KR100343376B1 - 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물 - Google Patents

반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100343376B1
KR100343376B1 KR1019930032120A KR930032120A KR100343376B1 KR 100343376 B1 KR100343376 B1 KR 100343376B1 KR 1019930032120 A KR1019930032120 A KR 1019930032120A KR 930032120 A KR930032120 A KR 930032120A KR 100343376 B1 KR100343376 B1 KR 100343376B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
modified
epoxy
weight
resin composition
Prior art date
Application number
KR1019930032120A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950021437A (ko
Inventor
최근묵
유창준
이문용
Original Assignee
고려화학 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고려화학 주식회사 filed Critical 고려화학 주식회사
Priority to KR1019930032120A priority Critical patent/KR100343376B1/ko
Priority to US08/365,892 priority patent/US5621555A/en
Publication of KR950021437A publication Critical patent/KR950021437A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100343376B1 publication Critical patent/KR100343376B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G02F1/136245—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel having complementary transistors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자 봉지용 경화제의 제조방법 및 이를 함유하는 반도체 소자 봉지용 수지 조성물에 관한 것으로, 좀더 상세하기로는 양말단, 편말단 또는 측쇄에 에폭시기를 함유하는 에폭시 변성 실리콘 오일과 분자내 하이드록실기를 함유하는 변성 페놀수지를 반응시킴으로서 수득된 실리콘 변성수지 경화제에, 에폭시 수지, 금속불활성화제, 경화촉진제, 무기충진제 및 첨가제와 노블락 페놀 수지를 선택적으로 첨가하여 된 내습성, 성형성, 납땜내열성, 내열충격성 및 유리전이온도가(Tg) 뛰어난 반도체 봉지용 수지조성물을 제공한다.

Description

반도체소자 봉지용 경화제의 제조방법 및 이를 함유하는 반도체소자 봉지용 수지 조성물
본 발명은 반도체소자 봉지용 경화제의 제조방법 및 이를 함유하는 반도체 소자 봉지용 수지 조성물에 관한 것으로, 좀더 상세하기로는 내열충격성, 납땜내열성, 내습성 및 성형성등을 향상시키는 동시에 저응력화 및 고신뢰성을 부여하기 위하여 적어도 1종 이상의 에폭시 변성실리콘 오일과 변성페놀수지를 반응시킴으로써 수득된 실리콘 변성수지를 경화제로 하여 제조된 반도체소자 봉지용 수지 조성물에 관한 것이다.
최근 반도체 소자가 고집적화되고 대용량화, 다핀화가 이루어지므로 반도체 봉지용 수지조성물에 있어서도 이에 상응하는 저응력화가 강력히 요구되어지고 있다. 일반적으로 수지봉지된 집적화로(I.C)의 최대결점은 반도체 칩이 대용량화, 고집적화됨에 따라 발생되는 내습성저하이며, 패시베이션(PASSIVTATION)의 균열, 금속의 변형(METALDEFORMATION), 칩의 균열(CHIP CRACK), 봉지재의 균열(PACKAGE CRACK)등도 불량의 원인이 된다.
일본국 공개 특허 제1-301973호, 제1-301974호, 제1-30I975호, 제1-309003호및 제2-039603호등에 따르면 반도체소자 봉지용 수지 조성물의 내열충격성 및 내습성의 향상을 위하여 실리콘 변성페놀수지 경화제의 제조시 페놀수지로서 공지의 노블락형 페놀수지만을 단독으로 실리콘오일과 반응시켜 제조하였으나 이런 경우 노블락형 페놀수지의 낮은 연화점으로 인한 블리드 플러쉬의 발생으로 봉지재의 성형시 작업성이 저하될 수 있으며 벤젠 변성 나프톨 수지 또는 폴리 사이클릭 변성 페놀 수지보다 조밀하지 않은 분자구조로 인하여 상대적으로 내열성 및 내습성이 저하될 수 있으며 또한 일본국 공개 특허 제02-305455호에 의하면 내열충격성을 이루기 위해서는, 결정성 에폭시수지(BIPHENYL TYPE EPOXY)와 노블락형 에폭시수지의 사용이 효과적이라고 한다. 그러나, 결정성 에폭시수지의 과다사용은 성형성이 저하되고 주형 오염 및 블리드 플러쉬가 발생할 수 있다.
저흡수율화에 있어서는 아민기가 함유된 오르가노 폴리 실록산을 사용한 예가 있는데(일본국 공개 특허 제2-91966호 및 제63-24481호) 실록산의 아민기는 물과 수소결합을 하므로서 오히려 흡수율이 증가할 수 있는 단점이 있다.
