RU2013132978A - Контролируемое образование дислокаций в монокристаллическом синтетическом алмазном материале - Google Patents
Контролируемое образование дислокаций в монокристаллическом синтетическом алмазном материале Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013132978A RU2013132978A RU2013132978/05A RU2013132978A RU2013132978A RU 2013132978 A RU2013132978 A RU 2013132978A RU 2013132978/05 A RU2013132978/05 A RU 2013132978/05A RU 2013132978 A RU2013132978 A RU 2013132978A RU 2013132978 A RU2013132978 A RU 2013132978A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- synthetic diamond
- cvd synthetic
- crystal cvd
- diamond layer
- single crystal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/26—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, содержащий сетку непараллельных дислокаций, причем сетка непараллельных дислокаций содержит множество дислокаций, формирующих сетку взаимно пересекающихся дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 1 мкм, при этом сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 30% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя, и при этом направление, в котором распространяется дислокация, измеряется по среднему направлению, по меньшей мере, по 30% от полной длины дислокации.2. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 10 мкм, 50 мкм, 100 мкм, 500 мкм, 1 мм, 2 мм или 3 мм.3. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий плотность дислокаций в пределах от 10 смдо 1×10см, от 1×10смдо 1×10смили от 1×10смдо 1×10см.4. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий значение двулучепреломления, равное или меньшее, чем 5×10, 5×10, 1×10, 5×10или 1×10.5. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п.1 или 2, причем монокристаллический CVD синтетический алмазный слой представляет собой слой с ориентацией {110} или {113}.6. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полно
Claims (14)
1. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, содержащий сетку непараллельных дислокаций, причем сетка непараллельных дислокаций содержит множество дислокаций, формирующих сетку взаимно пересекающихся дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 1 мкм, при этом сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 30% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя, и при этом направление, в котором распространяется дислокация, измеряется по среднему направлению, по меньшей мере, по 30% от полной длины дислокации.
2. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 10 мкм, 50 мкм, 100 мкм, 500 мкм, 1 мм, 2 мм или 3 мм.
3. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий плотность дислокаций в пределах от 10 см-2 до 1×108 см-2, от 1×102 см-2 до 1×108 см-2 или от 1×104 см-2 до 1×107 см-2.
4. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий значение двулучепреломления, равное или меньшее, чем 5×10-4, 5×10-5, 1×10-5, 5×10-6 или 1×10-6.
5. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п.1 или 2, причем монокристаллический CVD синтетический алмазный слой представляет собой слой с ориентацией {110} или {113}.
6. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя.
7. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций содержит первый набор дислокаций, распространяющихся в первом направлении через монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, и второй набор дислокаций, распространяющихся во втором направлении через монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, и причем угол между первым и вторым направлениями находится в пределах от 40° до 100°, от 50° до 100° или от 60° до 90°, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики.
8. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором направление, в котором распространяется дислокация, измеряется по среднему направлению, по меньшей мере, по 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полной длины дислокации и/или, по меньшей мере, 50 мкм, 100 мкм, 250 мкм, 500 мкм, 1000 мкм, 1500 мкм или 2000 мкм.
9. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором, по меньшей мере, 30%, 40%, 50%, 70%, 80% или 90% от общего количества видимых дислокаций в пределах объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя формируют сетку непараллельных дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики, причем упомянутый объем составляет, по меньшей мере, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя.
10. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п.1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций наблюдается на рентгеновском топографическом изображении сечения, но не в условиях люминесцентной методики, или, альтернативно, сетка непараллельных дислокаций наблюдается в условиях люминесцентной методики, но не на рентгеновском топографическом изображении сечения.
11. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, обладающий твердостью, по меньшей мере, 100 ГПа или, по меньшей мере, 120 ГПа.
12. Монокристаллический CVD синтетический алмазный объект, содержащий монокристаллический алмазный слой по любому предыдущему пункту, причем монокристаллический алмазный слой составляет, по меньшей мере, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного объекта.
13. Применение монокристаллического CVD синтетического алмазного объекта по п. 12 в оптическом, механическом, люминесцентном и/или электронном устройстве или приложении.
