PT91310B - Meio de gravacao optica de informacao - Google Patents
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Description
PATENTE DE INVENÇÃO
N9 91.310
NOME: TAIYO YUDEN CO., LTD., japonesa, com sede em 16-20,Ueno 6-Chome, Taito-ku, Tokyo, Japão,
EPÍGRAFE: MEIO DE GRAVAÇÃO ÓPTICA DE INFORMAÇÃO
INVENTORES:Emiko Hamada, Yuji Arai, Yuaki Shi e Takashi Ishiguro.
Reivindicação do direito de prioridade ao abrigo do artigo 49 da Convenção da União de Paris de 20 de Março de 1883.
em | 30.07.88, | sob | o | NS | 191716/88 |
em | 26.08.88, | sob | o | No | 213386/88 |
em | 16.09.88, | sob | o | No | 231820/88 |
em | 24.09.88, | sob | o | NS | 239165/88 |
em | 26.10.88, | sob | o | NS | 270409/88 |
em | 14.01.89, | sob | o | NS | 7511/89 |
em | 14.01.89, | sob | o | NS | 7512/89 |
ΤΑ IYO _YUDEN_Ço^_L td
MEIO DE GRAVAÇÃO ÓPTICA DE INFORMAÇÃO
A presente invenção diz respeito a um meio de gravação óptica de informação do tipo no qual os dados podem ser gravados por um feixe de raios laser e os dados gravados podem ser reproduzidos por um feixe de raios laser de menor potência.
Os meios de gravação óptica convencionais deste tipo tem uma camada de gravação de^por exemplOjUm metal, tal como Te, Bi ou Mn? ou um corante, tal como cianina, merocianina ou ftalociani_ na, e são concebidos para gravar dados de modo tal que, quando irradiados com um feixe de raios laser, tal camada de protecção ê deformada, sublimada, evaporada ou modificada para formar cavi_ dades (pits). Com os meios de gravação óptica de informação com uma tal camada de gravação, e usual formar um espaço por detrás da camada de gravação para facilitar a deformação, a sublT mação, a evaporação ou a modificação da camada de gravação para a formação das cavidades. Um exemplo típico ê uma estrutura laminada, denominada estrutura em sanduíche de ar, na qual são laminados dois substratos com um espaço entre si.
Com os meios de gravação óptica de informação deste tipo, irradia-se um feixe de raios laser de gravação através de um substrato transparente para formar na camada de gravação cavidades svscepti vei s de ser lidas opticamente. Para a reprodução dos da^ dos gravados, faz-se a irradiação de um feixe de raios laser de leitura, com uma potência inferior a do feixe de raios laser de
-2gravação, através do substrato, sendo o contraste entre a luz r£ flectida pelas cavidades e a luz reflectida pela oorção sem cavi_ dade lido como um sinal eléctrico.
Por outro lado, os meios de gravação óptica de informação do tipo denominado ROM (read only memory - memória só para leitura), nos quais jã estão gravados dados, não sendo possível gravar outros dados nem os dados jã gravados oodem ser apagados ou de no vo gravados, são largamente usados na prãtica, nos campos da gravação sonora e no tratamento da informação. Os meios de gravação óptica da informação deste tipo não têm qualquer camada de gravação do tipo atras descrito. As cavidades que correspondem a dados a reproduzir jã estão formadas num substrato, por exemplo de policarbonato, por exemplo por moldação nor prensagem, formando-se no mesmo uma camada reflectora de um metal tal como Au, Ag,
Cu ou Al e proporcionando-se, além disso, uma camada nrotectora.
meio de gravação de informação óptica mais típico deste tipo de memórias ROM ê um disco compacto, também conhecido por CD (compact disc), que é largamente usado na gravação sonora e no campo do tratamento da informação. A especificação para a gra_ vação e para a leitura dos sinais neste CD esta normalizada, com a designação de formato CD, e os aparelhos de reprodução para os CD segundo este formato existem ã disposição amplamente sob a for ma de reprodutores de disco compacto (reprodutores CD).
Os meios atrás mencionados para a gravação óptica de informação utilizam um feixe de raios laser da mesma maneira que no
CD. Portanto, é fortemente desejável que se sigam para esses meios
-3as mesmas normas largamente prevalecentes para o CD.
Porém, os meios de gravação óptica convencionais tem uma camada de gravação que não está presente no CD e estão concebidos para formar cavidades na camada de gravação, e não no substrato. Além disso, em alguns casos, proporciona-se um espaço para formar as cavidades na camada de gravação. Por conseguinte, os sinais lidos são naturalmente diferentes dos do CD. Tem·, pois, sido di^ fTcil satisfazer nos meios de gravação óptica de informação convencionais as referidas normas CD para os CD. Em particular, a reflectância e o grau de modulação dos sinais de leitura usados são baixos para obedecer âs normas.
Por conseguinte, constitui um objecto da presente inveji ção proporcionar um meio susceptivel de ser gravado, oara gravação Óptica da informação, capaz de proporcionar elevada reflectância e sinais de leitura com um elevado grau de modulação para obedecer ãs normas CD.
A presente invenção baseía-se numa descoberta de que as cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente podem ser formadas directamente no substrato por um feixe de raios laser por meio de uma camada absorvente dos raios laser, que founciona como meio para formar as referidas cavidades, de modo que é possível obter um disco susceptivel de ser gravado opticamente que satisfaz âs normas CD.
A presente invenção proporciona um meio de gravação Ópti_ ca de informação que compreende:
-4- um substrato transmissor da luz;
- uma camada absorvente da luz sobreposta ao substrato para absorver um feixe de raios laser; e
- uma camada reflectora da luz sobreposta à camada absorvente da luz, caracterizado por o referido substrato ter uma camada , adjacente ã camada absorvente da luz, que é deformãvel pela ener gia gerada pela absorção do feixe de raios laser pela camada absorvente da luz, para formar cavidades que podem ser lidas opticamente .
Para os fins da presente invenção, a exoressão cavidades que podem ser lidas opticamente, ou simplesmente cavidades, inclui genericamente marcas, susceptíveis de ser lidas ou detect£ das, de todos os tipos.
Com este meio de gravação Óptica de informação, quando se irradia a camada absorvente da luz com um feixe de raios laser, gera-se calor oela absorção do feixe de raios laser e ao me£ mo tempo a camada sofre a fusão, evaporação, sublimação, reacção, decomposição ou modificação. Quando se aplicar o feixe de raios laser no estado focado sobre a camada absorvente da luz, a energia é gerada localmente. 0 impacte dessa energia atinge a camada da superfície do substrato adjacente ã camada absorvente da luz, de modo que a camada superficial: e deformada localmente para formar porções modificadas opticamente (cavidades que podem ler-se opticamente).
-5Assim, as porções modificadas opticamente na camada suoer. ficial do substrato são diferentes das formadas na camada de gra vação convencional, assemelhando-se antes ãs cavidades do CD pre-formadas numa superfície do substrato, por exemplo por prensagem. No meio de gravação de informação susceptível de ser grava do opticamente com uma tal estrutura, oode proporcionar-se uma camada reflectora na camada absorvente da luz em contacto estrei_ to com a mesma. Assim, também do ponto de vista da configuração, (' o meio de gravação óptica da informação segundo a presente inveji ção e semelhante ao CD. E particularmente significativo que é desse modo possível obter facilmente um meio de gravação susceptivel de ser gravado opticamente, em particular um disco óptico que pode ser gravado uma vez, que satisfaz as normas CD relativa^ mente â reflectância do feixe de raios laser, ao grau de modulação dos sinais lidos e ã taxa de erros referida aos blocos.
Descreve-se agora a presente invenção, em formas preferi_ das de realização da mesma, com referência aos desenhos anexos, r
cujas figuras representam:
A fig. 1, uma vista em perspectiva esquemática parcialmente em corte, ilustrando uma forma de realização da estrutura do meio de gravação óptica de informação segundo a oresente invenção;
A fig. 2, uma vista parcial em corte ampliada, sendo o corte feito ao longo da pista do meio de gravação de informação da fig. 1 antes da gravação Óptica;
-6A fig. 3, uma vista parcial em corte ampliada, sendo o corte feito ao longo da pista do meio de gravação óptica de informação da fig. 1 depois da gravação Óptica;
A fig. 4, uma vista parcial em corte ampliada, sendo o corte feito ao longo da pista de uma outra forma de realização do meio de gravação óptica segundo a presente invenção antes da gravação óptica;
A fig. 5, uma vista parcial em corte ampliada, sendo o corte feito ao longo da pista da mesma forma de realização depois da gravação óptica;
A fig. 6, uma vista parcial em corte ampliada, sendo o corte feito ao longo da pista de ainda outra forma de realização do meio de gravação óptica de informação segundo a presente inve£ ção antes da gravação óptica;
A fig. 7, uma vista parcial em corte ampliada , sendo o corte feito ao longo da pista da forma de realização da fig. 6 depois da gravação óptica;
A fig. 8, uma vista parcial em corte ampliada, sendo o corte feito ao longo da pista de uma outra forma de realização da presente invenção antes da gravação óptica;
A fig. 9, uma vista parcial em corte ampliada da forma de realização da fig. 8 depois da gravação Óptica;
-7A fig. 10, uma vista parcial em corte ampliada, sendo o corte feito através da pista de ainda outra forma de realização do meio de gravação óptica segundo a presente invenção antes da gravação Óptica;
A fig. 11, uma vista oarcial em corte ampliada, sendo o corte feito ao longo da pista da forma de realização da fig. 10 depois da gravação óptica^
A fig. 12, um gráfico que mostra a relação entre um parã metro Óptico representado pela fórmula p - na5S c*a5S/A? na qual nabs rePresenta a parte real do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz do disco óptico, daf)S representa a espes^ sura da camada absorvente da luz e λ representa o comprimento de onda do feixe de raios laser de leitura e a reflectância do feixe de raios laser de leitura;
A fig. 13, um gráfico que mostra a relação entre a narte imaginária k do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz do disco óptico e a reflectância do feixe de raios laser de leitura; e
A fig. 14, uma vista parcial esquemática em perspectiva, ampliada, da superfície do substrato transmissor da luz do meio de gravação óptica de informação segundo a presente invenção depois da gravação óptica;
As fig, 15(a) e 15(b), gráficos que mostram a relação en tre a distância variável de uma ponta ou sonda ao longo da pista
-δε a altura da cavidade ou protuberância, quando a superfície do substrato transparente da fig. 14 foi observada por STM (scanning tunneling microscope - microscópio de varrimento de efeito de túnel).