또한 저열팽창계수화에 있어서는 수지조성물에 사용되는 충진제(실리카)의 양을 증가시키는 것이 효과적이나 이럴경우 수지조성물의 점도가 상승되어 성형성의 현저한 저하를 초래할 수 있다.
본 발명자들은 상기의 문제점을 극복하기 위해서 봉지용 수지 조성물의 내열충격성, 납땜내열성, 저흡수율화 및 저열팽창계수등을 검토하여 상기 특성을 개선할 수 있는 봉지용 수지 조성물을 연구하게 되었다.
즉, 본 발명의 목적은 이러한 선행기술의 단점을 보완하여 내열충격성 납땜내열성, 수분흡수율 및 성형성이 우수한 반도체 봉지용 수지 조성물 및 이에 사용되는 경화제를 제공하는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하고자 본 발명에 따른 봉지용수지 조성물은 양말단, 편말단 또는 측쇄에 에폭시기를 함유하는 에폭시 변성 실리콘 오일과 분자내 하이드록실기를 함유하는 변성 페놀수지를 반응시킴으로서 수득된 실리콘 변성수지 경화제에, 에폭시 수지, 금속 불활성화제, 경화촉진제, 무기충진제 및 첨가제와 노블락 수지를 선택적으로 첨가하여 구성된다.
이하 본 발명을 하기에서 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서 경화제로 사용되는 실리콘 변성 수지는 하기 일반식(I)의 양말단, 편말만 또는 측쇄에 에폭시기를 함유하는 에폭시 변성 실리콘 오일(성분 A) 단독 또는 그 혼합물과 또한 하기 일반식 (II)로 나타낼 수 있는 벤젠 변성 나프톨 수지, 하기 일반식 (III)으로 나타낼 수 있는 폴리 싸이클릭 변성페놀수지 또는 이들의 혼합물인 변성 페놀 수지(성분 B)를 반응시켜 제조된다.
상기 식에서
상기 식에서 n : 1 - 7의 정수
실리콘 변성수지 경화제의 효과는 상기 일반식 (I)로 나타낼 수 있는 실리콘 오일(성분 A)을 적어도 1종 이상을 변성페놀수자와 반응시키므로써 경도, 저탄성 및 실리콘 체인에 펜던트되어져 있는 페닐고리에 의한 고내열성 그리고 변성페놀수지와의 상용성 증가를 기대할 수 있다.
또한 변성페놀수지는(성분 B) 조밀한 분자구조에 의하여 내열충격성 및 내습성을 향상시킬 수 있으며 봉지재의 내열충격성 향상 및 내습성등의 물성향상을 실현할 수 있다.
본 발명의 제조방법을 더욱 구체적으로 설명하면, 통상의 유가용매중에서 에폭시 변성 실리콘 오일 10 - 40중량부와 변성페놀수지 90 -60중량부를 이미다졸, 유기포스핀 및 3급 아민에서 선택된 일종 또는 2종이상의 촉매존재하에서 100 - 170℃에서 2 - 20시간 반응시킨다.
상기의 반응에서 사용될 수 있는 실리콘 오일(성분 A)로는 양말단 에폭시 변성 실리콘 오일, 측쇄 에폭시 변성실리콘 오일, 또는 편말단 에폭시 변성실리콘 오일이며, 상용성 개선, 봉지재의 내열성 향상을 위하여 측쇄에 페닐기가 펜던트되어진 것들이다.
양말단 에폭시 변성실리콘 오일은 에폭시 당량이 500 - 5000인 것이 적당하다. 에폭시 당량이 500미만인 것을 사용하면 실리콘 오일에 의한 저응력화의 효과가 감소될 수 있으며 에폭시 당량이 5000을 초과할 경우 변성페놀수지와의 상용성이 감소되어 반응이 불충분하여질수 있다.
측쇄 에폭시 변성 실리콘 오일인 경우 당량이 1000 - 4000인 것이 적당하며 에폭시 당량이 4000을 초과할 경우 수지 조성물의 탄성율은 증가되나 감도가 감소되어질 수 있으며 에폭시 당량이 1000미만일 경우 변성페놀수지와의 반응사이트의 증가로 수득한 수지조성물의 유동성이 감소되고 점도가 증가되는 경향이 있다.
