JPH0827985B2 - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents
光情報記録媒体とその記録方法Info
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- JPH0827985B2 JPH0827985B2 JP1007511A JP751189A JPH0827985B2 JP H0827985 B2 JPH0827985 B2 JP H0827985B2 JP 1007511 A JP1007511 A JP 1007511A JP 751189 A JP751189 A JP 751189A JP H0827985 B2 JPH0827985 B2 JP H0827985B2
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- light
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録
データを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関す
る。
データを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関す
る。
［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができ
る、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Te、B
i、Mn等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロ
シアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光
の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性
させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録す
る。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピットを
形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容
易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一般
に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟んで
２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイチッチ構
造と呼ばれる積層構造がとられる。
る、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Te、B
i、Mn等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロ
シアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光
の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性
させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録す
る。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピットを
形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容
易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一般
に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟んで
２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイチッチ構
造と呼ばれる積層構造がとられる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
ず、記録データを再生するためのプレピットやプレグル
ーブを予めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板
の上に形成し、この上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜から
なる光反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆った
ものである。
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
ず、記録データを再生するためのプレピットやプレグル
ーブを予めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板
の上に形成し、この上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜から
なる光反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆った
ものである。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記書き込み可能な光情報記録媒体は、再生に際し、
既に広く普及したCDとの互換性を有し、CDプレーヤでそ
のまま再生できることが強く望まれる。
既に広く普及したCDとの互換性を有し、CDプレーヤでそ
のまま再生できることが強く望まれる。
しかしながら、前者の書き込み可能な光情報記録媒体
は、CDには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にピットを形成するのを容易にするため
の空隙層等を有することから、再生信号が自ずとCDと異
なってくる。このため、いわゆるCDについての規格を定
めた上記CDフォーマットを満足することが困難である。
従って、従来においては、CDに適合する書き込み可能な
光情報記録媒体を提供することができなかった。
は、CDには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にピットを形成するのを容易にするため
の空隙層等を有することから、再生信号が自ずとCDと異
なってくる。このため、いわゆるCDについての規格を定
めた上記CDフォーマットを満足することが困難である。
従って、従来においては、CDに適合する書き込み可能な
光情報記録媒体を提供することができなかった。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされた
もので、その目的は、データの再生に際し、CDフォーマ
ットに適合する出力信号が得られる書き込みが可能な光
情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適した情報記録方
法を提供することにある。
もので、その目的は、データの再生に際し、CDフォーマ
ットに適合する出力信号が得られる書き込みが可能な光