As fig. 1 a 11 ilustram esquematicamente várias estrutjj ras do meio de gravação óptica de informação segundo a presente invenção. Nestas figuras, (1) indica um substrato transmissor ('·' da luz, (2) uma camada absorvente da luz sobreposta ao substrato e (.3) uma camada reflectora da luz sobreposta a camada absorvente da luz. (4) índica uma camada de protecção.
substrato transmissor da luz (1) é feito de um material com uma elevada transparência para o feixe de raios laser, sendo usualmente feito de uma resina com uma resistência excelente, tal como um policarbonato, uma resina de acrilato ou uma resina epoxidica. No entanto, o substrato pode ser feito de qualquer outro material desde que seja transparente para os feixes de raios 1 a\ ser de leitura e de escrita e pelo menos a camada da superfície adjacente ã camada absorvente da luz seja deformãvel pela energia gerada pela camada absorvente da luz pela absorção do feixe de raios laser de escrita para formar cavidades que podem ser lidas opticamente. · A este respeito, o substrato, ou pelo menos a sua camada da superfície, tem de preferência uma temperatura de distorção pelo calor dentro da gama de 85 a 200°C, mais preferentemente de 9.Q a 15O.°C, medida de acordo com a norma ASTM D648, sob a carga de 4,6 kg/cm^, e/ou uma dureza Rockwell dentro da gama de M200 a Λ475, mais preferivelmente de Ml 05 a M80, medida de acordo com a norma ASTM D785. Ouando a temperatura de distorção pelo calor
-9ou a dureza Rockwell do substrato estiverem nas referidas gamas de valores, a energia gerada pela camada absorvente da luz (2 ) por absorção do feixe de raios laser de gravação oode efectivamente ser absorvida pela deformação local da camada da superfície do substrato (1 ) , de modo que não permanece qualquer tensão substancial nas cavidades formadas, pelo que a estabilidade dos dados gravados fica assegurada. Se a temperatura de deformação pelo calor ou a dureza forem demasiadamente baixas, as cavidades formadas tendem a ser facilmente deformadas Delo calor ou por for ças exteriores, de modo que a estabilidade será baixa, Dor outro lado, se a temperatura de distorção pelo calor ou a dureza forem demasiadamente elevadas, a energia gerada pela camada absorvente da luz (2) dificilmente pode ser absorvida sob a forma de deformação do substrato (1), sendo difícil formar cavidades (5) distiji tas, de modo que serã difícil obter sinais de leitura com um elevado grau de modulação.
A espessura do substrato £1 } não ê critica, mas estã usualmente compreendida entre 1,1 e 1,5 mm.
A camada absorvente da luz £2} e uma camada que absorve um feixe de raios laser que penetra através do substrato transmi^ sor da luz £1 ], de modo que gera calor e ao mesmo tempo sofre a fusão, evaporação, sublimação, reacção, decomposição ou modific^ ção. Essa camada e formada usualmente aplicando por centrifugação uma camada de um material corante, tal como um corante de cianina, sobre o substrato (1) ou sobre uma camada intercalar (6) formada no substrato £1).
A espessura da camada absorvente da luz (2) esta usualmente compreendida entre 20 e 500 nm, de preferência entre 100 e 300 nm.
A camada reflectora da luz (3) ê usualmente feita de um metal tal como o ouro, a prata, o cobre, o alumínio ou uma sua liga. A espessura da camada reflectora da luz (3) está usualmente compreendida entre 30 e 150 nm, de preferência entre 40 e 130 nm.
A camada protectora £4} ê feita de uma resina com uma r£ sistência ao choque excelente, como o substrato transmissor da luz (1), sendo mais correntemente formada por um revestimento de resina curável por raios ultravioletas, por revestimento por ceji trifugação, seguida por irradiação com raios ultravioletas oara a cura. Outros materiais são uma resina epoxidica, uma resina de acrilato e uma resina siliconica rija para revestimento, É também possível usar um material resiliente, tal como uma resina de uretano, para se obter uma acção de almofada,
A espessura da camada de protecção (4) não ê crítica, e^ tando normalmente compreendida entre 3 e 30 micrómetros, de oreferência entre 5 e 15 micrómetros.
Como se representa nas fig, 4 a 7, pode colocar-se entre o substrato (1) e acamada absorvente da luz (2) uma camada inter calar (6), tal como uma camada de resina ou uma camada resistente aos dissolventes. Como se mostra nas fig, 5 e 7, uma tal cam£ da intercalar (6) deforma-se pela energia gerada pela camada absorvente da luz (2) por absorção do feixe de raios laser para fo£
-limar cavidades (pits) modificadas opticamente (5), Se a referida camada intercalar (6) for suficientemente espessa, formar-se-ão na mesma cavidade (5), como se mostra na fig. 5, servindo a camada intercalar como camada superficial do substrato (1). Se a camada intercalar (6) for relativamente fina, isto é, se tiver uma espessura no máximo de 30 nm, nao sõ a camada intercalar (6) mas também o substrato (1] serão deformados, como se mostra na fig. 7. Se essa camada intercalar (6) não estiver presente, a camada superficial do substrato (1) será deformada, como se mos tra na fig. 3, para formar cavidades (5) modificadas opticamente,
A camada intercalar (6) tem de preferência uma temperat^ ra de deformação pelo calor compreendida entre 50 e 150°C, mais preferivelmente entre 85 e 140°C, medida de acordo com a norma 2
ASTM D648, sob uma carga de 4,6 Kg/cm e/ou uma dureza Rockwell compreendida entre M100 e M50, mais preferivelmente entre M95 e M75, medida de acordo com a norma ASTM D785. A temperatura de distorção pelo calor e a dureza Rockwell da camada intercalar (6) com valores dentro das gamas atras referidas são preferidas pelas mesmas razoes citadas relativamente à temperatura de distorção pelo calor e a dureza Rockwell do substrato (1 ). A camada intercalar (6) pode ser feita de uma resina tal como uma resina de acrilato, uma resina de cloreto de vinilo, uma resina de cl £ reto de vinilideno, uma resina de poliestireno, uma resina de po liéster, uma resina de poliuretano, uma resina de celulose ou uma resina silicõnica. Porém, pode utilizar-se qualquer outra resina desde que satisfaça as caracteristicas atrãs mencionadas para a camada intercalar (6) .
A espessura da camada intercalar esta usualmente compre12-
endida entre 2 nm e 500 jjm de preferencia entre 10 e 200 nm.
Além disso, pode colocar-se uma camada dura (15) mais d£ ficilmente deformãvel pelo calor do que o substrato entre a cam£ da absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3), como se mostra nas fig. 8 e 9, ou na camada reflectora da luz (3) , como se mostra nas fig, 10 e 11. A camada dura (15) ê feita de um material mais dificilmente deformãvel oelo calor do que o S£ bstrato e de preferencia tendo uma dureza Rockwell de pelo menos
M100, medida de acordo com a norma ASTM 0785 e/ou uma temperat£ ra de distorção pelo calor' de pelo menos 100°C, mais preferente mente pelo menos 13Q°C, medida de acordo com a norma ASTM 0648 , sob uma carga de 4,6 kg/cm .
Cada uma das figuras 2, 4, 6, 8 e 10 ilustra um estado antes da gravação Óptica por um feixe de raios laser. Cada uma das figuras 3, 5, 7, 9 e 11 ilustra um estado depois da gravação óptica. Designadamente, quando se faz. incidir um feixe de raios laser (7) proveniente de um captador õotico (8), num estado de focagem, na camada absorvente da luz (2), a camada de superfície do substrato (1) é deformada localmente pela energia gerada na camada absorvente da luz (2) para formar cavidades modificadas opticamente (5), como se ilustra esquematicamente nestas figuras.
No meio de gravação óptica da informação segundo a preseji te invenção, é preferido que o parâmetro Óptico representado por p = Habs^abs^Z ’ onc*e nabs θ a Parte rea^ do índice de refracção
raios laser de leitura, seja 0,05^p^0,6 e a parte imaginária kabS do índice de refracção complexa.da camada absorvente da luz seja no máximo igual a 0,3, A fig. 12 ê um gráfico que mostra a relação entre o parâmetro óptico p = nab<.dabs/X? onde nabs é a parte real do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz (2) do disco óptico, dab$ ê a espessura da camada absorvente da luz (2) e λ ê o comprimento de onda de um feixe de raios laser de leitura, e a reflectância da luz que entra através do substrato, quando se tiver usado um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda X de 780 nm, como feixe de raios laser de leitura, relativamente a dois exemplos de disco óptico. Além disso, a fig, 13 mostra a reflectância quando a parte imaginária kabs variou de um valor nrõximo de 0 para um valor igual a 2,0, variando a transmitância da luz da cjj mada absorvente da luz, mantendo-se a parte real do índice de r£ fracçao complexo num nível constante de nab$ = 2,4, relativamente a um disco óptico no qual se usou uma película de ouro como camada reflectora da luz. A oartir destas figuras, é evidente que, quando o parâmetro óptico ρ = n a & $ d & $ /.\ e a oarte imaginária satisfizerem as condições atrãs indicadas, é nossível obter uma reflectância elevada, sendo desse modo possível asseg£ rar as características normalizadas estipuladas nas normas CD? x isto e, uma reflectância de pelo menos 70%,
A fig. 14 ilustra esquematicamente a superfície do substrato transmissor da luz (1) do meio de gravação Óptica de info£ mação segundo a presente invenção, com uma camada Drotectora (4), a camada reflectora da luz (3) e a camada absorvente da luz £2) retiradas depois da gravação óptica, Designadamente, a fim de
-14formar as cavidades (5) ao longo de uma ranhura prévia (9), que é uma ranhura de guia de encaminhamento formada na superfície do substrato (1), fez-se a irradiação de um feixe de raios laser nw dulado por sinais EFM da camada absorvente da luz (2) ao longo da ranhura previa (9), sendo depois a camada protectora (4) e a camada reflectora da luz (3) despegadas do substrato (1 ) , Depois removeu-se também a camada absorvente da luz (2) da superfície do substrato (1).
