RU2007123361A - Способ получения термоэлектрического полупроводникового сплава, модуль термоэлектрического преобразования и термоэлектрическое устройство генерации электроэнергии - Google Patents

Способ получения термоэлектрического полупроводникового сплава, модуль термоэлектрического преобразования и термоэлектрическое устройство генерации электроэнергии Download PDF

Info

Publication number
RU2007123361A
RU2007123361A RU2007123361/02A RU2007123361A RU2007123361A RU 2007123361 A RU2007123361 A RU 2007123361A RU 2007123361/02 A RU2007123361/02 A RU 2007123361/02A RU 2007123361 A RU2007123361 A RU 2007123361A RU 2007123361 A RU2007123361 A RU 2007123361A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
alloy
member selected
thermoelectric
formula
elements
Prior art date
Application number
RU2007123361/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2364643C2 (ru
Inventor
Кенитиро НАКАДЗИМА (JP)
Кенитиро НАКАДЗИМА
Original Assignee
Сова Денко К.К. (Jp)
Сова Денко К.К.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сова Денко К.К. (Jp), Сова Денко К.К. filed Critical Сова Денко К.К. (Jp)
Publication of RU2007123361A publication Critical patent/RU2007123361A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2364643C2 publication Critical patent/RU2364643C2/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/06Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material
    • B22F9/08Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying
    • B22F9/10Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying using centrifugal force
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/06Metallic powder characterised by the shape of the particles
    • B22F1/068Flake-like particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/047Making non-ferrous alloys by powder metallurgy comprising intermetallic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C30/00Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C30/00Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • C22C30/04Alloys containing less than 50% by weight of each constituent containing tin or lead
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/854Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising only metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

1. Способ получения гейслерова сплава, включающий в себя отверждение закалкой расплавленного сплава при скорости охлаждения от 1·10до 1·10°C/с с получением гейслерова сплава, представленного формулой: ABC (где каждый из A и B является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Fe, Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, а C является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов группы 13 или 14, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn).2. Способ получения полугейслерова сплава, включающий в себя отверждение закалкой расплавленного сплава при скорости охлаждения от 1·10до 1·10°C/с с получением гейслерова сплава, представленного формулой: ABC (где каждый из A и B является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Fe, Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, а C является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов группы 13 или 14, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn).3. Сплав, полученный способом получения по п.1 или 2.4. Сплав по п.3, в котором отношение самого сильного пика гейслеровой фазы или полугейслеровой фазы составляет 85% или более.5. Сплав по п.3 или 4, в котором средний диаметр частиц составляет от 1 до 100 мкм.6. Элемент термоэлектрического преобразования с использованием сплава по любому из пп.3-5.7. Модуль термоэлектрического преобразования с использованием элемента термоэлектрического преобразования по п.6.8. Термоэлектрическое устройство генерации электроэнергии с использованием модуля термоэлектрического преобразования по п.7.9. Система рекуперации сбросного тепла с использованием термоэлектрического устройства генерации электроэнергии по п.8.10. Система утилизации солнечного тепла с использован�

Claims (14)