情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適した情報記録方
法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明では、第
一に、透光性基板の上に直接または他の層を介して、レ
ーザ光の照射により融解、分解し、上記透光性基板上に
ピットを形成する光吸収層と、その背後にレーザ光を反
射する光反射層を有する光情報記録媒体において、上記
光吸収層と上記光反射層との間に、同基板に比して熱変
形しにくい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウェル
硬度ASTMD785においてM100以上、熱変形温度ASTMD648に
おいて100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一方
の特性を有することを特徴とする光情報記録媒体を提供
する。
一に、透光性基板の上に直接または他の層を介して、レ
ーザ光の照射により融解、分解し、上記透光性基板上に
ピットを形成する光吸収層と、その背後にレーザ光を反
射する光反射層を有する光情報記録媒体において、上記
光吸収層と上記光反射層との間に、同基板に比して熱変
形しにくい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウェル
硬度ASTMD785においてM100以上、熱変形温度ASTMD648に
おいて100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一方
の特性を有することを特徴とする光情報記録媒体を提供
する。
さらに、この光情報記録媒体を用い、上記基板側から
入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、前記透光性
基板上にピットを形成することを特徴とする光情報記録
方法を提供する。
入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、前記透光性
基板上にピットを形成することを特徴とする光情報記録
方法を提供する。
第二に、透光性基板の上に直接または他の層を介し
て、レーザ光の照射により融解、分解し、上記透光性基
板上にピットを形成する光吸収層と、その背後にレーザ
光を反射する光吸収層を有する光情報記録媒体におい
て、上記光反射層のレーザ光が入射する背後側に、同基
板に比して熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層
が、ロックウェル硬度ASTMD785においてM100以上、熱変
形温度ASTMD648において100℃（4.6kg/cm2）以上の何れ
か少なくとも一方の特性を有することを特徴とする光情
報記録媒体を提供する。
て、レーザ光の照射により融解、分解し、上記透光性基
板上にピットを形成する光吸収層と、その背後にレーザ
光を反射する光吸収層を有する光情報記録媒体におい
て、上記光反射層のレーザ光が入射する背後側に、同基
板に比して熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層
が、ロックウェル硬度ASTMD785においてM100以上、熱変
形温度ASTMD648において100℃（4.6kg/cm2）以上の何れ
か少なくとも一方の特性を有することを特徴とする光情
報記録媒体を提供する。
さらに、この光情報記録媒体を用い、上記基板側から
入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、前記透光性
基板上にピットを形成することを特徴とする光情報記録
方法を提供する。
入射させたレーザ光を光吸収層に照射して、前記透光性
基板上にピットを形成することを特徴とする光情報記録
方法を提供する。
［作用］ 上記のような本発明による光情報記録媒体とその記録
方法によれば、光吸収層にレーザ光を照射したとき、同
光吸収層がレーザ光を吸収して融解、分解し、基板上に
ピットが形成される。この場合において、光吸収層の背
後側には、上記基板に比して硬度が高く、且つ熱変形し
にくい硬質層を有するため、このようなピットを形成す
るための変化はレーザ光が入射する基板側でより起こり
やすくなる。このため、基板上に明瞭なピットが形成さ
れることになる。
方法によれば、光吸収層にレーザ光を照射したとき、同
光吸収層がレーザ光を吸収して融解、分解し、基板上に
ピットが形成される。この場合において、光吸収層の背
後側には、上記基板に比して硬度が高く、且つ熱変形し
にくい硬質層を有するため、このようなピットを形成す
るための変化はレーザ光が入射する基板側でより起こり
やすくなる。このため、基板上に明瞭なピットが形成さ
れることになる。
こうして形成されるピットは、予めプレス等の手段に
よって基板の表面に形成されるピットと近似（光学的）
するものである。また、光吸収層の背後に密着して金属
層による光反射層を設けることもできる。従って、形態
的にもCDに近似した光情報記録媒体が得られ、CDフォー
マットに適合した記録可能な光情報記録媒体が容易に得
られる。
よって基板の表面に形成されるピットと近似（光学的）
するものである。また、光吸収層の背後に密着して金属
層による光反射層を設けることもできる。従って、形態
的にもCDに近似した光情報記録媒体が得られ、CDフォー
マットに適合した記録可能な光情報記録媒体が容易に得
られる。
［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、
第１図〜第３図に示す。同図において１、１は、透光性
を有する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、
照射されたレーザ光を吸収して融解、分解し、当該光吸
収層２や基板１の表面にピットを形成する作用を有する
層である。また３は、その上に形成された光反射層、４
は、その外側に設けられた保護層を示す。
第１図〜第３図に示す。同図において１、１は、透光性
を有する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、
照射されたレーザ光を吸収して融解、分解し、当該光吸
収層２や基板１の表面にピットを形成する作用を有する
層である。また３は、その上に形成された光反射層、４
は、その外側に設けられた保護層を示す。
第１図〜第３図で示した実施例は、光吸収層２と光反
射層３との間に、硬質層６が介在されている場合であ
る。また、第４図と第５図で示した実施例は、光吸収層
３の背後に硬質層６を配置した場合である。さらに、図
示してはいないが、保護層４に硬質層としての機能を持
たせることができる。何れの場合も、硬質層は、基板よ
り熱変形しにくいもので形成され、かつそのロックウェ
ル硬度ASTMD785においてM100以上、熱変形温度ASTMD648
において100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一
方の特性を有することが必要である。
射層３との間に、硬質層６が介在されている場合であ
る。また、第４図と第５図で示した実施例は、光吸収層
３の背後に硬質層６を配置した場合である。さらに、図
示してはいないが、保護層４に硬質層としての機能を持
たせることができる。何れの場合も、硬質層は、基板よ