14. Монокристаллический CVD синтетический алмазный объект по п. 12, причем монокристаллический CVD синтетический алмазный объект вырезан в конфигурации ювелирного изделия.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GBGB1021985.5A GB201021985D0 (en) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | Dislocation engineering in single crystal synthetic diamond material |
| GB1021985.5 | 2010-12-24 | ||
| US201161430751P | 2011-01-07 | 2011-01-07 | |
| US61/430,751 | 2011-01-07 | ||
| PCT/EP2011/073147 WO2012084750A1 (en) | 2010-12-24 | 2011-12-16 | Dislocation engineering in single crystal synthetic diamond material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013132978A true RU2013132978A (ru) | 2015-01-27 |
| RU2550197C2 RU2550197C2 (ru) | 2015-05-10 |
Family
ID=43599008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013132978/05A RU2550197C2 (ru) | 2010-12-24 | 2011-12-16 | Контролируемое образование дислокаций в монокристаллическом синтетическом алмазном материале |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9682864B2 (ru) |
| EP (1) | EP2655704B1 (ru) |
| JP (1) | JP5713512B2 (ru) |
| CN (2) | CN108441944A (ru) |
| CA (1) | CA2821618C (ru) |
| GB (2) | GB201021985D0 (ru) |
| IL (1) | IL227012A (ru) |
| RU (1) | RU2550197C2 (ru) |
| SG (1) | SG191222A1 (ru) |
| WO (1) | WO2012084750A1 (ru) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB201320304D0 (en) * | 2013-11-18 | 2014-01-01 | Element Six Ltd | Methods of fabricating synthetic diamond materials using microwave plasma actived chemical vapour deposition techniques and products obtained using said |
| US9817081B2 (en) | 2016-01-21 | 2017-11-14 | Lockheed Martin Corporation | Magnetometer with light pipe |
| US9824597B2 (en) | 2015-01-28 | 2017-11-21 | Lockheed Martin Corporation | Magnetic navigation methods and systems utilizing power grid and communication network |
| US10520558B2 (en) | 2016-01-21 | 2019-12-31 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensor with nitrogen-vacancy center diamond located between dual RF sources |
| US10168393B2 (en) | 2014-09-25 | 2019-01-01 | Lockheed Martin Corporation | Micro-vacancy center device |
| US10338162B2 (en) | 2016-01-21 | 2019-07-02 | Lockheed Martin Corporation | AC vector magnetic anomaly detection with diamond nitrogen vacancies |
| US9853837B2 (en) | 2014-04-07 | 2017-12-26 | Lockheed Martin Corporation | High bit-rate magnetic communication |
| US9910104B2 (en) | 2015-01-23 | 2018-03-06 | Lockheed Martin Corporation | DNV magnetic field detector |
| US9910105B2 (en) | 2014-03-20 | 2018-03-06 | Lockheed Martin Corporation | DNV magnetic field detector |
| US9638821B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-05-02 | Lockheed Martin Corporation | Mapping and monitoring of hydraulic fractures using vector magnetometers |
| CA2945016A1 (en) | 2014-04-07 | 2015-10-15 | Lockheed Martin Corporation | Energy efficient controlled magnetic field generator circuit |
| CN106574393B (zh) * | 2014-07-22 | 2019-10-08 | 住友电气工业株式会社 | 单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件 |
| GB201419981D0 (en) * | 2014-11-10 | 2014-12-24 | Element Six Technologies Ltd | A method of fabricating single crystal synthetic diamond products and single crystal synthetic diamond products fabricated using said method |
| WO2016118756A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for high sensitivity magnetometry measurement and signal processing in a magnetic detection system |
| EP3251193A4 (en) | 2015-01-28 | 2018-08-08 | Lockheed Martin Corporation | In-situ power charging |
| GB2551090A (en) | 2015-02-04 | 2017-12-06 | Lockheed Corp | Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system |
| GB2550809A (en) | 2015-02-04 | 2017-11-29 | Lockheed Corp | Apparatus and method for estimating absolute axes' orientations for a magnetic detection system |
| EP3371614A1 (en) | 2015-11-04 | 2018-09-12 | Lockheed Martin Corporation | Magnetic band-pass filter |
| WO2017087013A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for closed loop processing for a magnetic detection system |
| WO2017087014A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for hypersensitivity detection of magnetic field |
| WO2017095454A1 (en) | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Lockheed Martin Corporation | Communication via a magnio |
| WO2017123261A1 (en) | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Lockheed Martin Corporation | Defect detector for conductive materials |
| WO2017127098A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensed ferro-fluid hydrophone |