1. Способ получения гейслерова сплава, включающий в себя отверждение закалкой расплавленного сплава при скорости охлаждения от 1·102 до 1·103°C/с с получением гейслерова сплава, представленного формулой: A3-xBxC (где каждый из A и B является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Fe, Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, а C является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов группы 13 или 14, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn).
2. Способ получения полугейслерова сплава, включающий в себя отверждение закалкой расплавленного сплава при скорости охлаждения от 1·102 до 1·103°C/с с получением гейслерова сплава, представленного формулой: ABC (где каждый из A и B является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Fe, Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, а C является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов группы 13 или 14, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn).
3. Сплав, полученный способом получения по п.1 или 2.
4. Сплав по п.3, в котором отношение самого сильного пика гейслеровой фазы или полугейслеровой фазы составляет 85% или более.
5. Сплав по п.3 или 4, в котором средний диаметр частиц составляет от 1 до 100 мкм.
6. Элемент термоэлектрического преобразования с использованием сплава по любому из пп.3-5.
7. Модуль термоэлектрического преобразования с использованием элемента термоэлектрического преобразования по п.6.
8. Термоэлектрическое устройство генерации электроэнергии с использованием модуля термоэлектрического преобразования по п.7.
9. Система рекуперации сбросного тепла с использованием термоэлектрического устройства генерации электроэнергии по п.8.
10. Система утилизации солнечного тепла с использованием термоэлектрического устройства генерации электроэнергии по п.8.
11. Гейслеров сплав, представленный формулой: Fe2V1-xAxAl1-yBy (где A является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, B является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов группы 13 или 14, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn, 0≤x≤0,8, 0≤y≤0,3).
12. Полугейслеров сплав, представленный формулой: Ti1-xAxNi1-yBySn1-zCz (где каждый из A и B является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, C является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов групп с 13 по 15, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn, 0≤x≤0,8, 0≤y≤0,9, 0≤z≤0,3).
13. Способ получения гейслерова сплава, представленного формулой: Fe2V1-xAxAl1-yBy (где A является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, B является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов группы 13 или 14, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn, 0≤x≤0,8, 0≤y≤0,3), включающий в себя отверждение закалкой расплавленного сплава при скорости охлаждения от 1·102 до 1·103°C/с.
14. Способ получения полугейслерова сплава, представленного формулой: Ti1-xAxNi1-yBySn1-zCz (где каждый из A и B является по меньшей мере одним членом, выбранным из переходных металлов, таких как Co, Ni, Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Mo, Ta и W, C является по меньшей мере одним членом, выбранным из элементов групп с 13 по 15, таких как Al, Ga, In, Si, Ge и Sn, 0≤x≤0,8, 0≤y≤0,9, 0≤z≤0,3), включающий в себя отверждение закалкой расплавленного сплава при скорости охлаждения от 1·102 до 1·103°C/с.
RU2007123361/02A 2004-12-24 2005-12-22 Способ получения термоэлектрического полупроводникового сплава, модуль термоэлектрического преобразования и термоэлектрическое устройство генерации электроэнергии RU2364643C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004374218 2004-12-24
JP2004-374218 2004-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007123361A true RU2007123361A (ru) 2008-12-27
RU2364643C2 RU2364643C2 (ru) 2009-08-20

Family

ID=38907351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007123361/02A RU2364643C2 (ru) 2004-12-24 2005-12-22 Способ получения термоэлектрического полупроводникового сплава, модуль термоэлектрического преобразования и термоэлектрическое устройство генерации электроэнергии

