja) * 1992-03-31 1998-08-20 シャープ株式会社 アクティブマトリクス入出力装置
GB9226890D0 (en) * 1992-12-23 1993-02-17 Philips Electronics Uk Ltd An imaging device
US5479280A (en) * 1992-12-30 1995-12-26 Goldstar Co., Ltd. Active matrix for liquid crystal displays having two switching means and discharging means per pixel

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Заявка Японии N 60-192369, кл. H 01 L 29/78, 1985. 2. Заявка Франции N 2582431, кл. G 09 F 3/20, 1986. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494475C2 (ru) * 2009-07-17 2013-09-27 Шарп Кабушики Каиша Дисплейное устройство и способ управления

Also Published As

Publication number Publication date
KR940015635A (ko) 1994-07-21
DE4344808A1 (de) 1994-07-07
KR970002987B1 (ko) 1997-03-13
DE4344808C2 (de) 1996-05-15
US5473451A (en) 1995-12-05
FR2700051A1 (fr) 1994-07-01
CN1048558C (zh) 2000-01-19
JPH075851A (ja) 1995-01-10
FR2700051B1 (fr) 1996-07-26
CN1089366A (zh) 1994-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2066074C1 (ru) Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов
EP0506875B1 (en) Scanned liquid crystal display with select scanner redundancy
US6914260B2 (en) Electro-optical device
US5517342A (en) Liquid crystal display having additional capacitors formed from pixel electrodes and a method for manufacturing the same
US5220443A (en) Matrix wiring substrate and active matrix display having non-linear resistance elements for electrostatic discharge protection
JP3122003B2 (ja) アクティブマトリクス基板
US7342617B2 (en) Liquid crystal display comprising an electrostatic protection element formed between adjacent bus lines
EP0166948B1 (en) Displays and subassemblies having improved pixel electrodes
US20060163579A1 (en) Thin film transistor matrix device and method for fabricating the same
JPH09162412A (ja) 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタアレイ
US6717630B1 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR970002986B1 (ko) 능동 배열구조의 액정표시소자
US5337172A (en) Liquid crystal matrix control employing doped semiconductor pixel electrode surrounded by undoped channel region
US5286983A (en) Thin-film-transistor array with capacitance conductors
US5546204A (en) TFT matrix liquid crystal device having data source lines and drain means of etched and doped single crystal silicon
JPH0827465B2 (ja) 平面デイスプレイ
EP0335724A2 (en) Thin film transistor array for an electro-optical device and method of manufacturing the same
KR100212867B1 (ko) 선택 스캐너 용장성을 가지는 주사 액정 디스플레이
JPH07128687A (ja) アクティブマトリックス型パネル装置
JPH1164889A (ja) 表示装置
JP3231305B2 (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法
JP2004078236A (ja) スイッチング素子基板
JPH0561057A (ja) アクテイブマトリクス型液晶デイスプレイ
JPS61243486A (ja) アクテイブマトリクス基板
GB2333393A (en) Liquid crystal display