り熱変形しにくいもので形成され、かつそのロックウェ
ル硬度ASTMD785においてM100以上、熱変形温度ASTMD648
において100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一
方の特性を有することが必要である。
第２図と第４図は、レーザ光による記録前の状態を、
第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、光ピック
アップ８からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸
収層２の融解、分解と、基板１の軟化とに伴い、基板１
の中に光吸収層２の分解成分が拡散して、その部分の光
学的特性が変化すると共に、その部分が凸状に変形さ
れ、ピット５が形成された状態を模式的に示す。
第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、光ピック
アップ８からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸
収層２の融解、分解と、基板１の軟化とに伴い、基板１
の中に光吸収層２の分解成分が拡散して、その部分の光
学的特性が変化すると共に、その部分が凸状に変形さ
れ、ピット５が形成された状態を模式的に示す。
第６図は、透光性基板１の表面に形成されたトラッキ
ング表示手段であるところのプレグループ９に沿ってピ
ット５を形成するため、上記プレグループ９に沿って光
吸収層２にEFM信号に変調されたレーザスポットを照射
した後、保護層４と光反射層３を透光性基板１から剥離
し、さらに同基板１の表面から光吸収層２を除去した状
態を模式的に示している。
ング表示手段であるところのプレグループ９に沿ってピ
ット５を形成するため、上記プレグループ９に沿って光
吸収層２にEFM信号に変調されたレーザスポットを照射
した後、保護層４と光反射層３を透光性基板１から剥離
し、さらに同基板１の表面から光吸収層２を除去した状
態を模式的に示している。
さらに、STM（Scaning Tunneling Microscope）を用
いて、上記プレグループ９に沿う透光性基板１の表面の
状態を観察した例を、第７図に示す。同図では、チップ
（探針）10のプレグループ９に沿う方向、つまりトラッ
キング方向の移動距離を横軸にとり、透光性基板１の表
面の高度を縦軸にとって示してある。同図（ａ）は、ピ
ットの長さが10000オングストロームと比較的短い場合
であり、ここでは高さ約200オングストロームの凸状の
明瞭な変形が形成されていることが理解できる。また、
同図（ｂ）は、ピットの長さが40000オングストローム
と比較的長い場合であり、ここでは高さ約200オングス
トロームの凸状の変形が認められるが、この変形の中間
部がやや低くなっており、変形の峰が２つに分かれてい
ることが分かる。
いて、上記プレグループ９に沿う透光性基板１の表面の
状態を観察した例を、第７図に示す。同図では、チップ
（探針）10のプレグループ９に沿う方向、つまりトラッ
キング方向の移動距離を横軸にとり、透光性基板１の表
面の高度を縦軸にとって示してある。同図（ａ）は、ピ
ットの長さが10000オングストロームと比較的短い場合
であり、ここでは高さ約200オングストロームの凸状の
明瞭な変形が形成されていることが理解できる。また、
同図（ｂ）は、ピットの長さが40000オングストローム
と比較的長い場合であり、ここでは高さ約200オングス
トロームの凸状の変形が認められるが、この変形の中間
部がやや低くなっており、変形の峰が２つに分かれてい
ることが分かる。
上記光情報記録媒体の層構造及び、その記録方法の具
体例について、以下に説明する。
体例について、以下に説明する。
（実施例１） 直径46〜117mmφの範囲に、幅0.8μｍ、深さ0.08μ
ｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグループが形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15mmφのポリカ
ーボネート基板１を射出成形方により成形した。このポ
リカーボネート基板１のロックウェル硬度ASTMD D785
は、M75であり、熱変形温度ASTMD D648は、132℃であっ
た。
ｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグループが形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15mmφのポリカ
ーボネート基板１を射出成形方により成形した。このポ
リカーボネート基板１のロックウェル硬度ASTMD D785
は、M75であり、熱変形温度ASTMD D648は、132℃であっ
た。
光吸収層を形成するための有機色素として、0.65gの
1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′ジ
ベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本感
光色素（株）製、品番NK3219）を、ジアセトンアルコー
ル溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の表面に、ス
ピンコート方により塗布し、膜厚130nmの光吸収層２を
形成した。
1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′ジ
ベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本感
光色素（株）製、品番NK3219）を、ジアセトンアルコー
ル溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の表面に、ス
ピンコート方により塗布し、膜厚130nmの光吸収層２を
形成した。
次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の全面
にスパッタリング法により、膜厚50nmのAu膜を成膜し、
光反射層３を形成した。さらに、この光反射層３の上に
紫外線硬化性樹脂（サンノプコ製のTYD102）をスピンコ
ートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μｍ
の保護層４を形成した。この保護層４の硬化後のロック
ウェル硬度ASTMD785はM90であり、熱変形温度ASTMD648
は、150℃であった。
にスパッタリング法により、膜厚50nmのAu膜を成膜し、
光反射層３を形成した。さらに、この光反射層３の上に
紫外線硬化性樹脂（サンノプコ製のTYD102）をスピンコ
ートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μｍ
の保護層４を形成した。この保護層４の硬化後のロック
ウェル硬度ASTMD785はM90であり、熱変形温度ASTMD648
は、150℃であった。
こうして得られた光ディスクの上記記録可能領域７
に、波長780nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、この
光ディスクを、市販のCDプレーヤ（Aurex XR−V73、再
生光の波長λ＝780nm）で再生したところ、半導体レー