편말단 에폭시 변성 실리콘 오일인 경우 에폭시 당량이 1000 -8000인 것이 적당하며 에폭시 당량이 1000미만일 경우 조성물의 내열성등이 저하되어 저응력 효과가 불충분해지며 에폭시 당량이 80O0을 초과할 경우 변성페놀수지와의 상용성이 감소되고 변성페놀수지와의 반응이 불충분해지고 변성페놀수지로 부터 미반응 실리콘 오일이 용출될 수 있다.
또한 각각의 에폭시 변성 실리콘 오일의 페닐기 함량은 5 - 5O%인 것이 내열성 및 수지와의 상용성에서 가장 효과적이다. 실리콘 변성수지 경화제 제조시 실리콘 성분양이 10중량부 미만이면 내열충격성의 효과가 감소되며 40중량부를 초과하면 실리콘 오일의 반응도가 저하되고 미반응 실리콘 오일이 용출되어 성형성에 나쁜효과를 미치게 된다.
실리콘 변성 수지 경화제 제조시 사용되어지는 변성 페놀 수지인 일반식(II)의 벤젠 변성나프톨수지(성분 B)는 하이드록실 당량이 200- 23O이고 점도는(ICI사, CONE & PLATE, 15O℃) 2.O - 3.5이며 연화점은 80 - 9O℃의 범위가 적당하며, 특히 하이드록실 당량이 225이고 점도는(ICI사, CONE & PLATE, 15O℃) 2.7이고, 연화점이 86℃인 것이 바람직하다. 벤젠 변성나프톨수지는 종래에 사용되던 노블락형 페놀수지보다 페닐링의 조밀한 분자구조로 말미암아 내열충격성 및 내습성을 향상시킬 수 있다.
실리콘 변성 수지 경화제 제조시 사용될 수 있는 또 다른 변성 페놀수지로는 하이드록실 당량이 175 - 19O이고 점도는(ICI사, CONE & PLATE, 15O℃) 6.O - 7.O이며 연화점은 95 - 105℃의 범위인 폴리싸이클릭 변성페놀수지(일반식 (III), 성분 B)가 적당하다. 특히 하이드록실 당량이 182이고 점도는(ICI사, CONE & PLATE, 15O℃) 6.5이고, 연화점이 100℃인 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되어질 수 있는 폴리싸이클릭 변성 페놀수지는 종래의 노블락형 페놀수지와 비교할때 주쇄의 강직한 구조를 가져서 높은 유리전이온도 및 우수안 내열성을 갖는다.
본 발명에서는 합성되어진 실리콘 변성수지 경화제를 반도체 봉지용 수지 제조시 단독으로 사용할 수 있고 또한 통상적인 페놀수지 경화제와 혼합하여 사용할 수도 있다.
함께 사용될 수 있는 통상적으로 페놀수지 경화제로는 하이드록실 당량이 1O6이고 점도는(ICI사, CONE & PLATE, 150℃) 2.O이고, 연화점이 84℃인 노블락형 페놀수지가 있다. 실리콘 변성 수지 경화제가 노블락형 페놀수지와 혼합으로 사용될 경우 총 수지경화제 100중량부 기준으로 60중량부 이상의 실리콘 변성 수지경화제를 함유할 필요가 있다. 실리콘 변성수지 경화제의 양이 60중량부 미만이면, 수지조성물의 내열충격성 및 내습성이 감소될 수 있다.
또한 실리콘 변성수지 경화제는 5.0-9.0중량부, 노블락 페놀수지경화제는 0.2-3.0중량부로 사용되며 즉, 이들의 배합량은 5.2 - 12중량부가 적당하다.
봉지재 제조시 또한 수지경화제와 반응하여 경화에 참여하는 에폭시수지로는 적어도 에폭시기를 분자내 또는 양말단에 두개이상 함유한 것으로써 비스페놀 A형, 비페닐형, 크레졸 노블락형 혹은 이들의 혼합물이 적당하며 배합량은 반도체 봉지용 조성물 전체중량의 5 - 10중량부로 사용한다.
비스페놀 A형 에폭시 수지는 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지의 경우 에폭시 수지당량이 180 - 200인 것이, 고상 비스페놀 A형 에폭시수지는 에폭시 당량이 300- 500이고 연화점이 70 - 90℃인 것이 적당하며, 비페닐형 에폭시 수지는 에폭시 당량이 170 - 220이고 연화점이 100 - 110℃인 것이 적당하며, 크레졸 노블락형 에폭시수지는 에폭시 당량이 180 - 220이고 연화점이 60 - 85℃인 것이 적당하다.
