RU2016104907A - Приготовление и применение соединений цинка - Google Patents
Приготовление и применение соединений цинка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016104907A RU2016104907A RU2016104907A RU2016104907A RU2016104907A RU 2016104907 A RU2016104907 A RU 2016104907A RU 2016104907 A RU2016104907 A RU 2016104907A RU 2016104907 A RU2016104907 A RU 2016104907A RU 2016104907 A RU2016104907 A RU 2016104907A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- basic compound
- reaction solution
- zinc
- lbza
- compound
- Prior art date
Links
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 23
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000011532 electronic conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 claims 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 claims 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IAHFGNCAVDJXBE-UHFFFAOYSA-L zinc;oxaldehydate Chemical compound [Zn+2].[O-]C(=O)C=O.[O-]C(=O)C=O IAHFGNCAVDJXBE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
- C01G9/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/41—Preparation of salts of carboxylic acids
- C07C51/412—Preparation of salts of carboxylic acids by conversion of the acids, their salts, esters or anhydrides with the same carboxylic acid part
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/06—Zinc compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/20—Two-dimensional structures
- C01P2002/22—Two-dimensional structures layered hydroxide-type, e.g. of the hydrotalcite-type
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Claims (26)
1. Способ получения кристаллов слоистого оксоацетата цинка (LBZA) из реакционного раствора, содержащего ионы цинка, ацетат-ионы и основное соединение, причем:
ацетат-ион является единственным противоионом цинка в реакционном растворе; и/или
основное соединение является гидроксиалкиламином; и/или
основное соединение является первым основным соединением, и реакционный раствор дополнительно содержит второе основное соединение, имеющее более высокий pKa, чем первое основное соединение.
2. Способ по п. 1, в котором ацетат цинка является единственным соединением цинка, используемым для образования реакционного раствора.
3. Способ по п. 1, в котором ацетат-ион является единственным противоионом цинка в реакционном растворе, и основное соединение является гидроксиалкиламином.
4. Способ по п. 1, в котором основное соединение является трис(гидроксиметил)метиламином.
5. Способ по п. 1, в котором реакционный раствор образуют путем растворения ацетата цинка в воде.
6. Способ по п. 5, в котором концентрация ацетата цинка составляет от 0,01 до 0,3М.
7. Способ по п. 1, в котором основное соединение имеет pKa ≤ 9 при 25°C.
8. Способ по п. 1, в котором основное соединение является первым основным соединением, и реакционный раствор дополнительно содержит второе основное соединение, имеющее более высокий pKa, чем первое основное соединение, и при этом второе основное соединение добавляют к реакционному раствору после первого основного соединения.
9. Способ по п. 1, в котором основное соединение является первым основным соединением, и реакционный раствор дополнительно содержит второе основное соединение, имеющее более высокий pKa, чем первое основное соединение, причем второе основное соединение является гидроксиалкиламином.
10. Способ по п. 9, в котором второе основное соединение является этаноламином.
11. Способ по п. 1, в котором реакционный раствор имеет pH от 5,2 до 7,3.
12. Способ по п. 1, в котором реакционный раствор имеет pH от 5,7 до 6,7.
13. Способ по п. 1, в котором реакционный раствор имеет pH от 6,1 до 6,3.
14. Способ по п. 1, содержащий подвергание реакционного раствора облучению микроволнами.
15. Способ по п. 14, в котором кристаллы LBZA являются нанолистами.
16. Способ по п. 1, содержащий выстаивание реакционного раствора.
17. Способ по п. 16, в котором реакционный раствор выстаивают при ≤ 75°C.
18. Способ по п. 17, в котором реакционный раствор выстаивают при ≤ 40°C.
19. Способ по п. 16, в котором кристаллы LBZA являются нанолентами.
20. Способ изготовления материала ZnO, содержащий получение кристаллов LBZA способом по любому из пп. 1-19, а затем пиролитическое разложение кристаллов LBZA.
21. Способ изготовления электронного или полупроводникового компонента, содержащий изготовление материала ZnO способом по п. 20 и встраивание этого материала в электронный или полупроводниковый компонент.
22. Кристалл LBZA, получаемый способом по любому из пп. 1-19.