ザの反射率が72％、I11／Itopが、0.65、I3／Itopが0.3
5、ブロックエラーレートBLERが3.4×10-3であった。
に、波長780nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、この
光ディスクを、市販のCDプレーヤ（Aurex XR−V73、再
生光の波長λ＝780nm）で再生したところ、半導体レー
ザの反射率が72％、I11／Itopが、0.65、I3／Itopが0.3
5、ブロックエラーレートBLERが3.4×10-3であった。
CD規格では、反射率が70％以上、I11／Itopが0.6以
上、I3／Itopが0.3〜0.7、ブロックエラーレートBLERが
３×10-2以下と定められており、この実施例による光デ
ィスクは、この規格を満足している。
上、I3／Itopが0.3〜0.7、ブロックエラーレートBLERが
３×10-2以下と定められており、この実施例による光デ
ィスクは、この規格を満足している。
さらに、上記記録後の光ディスクの保護層４と光反射
層４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板
１の剥離面をSTM（Scanning Tunneling Microscope）で
観察したところ、ピットの部分に凸状の変形が見られ
た。さらに、基板１の記録部分と未記録部分を分光光度
計で測定したところ、記録部分では未記録部分で見られ
た樹脂のピーク以外のピークが見られた。
層４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板
１の剥離面をSTM（Scanning Tunneling Microscope）で
観察したところ、ピットの部分に凸状の変形が見られ
た。さらに、基板１の記録部分と未記録部分を分光光度
計で測定したところ、記録部分では未記録部分で見られ
た樹脂のピーク以外のピークが見られた。
なお、この実施例は、保護層４を硬質層として利用し
た場合の実施例である。
た場合の実施例である。
（実施例２） 上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有する
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に硬質層６として、膜厚50nmのシリコンアクリル層（信
越化学製のKR9706）を形成し、その上に光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAg膜を形成し、さらに
その上に上記実施例１と同様の保護層４を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM75であ
り、熱変形温度ASTMD648は、135℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM100で
あり、熱変形温度ASTMD648は、200℃であった。
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に硬質層６として、膜厚50nmのシリコンアクリル層（信
越化学製のKR9706）を形成し、その上に光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAg膜を形成し、さらに
その上に上記実施例１と同様の保護層４を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM75であ
り、熱変形温度ASTMD648は、135℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM100で
あり、熱変形温度ASTMD648は、200℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが0.33、
ブロックエラーレートBLERが3.5×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが0.33、
ブロックエラーレートBLERが3.5×10-3であった。
また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの透光性基板１の表面をSTM（Scanning Tunneling Mi
croscope）で観察したところ、ピットの部分に凸状の変
形が認められた。この変形の中間部はやや低くなってお
り、変形６の峰が２つに分かれていることが確認され
た。
クの透光性基板１の表面をSTM（Scanning Tunneling Mi
croscope）で観察したところ、ピットの部分に凸状の変
形が認められた。この変形の中間部はやや低くなってお
り、変形６の峰が２つに分かれていることが確認され
た。
（実施例３） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン）
の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、こ
の上に硬質層６として、膜厚50nmのエポキシ樹脂層（旭
電化工業製のEP−5900）を形成し、その上に光反射層３
として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さ
らにその上に上記実施例１と同様の保護層４を形成し
た。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM75
であり、熱変形温度ASTMD648は、132℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM9
0であり、熱変形温度ASTMD648は、140℃であった。
ポリカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン）
の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、こ
の上に硬質層６として、膜厚50nmのエポキシ樹脂層（旭
電化工業製のEP−5900）を形成し、その上に光反射層３
として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さ
らにその上に上記実施例１と同様の保護層４を形成し
た。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM75
であり、熱変形温度ASTMD648は、132℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM9
0であり、熱変形温度ASTMD648は、140℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.32、
ブロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.32、
ブロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
（実施例４） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に硬質層６として、膜厚50nmのア
クリル樹脂層（日本合成化学工業製のコーポニール）を