또한 크레졸 노블락형 에폭시 수지와 비페닐형 에폭시 수지를 혼용 사용할 경우 혼용비는 크레졸 노블락형 에폭시 수지와 비페닐 에폭시 수지 90 - 70 : 10 - 30중량부가 적당하다. 비페닐 에폭시수지의 사용이 30중량부를 초과할 경우 몰딩시 블리드 플러쉬의 발생으로 작업성이 저하될 수 있으며 10중량부 미만을 사용할 경우 충분한 내열성을 얻기가 어렵다.
본 발명에서 봉지재 제조시 사용되는 또다른 성분은 하기 일반식(IV)로 나타낼수 있는 금속불활성화제(성분 C)이다. 본 발명에서 사용되어질 수 있는 불활성화제들은 N',N'-비스(0-하이드록시벤잘) 옥살디히드라지드와 같은 히드라존류들과 비스-아실레이티드 히드라진 유도체들을 사용할 수 있다. 성분 C인 금속 불활성화제는 봉지내에 존재하는 불순물들을 불활성화시키며 금속표면과 반응하여 안정한 착화합물을 형성한다.
금속 불활성화제의 첨가량은 0.1-1.0중량부가 적당하며, 0.1중량부 미만을 사용할 경우 알루미늄 배선의 부식방지 효과가 제대로 나타나지 않고, 1.0중량부를 초과할 경우 봉지용 수지 조성물의 본래 특성이 저하된다.
본 발명에서 봉지재 제조시 사용되는 경화촉진제는 2-메틸 이미다졸, 2-페닐 이미다졸, 2-펜타데실 이미다졸, 2-에틸-4-메틸 이미다졸등의 이미다졸류 및 트리메닐 포스민등의 포스민류, 2-(디메틸 아미노 메틸) 페놀, 2,4,6-트리스(디메틸 아미노 페닐)페놀, 벤질 디메틸 아민등의 3급 아민류를 단독 또는 혼용하여 적용 가능하며 첨가량은 반도체 봉지용 수지조성물 전체중량의 0.5 - 3.0중량부의 범위가 적당하다.
경화 촉진제의 양이 0.5중량부 미만일 경우 수지 조성물을 트랜스퍼 몰딩시 경화시간의 지연으로 작업성이 저하되며 또한 수지조성물의 미경화물이 발생하여블리드 플러쉬가 발생될 수 있으며, 경화 촉진제의 양이 3.0중량부를 초과할 경우 수지 조성물의 경화시간이 단축되어 수지 조성물을 트랜스퍼 몰딩시 몰드내부에서 언필(unfill) 현상이 발생한다.
무기충진제로는 용융 산화규소, 결정성 산화규소, 산화 알루미늄, 탄산칼슘, 산화 마그네슘, 황산바륨, 활석등의 분말을 단독 또는 혼용하여 사용가능하며 입경이 5 - 50μ인 구상, 또는, 비구상의 것을 사용한다. 첨가량은 반도체 봉지용 조성물의 75 - 85중량부가 적당하다. 첨가량이 75중량부 이하인 경우에는 경화물의 열팽창계수가 커져 불량율이 높아지며 85중량부 이상인 경우는 조성물의 유동성이 현저히 저하되어 가공성이 불량한 문제가 발생한다.
그밖에 본 발명의 조성물에는 무기물 표면처리제, 천연왁스등의 이 형제, 실란계 커플링제와 카본블랙과 같은 착색제등을 첨가할 수 있으며, 이들의 첨가량은 반도체 봉지용 수지 조성물 전체중량의 1.0-3.0중량부의 범위가 적당하다.
본 발명의 조성물을 이용하여 반도체 장치를 성형하는 방법은 압축성형, 이송성형등의 방법이 적용가능하며 이송성형의 경우 가공조건은 성형품의 크기, 형태, 요구특성에 따라 달라질 수 있으나 일반적으로 16O - 180℃, 5OKg/㎠에서 6O - 200초 동안 성형안 후 160 - 200℃에서 4시간 이상 후경화하여 목적하는 성형품을 만든다.
상기와 같이 제조된 반도체 봉지용 봉지재는 내열충격성, 납땜내열성, 내습성 및 작업성이 우수하여 신뢰성이 높은 반도체 봉지재의 제공이 가능하다.
이하, 제조예와 비교예를 들어 본 발명의 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 다음의 예가 본 발명의 범주를 한정하는 것은 아니다.