Além disso, observou-se a superfie de um substrato transmissor da luz (.1) ao longo da ranhura prévia (9) por STM (scanning tunneling microscope - microscópio de varrimento de efeito de túnel). Os resultados estão indicados nas fig. 15(a) e 15(b). Nestas figuras, em abcissas indica-se a distância per corrida por uma ponta (sonda) (10) ao longo da ranhura prévia (9), isto é, no sentido do encaminhamento na pista, e em ordenadas indica-se a altura da superfície do substrato (1). A fig.
15(a) ilustra um caso em que o comprimento de uma cavidade é reo lativamente curto, ao nível dos 10 000 A, sendo evidente que se formou uma deformação nítida na forma da protuberância com uma o altura de cerca de 200 A, Analogamente, a fig, 15(b) ilustra um caso em que o comprimento de uma cavidade é relativamente grande, o ao nível dos 40 000 A, observando-se uma deformação sob a forma o de protuberância com uma altura de cerca de 200 A, mas a protube rãncia tem dois picos com uma porção ligeiramente mais baixa no centro. Assim, numa forma de realização preferida, formam-se cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente na ranhura prévia (9), como ranhura de guia prévia da pista formada na camada superficial deformãvel da camada do substrato (1),
-15No meio de gravação óptica de informação segundo a presente invenção, uma camada por detrás da camada absorvente da luz (2) relativamente ao substrato transmissor da luz (1), tal como a camada reflectora da luz (3) ou a camada protectora (4), é de preferência feita de um material com uma temperatura de d£ formação pelo calor e uma dureza maiores do que as da camada on de são formadas as cavidades (5), Formando a camada por detrãs da camada absorvente (2) com um material duro, pode reduzir-se eficazmente a taxa de erros de blocos dos sinais gravados, de mo/ do que Ó faci1 mente possível satisfazer os requisitos normalizados de BLER (block error rate - Taxa de erros referida aos blo- 2 cos) para nao ser superior a 3 x 10 , como se prescreve nas no£ mas CD.
Vai agora descrever-se a presente invenção com mais pormenor, com referência a exemplos da mesma. Deve, no entanto, com preender-se que a presente invenção não se limita de modo nenhum a estes exemplos específicos.
EXEMPLO 1
Formou-se, por moldação por injecção, um substrato de policarbonato (1) com uma esoessura de 1,2 mm, um diâmetro exte rior de 120 mm e um diâmetro interior de 15 mm e com uma ranhura helicoidal prévia formada na sua superfície com uma largura de 0,8 micrómetros, uma profundidade de 0,08 micrómetros e um passo de 1,6 micrómetros. Este substrato (1) de policarbonato tinha a durez Rockwell [ASTM D785) de M75, que corresponde a dureza HB de'um lãpis, e , uma temperatura'de':di storção. oel o calor (ASTM
D648) de 121°r, sob uma carga de 4,6 kg/cm^.
Como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2), dissolveram-se 0,65 g de perclorato de 1,11-dibuti l-3,3 , 3l,3'-tetrametil-4,5,4'-5,-dibenzoindodicarbocianina (produto n9 NK3219, fabricado pela Nippon Kanko Shikiso Kenkyusho}, em 10 ml de um dissolvente de diacetona-í1cool e revestiu-se a soli£ ção, por um revestimento centrífugo, na superfície do substrato (1) para formar uma camada absorvente da luz (2) de uma película corante sensível a luz com uma espessura de 130 nm. 0 parâmetro óptico p = na5S c'at)S/X > °η^θ naf)S θ a parte real do índice de refracção complexo da camada absorvente da luz (2J, dab$ ê a espes_ sura da camada e X e o comprimento de onda de um feixe de raios laser de leitura, era igual a 0,45, e a parte imaginaria kabs do índice de refracção complexo era igual a 0,05.
Formou-se depois uma película de ouro com uma espessura de 80 nm, por deposição catódica em toda a superfície da zona co berta pelo diâmetro de 45 a 113 mm deste disco, para formar uma camada reflectora da luz (3). Alem disso, sobre esta camada reflectora da luz (3) fez-se, por centrifugação, um revestimento de uma resina curável por raios ultravioletas, o qual foi curado por irradiação de raios ultravioletas, para formar uma camada oro^ tectora (4) com uma espessura de 10 micrómetros. Depois da cura, esta camada protectora f4) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 e uma temperatura de distorção Delo calor (ASTM D648) de o 9
135 C sobre uma carga de 4,6 kg/cm,
Irradiou-se o disco óptico assim obtido por meio de um laser de semicondutor com um comprimento de onda de 780 nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s, com uma potência de gravação
-17de 6,0 mW, para gravar sinais EFM. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com um reprodutor de CD existente no mercado (Aurex XR-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser de leitura Á/ = 780 nm) , sendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor 72%, Γ,,/Ι. sendo 0,68, Ιο/Γ, sendo 0,35
1I top o too e a taxa de erros referida aos blocos sendo 1,2 x 10
As normas CD prescrevem que a reflectância seja de pelo menos 70%, seja Pe^° menos de 0.6, ^3^top seia θ»3 a 0,7 e a taxa de erros referida aos blocos BLER não seja supe_ 2 rior a 3 x 10 .0 disco ootico deste exemplo satisfaz estas no^ mas.
Além disso, depois da gravação, a camada protectora (4) e a camada reflectora da luz (3) do disco ÕDtico foram despegadas e inspeccionou-se a superfície exposta da camada absorvente da luz (2), tendo sido observadas irregularidades finas lineares que aparentam representar o perfil das cavidades. Além disso, a camada absorvente da luz (2) foi lavada com um dissolvente e ins peccionou-se a superfície do substrato (1), tendo sido confirma, da a formação das cavidades (5) modificadas opticamente,
A estrutra em camadas deste disco óptico estã representada esquematicamente na fig. 2, estando representada esquematicamente na fig. 3 a mesma estrutura depois da gravação óptica,
EXEMPLO 2
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 1, excepto que se fez por centrifugação um revestimento de resina epoxTdica para formar uma camada dura com uma espessura de 100 nm entre a camada absorvente da luz (2) e a camada refle£ tora da luz (3) no exemplo 1, Depois da cura, esta resina epoxí dica tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 0643) de 135°C, sob uma carga de 4,6 kg/cm .
Neste disco Óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 1, Fez-se depois a reorodução deste disco Óptico com um reprodutor Óptico de CD existente no mercado, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicoji dutor e sendo as caracteristicas de saída dos sinais de leitura as mesmas que no exemplo 1, e sendo a taxa de erros referida aos blocos BLER igual a 3,0 x 10 . Inspeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco óptico depois da gravação, da mesma manei ra que no exemplo 1, para confirmar a formação das cavidades (5).
EXEMPLO 3
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 1, excepto que se formou por revestimento centrífugo, entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3} no exemplo 1, uma camada dura de uma resina silicÕnica de acrií£ to com uma espessura de 100 nm sobre a camada absorvente da luz (2), e formou-se uma camada de ligação de uma resina eooxídica com uma espessura de 20 nm na superfície superior desta camada superior por revestimento centrífugo, Depois da cura, esta cam£ da de resina silicónica de acrilato tinha uma dureza Rockwell
-19(ASTM D785) de Ml 00 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 100°C, sob uma carga de 4,6 kg/cm?.
No disco Óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,0 mW da mesma maneira que no exem pio 1. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD (Aurex XR-V73) usado no exemplo 1 com um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 780 nm, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semiconr dutor sido de 75%, 0,63, 0,35 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 2,5 x 10 . Alem disso, inspeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5).
EXEMPLO 4
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exem pio 1, excepto que se formou no exemplo 1 uma película de uma li ga de ouro e antimónio numa reiaçao de 9:1, por deposição de vapor no vacuo, como camada reflectora dá luz (3), sobre a camada absorvente da luz (2), e formou-se sobre esta camada reflectora da luz (3) uma camada protectora (4) de uma resina curável por raios ultravioletas com uma camada de ligação de uma resina epoxidica com uma espessura de 20 nm interposta entre as mesmas. A referida camada reflectora da luz (3) tinha uma dureza de pelo menos a de um lápis de graduação H.
Gravou-se o disco óptico assim obtido com sinais EFM com
uma potência de 6,2 mM da mesma maneira que no exemplo 1, Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido de 72%, a relação í]-|/It0D θ»62, ϊβ/^θρ
0,32 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,5 x 10 . Alem disso, inspeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco õ_o tico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 1, para confirmar a formação das cavidades (5).
EXEMPLO 5
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 1, excepto que no exemplo 1 se fez um revestimento por centri_ fugação de uma resina de revestimento do tipo duro curável pelos raios ultravioletas na face do substrato de policarbonato (1) ojn de incide a luz para formar uma camada de protecção do substrato com uma espessura de 1 micrómetro, sendo a camada absorvente da luz (2) formada na face que tem a ranhura prévia, tendo sido for mada nesta camada absorvente da luz (2) uma oelicula de uma liga de ouro e iridio numa relação de 3:1, oor deposição catódica, co_ mo camada reflectora da luz (3), A camada reflectora da luz tinha uma dureza de pelo menos 5H da escala de dureza dos lápis.
No disco Óptico aasim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 1. Depois fez-se a reprodução do disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD que se usou no exemplo 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 70%, 1]]/1tOp θ, 62, 13 /11 θ p 0,37 e a taxa de erros referida
. 3 aos blocos BLER 3,7 x 10 , Alem disso, insoeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco óptico depois da gravação, da me£ ma maneira que no exemplo 1 para confirmar a formação de cavidades (5).