形成し、この上に結着性を高めるためエポキシ樹脂をス
ピンコートしてから、光反射層３として、真空蒸着法に
より膜厚50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に上記実施
例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロ
ックウェル硬度ASTMD785はM80であり、熱変形温度ASTMD
648は、89℃であった。これに対し、上記硬質層６のロ
ックウェル硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度ASTM
D648は、100℃であった。
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に硬質層６として、膜厚50nmのア
クリル樹脂層（日本合成化学工業製のコーポニール）を
形成し、この上に結着性を高めるためエポキシ樹脂をス
ピンコートしてから、光反射層３として、真空蒸着法に
より膜厚50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に上記実施
例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロ
ックウェル硬度ASTMD785はM80であり、熱変形温度ASTMD
648は、89℃であった。これに対し、上記硬質層６のロ
ックウェル硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度ASTM
D648は、100℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.31、
ブロックエラーレートBLERが7.0×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.31、
ブロックエラーレートBLERが7.0×10-3であった。
（実施例５） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′、ジエトキシインドジ
カーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１
と同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質
層６として、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層（信越
化学工業製のKR9706）を形成し、その上に光反射層３と
して、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さら
にこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂をスピン
コートしてから、上記実施例１と同様の保護層４を形成
した。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM7
5であり、熱変形温度ASTMD648は、140℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM1
00であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃であった。
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′、ジエトキシインドジ
カーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１
と同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質
層６として、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層（信越
化学工業製のKR9706）を形成し、その上に光反射層３と
して、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さら
にこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂をスピン
コートしてから、上記実施例１と同様の保護層４を形成
した。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM7
5であり、熱変形温度ASTMD648は、140℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM1
00であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が74％、I11／Itopが0.61、I3／Itopが0.33、
ブロックエラーレートBLERが2.3×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が74％、I11／Itopが0.61、I3／Itopが0.33、
ブロックエラーレートBLERが2.3×10-3であった。
（実施例６） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３′、
３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボシ
アニンパークロレートを用いて、上記実施例１と同様の
方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６とし
て、膜厚50nmのシリコン樹脂層（信越化学工業製のKR22
0）を形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法
により膜厚50nmのAl膜を形成し、さらにこの上に、上記
実施例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板
のロックウェル硬度ASTMD785はM90であり、熱変形温度A
STMD648は、135℃であった。これに対し、上記硬質層６
のロックウェル硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度
ASTMD648は、180℃であった。
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３′、
３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボシ
アニンパークロレートを用いて、上記実施例１と同様の
方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６とし
て、膜厚50nmのシリコン樹脂層（信越化学工業製のKR22
0）を形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法
により膜厚50nmのAl膜を形成し、さらにこの上に、上記
実施例１と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板
のロックウェル硬度ASTMD785はM90であり、熱変形温度A
STMD648は、135℃であった。これに対し、上記硬質層６