제조예 1
4구 플라스크에 교반기와 온도계, 질소주입계를 장치하고 일반식(II)에서 하이드록실 당량 225, n=3으로 표시되는 벤젠 변성나프톨수지(성분 B-1) 5O중량부와 일반식 (III)에서n=4로 표시되고 페놀당량이 182인 폴리사이클릭 변성 페놀수지(성분 B-2) 20중량부를 유기용매인 자이렌 70중량부와 메틸 이소뷰틸키톤 30중량부에 완전히 용해시킨 뒤 일반식 (I)에서 X1, X2= R'OCH2CHCH2O, X3=CH3, Y=페닐기, R'=C3H6, l=13, m=5, n=0으로 표시되는 분자량 2022인 에폭시 변성 실리콘 오일(성분 A-1) 10중량부와 일반식 (I)에서 X1, X2=R'OCH2CHCH20,X3=CH3, Y=페닐기, R'=C3H6, l=93, m=5, n=0으로 표시되는 분자량 7948인 에폭시 변성실리콘 오일(성분 A-2) 2O중량부와 촉매로서 트리페닐 포스핀 0.2중량부를 4구 플라스크에 넣고 반응온도를 130℃에서 8시간 반응시킨 후 반응물내의 유기용매를 제거시키기 위하여 진공상태(감압도 : 10torr이하)로 60분간 유지한 후 생성물을 얻었다. 이하, 이 생성물을 실리콘 변성수지 경화제 A라 한다.
제조예 2
제조예 1에서 사용된 벤젠변성 나프톨수지(성분 B-1) 40중량부와 폴리싸이클릭 변성페놀수지(성분 B-2) 30중량부를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 진행하여 생성물을 얻었다. 이하, 이 생성물을 실리콘 변성 수지 경화제 B라 한다.
제조예 3
제조예 1에서 사용된 에폭시 변성 실리콘 오일 성분 A-1 10중량부, 에폭시 변성 실리콘 오일성분 A-1 15중량부와 X1, X2=CH3, X3=R'OCH2CHCH2O, Y=페닐기, R'=C3H6, R=CH3, 1=4, m=7, n=57로 표시되는 분자량 5976인 에폭시 변성 실리콘 오일(성분 A-3) 5중량부를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 진행하여 생성물을 얻었다. 이하 이 생성물을 실리콘 변성 수지 경화제 C라 한다.
제조예 4
제조예 3에서 사용된 에폭시 변성 실리콘 오일 즉, 성분 A-1 10중량부, 성분 A-2 15중량부, 성분 A-3 5중량부와 제조예 2에서 사용된 변성페놀수지 즉, 성분 B-1 40중량부, 성분 B-2 30중량부를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 진행하여 생성물을 얻었다. 이하, 이 생성물을 실리콘 변성 수지 경화제 D라 한다.
제조예 5
제조예 3에서 사용된 에폭시 변성 실리콘 오일 즉, 성분 A-1 5중량부와 성분 A-2 2O중량부, 성분 A-3으로 표시될 수 있는 에폭시 변성 실리콘 오일 5중량부를 사용안 것을 제외하고는 제조예 1과 동일하게 진행하여 생성물을 얻었다. 이하, 이 생성물을 실리콘 변성 수지 경화제 E라 한다.
실시예 1
에폭시 당량이 199이고 연화점이 75℃인 크레졸 노블락 에폭시 수지 6.6중량부, 에폭시 당량이 185이고 연화점이 108℃인 비페닐형 에폭시수지 O.7 중량부, 실리콘 변성 수지 경화제 A, 8.3중량부, 하이드록시당량이 106이고 연화점이 84℃인 노블락 페놀수지 0.9중량부, 무기충진제로서 용융실리카(RD-8, 다찌모리사, 일본) 8O중량부, 안료로서 카본 블랙(HA-6OO, 대구사, 독일) O.5중량부, 경화촉진제로서 트리페닐 포스핀 0.4중량부와 2-메틸 이미다졸 0.4중량부, 실란계 커플링제(글리모, 휠사, 독일) 1.0중량부와 이형제로서 폴리 에틸렌 왁스(PE-130, 훽스트사, 독일) 0.6중량부, 카누바왁스(이또양행, 일본) 0.6중량부와 상기 일반식 (IV)에서 X=C(O)-NHNH-C(O), Y=OH인 금속 부삭 방자제(성분 C) 0.2중량부를 고르게 혼합하고 110℃에서 투롤로 혼련시킨 다음 냉각 및 분쇄하고 타정(TABLETING)하여 본 발명의 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2
실시예 1에서 크레졸 노블락 에폭시수지 6.6중량부 대신 크레졸 노블락 에폭시 수지 6.5중량부를 사용하고 실리콘 변성 수지 경화제 A 8.3중량부 대신 실리콘 변성수지 경화제 B를 8.4중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 3
실시예 2에서 실리콘 변성수지 경화제 B 8.4중량부 대신 실리콘 변성수지 C를 8.4중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 진행하여 봉지용 수지조성물을 제조하였다.
