RU2000101874A

RU2000101874A - Кристаллизатор для непрерывной разливки плоских стальных слитков

Info

Publication number: RU2000101874A
Application number: RU2000101874/02A
Authority: RU
Inventors: Джованни Арведи; Марио КАЛЬДОНАЦЦО; Лучано Манини; Андреа БЬЯНКИ; Анджело ВИЗИГАЛЛИ
Original assignee: Джованни Арведи
Priority date: 1997-08-04
Filing date: 1998-07-29
Publication date: 2001-10-27

Claims

1. Кристаллизатор для непрерывной разливки стальных плоских слитков, имеющих толщину в диапазоне от 50 до 120 мм, предназначенных, в частности, для прокатки тонких полос, содержащий две пары пластин, ограниченных внутри двумя узкими контактными поверхностями (f), которые плотно примыкают сбоку к противолежащим большим контактным поверхностям (F), при этом каждая из этих последних имеет профиль, симметричный относительно центральной оси (Х-Х) в горизонтальном поперечном сечении, и профиль у вертикального наружного сечения, соответствующий упомянутым узким контактным поверхностям (f) на расстоянии (t3) от упомянутой оси (Х-Х), который является либо криволинейным, либо прямолинейным, при соответствующей внутренней вогнутой или выпуклой контактной поверхности плит, с центральной вогнутой поверхностью, имеющей глубину (а), изменяющуюся, по меньшей мере, вдоль заданной длины от верхнего впускного отверстия, при этом глубина (а) равна Хс-Хb, где (Хb) и (Хс) представляют собой расстояния самого глубокого профиля в центре вогнутой поверхности и, соответственно, бокового профиля на расстоянии (t3) от оси (Х-Х), от вертикальной оси (у), совпадающей с наружной стенкой соответствующей пластины, при этом упомянутая вогнутая поверхность, ограниченная противолежащими центральными участками (Се) в горизонтальном поперечном сечении имеет длину (t2), симметричную относительно как оси (Х-Х), так и центральной оси (Z-Z) между двумя большими контактными поверхностями (F), с обеих сторон примыкающими к упомянутым узким контактным поверхностям (f), причем вогнуто-выпуклые изгибы по всей ширине также симметричны относительно осей (Х-Х) и (Z-Z), с радиусами кривизны (r1, r2), величина которых возрастает книзу, в направлении выпускного отверстия кристаллизатора, тогда как глубина (а=Хс-Хb) вогнутой поверхности уменьшается книзу, отличающийся тем, что упомянутые радиусы участка вогнутой поверхности (r1) и выпуклой поверхности (r2) имеют общее отношение r1:r2 в диапазоне от 0,6 до 1,4 в каждом горизонтальном поперечном сечении кристаллизатора.

2. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что глубина (а) вогнутой поверхности непрерывно уменьшается от верхнего уровня впускного отверстия (у= 0) до уровня выпускного отверстия вдоль всей длины кристаллизатора с конечной глубиной ≤5 мм в поперечном сечении выпускного отверстия.

3. Кристаллизатор по п. 1 или 2, отличающийся тем, что центральный участок (Се) образован радиусом rс ≥ 10 мм, который является постоянным в каждом горизонтальном поперечном сечении кристаллизатора, имеющем центр кривизны (Ос), расположенный вдоль оси (Х-Х) с противоположной стороны по отношению к оси (Z-Z), с образованием вогнутой дуги, если смотреть изнутри кристаллизатора.

4. Кристаллизатор по п.3, отличающийся тем, что центр кривизны (O1) с радиусом (r1) вогнутого участка примыкающей радиусной кривой в каждом горизонтальном поперечном сечении находится на прямой линии (X1), образующей с осью (Х-Х) угол α≥0^°, а центр (O2) выпуклого участка упомянутой кривой с радиусом (r2) расположен на прямой линии (Х2), образующей с осью (Х-Х) угол γ≥0^° с противоположной стороны от оси (Z-Z).

5. Кристаллизатор по п.4, отличающийся тем, что радиус (rс) упомянутого центрального участка (Се) равен бесконечности, вследствие чего угол α наклона прямой линии, на которой находится центр (O1) кривизны вогнутого участка (Се), без разрыва примыкающего к центральному прямолинейному участку, равен нулю.

6. Кристаллизатор по п. 1, отличающийся тем, что упомянутое отношение r1/r2 равно 1, а величина r=r1=r2 задается следующим выражением:
r=(4b² + а²)/4а,
где (а) представляет собой глубину вогнутой поверхности, a b=(t3-tl)/2 равно половине расстояния между концом центрального участка (Се) и соответствующим наружным концом вогнутой поверхности в соответствии с точкой перегиба (β) между участком вогнутой и выпуклой поверхности.

7. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что, начиная с определенного уровня (ybc) книзу от верхнего впускного отверстия, глубина (а) ниже упомянутого уровня является постоянной.

8. Кристаллизатор по п.3, отличающийся тем, что на уровне у=0, т.е. у верхнего впускного отверстия, а составляет ≤0,15(t3-tl), где t3 равно половине ширины вогнутой поверхности соответствующего центрального участка (Се).

9. Кристаллизатор по п.7, отличающийся тем, что на уровне у=0, т.е. у верхнего впускного отверстия, а составляет ≤0,1(ybc).

10. Кристаллизатор по п.7, отличающийся тем, что длина (2tl) центрального участка (Се) для всех горизонтальных поперечных сечений является постоянной.

11. Кристаллизатор по п.7, отличающийся тем, что при а ≤ 1,75 мм, постоянной на уровнях ниже (ybc), примыкающая далее дуга предусмотрена с постоянным радиусом и изгибом вогнутой поверхности между вогнутым радиусным участком и упомянутым концевым участком, примыкающим к соответствующей узкой контактной поверхности (f).