のロックウェル硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度
ASTMD648は、180℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率73％、I11／Itopが0.61、I3／Itopが0.30、ブ
ロックエラーレートBLERが2.0×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率73％、I11／Itopが0.61、I3／Itopが0.30、ブ
ロックエラーレートBLERが2.0×10-3であった。
（実施例７） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAg膜
を形成し、この上に硬質層６として、膜厚50nmのシリコ
ンアクリル層（信越化学工業製のKR9706）を形成し、さ
らにこの上に上記実施例１と同様の保護層４を形成し
た。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM75
であり、熱変形温度ASTMD648は、135℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM1
00であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃であった。
ポリカーボネート基板（帝人化学製、パンライト）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAg膜
を形成し、この上に硬質層６として、膜厚50nmのシリコ
ンアクリル層（信越化学工業製のKR9706）を形成し、さ
らにこの上に上記実施例１と同様の保護層４を形成し
た。なお、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM75
であり、熱変形温度ASTMD648は、135℃であった。これ
に対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM1
00であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11／Itopが0.64、I3／Itopが0.34、
ブロックエラーレートBLERが3.7×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11／Itopが0.64、I3／Itopが0.34、
ブロックエラーレートBLERが3.7×10-3であった。
（実施例８） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン）
の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、そ
の上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmの
Au膜を形成、さらにこの上に保護層を兼ねる硬質層６と
して、膜厚50nmのエポキシ樹脂層（旭電化工業製のEP−
5900）を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度
ASTMD785はM75であり、熱変形温度ASTMD648は、135℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ASTMD785はM90であり、熱変形温度ASTMDD648は、140℃
であった。
ポリカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン）
の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、そ
の上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmの
Au膜を形成、さらにこの上に保護層を兼ねる硬質層６と
して、膜厚50nmのエポキシ樹脂層（旭電化工業製のEP−
5900）を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度
ASTMD785はM75であり、熱変形温度ASTMD648は、135℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ASTMD785はM90であり、熱変形温度ASTMDD648は、140℃
であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが0.33、
ブロックエラーレートBLERが2.7×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが0.33、
ブロックエラーレートBLERが2.7×10-3であった。
（実施例９） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸着法
により膜厚50nmのAu膜を形成し、この上に保護層を兼ね
る硬質層６として、膜厚50nmのアクリル樹脂層（サンノ
プコ製のSN−EX−8296）を形成した。なお、上記基板の
ロックウェル硬度ASTMD785はM80であり、熱変形温度AST
MD648は、89℃であった。これに対し、上記硬質層６の
ロックウェル硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度AS
TMD648は、100℃であった。
ポリスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２
を形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸着法
により膜厚50nmのAu膜を形成し、この上に保護層を兼ね
る硬質層６として、膜厚50nmのアクリル樹脂層（サンノ
プコ製のSN−EX−8296）を形成した。なお、上記基板の
ロックウェル硬度ASTMD785はM80であり、熱変形温度AST
MD648は、89℃であった。これに対し、上記硬質層６の
ロックウェル硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度AS
TMD648は、100℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが0.32、
ブロックエラーレートBLERが7.1×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが0.32、
ブロックエラーレートBLERが7.1×10-3であった。
（実施例10） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらに
この上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂をスピンコ
ートしてから、保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50
nmのポリエステル樹脂層（住友化学工業製のエコノー
ル）を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度AS
