RU2014145777A - Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения - Google Patents

Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения Download PDF

Info

Publication number
RU2014145777A
RU2014145777A RU2014145777A RU2014145777A RU2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition according
compound
hydroxy
zinc
main subgroup
Prior art date
Application number
RU2014145777A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2640237C2 (ru
Inventor
Юрген ШТАЙГЕР
Дуи Ву ФАМ
Дэннис ВЕБЕР
Зильвиу БОТНАРАС
Original Assignee
Эвоник Индустрис Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эвоник Индустрис Аг filed Critical Эвоник Индустрис Аг
Publication of RU2014145777A publication Critical patent/RU2014145777A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2640237C2 publication Critical patent/RU2640237C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01C—AMMONIA; CYANOGEN; COMPOUNDS THEREOF
    • C01C1/00—Ammonia; Compounds thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G9/00—Compounds of zinc
    • C01G9/02—Oxides; Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216—Metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

1. Аммиачная композиция, включающая в себяa) по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение иb) по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы.2. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет только один единственный центральный ион, в случае которого речь идет о цинке.3. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет исключительно гидроксо- и при необходимости аммиачные лиганды.4. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение представляет собой, где 1 ≤ x ≤ 2 и 1 ≤ y ≤ 6.5. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение в количествах от 50 до 99,95 мол.%, в пересчете на общее количество вещества ионов цинка и атомов/ионов элемента 3-й главной подгруппы.6. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы представляет собой соединение алюминия (Al), галлия (Ga) или индия (In).7. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она включает в себя по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы.8. Композиция по п. 7, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно соединение галлия и по меньшей мере одно соединение индия.9. Композиция по одному из пп. 1-8, отличающаяся тем, что она может получаться a) в результате растворения нитратной соли цинка и по меньшей мере одного элемента 3-й главной подгруппы в степени окисления, соответствующей трехвалентному состоянию, b) осаждения гидроксидсодержащего осадка с помощью гидроксидного основания, c) отделения растворителя и d) помещения этого осадка в аммиачную воду.10. Способ получения слоя, содержащего ZnO, отличающийся тем, что композиция по пп. 1-9 наносится на

Claims (15)

1. Аммиачная композиция, включающая в себя
a) по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и
b) по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы.
2. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет только один единственный центральный ион, в случае которого речь идет о цинке.
3. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет исключительно гидроксо- и при необходимости аммиачные лиганды.
4. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение представляет собой Z n ( O H ) x ( N H 3 ) y ( 2 − x ) +
Figure 00000001
 , где 1 ≤ x ≤ 2 и 1 ≤ y ≤ 6.
5. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение в количествах от 50 до 99,95 мол.%, в пересчете на общее количество вещества ионов цинка и атомов/ионов элемента 3-й главной подгруппы.
6. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы представляет собой соединение алюминия (Al), галлия (Ga) или индия (In).
7. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она включает в себя по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы.
8. Композиция по п. 7, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно соединение галлия и по меньшей мере одно соединение индия.
9. Композиция по одному из пп. 1-8, отличающаяся тем, что она может получаться a) в результате растворения нитратной соли цинка и по меньшей мере одного элемента 3-й главной подгруппы в степени окисления, соответствующей трехвалентному состоянию, b) осаждения гидроксидсодержащего осадка с помощью гидроксидного основания, c) отделения растворителя и d) помещения этого осадка в аммиачную воду.
10. Способ получения слоя, содержащего ZnO, отличающийся тем, что композиция по пп. 1-9 наносится на подложку и затем на ней термически конвертируется.
11. Применение композиции по одному из пп. 1-9 для изготовления электронных компонентов, особенно для изготовления транзисторов, оптоэлектронных компонентов и сенсорных элементов.
12. Электронный компонент, содержащий по меньшей мере один слой, содержащий ZnO, который был получен по способу по п. 10.
13. Электронный компонент по п. 12, отличающийся тем, что он представляет собой транзистор.
14. Электронный компонент по п. 12, отличающийся тем, что он представляет собой оптоэлектронный компонент.
15. Электронный компонент по п. 12, отличающийся тем, что он представляет собой сенсорный элемент.
RU2014145777A 2012-04-17 2013-03-26 Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения RU2640237C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012206234A DE102012206234A1 (de) 2012-04-17 2012-04-17 Formulierungen enthaltend ammoniakalische Hydroxo-Zink-Verbindungen
DE102012206234.3 2012-04-17
PCT/EP2013/056341 WO2013156274A1 (de) 2012-04-17 2013-03-26 Formulierungen enthaltend ammoniakalische hydroxo-zink-verbindungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014145777A true RU2014145777A (ru) 2016-06-10
RU2640237C2 RU2640237C2 (ru) 2017-12-27