EXEMPLO 6
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exem pio 1, excepto que no exemplo 1 a camada reflectora da luz (3) foi feita de prata, com uma espessura de 60 nm, e sobre a mesma aplicou-se um revestimento Siliconico duro, oor centrifugação, que se aqueceu e curou para formar uma camada protectora dura (4) com uma espessura de 3 micrómetros. A camada protectora (4)' tinha uma dureza de pelo menos HB da escala de dureza dos lápis.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 1. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de CD que no exemplo 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71%, hl^top 0,63 e k^top 0,35 θ a taxa de erros referida aos- bl£ cos BLER 2,8 x 10 . Inspeccionou-se, além disso, a suoerficie do substrato (1) do disco Óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 1, para confirmar a formação de cavidades (5),
EXEMPLO 7
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 1, excepto que no exemplo 1 se fez um revestimento, por cen-22trifugação, com resina epoxTdica incorporada com polissulfureto diluída com éter diglicidi1ico , para formar uma camada de ligação de 30 nm sobre a camada reflectora da luz (3) formada por deposição de vapor sob vazio de uma película de ouro com uma espessura de 50 nm, e fez-se um revestimento por centrifugação de um agente de revestimento duro de silicone sobre a camada de ligação , aqueceu-se e curou-se para formar uma camada protectora dura (4) com uma espessura de 3 micrómetros.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 1, Fez-se depois a reprodução deste disco óptico pelo mesmo reprodutor de discos CD usado no exem pio 1, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicond^ tor sido 72%, I-| i/Itop 0,65, 0,35 e a taxa de erros r£ ferida aos blocos BLER 2,5 x 10 , Alem disso, inspeccionou-se a superfície do substrato (1) do disco óptico, da mesma maneira que no exemplo 1, para confirmar a formação das cavidades (5),
EXEMPLO 8
Preparou-se um disco õntico da mesma maneira que no exem pio 1, excepto que no exemplo 1 se formou a camada absorvente da luz (2) usando perclorato de 1,1'-dtbutil-3,3,3'-3'-tetrametil- 5,51-dietoxiindodicarbocianina, formou-se uma camada dura de uma resina epoxidica com uma espessura de 100 nm sobre a camada reflectora da luz (3) e sobre esta formou-se uma camada de res-ina curável por raios ultravioletas com uma espessura de 10 micrõme-23-
tros e depois formou-se a camada protectora (4),
No disco Óptico assim formado, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 1. Fez-se depois a reprodução do disco Óptico pelo mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 1, teji do a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido
74%, I-|-|/ItOp 0,68, 0,34 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 8,3 x 10 . Alem disso, inspeccionou-se a super ficie do substrato (1) do disco óptico depois da gravação, da me£ ma maneira que no exemplo 1, para confirmar a formação das cavida_ des (5) .
EXEMPLO 9
Aplicou-se, por centrifugação, na suoerfície do mesmo S£ bstrato de policarbonato (1) usado no exemplo 1, uma resina de acrilato dissolvida em diisobuti1-cetona para formar uma camada intermédia (6) com uma espessura de 40 nm, Esta camada intermédia (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) e M85 e uma temoera_ tura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 100°C sob uma carga· de 4,6 kg/cm .
Como corante orgânico, para formar a camada absorvente da luz (2), dissolveram-se 0,6 g de iodeto de 1 ,1 '-dipropi1-3,3,3 ' ,3 1 - tetrameti 1 - 5 ,5 1 - dimetoxi i ndodicarhociani na em 10 ml de um dissoj_ vente de álcool isopropilico, Aplicou-se a solução por centrifugação como revestimento na superfície do referido substrato [1] para formar uma camada absorvente da luz (2) de uma película de
corante orgânico sensível ã luz com uma espessura de 120 nm. 0 pa_ râmetro Óptico p = nabsdabs/X , onde nabs é a parte real do índice de refracção complexo desta camada absorvente da luz (2), dabs e a espessura da camada e X o comprimento de onda de um feixe de raios laser de leitura, tinha o valor de 0,41 e a parte imaginária kabs do índice de refracção complexo tinha o valor de 0,02,
Formou-se depois sobre a mesma um revestimento, por centrifugação, de uma resina silicõnica de acrilato dissolvida em ciclo-hexano para formar uma camada de resina silicõnica de acn lato com uma espessura de 100 nm, uma dureza 2H da escala de dureza dos lápis e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 120°C, sob uma carga de 4,6 kg/cm2. Formou-se depios , por deposição catódica, uma película de ouro com uma espessura de 50 nm para se obter uma camada reflectora da luz (3). Deoois revestiu-se, por centrifugação, esta camada reflectora da luz (3) com uma resina curável pelos raios ultravioletas, a qual foi curada por irradiação com raios utl ravi ol etas para formar uma ca_ mada protectora (4) com uma espessura de 10 micrómetros. Depois da cura, esta camada protectora (4) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M90, uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 135°C, sob uma carga de 4,6 kg/cm2.
Irradiou-se o disco óptico assim obtido com um feixe de raios laser de semicondutor, com o comprimento de onda de 730 nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s, com uma potência de gravação de 7,5 mW, para gravar sinais EFM, Fez-se depois a reprodjj ção deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exem pio 1, tendo a ref1ectância do feixe de raios laser de semicondu-25-
tor sido 74%, q/Ttop 0,62, Γ3/Γ.(-θρ °»31 e a taxa de erros re ferida aos blocos BLER 4,0 x 10 Λ
Além disso, despegaram-se a camada protectora (4] e a c£ mada reflectora da luz (3) do disco óptico depois da gravação e lavou-se a camada absorvente da luz (2) com um dissolvente , inspeccionando-se depois a camada intercalar (6) para confirmar a formação das cavidades (5).
EXEMPLO 10
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exem olo 9, excepto que no exemplo 9 se aplicou na camada intermédia (6), por centrifugação, um agente de revestimento silicónico nara formar uma camada de silicato com uma espessura de 0,01 micrómetros, sendo a camada absorvente da luz (2) formada sobre a mes.
ma .
No disco Óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,8 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco Óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 73%, I -j /1 θ η 0,62 , h^top θ’3! e a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,4 x 10 Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades [5].
EXEMPLO 11
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que no exemplo 9 foi usado um substrato de vidro como substrato 1, e fez-se um revestimento, por centrifugação , da camada reflectora com uma resina de isocianato dissolvida com uma mistura dissolvente de tolueno e meti 1-eti1-cetona, numa relação de 1:1, para formar uma camada de ligação com uma espessura de 20 nm.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,2 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco Óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, I. ,/L· 0,65 , ι ι top /110 p 0,33 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,6 x 10 Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5),
EXEMPLO 12
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que no exemplo 9 se aplicou na camada intermédia (6), por centrifugação, uma camada de agente de revestimento sili_ cónico para formar uma camada de silicato com uma espessura de 0,01 micrómetro, sendo a camada absorvente da luz (2} formada so bre a mesma, e aplicou-se, por centrifugação, na camada reflecto
-27ra, um revestimento de polibutadieno para formar uma camada de ligação com uma espessura de 20 nm.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,2 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, I -j -| /1 tOp 0,66,
0,35 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,5 x 10 Alem disso, inspeccionou-se a camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5).
EXEMPLO 13
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que se alterou a espessura da camada intermédia (6) para 20 nm, não se proporcionou qualquer camada de resina si licõnica de acrilato e formou-se, por deposição catódica, uma película de uma liga de irTdio e ouro, na relação de 1:9, como cam£ da reflectora da luz (3), A camada da liga tinha a dureza.2H da escala de dureza dos lãpis.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,0 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71%, Γ -j /1 tOp θ»63
-28^^top θ»32 θ a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,3x10 Alem disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5). As cavidades (5) chegavam até a superfície, visto que a espessura da camada intermédia (6) era pequena.
A estrutura das camadas deste disco óptico estã ilustrada esquematicamente na fig. 6 e a mesma estrutura depois da gravação óptica estã ilustrada esquematicamente na fig. 7«
EXEMPLO 14
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que no exemplo 9 se aplicou, por centrifugação, um agente de revestimento silicónico na camada intermédia (6J para formar uma camada de silicato com uma espessura de 0,01 micrómetros , sendo a camada absorvente da luz (2) formada na mesma, não se tendo formado qualquer camada de resina silicõnica de acrilato, e tendo sido formada uma película de uma liga de iridio e ouro, numa relação de 9:1, por deposição catódica, como camada ref1ectora (3).
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,8 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios leser de semicondutor sido 71%, I-, ] θ ,
-29Ιβ/^ορ θ’32 θ a taxa de erros referida aos Blocos BLER 2,8x10 Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formação das cavidades (5).
EXEMPLO 15
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que no exemplo 9 não se formou qualquer camada de resina silicõnica de acrilato, formou-se, por deposição catódica, uma película de uma liga de irídio e ouro, numa relação de 1:9, como camada reflectora (3) e fez-se, por centrifugação, um revestimento de poliisopreno sobre a camada reflectora da luz para fo£ mar uma camada de ligação com uma espessura de 20 nm e sobre ela uma camada de protecção (4) de uma resina curável pelos raios ul travioletas.
No disco óptico assim obtido gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,4 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, I η -| / Γ t θ 0,64,
0,32 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 4,1 x 10 . Alem disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades (5),
EXEMPLO 16
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que no exemplo 9 não se formou qualquer camada silicõnica de acrilato, formou-se uma película de cobre com uma espessura de 50 nm como camada reflectora (3), fez-se, por centrif£ gação, um revestimento com resina epoxídica do tipo de Bisfenol curável, diluída num dissolvente de éter diglicílico, para formar uma camada de resina epoxídica com uma espessura de 10 micrõmetros como camada de protecção (4). A camada de protecção tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de Ml 10, tendo assim uma função de camada dura.
Gravou-se o disco óptico assim obtido com sinais EFM com uma potência de 7,0 mW da mesma maneira que no exemplo 9, Depois reproduzi u-se este disco óptico com o mesmo reproudtor de CD usa.
do no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 75%, ίηη/Ι-^θρ θ,64 , 13/Γ0ρ θ > 3 3 e a taxa de - 3 erros referida aos blocos BLER 2,9 x 10 . Alem disso, inspecci£ nou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confir mar a formação de cavidades (5),
EXEMPLO 17
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que no exemplo 9 se aplicou, oor centrifugação, um revestimento de um agente de revestimento silicõnico sobre a cama /
-31da intermédia (6) para formar uma camada de silicato com uma espessura de 0,01 micrómetros, formando-se a camada absorvente da luz (2) sobre a mesma, não tendo sido formada qualquer camada de resina silicónica de acrilato, formou-se uma película de cobre com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3) e fez-se, por centrifugação, um revestimento com resina epoxídica do tipo de bisfenol curável, diluída num dissolvente de éter diglicidílico, para formar uma camada de resina epoxídica com uma espessura de 10 micrómetros como camada de protecção (4).