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7849909B2 (ru)
EP (1) EP1831418A2 (ru)
JP (1) JP2006203186A (ru)
CN (1) CN101080506B (ru)
RU (1) RU2364643C2 (ru)
WO (1) WO2006068325A2 (ru)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1738381A2 (en) * 2004-04-21 2007-01-03 Showa Denko Kabushiki Kaisha Process for producing a heusler alloy, a half heusler alloy , a filled skutterudite based alloy and thermoelectric converion system using them
US7849909B2 (en) * 2004-12-24 2010-12-14 Showa Denko K.K. Production method of thermoelectric semiconductor alloy, thermoelectric conversion module and thermoelectric power generating device
JP5028925B2 (ja) * 2006-09-15 2012-09-19 トヨタ自動車株式会社 熱電材料およびその製造方法
JP4953064B2 (ja) * 2006-12-25 2012-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 ホイスラー合金とそれを用いたtmr素子又はgmr素子
JP4900819B2 (ja) * 2007-06-12 2012-03-21 株式会社豊田中央研究所 熱電材料及びその製造方法
CN101338386B (zh) * 2008-08-29 2010-06-02 清华大学 一种TiNiSn基热电化合物的制备方法
JP5333001B2 (ja) * 2008-12-15 2013-11-06 株式会社豊田中央研究所 熱電材料及びその製造方法
JP5548889B2 (ja) * 2009-10-13 2014-07-16 本田技研工業株式会社 熱発電組成物
US20110120517A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-26 Brookhaven Science Associates, Llc Synthesis of High-Efficiency Thermoelectric Materials
EA024118B1 (ru) 2010-04-15 2016-08-31 Сиэтл Дженетикс, Инк. Конъюгаты пирролбензодиазепина направленного действия
KR101687054B1 (ko) 2010-04-15 2016-12-15 메디뮨 리미티드 증식성 질환 치료용 피롤로벤조디아제핀
US9048004B2 (en) 2010-12-20 2015-06-02 Gmz Energy, Inc. Half-heusler alloys with enhanced figure of merit and methods of making
US8987579B2 (en) * 2011-05-05 2015-03-24 Aerojet Rocketdyne Of De, Inc. Power converter
CN103987718A (zh) 2011-09-20 2014-08-13 斯皮罗根有限公司 作为非对称二聚体pbd化合物用于内含在靶向结合物中的吡咯并苯并二氮杂卓
CN103987384A (zh) 2011-10-14 2014-08-13 西雅图基因公司 吡咯并苯并二氮杂卓和靶向结合物
ES2660233T3 (es) 2011-10-14 2018-03-21 Seattle Genetics, Inc. Pirrolobenzodiazepinas y conjugados dirigidos
CN110183470A (zh) 2011-10-14 2019-08-30 麦迪穆有限责任公司 吡咯并苯并二氮杂卓
MX341523B (es) 2011-10-14 2016-08-24 Medimmune Ltd Pirrolobenzodiazepinas.
US9385292B2 (en) * 2011-11-10 2016-07-05 Alcatel Lucent Geothermally-cooled solar thermoelectric energy harvester
CN104335370B (zh) * 2012-05-22 2017-06-27 株式会社日立制作所 热电转换器件
CN104321890B (zh) * 2012-07-17 2017-07-04 株式会社东芝 热电转换材料及使用其的热电转换模块以及其制造方法
WO2014057120A1 (en) 2012-10-12 2014-04-17 Adc Therapeutics Sàrl Pyrrolobenzodiazepine-antibody conjugates
PL3470086T3 (pl) 2012-10-12 2021-05-31 Medimmune Limited Pirolobenzodiazepiny i ich koniugaty
RU2531516C2 (ru) * 2012-10-12 2014-10-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" Система для получения нанопленок сплавов гейслера
PL2906251T3 (pl) 2012-10-12 2018-02-28 Adc Therapeutics Sa Koniugaty pirolobenzodiazepina-przeciwciało anty-CD22
JP6367204B2 (ja) 2012-10-12 2018-08-01 メドイミューン・リミテッドMedImmune Limited 結合用のピロロベンゾジアゼピン誘導体の合成および中間体
PL2906298T3 (pl) 2012-10-12 2019-04-30 Adc Therapeutics Sa Koniugaty pirolobenzodiazepina - przeciwciało
TR201815418T4 (tr) 2012-10-12 2018-11-21 Adc Therapeutics Sa Pirrolobenzodiazepin -anti-psma antikor konjugatları.
SI2906296T1 (en) 2012-10-12 2018-06-29 Adc Therapeutics Sa Pyrrolobenzodiazepine-antibody conjugates
ES2680153T3 (es) 2012-10-12 2018-09-04 Adc Therapeutics Sa Conjugados de anticuerpos anti-PSMA-pirrolobenzodiazepinas
CN104837502B (zh) 2012-10-12 2018-08-10 麦迪穆有限责任公司 吡咯并苯并二氮杂卓及其结合物
CN105051925B (zh) * 2013-03-27 2018-07-17 株式会社日立制作所 高效率热电转换装置
DE102013103896B4 (de) 2013-04-17 2015-05-28 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Gegenstands für eine thermoelektrische Umwandlungsvorrichtung
TWI482864B (zh) * 2013-08-23 2015-05-01 Univ Nat Formosa A composition having a damping characteristic, and a damper to which the composition is applied
US9950078B2 (en) 2013-10-11 2018-04-24 Medimmune Limited Pyrrolobenzodiazepine-antibody conjugates
GB201317981D0 (en) 2013-10-11 2013-11-27 Spirogen Sarl Pyrrolobenzodiazepines and conjugates thereof
EP3054986B1 (en) 2013-10-11 2019-03-20 Medimmune Limited Pyrrolobenzodiazepine-antibody conjugates
US10010624B2 (en) 2013-10-11 2018-07-03 Medimmune Limited Pyrrolobenzodiazepine-antibody conjugates
JP6317123B2 (ja) 2014-02-10 2018-04-25 昭和電工株式会社 熱電素子、熱電モジュールおよび熱電素子の製造方法
JP6192015B2 (ja) * 2014-03-28 2017-09-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 熱電変換材料用圧粉体および焼結成形体とその製造方法