| WO2017127090A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Lockheed Martin Corporation | Higher magnetic sensitivity through fluorescence manipulation by phonon spectrum control |
| EP3405603A4 (en) | 2016-01-21 | 2019-10-16 | Lockheed Martin Corporation | DIAMOND NITROGEN SENSOR WITH SWITCHING ON DIAMOND |
| WO2017127097A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Lockheed Martin Corporation | Magnetometer with a light emitting diode |
| GB2562193B (en) | 2016-01-21 | 2021-12-22 | Lockheed Corp | Diamond nitrogen vacancy sensor with common RF and magnetic fields generator |
| KR102653291B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2024-03-29 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 단결정 다이아몬드, 단결정 다이아몬드의 제조 방법 및 그것에 이용되는 화학 기상 퇴적 장치 |
| US10527746B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-01-07 | Lockheed Martin Corporation | Array of UAVS with magnetometers |
| US10408890B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-09-10 | Lockheed Martin Corporation | Pulsed RF methods for optimization of CW measurements |
| US10571530B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-02-25 | Lockheed Martin Corporation | Buoy array of magnetometers |
| US10330744B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-06-25 | Lockheed Martin Corporation | Magnetometer with a waveguide |
| US10359479B2 (en) | 2017-02-20 | 2019-07-23 | Lockheed Martin Corporation | Efficient thermal drift compensation in DNV vector magnetometry |
| US10371765B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-08-06 | Lockheed Martin Corporation | Geolocation of magnetic sources using vector magnetometer sensors |
| US10317279B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-06-11 | Lockheed Martin Corporation | Optical filtration system for diamond material with nitrogen vacancy centers |
| US10145910B2 (en) | 2017-03-24 | 2018-12-04 | Lockheed Martin Corporation | Photodetector circuit saturation mitigation for magneto-optical high intensity pulses |
| US20170343621A1 (en) | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Lockheed Martin Corporation | Magneto-optical defect center magnetometer |
| US10338163B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-07-02 | Lockheed Martin Corporation | Multi-frequency excitation schemes for high sensitivity magnetometry measurement with drift error compensation |
| US10274550B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-04-30 | Lockheed Martin Corporation | High speed sequential cancellation for pulsed mode |
| US10677953B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-06-09 | Lockheed Martin Corporation | Magneto-optical detecting apparatus and methods |
| US10281550B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-05-07 | Lockheed Martin Corporation | Spin relaxometry based molecular sequencing |
| US10345396B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-07-09 | Lockheed Martin Corporation | Selected volume continuous illumination magnetometer |
| US10228429B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-03-12 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for resonance magneto-optical defect center material pulsed mode referencing |
| US10345395B2 (en) | 2016-12-12 | 2019-07-09 | Lockheed Martin Corporation | Vector magnetometry localization of subsurface liquids |
| GB201620415D0 (en) * | 2016-12-01 | 2017-01-18 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition |
| US10379174B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-08-13 | Lockheed Martin Corporation | Bias magnet array for magnetometer |
| US10338164B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-07-02 | Lockheed Martin Corporation | Vacancy center material with highly efficient RF excitation |
| US10459041B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-10-29 | Lockheed Martin Corporation | Magnetic detection system with highly integrated diamond nitrogen vacancy sensor |
| US10371760B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-08-06 | Lockheed Martin Corporation | Standing-wave radio frequency exciter |
| US20200216974A1 (en) | 2017-09-19 | 2020-07-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single-crystal diamond and method of manufacturing the same |
| GB201811162D0 (en) * | 2018-07-06 | 2018-08-29 | Element Six Tech Ltd | Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material |
| CN110082376B (zh) * | 2019-05-20 | 2024-01-30 | 中国人民大学 | 一种双列单晶中子分析器单元 |
| CN111593316B (zh) * | 2020-05-11 | 2022-06-21 | 南京岱蒙特科技有限公司 | 一种高比表面积超亲水的梯度硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用 |