실시예 4
실시예 1에서 크레졸 노블락 에폭시 수지 6.6중량부 대신 코레졸 노블락 에폭시 수지 6.7중량부를 사용하고 실리콘 변성수지 경화제 A 8.4중량부 대신 실리콘 변성수지 경화제 D를 8.2중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 5
실시예 1에서 실리콘 변성수지 경화제 A 8.4중량부 대신 실리콘 변성수지 경화제 E를 8.3중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하었다.
비교실시예 1
실시예 1에서 크레졸 노블락 에폭시수지 7.1중량부 대신 크레졸 노블락 에폭시 수지 9.0중량부, 비페닐 에폭시 수지 0.7중량부 대신 비페닐 에폭시수지 1.0중량부와 실리콘 변성 수지 경화제 A 8.3중량부 대신 실리콘 변성수지 경화제 G를 5.6중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
비교실시예 2
비고실시예 1에서 실리콘 변성수지 경화제 G 5.6중량부 대신 실리콘 변성수지 경화제 H를 5.6중량부 사용한 것을 제외하고는 비교실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에서 금속부식 방지제 0.2 중량부대신 금속 부식 방지제 0.02 중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 2
실시예 1에서 금속 부식 방지제 0.2중량부대신 금속 부식 방지제 2.0중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 3
실시예 1에서 금속 부식 방지제를 사용하지 않은것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 진행하여 봉지용 수지 조성물을 제조하였다.
상기와 같이 제조된 봉지용 수지 조성물은 하기와 같은 방법으로 그 물성을 측정하였으며 그 결과는 표1과 같았다.
[표 1]
상기 표에서 볼 수 있는 바와같이 본 발명의 봉지용 수지 조성물을 이용하여각종 반도체 소자를 트랜스퍼 몰딩 성형법으로 봉지할 경우 종래의 봉지용 수지 조성물이 가지고 있던 내열성, 열전도성, 전기절연특성, 가계적강도등의 일반적 특성을 만족하면서도 내열충격성, 납땜내열성, 내습성 및 작업성에서 우수한 성질을 가지는 결과를 얻을 수 있었다.

Claims (13)

  1. 하기 일반식 (I)로 표시되고 양말단, 편말단 및 측쇄에 에폭시기를 갖는 에폭시 변성 실리콘 오일, 하기 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 벤젠 변성 나프톨수지, 및 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 폴리사이클릭 변성 페놀수지를 반응시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 변성 수지 경화제의 제조방법:
    X3: X1과 동일
    Y :-CH3,-C6H5
    R :-CH3, -OCH3, -OC2H5
    R' : 탄소수 1-3개의 선형 알킬렌기
    l : 1 - 200의 정수
    m : 1 - 50의 정수
    n : 0 - 100의 정수
  2. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 변성 실리콘 오일이 페닐기 함량이 5-50%이고, 양말단 에폭시 변성실리콘 오일은 에폭시 당량이 500 - 5000, 측쇄에폭시 변성 실리콘 오일은 에폭시 당량이 1000 - 4000, 및 편말단 에폭시 변성 실리콘 오일은 에폭시 당량이 1000 - 8000임을 특징으로 하는 실리콘 변성수지 경화제의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 벤젠 변성 나프톨 수지는 하이드록실 당량 200 - 230,150℃에서의 점도 2.0 - 3.5, 연화점 80 - 90℃이며, 폴리사이클릭 변성 페놀수지는 하이드록실 당량 175 - 190, 150℃에서의 점도 6.0 - 7.0, 연화점 95 - 105℃임을 특징으로 하는 실리콘 변성 수지 경화제의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 변성 실리콘 오일 : 상기 벤젠 변성 나프톨 수지와 폴리사이클릭 변성 페놀 수지의 중량비를 10 - 40 : 90 -60으로 하고, 100 - 160℃에서 2 - 20 시간 동안 반응시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 변성 수지 경화제의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 실리콘 변성 수지 경화제 5.0 - 9.0중량부, 노블락 페놀수지 경화제 0.2 - 3.0중량부, 에폭시수지 5.0 - 10중량부, 금속불활성화제 0.1 - 1.0중량부, 무기충진제 75- 85중량부, 경화촉진제 0.5 - 3.0 중량부로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 경화제중 실리콘 변성 수지 경화제가 총 수지경화제 100중량부를 기준으로 60중량부 이상 포함됨을 특징으로하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 노블락형 페놀수지 경화제가 하이드록실 당량 106, 150℃에서의 점도 2.0, 연화점 84℃임을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
  8. 제5항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 비스페놀 A형, 비페닐형, 크레졸 노블락형 단독 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
  9. 제5항에 있어서, 상기 에폭시수지가 에폭시 당량 180 - 220, 연화점 60 - 85℃인 크레졸 노블락 에폭시 수지 대 에폭시 당량 170 - 220, 연화점 100 - 110℃인 비페닐형 에폭시의 비가 90:70- 10:30 임을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지조성물.