23. Материал ZnO, получаемый способом по п. 20.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GBGB1312698.2A GB201312698D0 (en) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | Preparation and use of zinc compounds |
| GB1312698.2 | 2013-07-16 | ||
| PCT/GB2014/052170 WO2015008063A1 (en) | 2013-07-16 | 2014-07-16 | Preparation and use of zinc compounds |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016104907A true RU2016104907A (ru) | 2017-08-21 |
Family
ID=49081343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016104907A RU2016104907A (ru) | 2013-07-16 | 2014-07-16 | Приготовление и применение соединений цинка |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160152486A1 (ru) |
| EP (1) | EP3022156A1 (ru) |
| JP (1) | JP2016531104A (ru) |
| KR (1) | KR20160040186A (ru) |
| CN (1) | CN105408258A (ru) |
| GB (1) | GB201312698D0 (ru) |
| RU (1) | RU2016104907A (ru) |
| WO (1) | WO2015008063A1 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3088499B1 (en) * | 2015-02-14 | 2023-05-31 | Indian Oil Corporation Limited | Process for in situ synthesis dispersion of zno nanoparticles in oil |
| US20180112331A1 (en) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | U.S. Army Research Laboratory Attn: Rdrl-Loc-I | Enabling artificial thin film material structures of non-linear complex oxide thin films |
| CN110451555A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-11-15 | 辽宁星空钠电电池有限公司 | 一种快速沉淀制备一维氢氧化锌纳米棒的方法 |
| CN114605855B (zh) * | 2022-03-20 | 2022-11-08 | 南昌大学 | 一种具有防冰/除冰功能的超疏水涂层的制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1696099A (zh) * | 2004-05-11 | 2005-11-16 | 政镒化学工厂有限公司 | 高纯度醋酸锌的制法 |
| CN100424233C (zh) * | 2006-08-15 | 2008-10-08 | 华中科技大学 | 一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法 |
| US20080274041A1 (en) * | 2007-05-04 | 2008-11-06 | Envirochem Solutions, L.L.C. | Preparation of nanoparticle-size zinc compounds |
| CN101613121A (zh) * | 2009-07-16 | 2009-12-30 | 聊城大学 | 一种椭球状氧化锌的制备方法 |
| CN101767814B (zh) * | 2010-03-09 | 2011-11-09 | 黑龙江大学 | 由三种维度单元构建的多级结构氧化锌及其制备方法 |
| CN102219253A (zh) * | 2010-04-16 | 2011-10-19 | 沈斌斌 | 溶液法制备超两维纳米结构氧化锌 |
| GB2495074A (en) * | 2011-09-12 | 2013-04-03 | Univ Swansea | ZnO nanomaterials and gas sensors made using the nanomaterials |
-
2013
- 2013-07-16 GB GBGB1312698.2A patent/GB201312698D0/en not_active Ceased
-
2014
- 2014-07-16 WO PCT/GB2014/052170 patent/WO2015008063A1/en active Application Filing
- 2014-07-16 EP EP14747971.1A patent/EP3022156A1/en not_active Withdrawn
- 2014-07-16 JP JP2016526699A patent/JP2016531104A/ja not_active Withdrawn
- 2014-07-16 US US14/905,771 patent/US20160152486A1/en not_active Abandoned
- 2014-07-16 KR KR1020167002720A patent/KR20160040186A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-07-16 RU RU2016104907A patent/RU2016104907A/ru unknown
- 2014-07-16 CN CN201480040569.9A patent/CN105408258A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB201312698D0 (en) | 2013-08-28 |
| WO2015008063A1 (en) | 2015-01-22 |
| KR20160040186A (ko) | 2016-04-12 |
| US20160152486A1 (en) | 2016-06-02 |
| JP2016531104A (ja) | 2016-10-06 |
| CN105408258A (zh) | 2016-03-16 |
| EP3022156A1 (en) | 2016-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2016104907A (ru) | Приготовление и применение соединений цинка | |
| JP2011124556A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011124557A5 (ja) | 半導体装置 | |
| DE112014002767A5 (de) | Verfahren zur Behandlung von phosphathaltigen Aschen aus Abfallverbrennungsanlagen durch nasschemischen Aufschluss zur Gewinnung von Aluminium-, Kalzium-, Phosphor- und Stickstoffverbindungen | |
| TR201906638T4 (tr) | İyileştirilmiş kristaliniteye sahip bir organik perovskit malzeme tabakası üretme prosesi. | |
| TW201129679A (en) | Fluorescent material and light-emitting device empolying the same | |
| AR076974A1 (es) | Metodo para sintetizar pirfenidona | |
| RU2015151123A (ru) | Устройства, основанные на избирательно эпитаксиально выращенных материалах iii-v групп | |
| JP2012151461A5 (ru) | ||
| TW201612179A (en) | A process for preparing a crystalline organic semiconductor material | |
| BR112015004464A2 (pt) | método de produção de ímãs permanentes de terra rara | |
| JP2012240860A5 (ru) | ||
| JP2016176126A5 (ru) | ||
| RU2017123112A (ru) | Способ производства кристаллов производного диазабициклооктана и стабильного лиофилизированого препарата | |
| JP2016063227A5 (ru) | ||
| MY182015A (en) | Process for preparing a boron containing zeolitic material having mww framework stracture | |
| JP2014234344A5 (ru) | ||
| BR112015028740A2 (pt) | processo para preparar dicarbamatos de 1,4:3,6-dianidroexitóis, composto químico precursor, composto químico derivado a partir de pelo menos um dos compostos químicos precursores, e, método de preparação de um composto químico derivado a partir de pelo menos um dos compostos químicos precursores | |
| RU2011107180A (ru) | Способ переработки органических отходов | |
| SG11201907968XA (en) | Process for fabricating a donor substrate for forming optoelectronic devices, collection of substrates issued from this process | |
| RU2014145777A (ru) | Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения | |
| EA201590155A1 (ru) | Сыпучая солевая композиция, приготовленная путем испарительной кристаллизации | |
| TR201102068A2 (tr) | Tiotropyum bromür içeren kristal maddeler | |
| BR112017005454A2 (pt) | composto de l-prolina do inibidor 2 do cotransportador de sódio-glicose, e mono-hidrato e cristal do composto de l-prolina | |
| TW201613847A (en) | Organic semiconductor composition, organic thin-film transistor, electronic paper and display device |