Gravaram-se no disco óptico assim obtido sinais EFM com uma potência de gravação de 7,0 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Depois fez-se a reprodução deste disco óptico usando o mesmo reprodutor de CD do exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74%, í-|i^top 0,64, _ 3
I3/ItOp 0,33 e a taxa de erros referida aos blocos BLEP 3,5 x 10 Além disso, inspeccionou-se a camada intermédia (5) do disco Óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formaçãode cavidades ·ζ5).
EXEMPLO 18
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 9, excepto que no exemplo 9 não se formou qualquer camada silicónica de acrilato, formou-se uma película de cobre com uma es pessura de 50 nm por deposição de vapor sob vazio como camada re flectora da luz (3), fez-se, por centrifugação, um revestimento
-3 2de uma resina de acetato de polivinilo dissolvida com um dissolvente de uma mistura de tolueno e meti 1-eti1-cetona, numa relação de 6:4, sobre a camada reflectora da luz, para formar uma camada de ligação com uma espessura de 20 nm, formou-se sobre a mesma a camada de protecção (4) e fez-se um revestimento, por centrifuga. ção, de uma resina epoxídica de bisfenol curãvel diluída com um dissolvente de éter d i g 1 i ci dí 1 i co para formar uma camada de resi_ na epoxídica com uma espessura de 10 micrómetros como camada pr£ tectora (4) .
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM com uma potência de gravação de 7,4 mW da mesma maneira que no exemplo 9. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o mesmo reprodutor de CD que no exemplo 9, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74%, Γ,,/I. 0,64 ,
1 top ~ 3 q/^op e a taxa de erros referida aos blocos BLER 3,6x10
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6) do disco óptico depois da gravação, da mesma maneira que no exemplo 9, para confirmar a formação de cavidades Q5] .
EXEMPLO 19
Utilizou-se como substrato transmissor da luz (1) um di£ co de policarbonato (Panlite, marca registada, fabricado por Tenjin Kasei K. K, ) com uma espessura de 1,2 mm, um diâmetro exte rior de 120 mm e um diâmetro interior de 15 mm, possuindo uma ranhura helicoidal prévia (8) com uma largura de 0,8 micrómetros, uma profundidade de 0,08 micrómetros e um passo de 1,6 micrómetros
-33numa zona coberta pelo diâmetro desde 46 a 117 mm do disco, formado por moldação por injecção. Este substrato de policarbonato (1) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 e uma temperat£ ra de distorção pelo calor (ASTM D648) de 135°C sob uma carga de
4,6 kg/cm . Como corante orgânico para formar a camada absorveji te da luz (2), dissolveram-se 0,65 g de perclorato de 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-te trame ti 1-4,5,4'., 5'-dibenzoindodicarbocianina (produto nQ NK3219, fabricado por Nippon Kanko Shikiso K. K.) em 10 ml de um dissolvente de diacetona-ãlcool, Fez-se com esta solução um revestimento, por centrifugação, da superfície do substrato (1) para formar uma camada absorvente (2) com uma espessura de 130 nm.
Formou-se depois, por deposição catódica, uma película de prata com uma espessura de 50 nm sobre toda a superfície de uma zona coberta pelo diâmetro de 45 a 118 mm deste disco para for mar uma camada reflectlora da luz [3), Além disso, fez-se so bre esta camada reflectora da luz (3), por centrifugação, um re vestimento de resina curável por raios ultravioletas e curou-se por irradiação com raios ultravioletas para formar uma camada de protecção [4) com uma espessura de 1Q micrómetros, Denois da cura da resina curável por raios ultravioletas, esta camada de protecção (4) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785J de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 150°C sob uma 2 carga de 4,6. kg/cm ,
Fez-se a irradiação deste disco óptico assim obtido com um feixe de raios laser de semicondutor com um comorímento de ori da de 780 nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s com uma potên
-34cia de gravação de 6,0 mW para gravar sinais EFM. Fez-se depois a reprodução deste disco Óptico com um reprodutor de CD existente no comercio (Aurex XR-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser _λ/=780 nm) , tendo sido obtidos a partir do padrão vi_ suai dos sinais lidos I-j i/^od 0,63 e k^top θ’3^·
As normas CD prescrevem que η/ί-^σρ θ l gua^ a Pe^° me_' nos 0,6 e k^top varia de θ’3 a θ»7· Assim, o disco óptico de£ te exmplo obedece ãs normas,
Alem disso, despegaram-se, depois da gravação, a camada de protecção (4) e a camada reflectora da luz (3) do disco Õptico e inspeccionou-se a superfície da camada absorvente da luz (2), tendo sido observadas irregularidades lineares finas que aparentam representar o perfil exterior das cavidades. Além dis_ so, lavou-se a camada absorvente da luz (2) com um dissolvente, tendo sido inspeccionada a superfície do substrato, tendo sido observadas cavidades opticamente modificadas (5) sob a forma de protuberânci as.
EXEMPLO 2Q
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exemplo 19, excepto que no exemplo 19 se usou como substrato transmi£ sor da luz (1) um disco de policarbonato (Iupilon, marca regista da, fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku K. K, ) com uma espessura de 1,2 mm, um diâmetro exterior de 120 nm, um diâmetro interior de 15 mm, uma dureza Rockwell (ASTM D785J de M75 e uma temperatu
ra de distorção peio calor (ASTM D648) de 132°C sob uma carga de
4,6 kg/cm , com uma cavidade espiral previa (8) para sinais de CD formada com uma largura de 0,6 micrómetros, uma profundidade de 0,8 micrómetros e um passo de 1,6 micrómetros numa faixa de diâmetro de 46 a 80 mm do disco e uma ranhura em espiral prévia (9) formada fora da mesma, com uma largura de 0,8 micrómetros, uma profundidade de 0,08 micrómetros e um passo de 1,6 micrómetros entre os diâmetros de 80 e 117 mm do disco, que foi formado por moldação por injecção, tendo sido utilizada como camada reflectora da luz (3) uma película de ouro e tendo sido formada uma camada de resina epoxidica com uma espessura de 2 micrómetros por revestimento, por centrifugação, este esta camada reflectora da luz (3) e a camada de protecção (4) feita de resina curável por raios u/ travioletas. A camada de resina epoxidica tinha uma dureza Rock, well (ASTM D648) de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor _ Λ (ASTM 0648) de 140°C sob uma carga de 4,6 kg/cm, A zona interior aos diâmetros de 46 a 80 mm deste disco óptico é uma zona denominada de memória ROM (read only memory - memória só para le/ tura) e a zona exterior entre os diâmetros de 80 a 117 mm é uma zona susceptível de ser gravada,
Na zona susceptível de ser gravada deste disco óptico a/ sim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 19. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, sendo ^]]/^Op 0,62 e 0,32.
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato
-36(1) do disco Óptico depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 19, para confirmar a formação de cavidades opticamente modificadas (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 21
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 19, excepto que no exemplo 19 foi usado um disco de poliesti_ reno com uma dureza Rockwell (ASTM 0785) de M80 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 0648) de 89°C sob uma carga de
4,6 kg/cm , como substrato transmissor da luz £1 ) , sujeitou-se a ranhura prévia do disco a uma ondulação de 22,11 kHz com uma amplitude de 30 nm, formou-se, por centrifugação, um revestimento com uma camada de resina silicõnica de acrilato com uma espessura de 40 nm entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3), formou-se uma camada de resina epoxTdica com uma espessura de 10 nm, por revestimento oor centrifugação, entre esta camada e a camada absorvente da luz e formou-se uma oelícula de ouro como camada reflectora da luz (3). A camada de resina silicÕnica de acrilato tinha uma dureza Rockwell £ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor £ASTM D648) de 200°C sob uma carga de 4,6 kg/cm.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 19. Fez-se depois a reprodução des te disco óptico com um reorodutor existente no mercado, tendo hl^top Sldo 0,63 e h^top °’33’
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato
-37(1) do disco óptico depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 19, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 22
Utilizou-se como substrato transmissor da luz (1) o mesmo disco de policarbonato usado no exemplo 19.
Fez-se, por centrifugação, neste substrato transmissor da luz (1) um revestimento de resina de acrilato oara formar uma camada intermédia com uma espessura de 70 nm. Depois, como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz (2), dissolveram-se 0,65 g de iodeto de l,l'-dipropil-3,3,3',3'“tetrameti1 - 5,5'-dimetoxiindodicarbocianina em 10 ml de um dissolvente de diacetona-ãl cool,, ef ectuando-se com esta solução um revestimeii to, por centrifugação, na camada intermédia (6) no substrato (1) para formar uma camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 90 nm. A camada intermédia (6) tinha uma temperatura de defor; mação pelo calor (ASTM D648] de 10Q°C sob uma carga de 4,6 kg/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D785] de M85.
Formou-se depois uma camada de resina silicõnica de acri lato, por revestimento por centrifugação, com uma espessura de 50 nm sobre a referida camada absorvente da luz (2). Formou-se depois, por deoosição catódica, uma película de ouro com uma espessura de 50 nm sobre toda a superfície de uma zona entre os diâmetros de 45 e 118 mm do disco Dara formar uma camada reflec
tora da luz (3), Além disso, fez-^se, por centrifugação, um reves. ti mento de resina curável pelos raios ultravioletas sobre esta camada reflectora da luz [3) e curou-se a resina com raios ultra violetas para formar uma camada de protecção (4) com uma espessi£ ra de 10 micrometros,
Trradiou-se o disco Óptico assim obtido com um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 730 nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s com uma potência de gravação de 6,0 mW para gravar sinais EFM. Fez-se depois a reprodução desj te disco óptico com um reprodutor de CD existente no mercado (Aurex XR-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser X =780 nm), tendo a relação I-j obtida a partir do padrão visual dos sinais lidos o valor 0,63 e ίβ/^θρ 0.32,
As normas CD prescrevem que I-| seja pelo menos 0,6 e que Ιβ/^ρορ esteja compreendido entre 0,3 e 0,7. Portanto, o disco óptico deste exemplo satisfaz as normas.
Além disso, despegaram-se, depois da gravação, a camada de protecção (4), a camada reflectora da luz (3) e a camada absorvente da luz (2} deste disco óptico e inspeccionou-se a superfície da camada intermédia (6), tendo sido confirmada a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de orotuberanci as.