  10. 제5항에 있어서, 상기 금속불활성화제가 하기 일반식 (Ⅳ)으로 표시되는 것임을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
    상기 식에서
    n : 1-3의 정수
    Y : -H,-OH,-COOR
    R : 탄소수 1-3개의 선형 알킬기
  11. 제5항에 있어서, 상기 무기충진제는 입경이 5 - 50㎛인 구상, 또는 비구상의 것임을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
  12. 제5항에 있어서, 상기 경화촉진제가 2-메틸 이미다졸, 2-페닐 이미다졸, 2-펜타데실 이미다졸, 2-에틸-4-메틸 이미다졸, 트리페닐 포스핀, 2-(디메틸 아미노 메틸) 페놀, 2,4,6-트리스(디메틸 아미노 페닐)페놀, 벤질 디메틸아민 단독 또는 혼합물임을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지조성물.
  13. 제5항에 있어서, 상기 무기충진제가 입경 5 - 50㎛인 구상, 또는 비구상의 용융 산화규소, 결정성 산화규소, 산화 알루미늄, 탄산칼슘, 산화 마그네슘, 황산바륨, 활석 분말 단독 또는 혼합물임을 특징으로 하는 반도체 봉지용 수지 조성물.
KR1019930032120A 1993-12-31 1993-12-31 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물 KR100343376B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930032120A KR100343376B1 (ko) 1993-12-31 1993-12-31 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물
US08/365,892 US5621555A (en) 1993-12-31 1994-12-29 Liquid crystal display having redundant pixel electrodes and thin film transistors and a manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930032120A KR100343376B1 (ko) 1993-12-31 1993-12-31 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021437A KR950021437A (ko) 1995-07-26
KR100343376B1 true KR100343376B1 (ko) 2002-11-23

Family

ID=19375035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930032120A KR100343376B1 (ko) 1993-12-31 1993-12-31 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5621555A (ko)
KR (1) KR100343376B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504604B1 (ko) * 1999-04-06 2005-08-04 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09236826A (ja) * 1995-09-28 1997-09-09 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
US6518945B1 (en) 1997-07-25 2003-02-11 Aurora Systems, Inc. Replacing defective circuit elements by column and row shifting in a flat-panel display
JP3235540B2 (ja) * 1997-10-08 2001-12-04 日本電気株式会社 液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
KR100289538B1 (ko) * 1998-05-20 2001-06-01 김순택 박막트랜지스터 액정표시소자의 배선 레이아웃
JP2000292746A (ja) * 1999-04-08 2000-10-20 Hitachi Ltd 光学ブロック
KR100447547B1 (ko) * 2001-12-28 2004-09-04 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2005250448A (ja) * 2004-02-05 2005-09-15 Sharp Corp 電子素子、表示素子及びその製造方法
CN101447493B (zh) * 2005-05-23 2012-05-30 夏普株式会社 有源矩阵衬底、显示装置以及像素缺陷修正方法
CN100452130C (zh) * 2007-01-16 2009-01-14 友达光电股份有限公司 短路检测装置及应用该装置的像素单元和显示面板
JP2011145530A (ja) * 2010-01-15 2011-07-28 Hitachi Displays Ltd 表示装置、及び、表示装置の製造方法
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
WO2012027458A1 (en) 2010-08-26 2012-03-01 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
CN102629043B (zh) * 2011-05-27 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管像素结构及其修复方法
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
WO2015193433A2 (en) 2014-06-18 2015-12-23 X-Celeprint Limited Micro assembled high frequency devices and arrays
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US9698308B2 (en) 2014-06-18 2017-07-04 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
WO2015193436A1 (en) 2014-06-18 2015-12-23 X-Celeprint Limited Systems and methods for preparing gan and related materials for micro assembly
EP3157858B1 (en) 2014-06-18 2018-12-26 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US9865600B2 (en) 2014-06-18 2018-01-09 X-Celeprint Limited Printed capacitors
MY182253A (en) 2014-07-20 2021-01-18 X Celeprint Ltd Apparatus and methods for micro-transfer-printing
TWI647833B (zh) * 2014-08-26 2019-01-11 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 微組合複合式顯示裝置及發光元件
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9468050B1 (en) 2014-09-25 2016-10-11 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9537069B1 (en) 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US10102794B2 (en) 2015-06-09 2018-10-16 X-Celeprint Limited Distributed charge-pump power-supply system
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10417947B2 (en) * 2015-06-30 2019-09-17 Rockwell Collins, Inc. Fail-operational emissive display with redundant drive elements
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10109753B2 (en) 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