GB201416112D0 (en) 2014-09-12 2014-10-29 Medimmune Ltd Pyrrolobenzodiazepines and conjugates thereof
WO2016083468A1 (en) 2014-11-25 2016-06-02 Adc Therapeutics Sa Pyrrolobenzodiazepine-antibody conjugates
GB201506411D0 (en) 2015-04-15 2015-05-27 Bergenbio As Humanized anti-axl antibodies
GB201506402D0 (en) 2015-04-15 2015-05-27 Berkel Patricius H C Van And Howard Philip W Site-specific antibody-drug conjugates
JP6266175B2 (ja) * 2015-05-29 2018-01-24 株式会社日立製作所 熱電変換材料
GB201601431D0 (en) 2016-01-26 2016-03-09 Medimmune Ltd Pyrrolobenzodiazepines
GB201602356D0 (en) 2016-02-10 2016-03-23 Medimmune Ltd Pyrrolobenzodiazepine Conjugates
GB201602359D0 (en) 2016-02-10 2016-03-23 Medimmune Ltd Pyrrolobenzodiazepine Conjugates
GB201607478D0 (en) 2016-04-29 2016-06-15 Medimmune Ltd Pyrrolobenzodiazepine Conjugates
GB201617466D0 (en) 2016-10-14 2016-11-30 Medimmune Ltd Pyrrolobenzodiazepine conjugates
GB201702031D0 (en) 2017-02-08 2017-03-22 Medlmmune Ltd Pyrrolobenzodiazepine-antibody conjugates
SI3544636T1 (sl) 2017-02-08 2021-08-31 Adc Therapeutics Sa Konjugati pirolobenzodiazepin-protitelo
CN107326250B (zh) * 2017-02-27 2019-09-10 武汉理工大学 一步超快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法
ES2926144T3 (es) 2017-04-18 2022-10-24 Medimmune Ltd Conjugados de pirrolobenzodiazepina
JP7408396B2 (ja) 2017-04-20 2024-01-05 アーデーセー セラピューティクス ソシエテ アノニム 併用療法
AU2018285562B2 (en) 2017-06-14 2024-01-18 Adc Therapeutics Sa Dosage regimes for the administration of an anti-CD19 ADC
JP7220203B2 (ja) 2017-08-18 2023-02-09 メドイミューン・リミテッド ピロロベンゾジアゼピン複合体
GB201803342D0 (en) 2018-03-01 2018-04-18 Medimmune Ltd Methods
GB201806022D0 (en) 2018-04-12 2018-05-30 Medimmune Ltd Pyrrolobenzodiazepines and conjugates thereof
DE102018117553B4 (de) * 2018-07-20 2024-05-02 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Legierung, gesinterter Gegenstand, thermoelektrisches Modul und Verfahren zum Herstellen eines gesinterten Gegenstands
CN109365806B (zh) * 2018-11-29 2021-07-23 河北诺凡新材料科技有限公司 一种高氮复合合金及其制备方法
CN115050884A (zh) * 2019-09-11 2022-09-13 大连理工大学 一种ZrNiSn基Half-Heusler热电材料及其制备方法
CN112018228B (zh) * 2020-08-26 2022-12-13 哈尔滨工业大学(深圳) 一种低热导率半赫斯勒合金热电材料及其制备方法
RU2756083C1 (ru) * 2020-10-06 2021-09-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения им. А.Г. Мержанова Российской академии наук Способ получения интерметаллидных сплавов Гейслера на основе системы Ti-Al-Me
RU2754540C1 (ru) * 2021-02-15 2021-09-03 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Электродуговой способ получения слитков Ti2MnAl
CN113046614A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 西南交通大学 NbMoHfTiZrAlSi难熔高熵合金及制备方法
CN113355500B (zh) * 2021-06-24 2022-09-23 重庆文理学院 一种淬火冷却的热量利用设备
JP7078964B1 (ja) 2022-01-11 2022-06-01 三菱製鋼株式会社 ホイスラー型金属系熱電材料及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU135528A1 (ru) 1960-03-07 1960-11-30 В.И. Кочкарев Сплав дл термоэлектрогенераторов
JPH10102170A (ja) * 1996-09-26 1998-04-21 Toshiba Corp 水素吸蔵合金およびニッケル水素二次電池
JP2001189495A (ja) 1999-12-28 2001-07-10 Yamaguchi Industrial Promotion Foundation 熱電変換材料構成原子の組合せ方法
WO2003019681A1 (fr) * 2001-08-23 2003-03-06 Nagoya Industrial Science Research Institute Matiere de transduction thermoelectrique, procede de preparation de cette derniere et transducteur thermoelectrique
JP3607249B2 (ja) * 2001-12-28 2005-01-05 株式会社東芝 熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換素子
WO2004017435A1 (en) * 2002-08-13 2004-02-26 Showa Denko K.K. Filled skutterudite-based alloy, production method thereof and thermoelectric conversion device fabricated using the alloy
JP2004119647A (ja) 2002-09-26 2004-04-15 Toshiba Corp 熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子
JP2004356607A (ja) 2002-11-12 2004-12-16 Toshiba Corp 熱電変換材料および熱電変換素子
JP4750349B2 (ja) * 2003-02-20 2011-08-17 国立大学法人 名古屋工業大学 熱電変換材料の製造方法
WO2004095594A1 (ja) 2003-04-22 2004-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 熱電変換材料、この材料を用いた熱電変換素子、ならびにこの素子を用いた発電方法および冷却方法
EP1738381A2 (en) * 2004-04-21 2007-01-03 Showa Denko Kabushiki Kaisha Process for producing a heusler alloy, a half heusler alloy , a filled skutterudite based alloy and thermoelectric converion system using them
JP4374578B2 (ja) * 2004-12-03 2009-12-02 株式会社豊田中央研究所 熱電材料及びその製造方法
US7849909B2 (en) * 2004-12-24 2010-12-14 Showa Denko K.K. Production method of thermoelectric semiconductor alloy, thermoelectric conversion module and thermoelectric power generating device