-39EXEXMPLO 23
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 se formou a camada intermédia (6} com um copolímero de cloreto de vinilo com uma temperatura de
Λ distorção pelo calor (ASTM D648) de 80°C sob uma carga de 4,6 Kg/cin e uma dureza Rockwell (ASTM D785] de M95 numa espessura de 60 nm.
Gravaram-se neste disco Óptico sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22. Fez-se depois a reprodução deste disco õpti_ co com o reprodutor de CD existente no mercado, tendo sido 0,66 e 13/1θ 0,35.
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada inte£ média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemolo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente sob a forma de protuberâncias,
EXEMPLO 24
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exern pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6J foi fo£ mada com uma resina de acrilato com uma temperatura de distorção
Λ pelo calor (ASTM D648) de 90°C sob uma carga de 4,6 kg/cn/ e uma dureza Rockwell (ASTM D6785) de M109, sendo a espessura da camada absorvente da luz (2) mudada para 130 nm, não se formando qual quer camada de resina silicõnica de acrilato 'entre a camada abso_r vente da luz (2) e a camada reflectora da luz £3) e sendo a camada reflectora da luz (3) formada com uma película de uma liga de
-40ouro e irídio numa relação de 9:1.
Neste disco óptico gravaram-se sinais EFM da mesma mane£ ra que no exemplo 22. Fez-se depois a reprodução deste disco Õ£ tico com um reprodutor de CD disponível no mercado, tendo Í-|]/^OD sido 0,63 e I3/Itop °«32·
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada inte£ média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 25
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi fo£ mada com um copolímero de cloreto de vinilideno com uma temperat£ ra de deformação pelo calor (ASTM D648) de 66°C sob uma carga de 9
4,6 kg/cm e uma dureza Rockwell £ASTM D785) de M6Q numa espess£ ra de 60 nm.
Neste disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemolo 22. Fez-se depois a reorodução deste disco óptico com um reprodutor de CD disponível no mercado, tendo I-|]/^op Slc*° 0,67 θ 13/11θp 0,36.
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intermédia £6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
-41EXEMPLO 26
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6J foi for^ mada com poliestireno com uma temperatura de deformação pelo cao 9 lor (ASTM D648) de 85 C sob uma carga de 4,6 kg/cm“ e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M70,
No disco Óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22. Fez-se depois a reprodução de£ te disco Óptico com um reprodutor de CD disponível no mercado , tendo ί-|η/^^Ορ S1C*° e 0,34.
Além disso, i nspecci onou-se a superfície da cariada inter media (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas ODticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 27
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com acetato de polivinilo com uma temperatura de distor2 ção pelo calor (ASTM 0648} de 55°C sob uma carga de .4,6 Rg/crn /
-42e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M70 numa espessura de 70 nm e fez-se, por centrifugação, um revestimento de isocianato sobre a camada de resina silicõnica de acrilato numa espessura de 10 nm.
Gravaram-se no disco Óptico assim obtido sinais EFf 1 da mesma maneira que no exemplo 22. Fez-se depois a reprodução des. te disco óptico por um reprodutor de CD disponível no mercado , íendo In/Itop sido 0,66 e I3/ttop 0,32.
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada inte£ média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 28
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia C6] foi formada com um poliéster com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 70°C sob uma carga de 4,6 kg/cm^ e um dureza Rockwell (ASTM D785) de M70, sendo utilizado como corante orgâni. co para formar a camada absorvente da luz (2) o perclorato de 1,1'-dibutil-3,3,3',3'-tetrameti1-4,5,41,5'-dibenzoindodicarbocianina-j tendo sido feito um revestimento de resina silicõnica sobre a camada absorvente da luz (2), em vez da resina silicõnica de acrilato, e formou-se uma camada de resina epoxídica cur£ vel de bisfenol sobre a camada reflectora da luz (3) numa es-43pessura de 20 nm.
Neste disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com um reprodutor de CD disponível no mercado, tendo í-n/I-top Sldo θ>61 e ^3/^top °»3^·
Além disso, inspeccionou-se a camada intermédia (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confír mar a formação de cavidades opticamente modificadas (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 29
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina de poliuretano com uma temperatura de dis. torção pelo calor (ASTM D648J de 5Q°C sob uma carga de 4,6 kg/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M60 numa espessura de 50 nm, fez-se, por centrifugação, um revestimento de-uma resina silicõnica sobre esta camada intermédia (6) numa espessura de 15 nm para tratamento resistente aos dissolventes, formou-se depois uma camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 130 nm utilizando perclorato de 1,11-dibutil-3,3,31 ,31-tetrameti!-4,5,
41 ,5dibenzoindodicarbocia nina, não se fez qualquer revestimeji to de resina silicõnica de acrilato entre a camada absorvente da luz (2) e a camada reflectora da luz (3) e formou-se a camada re.
flectora da luz (3) com uma película de uma liga de ouro e irí-44dio numa relação de 9:1,
No disco óptico assim preparado, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22, Fez-se depois a reprodução deste disco Óptico com um reprodutor de CD existente no mercado, tendo Ι,-,/Ι. sido 0,66 e IQ/I . 0,33,
I I top 3 top
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada inter media (6) depois da gravaçao da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias,
EXEMPLO 30
Preparou-se um disco Óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina de Doliuretano com uma temoeratura de dis torção pelo calor (ASTM D648) de 50°C sob uma carqa de 4,6 kg/cm2 e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M60, fez-se o revestimento por centrifugação de um agente silicónico de revestimento sobre esta camada intermédia (6) numa espessura de 15 nm oara um trat£ mento de resistência aos dissolventes e formou-se depois uma camada absorvente da luz (2) utilizando perclorato de 1 ,1 '-dibuti1 -3,3,3' ,3'-tetrametil-4,5,4',5 * -di benzo i ndod icarboci ani na e formou-se uma resina silicónica sob esta camada absorvente da luz (2) em vez de uma resina silicónica de acrilato, fez-se um revé-s timento, por centrifugação, de resina epoxTdica com polissulfuretos incorporados sobre a camada reflectora da luz (3) numa espessura
-45de 20 nm e sobre ela formou-se a camada protectora (4),
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22. Fez-se depois a reprodução des te disco óptico com um reprodutor de CD disponível no mercado , tendo í -j ι / Ι|·Ορ sido 0,66 e I3/Ít0D 0»33.
Alem disso, inspeccionou-se a camada intermédia (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confi£ mar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 31
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi for mada com uma resina celulósica com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 60°C sob uma carga de 4,6 kg/cm e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100, utilizou-se como corante or gânico para formar a camada absorvente da luz (2) perclorato de ,1 '-dibuti1-3,3,3',3* 1 - tetrametil-4,5,4',5'-dibenzoindodicarbocianina, tendo sido feito um revestimento de resina silicõnica sobre a camada absorvente da luz (2) em vez de uma resina silicõ nica de acrilato.
Neste disco Óptico assim obtido, gravaram-se da mesma maneira que no exemplo 22, Depois fez-se a deste disco óptico com um reprodutor de CD existente tendo r^/I^-op sido 0,65 e I3/Itop 0,32.
sinais EFM reprodução no mercado,
-46Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada intejç média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 32
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi for. mada com resina termoplãstica de uretano com uma temperatura de distorção pelo calor ASTM (D648) de 5Q°C sob uma carga de 4,6 kg/cm e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M30 numa espessura de 50 nm, fez-se, por centrifugação, um revestimento de um agente sil icõnj( co de revestimento sobre esta camada intermédia (6) numa espessjj ra de 15 nm para tratamento de resistência aos dissolventes e de_ pois formou-se uma camada absorvente da luz (2) utilizando percl£ rato de 1 ,1 '-dibuti 1-3,3,3' ,3'-tetrametil-4,5,4' , 5 ' - di benzoindodi_ carbocianina fez-se um revestimento de resina silicónica em vez de resina silicónica de acrilato.
No disco óptico assim obtido, fez-se a gravação de sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22. Fez-se deoois a reprodjj ção deste disco Óptico com reprodutor de CO disponível no mercado, tendo Ι^/Ι^θρ sido e ^^top °’34·
Além disso, inspeccionou-se a suoerfície da camada inter média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 33
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina acrílica com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 70°C sob uma carga de 4,6 kg/cm^ e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M90, formou-se uma camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 130 nm utilizando como corante orgânico fluoroborato de 1,1'-dipropi1-5,7,5',7'-dimetoxiindodicarbocianina, formou-se a camada reflectora da luz (3) por uma película de cobre e formou-se a camada protectora (4) com um agente de revestimento duro silicõnico numa espessura de 5 micr£ metros.
No disco óptico assim obtido, gravaram-se sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, te£ do Γ../r sido 0,63 e I0/rtop °’32* top 3 H
Além disso, inspeccionou-se a superfície da camada inte_r média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias.
EXEMPLO 34
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exemplo 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi formada com uma resina de poliuretano com uma temperatura de dis
-48torção pelo calor (ASTM D648] de 59°C sob uma carga de 4,6 kg/cm^ e uma dureza Rockwell fASTM D785] de M60, utilizou-se como cora£ te orgânico para a camada absorvente da luz (2) fluoroborato de 1 ,1 '-dipropi1-5,7,5' ,7'-dimetoxiindodicarbocianina, formou-se uma película de Si02 com uma espessura de 30 nm na camada absorvente da luz (2) por deposição catódica, formou-se a camada reflectora da luz (3) com uma película de cobre, fez-se, por centri. fugação, um revestimento de resina epoxídica sobre a camada refle£ tora da luz (3) numa espessura de 20 nm e formou-se sobre a mes ma uma camada de protecção (4) com um agente de revestimento silicõnico duro numa espessura de 5 micrómetros.