US10217730B2 (en) 2016-02-25 2019-02-26 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10223962B2 (en) 2016-03-21 2019-03-05 X-Celeprint Limited Display with fused LEDs
US10917953B2 (en) 2016-03-21 2021-02-09 X Display Company Technology Limited Electrically parallel fused LEDs
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10157880B2 (en) 2016-10-03 2018-12-18 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with volatile adhesive layer
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
EP3542394A1 (en) 2016-11-15 2019-09-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
US10832935B2 (en) 2017-08-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-level micro-device tethers
US11189605B2 (en) 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
US10832934B2 (en) 2018-06-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-layer tethers for micro-transfer printing
US11282786B2 (en) 2018-12-12 2022-03-22 X Display Company Technology Limited Laser-formed interconnects for redundant devices
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
CN110571241B (zh) * 2019-08-09 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03140322A (ja) * 1989-10-26 1991-06-14 Toshiba Corp 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置
KR910009822A (ko) * 1989-11-22 1991-06-28 노무라 마사오 반도체 시일링용 에폭시 수지 조성물
KR910016854A (ko) * 1990-03-23 1991-11-05 시기 모리야 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물
JPH05206331A (ja) * 1992-01-30 1993-08-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2499276A1 (fr) * 1981-02-05 1982-08-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage matriciel a plusieurs jeux d'electrodes et son procede de commande
JP2620240B2 (ja) * 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5042918A (en) * 1988-11-15 1991-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JPH05107556A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Hosiden Corp 液晶表示素子画素
JP2924506B2 (ja) * 1992-10-27 1999-07-26 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造
RU2066074C1 (ru) * 1992-12-30 1996-08-27 Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03140322A (ja) * 1989-10-26 1991-06-14 Toshiba Corp 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置
KR910009822A (ko) * 1989-11-22 1991-06-28 노무라 마사오 반도체 시일링용 에폭시 수지 조성물
KR910016854A (ko) * 1990-03-23 1991-11-05 시기 모리야 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물
JPH05206331A (ja) * 1992-01-30 1993-08-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504604B1 (ko) * 1999-04-06 2005-08-04 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
US5621555A (en) 1997-04-15
KR950021437A (ko) 1995-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100343376B1 (ko) 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물
KR100547069B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
KR970004948B1 (ko) 수지 봉지형 반도체 장치
US6274251B1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
KR960005064B1 (ko) 신규한 이미드-에폭시수지와 그 제조방법
KR100429363B1 (ko) 반도체소자밀봉용에폭시수지조성물
KR100462143B1 (ko) 반도체소자 봉지용 저응력화 변성 실리콘 에폭시 수지의 제조방 법 및 이를 함유하는 반도체소자 봉지용 수지 조성물
JP2022075509A (ja) 半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて封止された半導体素子
JP2933705B2 (ja) 樹脂組成物
JPH11130936A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3008983B2 (ja) 樹脂組成物
JP2744500B2 (ja) 樹脂組成物
KR20200079836A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자
JPH0521651A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
JP2616265B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物
KR102112865B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자
KR100257376B1 (ko) 반도체소자 봉지용 에폭시 수지조성물, 이에 사용되는 저응력화 변성제 및 이의 제조방법
KR950008895B1 (ko) 반도체 소자 봉지용 변성 에폭시 수지 조성물 및 이의 제조방법
KR100527826B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR940011411B1 (ko) 내열성을 향상시킨 반도체소자 밀봉용 수지조성물
KR0184775B1 (ko) 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
KR960011550B1 (ko) 반도체소자 밀봉용 에폭시수지 조성물
EP0578446A2 (en) Epoxy resin compositions, preparations and uses thereof, semiconductor devices encapsulated therewith
KR940004855B1 (ko) 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
KR101871574B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080220

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110623

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term