Family

ID=47997514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014145777A RU2640237C2 (ru) 2012-04-17 2013-03-26 Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9978591B2 (ru)
EP (1) EP2839504A1 (ru)
JP (1) JP6257585B2 (ru)
KR (1) KR101993495B1 (ru)
CN (1) CN104221133B (ru)
DE (1) DE102012206234A1 (ru)
RU (1) RU2640237C2 (ru)
TW (1) TWI629245B (ru)
WO (1) WO2013156274A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014202718A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Evonik Degussa Gmbh Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
GB2528908A (en) * 2014-08-04 2016-02-10 Isis Innovation Thin film semiconductor
CN114695826A (zh) * 2020-12-31 2022-07-01 Tcl科技集团股份有限公司 调控氧化锌的电子迁移率的方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU897052A1 (ru) 1980-07-18 1984-05-30 Проектно-Технологический И Научно-Исследовательский Институт Способ изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами
ES2187083T3 (es) 1998-02-19 2003-05-16 Goldschmidt Ag Th Esteres de acido fosforico y su utilizacion como agentes dispersantes.
DE19940797A1 (de) 1999-08-27 2001-03-01 Goldschmidt Ag Th Durch Akoxylierung erhaltene blockcopolymere, styrenoxidhaltige Polyalkylenoxide und deren Verwendung
DE10232115A1 (de) 2002-07-16 2004-02-05 Goldschmidt Ag Organopolysiloxane zur Entschäumung wässriger Systeme
DE10348825A1 (de) 2003-10-21 2005-06-02 Goldschmidt Ag Dispergiermittel zur Herstellung wässriger Pigmentpasten
EP1812969B1 (en) 2004-11-10 2015-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor comprising an amorphous oxide
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
DE202005010697U1 (de) 2005-07-07 2005-09-15 Schoen Hendrik Flexibler, transparenter Feldeffekttransistor
KR101190917B1 (ko) * 2006-02-09 2012-10-12 삼성코닝정밀소재 주식회사 칼코게나이드-ｃｎｔ 하이브리드 박막 및 그 제조방법
US20070287221A1 (en) 2006-06-12 2007-12-13 Xerox Corporation Fabrication process for crystalline zinc oxide semiconductor layer
US7906415B2 (en) 2006-07-28 2011-03-15 Xerox Corporation Device having zinc oxide semiconductor and indium/zinc electrode
JP5123768B2 (ja) * 2008-07-10 2013-01-23 富士フイルム株式会社 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置
DE102008058040A1 (de) 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
US20100144088A1 (en) 2008-12-05 2010-06-10 Electronics And Telecommunications Research Institute Method for forming metal oxide and method for forming transistor structure with the same
JP2012525493A (ja) * 2009-04-28 2012-10-22 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 半導体層の製造法
CN102460641A (zh) 2009-06-16 2012-05-16 巴斯夫欧洲公司 用于改进颗粒间接触部位和填充半导体金属氧化物颗粒层中的间隙的热不稳定性前体化合物
KR20130057439A (ko) * 2010-04-28 2013-05-31 바스프 에스이 아연 착물 용액의 제조 방법
CN102260907B (zh) * 2011-06-17 2013-03-13 浙江大学 一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104221133A (zh) 2014-12-17
TWI629245B (zh) 2018-07-11
WO2013156274A1 (de) 2013-10-24
RU2640237C2 (ru) 2017-12-27
JP2015522502A (ja) 2015-08-06
JP6257585B2 (ja) 2018-01-10
EP2839504A1 (de) 2015-02-25
DE102012206234A1 (de) 2013-10-17
CN104221133B (zh) 2018-03-06
KR101993495B1 (ko) 2019-06-26
US9978591B2 (en) 2018-05-22
KR20150010708A (ko) 2015-01-28
US20150076421A1 (en) 2015-03-19
TW201404724A (zh) 2014-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Baron et al. SERS and electrochemical studies of the gold–electrolyte interface under thiosulfate based leaching conditions
RU2014145777A (ru) Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения
WO2012112927A3 (en) Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films
EP2803961A3 (de) Hermetisch gasdichtes optoelektronisches oder elektrooptisches Bauteil sowie Verfahren zu seiner Herstellung
MY182270A (en) Compositions for inhibiting corrosion
BR112016027760A8 (pt) método de síntese de ph baixo de complexo de zinco-lisina
Jeong et al. Accelerated formation of metal oxide thin film at 200 C using oxygen supplied by a nitric acid additive and residual organic suction vacuum annealing for thin-film transistor applications
RU2016104907A (ru) Приготовление и применение соединений цинка
RU2012151491A (ru) Флуорохромный материал и способ его применения
JP2016034887A5 (ru)
WO2005031035A3 (en) Method for producing thin semiconductor films by deposition from solution
PL410220A1 (pl) Elektroniczne urządzenie piszące, system oraz sposób do zabezpieczania dokumentu w postaci cyfrowej z wykorzystaniem podpisu odręcznego
EP2784826A3 (en) Method of manufacturing thin film solar cell and thin film solar cell manufactured by the method
JP2015190886A5 (ru)
RU2013146641A (ru) Электролюминесцентное устройство
Lamothe Assessing Past Surface Processes Rates Using Feldspar Luminescence
TW200711732A (en) Method of manufacturing aluminum oxide with high specific surface area using zinc addition and acid treatment
CL2018000892A1 (es) Solucion de elementos traza
MY193246A (en) High phosphorus electroless nickel
Monti et al. The effect of epitaxial strain and R3+ magnetism on interfaces between RAlO 3 and SrTiO 3
MD4300B1 (ru) Ингибитора роста клеток HepG2 при раке печени на основе хлоро-¢2-фенил(пиридин-2-ил)метанон-4-(3-метоксифенил)тиосемикарбазоно]никеля
PL402414A1 (pl) Sposób odzysku metalicznego złota z roztworów wodnych zawierających jony chlorkowe
Buck et al. Copper, iron and the organic ligands that bind them-updates from San Francisco Bay and beyond
TH145945A (th) สารผสมเพื่อการปฏิบัติพื้นผิวสำหรับทองแดงและโลหะเจือทองแดง และการใช้ประโยชน์สารผสม
TH122153A (th) องค์ประกอบเรซินสำหรับปิดผนึกสารกึ่งตัวนำ และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200327