Gravaram-se sinais EFM no disco õotico assim obtido da mesma maneira que no exemplo 22, Fez-se depois a reprodução de£ te disco óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, te£ do I, Ί/1 . sido 0,66 e I _/ 1. 0,33.
top 3 top
Além disso, inspeccionou-se a suDerfície da camada inte£ média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5^ sob a forma de protuberâncias,
EXEMPLO 35
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 foi usado um disco de vidro co mo substrato transmissor da luz (1), formou-se a camada intermédia (6) com uma resina de acrilato com uma temperatura de disto£ ção pelo calor (ASTM D648) de 7Q°C sob uma carga de 4,6 kg/cm e
-49uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M9Q e tendo uma ranhura form£ da previamente por um processo de fotopolimerização, formou-se uma camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 130 nm utilizando-se fluoroborato de 1,11 -dιprορΐ1 - 5,7,51,7’-dimetοχ1ΐ n d o d i c a r bo c i a n i n a como corante orgânico, para formar a camada absorvente da luz (2), formou-se a camada reflectora da luz (3) por uma película de cobre e formou-se a camada de protecção (4) com um agente de revestimento silicõnico duro numa espessura de 5 micrómetros.
Gravaram-se no disco óptico assim obtido sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22, Fez-se depois a reprodução do disco Óptico com o reprodutor de CD existente no mercado, tendo ril/Ztop Sld° 0,63 6 I3/Itop °’32'
Além disso, inspeccionou-se a suoerficie da camada inte£ média (6) depois da gravação da mesma maneira que no exemplo 22, para confirmar a formação de cavidades modificadas opticamente (5) sob a forma de protuberâncias,
EXEMPLO COMPARATIVO 1
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exem pio 22, excepto que no exemplo 22 a camada intermédia (6) foi for mada com uma resina silicÕnica com uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 180°C sob uma carga de 4,6 kg/cm e uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100.
-50Gravaram-se no disco óptico assim obtido sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 22, Fez-se depois a reDrodução deste disco óptico com o reprodutor de CO existente no mercado, teni do hl^top Sldo 0,28 e V^op °’05·
Portanto, este disco não satisfaz o formato CD.
EXEMPLO 36
Moldou-se por injecção um substrato de policarbonato (1) com a forma de um disco com a espessura de 1,2 mm, um diâmetro exterior de 120 mm e um diâmetro interior de 15 mm e tendo uma ranhura préviaem espiral formada com a largura de 0,8'micrõmetros uma profundidade de 0,03 micrómetros e um passo de 1 micrÕ^ metros na zona entre os diâmetros de 46 a 117 mm do disco, Es te substrato de policarbonato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785] de M75 e uma temperatura de deformação pelo calor (ASTM D648] de 132°C.
Como corante orgânico para formar a camada absorvente da luz, dissolveram-se 0,65 g de perclorato de 1,11-dibuti!-3,3,3 1 ,
31 -tetrameti1 - 4,5,41,51-dibenzoíndodicarbocianina (produto ηθ NK3219, fabricado por Nippon Kanko Shikiso K, K.) em 10 ml de um dissolvente de diacetona-ãlcool , Fez-se com esta solução, por centrifugação, um revestimento sobre a superfície do substrato (1) para formar uma camada absorvente da luz (2) com uma espessura de 130 nm.
-51Formou-se depois uma película de ouro com uma espessura de 50 nm, por deposição catódica, em toda a superfície numa zona do disco entre os diâmetros de 45 a 118 mm para formar uma camada reflectora da luz (3), Além disso, aplicou-se, por centrifugação, um revestimento de uma resina curãvel pelos raios ultravioletas sobre esta camada reflectora da luz (3} para formar uma camada de protecção (4) com uma espessura de 10 micrómetros,
Depois da cura, esta camada de protecção tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 150°C.
Fez-se a irradiação da zona (71 susceptível de ser grav£ da do disco óptico assim obtido com um feixe de raios laser com um comprimento de onda de 780 nm, com uma velocidade linear de 1,2 m/s com uma potência de radiação de 6,0 mr4 para gravar sinais EFM. Fez-se depois a reprodução deste disco óptico com um reprodutor de CD existente no mercado (Aurex XR-V73, comprimento de onda do feixe de raios laser de leitura A»=78Q nm), tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%,
I,, /1. 0,65 e Γο/Ι. 0,35 e a taxa de erros referida aos ll top 3 top blocos BLER 3,4 x 10~3.
As normas CD prescrevem que a reflectância ê de oelo menos 70%, 1.,/1, oelo menos de 0,6 e I-/I . de 0,3 a 0,7, e top 3 too a taxa de erros referida aos blocos BLER nao superior a 3 x 10 0 disco óptico desta referência obedece ãs normas.
-52Além disso, despegaram-se, depois da gravação, a camada de protecção (4) e a camada reflectora da luz £4) do disco óptico e lavou-se a camada absorvente da luz £2] com um dissolvente, te£ do a superfície do substrato transmissor da luz £1) sido observada por STM (scanning tunneling microscope - microscópio de var rimento de efeito de túnel), observando-se uma deformação sob a forma de protuberâncias na porção modificada opticamente. Além disso, mediu-se a porção gravada e a porção não gravada do substrato £1) por meio de um espectrof otõmetro, tendo sido observados na porção gravada picos diferentes dos picos da resina observa, dos na porção não gravada.
Este exemplo ilustra o caso de não se utilizar a camada de protecção (4) como camada dura.
EXEMPLO 37
Núm substrato de policarbonato £Panlite, fabricado por Teijin Kagaku) com a mesma forma e a mesma ranhura gue no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz £2) da mesma maneira atrãs descrita, sobre a mesma formou-se uma camada de silicone acrilato com uma espessura de 50 nm como camada dura £6), sobre esta uma camada de prata com uma espessura de 50 nm por deposição por acção de vapor sob vazio como camada reflectora da luz (3) e sobre esta a mesma camada de orotecção £4) que no exemplo 36, Este substrato tinha uma dureza Rockwell £ASTM 0785) de M75 e uma temperatura de distorção pelo calor £ASTM 0648) de 135°C, A referida camada dura £6) tinha uma dureza Rockwell
-53ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 200°C,
Gravaram-se neste disco óptico, da mesma maneira que no exemplo 36, dados que depois foram reproduzidos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71%, Ι../Γ.
I top
0,63, 0.33 e a taxa de erros referente aos blocos BLER
3,5 x 103.
Além disso, inspeccionou-se a superfície do substrato transmissor da luz (1) do disco óptico depois da gravação por STM (scanning tunneling microscope - microscópio de varrimento de efeito de túnel) da mesma maneira que no exemplo 36, tendo sido observada deformação na forma das protuberâncias na zona modificada opticamente, A porção central desta deformação era ligeiramente mais baixa e verificou-se que a deformação (6) tinha dois picos como se ilustra na fig, 15(b),
EXEMPLO 38
Num substrato de policarbonato (Iupilon, fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku) com a mesma forma e com a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que anteriormente, sobre a mesma formou-se uma camada de resina epoxidica com uma espessura de 50 nm como camada dura (6), sobre esta uma pelTcula de ouro com uma espessura de 50 nm, por deposição catódica, como camada reflectora da luz (3), tendo sido formada sobre esta a mesma camada de protecção (4) que no exemplo 36, 0 substrato tinha uma dureza Rock-54well (ASTM D785) de M75 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 1320C. A referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 140°C.
Gravaram-se dados deste disco óptico da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72% , Iq -|/I-tOp k^top e a taxa de erros referida aos bl£ cos BLER 2,4 x 10'3.
EXEMPLO 39
Num substrato de poliestireno com a mesma forma e a me£ ma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absor vente da luz (2) da mesma maneira que anteriormente , sobre esta uma camada de resina de acrilato com uma espessura de 50 nm como camada dura (6) e sobre esta formou-se, por centrifugação, um re vestimento de resina epoxidica para melhorar as características de ligação, depois formou-se, por deposição de vapor no vácuo , uma película de ouro com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3) e sobre esta a mesma camada de protecção (4) que no exemplo 36. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM
D785) de M80 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 89°C.
A camada dura anterior (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785J igual a M100 e uma temperatura de distorção pelo c_a
-55lor (ASTM D648) de 100°C.
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72% ,
Ι,,/Ι. 0,62, Io/I.„ 0,31 e a taxa de erros referida aos 51o top 3 top — cos BLER 7,0 x IO-3.
EXEMPLO 40
Num substrato de metacrilato de polimetilo com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira atrãs descrita, s£ bre esta camada formou-se depois uma camada de resina de poliéster com uma espessura de 50 nm como camada dura (6), sobre esta formou-se uma camada de ouro com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3), por deposição de vapor no vãcuo, S£ bre esta camada fez-se ainda, por centrifugação, uma camada de resina epoxidica para melhorar as características de ligação, formando-se depois a mesma camada de protecção (4) que no exemplo 36. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de
M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 110°C. A referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785 ) de Ml 10 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 115°C.
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram reproduzidos, tendo a reflec-56tancia do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, Γ, ,/I.
I l top
0,64, I3/ItQp 0,34 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 8,0 x IO-3.
EXEMPLO 41
Num substrato de poliolefina com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que no exemplo 36, utilizando pe£ clorato de 1 ,11-dibuti1-3,3,3',3'-tetrameti1-5,5'-dietoxiindodi carbocianina, formando-se sobre a mesma uma camada de res-ina sili cónica de acrilato com uma espessura de 50 nm como camada dura (6) e uma película de ouro com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3), por deposição do vaoor no vácuo, sobre esta camada fez-se, por centrifugação, um revestimento de resina epoxídica para melhorar as caracteristicas de ligação, formando-se depois a mesma camada de protecção (4) que no exemplo 36. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM 0785} de M75 e uma tem peratura de distorção pelo calor (ASTM 0648) de 140°C, A referv da camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785} de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 0648) de 200°C,
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 74% , Iiq/I-top ^^top 0,33 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 2,3 x 10“3,
EXEMPLO 42
Num substrato de resina epoxídica com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada ab^ sorvente da luz (2) da mesma maneira que no exemplo 36, utilizari do perclorato de 1,1'-dibuti1-3,3,31,31 -tetrameti 1 - 5 ,5'-dietoxiindodicarbocianina, sobre esta camada formou-se uma camada de re sina silicõnica com uma espessura de 50 nm como camada dura (6), sobre esta uma película de alumínio com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3), por deposição de vaoor no vãcuo, e sobre esta a mesma camada de protecção (4) que no exemplo 36. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM 0785) de M90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 135°C, A referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D643) de 180°C.
Neste disco õptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a re flectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 73% , ^l^top ^3^top e a taxa de erros referida aos bl£ cos BLER 2,0 x 1 0 “ 3 .