| CN111690981B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-08-03 | 太原理工大学 | 一种扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法 |
| CN111850682B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-09-07 | 太原理工大学 | 同时扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法 |
| WO2022085438A1 (ja) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | 住友電工ハードメタル株式会社 | ダイヤモンド焼結体、及びダイヤモンド焼結体を備える工具 |
| CN113506366B (zh) * | 2021-08-06 | 2024-03-26 | 重庆大学 | 一种位错特征的三维可视化方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2412853C (en) * | 2000-06-15 | 2009-08-25 | Geoffrey Alan Scarsbrook | Single crystal diamond prepared by cvd |
| EP1290251B8 (en) | 2000-06-15 | 2006-02-01 | Element Six (PTY) Ltd | Thick single crystal diamond layer method for making it and gemstones produced from the layer |
| GB0130004D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Coloured diamond |
| GB0221949D0 (en) * | 2002-09-20 | 2002-10-30 | Diamanx Products Ltd | Single crystal diamond |
| EP1957689B1 (en) | 2005-12-09 | 2011-04-20 | Element Six Technologies (PTY) LTD | High crystalline quality synthetic diamond |
-
2010
- 2010-12-24 GB GBGB1021985.5A patent/GB201021985D0/en not_active Ceased
-
2011
- 2011-12-16 CN CN201810252078.0A patent/CN108441944A/zh active Pending
- 2011-12-16 CA CA2821618A patent/CA2821618C/en active Active
- 2011-12-16 EP EP11801725.0A patent/EP2655704B1/en active Active
- 2011-12-16 GB GB1121721.3A patent/GB2486794B/en active Active
- 2011-12-16 WO PCT/EP2011/073147 patent/WO2012084750A1/en active Application Filing
- 2011-12-16 CN CN2011800663362A patent/CN103354845A/zh active Pending
- 2011-12-16 SG SG2013046826A patent/SG191222A1/en unknown
- 2011-12-16 JP JP2013545233A patent/JP5713512B2/ja active Active
- 2011-12-16 US US13/994,852 patent/US9682864B2/en active Active
- 2011-12-16 RU RU2013132978/05A patent/RU2550197C2/ru active
-
2013
- 2013-06-17 IL IL227012A patent/IL227012A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108441944A (zh) | 2018-08-24 |
| GB201021985D0 (en) | 2011-02-02 |
| CA2821618A1 (en) | 2012-06-28 |
| US9682864B2 (en) | 2017-06-20 |
| IL227012A (en) | 2017-01-31 |
| JP5713512B2 (ja) | 2015-05-07 |
| RU2550197C2 (ru) | 2015-05-10 |
| JP2014500226A (ja) | 2014-01-09 |
| WO2012084750A1 (en) | 2012-06-28 |
| GB2486794B (en) | 2014-09-03 |
| EP2655704B1 (en) | 2019-01-30 |
| CA2821618C (en) | 2016-04-26 |
| CN103354845A (zh) | 2013-10-16 |
| SG191222A1 (en) | 2013-07-31 |
| GB2486794A (en) | 2012-06-27 |
| EP2655704A1 (en) | 2013-10-30 |
| GB201121721D0 (en) | 2012-02-01 |
| US20140004319A1 (en) | 2014-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013132978A (ru) | Контролируемое образование дислокаций в монокристаллическом синтетическом алмазном материале | |
| JP2014189422A5 (ru) | ||
| MY179465A (en) | Silicone single crystal substrate and method of manufacturing the same | |
| SG11201810569WA (en) | Hybrid structure for surface acoustic wave device | |
| JP2012515079A5 (ru) | ||
| GB2521083A (en) | Semiconductor device | |
| RU2014104368A (ru) | Соединительное устройство для применения при вакуумной обработке ран | |
| JP2016098166A5 (ru) | ||
| Lien et al. | Growth of epitaxial 3C-SiC films on Si (100) via low temperature SiC buffer layer | |
| EP2524979A4 (en) | A CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP III ELEMENT NITRIDE RESIN RECORDED THEREWITH, AND METHOD FOR PRODUCING A GROUP III ELEMENT NITRIDE ROCK | |
| CN109573939B (zh) | 双层应变基体及可拉伸电子器件 | |
| MY159243A (en) | Single crystal diamond material | |
| Lebedev et al. | Growth defects in heteroepitaxial diamond | |
| Nagakubo et al. | Elasticity and hardness of nano-polycrystalline boron nitrides: The apparent Hall-Petch effect | |
| JP2007286617A5 (ru) | ||
| TW201130130A (en) | Silicon carbide substrate | |
| MY180153A (en) | Single crystal chemical vapour deposited synthetic diamond materials having uniform colour | |
| Coffy et al. | Anisotropic propagation imaging of elastic waves in oriented columnar thin films | |
| Guo et al. | Analysis of polytype stability in PVT grown silicon carbide single crystal using competitive lattice model Monte Carlo simulations | |
| Lorenzzi et al. | 3C–SiC heteroepitaxial growth by vapor–liquid–solid mechanism on patterned 4H–SiC Substrate using Si–Ge melt | |
| Xu et al. | Multi-channel unidirectional transmission of phononic crystal heterojunctions | |
| CN104488039B (zh) | 闪烁器面板以及放射线检测器 | |
| JP2017108179A5 (ru) | ||
| Mokuno et al. | Large single crystal diamond plates produced by microwave plasma CVD | |
| Ferro et al. | On the mechanism of twin boundary elimination in 3C-SiC (111) heteroepitaxial layers on α-SiC substrates |