Also Published As

Publication number Publication date
US20110048590A1 (en) 2011-03-03
WO2006068325A3 (en) 2007-07-05
US20080092940A1 (en) 2008-04-24
JP2006203186A (ja) 2006-08-03
CN101080506B (zh) 2012-06-13
WO2006068325A2 (en) 2006-06-29
US7849909B2 (en) 2010-12-14
US7997325B2 (en) 2011-08-16
RU2364643C2 (ru) 2009-08-20
EP1831418A2 (en) 2007-09-12
CN101080506A (zh) 2007-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007123361A (ru) Способ получения термоэлектрического полупроводникового сплава, модуль термоэлектрического преобразования и термоэлектрическое устройство генерации электроэнергии
Izumida et al. Efficiency at maximum power of minimally nonlinear irreversible heat engines
JP5793074B2 (ja) 熱磁気発生機
JP6252413B2 (ja) 熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換モジュール
RU2012134280A (ru) Магнитокалорические материалы
RU2012143308A (ru) Магнитокалорические материалы
Zhang et al. The second-order magnetic phase transition and magnetocaloric effect in all-d-metal NiCoMnTi-based Heusler alloys
CN110335733A (zh) 一种耐高温的钕铁硼磁体及其制备方法
CN102072125A (zh) 基于单程形状记忆效应的双程线性驱动器及方法
Haq et al. An advanced PWM technique for MMC inverter based grid-connected photovoltaic systems
JP4920199B2 (ja) 希土類含有合金、その製造方法及び熱電変換材料
JP2013048234A (ja) 熱電モジュール,および熱電モジュールの製造方法
CN103325805A (zh) 高功率热电转化模块的大规模集成芯片及其制造工艺
KR102089673B1 (ko) 집광형 광전지 셀을 위한 능동 냉각
Kumar et al. Modified PV based hybrid multilevel inverters using multicarrier PWM strategy
Khan et al. An amorphous alloy magnetic-bus-based SiC NPC converter with inherent voltage balancing for grid-connected renewable energy systems
JP2013070020A (ja) 熱電材料、その製造方法、及びこれを含む熱電モジュール
JP5201691B2 (ja) 酸素を含有した金属間化合物熱電変換材料並びに熱電変換素子乃至熱電変換モジュール
CN115161533B (zh) 一种ZrCu基高熵形状记忆合金及其制备方法
CN103556005A (zh) 高温FeNiCo磁致伸缩合金及制备方法
KR101051240B1 (ko) 열전 재료
Guo et al. Feasibility study of SiC devices for low voltage converter in a wind power generation system
Belo et al. Near room-temperature thermomagnetic energy harvesting
Kishore Thermal energy harvesting using thermomagnetic effect
JP2728201B2 (ja) ゼーベック素子

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161223