EXEMPLO 43
Num substrato de policarbonato (Panlite, fabricado por Teijin Kagaku) com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz £2) da mesma maneira descrita anteriormente, sobre esta uma película de prata
-58com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3), por deposição de vapor no vácuo, sobre esta uma camada de resina silicõnica de acri.lato com uma espessura de 53 nm como camada dura (6), tendo sido formada sobre esta a mesma camada protect£ ra (4) que no exemplo 36. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M75 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 135°C. A referida camada dura (6) tinha uma dur£ za Rockwell (ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 200°C.
Neste disco Óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 71% , hl^top °>64’ ^^top 0,34 θ a taxa de erros referida aos blo COS BLER 3,7 χ 10'3.
EXEMPLO 44
Num substrato de policarbonato (Iupilon, fabricado por Mitsubishi Gas Kagaku) com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que se descreveu atrãs, sobre esta uma pelT cuia de ouro com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3), por deposição de vapor no vácuo, e sobre esta uma c£ mada dura (6) constituída por uma camada de resinaepoxídica com uma espessura de 50 nm que. serve também como camada de protecção. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM 3785) de M75 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 135°C, A referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM 3785) de
Μ90 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de
140°C.
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, ^ll^top Ο’θ3> ^3^top θ’33 e a taxa de erros referida aos bio cos BLER 2,7 x IO-3.
EXEMPLO 45
Num substrato de poliestireno com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira atrãs descrita, sobre esta uma pell cuia de ouro com uma espessura de 50 nm, por deposição de vapor no vacuo, como camada reflectora da luz (3) e sobre esta uma camada de resina de acrilato com uma espessura de 50 nm como camada dura (6) que serviu ao mesmo tempo de camada de protecção. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785J de M80 e uma tem peratura de distorção Delo calor (ASTM 0648) de 89°C. A referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D735) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 0648) de 100°C,
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a refle£ tância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, Ι.,/Ι.
I top
Q,63, 0,32 e a taxa de erros referida aos blocos BLER
7,1 χ 10'
EXEMPLO 46
Num substrato de metacrilato de polimetilo com a mesma forma e a mesma ranhura previa que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que atrãs se descreveu, depois sobre esta uma película de ouro, por deposição de vapor no vácuo, com a espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3) e fez-se sobre a mesma, por centrifugação, um revesti_ mento de resina epoxidica para melhorar as características de li_ gação, tendo sido formada uma camada de resina de poliéster com uma espessura de 50 nm como camada dura (6) que serviu também co_ mo camada de protecção. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 110°C. A referida camada dura (6) tinha uma dure za Rockwell (ASTM D785 ) de Ml 10 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 115°C,
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram reproduzidos, tendo a reflectância do feixe de raios laser de. semi condutor sido 72%, Γ., -,/Γ.
I i top
0,65, I /1op 0,34 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 8,3 x 1Q'3.
EXEMPLO 47
Num substrato de poliolefina com a mesma forma e a mesma ranhura prévia que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que no exemplo 36, utilizando per. clorito de 1,11-dihutil-3,3,3',3'-tetrame ti 1-5,5'-dietoxi indodicarbocianina , depois sobre esta uma película de ouro, por deposji ção no vãcuo, com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz (3), fez-se depois, por centrifugação, um revestimento so. bre a mesma de resina epoxídica para melhorar as caracteristicas de ligação e sobre ela formou-se uma camada de resina silicónica de acrilato com uma espessura de 50 nm como camjda dura (6^ , que serviu também como camada de protecção. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D7S5) de M75 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 140°C, A referida camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 0643) de 29Q°C,
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a refle£ tância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, Γ^η/Ι^θ 0,62, Ig/I^Qp 0,34 e a taxa de erros referida aos blocos BLER 2,4 x 10'3.
EXEMPLO 48
Num substrato de resina epoxTdica com a masma forma e β mesma ranhura previa que no exemplo 36, formou-se uma camada absorvente da luz (2) da mesma maneira que no exemplo 36, utili-62zando perclorato de Ι,Ι'-άιόυίϋ-β,Β,Β',Β'-ΐθΐΓβπίθΐϋ-δ,δ'-όιetoxiindodicarbocianina, depois sobre esta uma pelTcula de al/ mTnio com uma espessura de 50 nm como camada reflectora da luz , por deposição de vapor no vacuo, e sobre esta uma camada dura (6) constituída por uma camada de resina silicõnica com uma espessura de 50 nm que serviu também como camada de protecção. 0 substrato tinha uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M90 e uma tem peratura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 135°C, A referi ( da camada dura (6) tinha uma dureza Rockwell (ASTM 9785) de M100 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM 9648) de 180°C.
Neste disco óptico, gravaram-se dados da mesma maneira que no exemplo 36, os quais foram depois reproduzidos, tendo a r/ flectância do feixe de raios laser de semicondutor sido 72%, ^ll^top Ιβ/Ι^θρ 0,32 e a taxa de erros referida aos blo cos BLER 2,1 x 10~3.
í
EXEMPLO COMPARATIVO 2
Preparou-se um disco óptico da mesma maneira que no exemplo 36, excepto que no exemplo 36 a camada de protecção (4) feita com resina curável pelos raios ultravioletas foi feita para ter uma dureza Rockwell (ASTM D785) de M60 e uma temperatura de distorção pelo calor (ASTM D648) de 90°C sob uma carga de 4,6 kg/cn7 depois da cura.
Este disco óptico foi irradiado com um feixe de raios laser de semicondutor com um comprimento de onda de 780 nm com uma
-63velocidade linear de 1,2 m/s para gravar sinais EFM da mesma maneira que no exemplo 36, não tendo sido observadas no substrato (1) cavidades apropriadamente distintas. Fez-se depois a repr£ dução deste disco Óptico com o mesmo reprodutor de CD usado no exemplo 36, tendo a reflectância do disco óptico sido 71%, ^ll^top θ’?’ Γ3^ΐορ θ’3?’ mas a taxa de erros BLER referida aos blocos 1,5 x 1O’\ não satisfazendo, portanto, as normas CD.
Como atrãs se descreveu, de acordo com o meio de gravação óptica de informação segundo a presente invenção, ê possível formar opticamente cavidades semelhantes âs dos discos compactos (CD) por irradiação com um feixe de raios laser e, ao mesmo tempo, sendo a camada reflectora proporcionada por detrãs da camada absorvente da luz em contacto estreito com a mesma, sendo assim possível obter uma estrutur em camadas semelhntes â dos CD, Po£ tanto, segundo a presente invenção, pode obter-se facilmente um meio de gravação susceptível de ser gravado opticamente que saI , tisfaz ao formato CD.
Claims (11)
- IVINDICAÇÕE1. - Meio de gravação óptica de informação que compreende :um substrato transmissor da luz;uma camada absorvente da luz sobrepondo-se ao substrato, para absorver um feixe de raios laser; e uma camada reflectora da luz sobrepondo-se ã camada absorvente da luz;caracterizado por o referido substrato ter uma camada superficial, adjacente ã camada absorvente da luz, que é deformãvel pela energia gerada por absorção do feixe de raios laser pela camada absorvente da luz, para formar cavidades susceptíveis de ser lidas opti.camente.
- 2. - Meio de gravação óptica de informação de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o substrato transmissor da luz ter uma temperatura de deformação pelo.calor dentro dos limites de 85°C a 200°C, medida de acordo com a norma ASTM D648, sob65a carga de 4,6 Kg/cm2.
- 3.- Meio de gravação óptica de informação de acordo com as reivindicações 1 ou 2, caracterizado por o substrato transmissor da luz ter uma dureza Rockwell dentro dos limites M200 a M75, medida de acordo com a norma ASTM D785.
- 4. - Meio de gravação óptica de informação de acordo com as reivindicações 1, 2 ou 3, caracterizado por uma camada intermédia estar disposta entre o substrato e a camada absorvente da luz, tendo a referida camada intermédia uma temperatura de deformação pelo calor dentro dos limites de 50°C a 150°C, medida de acordo com a norma ASTM D648 sob a carga de 4,6 Kg/cm2.
- 5, - Meio de gravação óptica de informação de acordo com a reivindicação 4, caracterizado por a camada intermédia ter uma dureza Rockwell dentro dos limites de M100 a M50 medida de acordo com a norma ASTM D785.
- 6.- Meio de gravação óptica de informação de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 5, caracterizado por uma camada dura susceptível de ser deformada pelo calor mais duramente que o substrato estar disposta na camada reflectora da luz ou entre a camada absorvente da luz e a camada reflectora da luz, tendo a referida camada dura uma dureza Rockwell de pelo menos-66Μ100, medida de acordo com a norma ASTM D785 e/ou uma temperatura de deformação pelo calor de pelo menos 100°C medida de acordo com a norma ASTM D648 sob a carga de 4,6 Kg/cm2.
- 7.- Meio de gravação óptica de informação de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 6, caracterizado por o substrato ser feito de uma resina de policarbonato, uma resina de acrilato ou uma resina epoxidica.
- 8.- Meio de gravação óptica de informação de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 7, caracterizado por a camada absorvente da luz conter um corante de cianina.
- 9.- Meio de gravação óptica de informação de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 8, caracterizado por a camada reflectora ser feita de ouro, prata, cobre, alumínio ou uma liga dos mesmos.
- 10. - Meio de gravação óptica de informação de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 9, caracterizado por a camada superficial deformável do substrato ter uma ranhura de guia de encaminhamento na qual se devem formar as cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente.
- 11, - Meio de gravação óptica da informação de acordo com uma qualquer das reivindicações 1 a 10, caracterizado por porcionar uma camada protectora como uma camada superior,FF J/o JofMcíMPsííh68RESUMOMeio de gravação óptica de informaçãoA invenção refere-se a um meio de gravação óptica de informação que compreende:um substrato transmissor da luz;uma camada absorvente da luz sobreposta ao substrato, para absorver um feixe de raios laser; e uma camada reflectora sobreposta à camada absorvente da luz, tendo o referido substrato uma camada superficial, adjacente à camada absorvente da luz, que ê deformável pela energia gerada por absorção do feixe de raios laser pela camada absorvente da luz para formar cavidades susceptíveis de ser lidas opticamente.FIGURA 3 4 37////////7777)FIGURA
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