TMD785はM100であり、熱変形温度ASTMD648は、110℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ASTMD785はM110であり、熱変形温度ASTMD648は、115℃
であった。
ポリメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらに
この上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂をスピンコ
ートしてから、保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50
nmのポリエステル樹脂層（住友化学工業製のエコノー
ル）を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度AS
TMD785はM100であり、熱変形温度ASTMD648は、110℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ASTMD785はM110であり、熱変形温度ASTMD648は、115℃
であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.65、I3／Itopが0.34、
ブロックエラーレートBLERが8.3×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.65、I3／Itopが0.34、
ブロックエラーレートBLERが8.3×10-3であった。
（実施例11） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成
し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂
をスピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層６とし
て、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層（信越化学製KR
9706）を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度
ASTMD785はM75であり、熱変形温度ASTMD748は、140℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ASTMD785はM100であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃
であった。
ポリオレフィン基板の上に、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成
し、さらにこの上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂
をスピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層６とし
て、膜厚50nmのシリコンアクリル樹脂層（信越化学製KR
9706）を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度
ASTMD785はM75であり、熱変形温度ASTMD748は、140℃で
あった。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度
ASTMD785はM100であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃
であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.34、
ブロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が71％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.34、
ブロックエラーレートBLERが2.4×10-3であった。
（実施例12） 上記実施例１と同様の形状及びプレグルーブを有する
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAl膜を形成
し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50nm
のシリコン樹脂層（信越化学製KR220）を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM90であ
り、熱変形温度ASTMD648は、135℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM100で
あり、熱変形温度ASTMD648は、180℃であった。
エポキシ樹脂基板の上に１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAl膜を形成
し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚50nm
のシリコン樹脂層（信越化学製KR220）を形成した。な
お、上記基板のロックウェル硬度ASTMD785はM90であ
り、熱変形温度ASTMD648は、135℃であった。これに対
し、上記硬質層６のロックウェル硬度ASTMD785はM100で
あり、熱変形温度ASTMD648は、180℃であった。
この光ディスクについて、上記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.32、
ブロックエラーレートBLERが2.1×10-3であった。
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.32、
ブロックエラーレートBLERが2.1×10-3であった。
（比較例） 上記実施例において、紫外線硬化性樹脂（サンノプコ
製のSN−EX−7052）により形成された保護層４の硬化後
のロックウェル硬度ASTMD785を、M60、熱変形温度ASTMD
648を4.6kg/cm2、90℃としたこと以外は、同実施例と同
様にして、光ディスクを製作した。
製のSN−EX−7052）により形成された保護層４の硬化後
のロックウェル硬度ASTMD785を、M60、熱変形温度ASTMD
648を4.6kg/cm2、90℃としたこと以外は、同実施例と同
様にして、光ディスクを製作した。
この光ディスクに、上記実施例と同様にして波長780n
mの半導体レーザを線速1.2m/secで照射し、EFM信号を記
録したところ、基板１の板面側には、十分明瞭なピット
が確認できなかった。そして、この光ディスクを、上記
実施例１で用いたのと同じCDプレーヤで再生したとこ
ろ、光ディスクの反射率が71％、I11／Itopが0.7、I3／
Itopが0.37であったが、ブロックエラーレートBLERが1.
5×10-1あり、上述したCD規格を満足することができな
かった。
mの半導体レーザを線速1.2m/secで照射し、EFM信号を記
録したところ、基板１の板面側には、十分明瞭なピット
が確認できなかった。そして、この光ディスクを、上記
実施例１で用いたのと同じCDプレーヤで再生したとこ
ろ、光ディスクの反射率が71％、I11／Itopが0.7、I3／
Itopが0.37であったが、ブロックエラーレートBLERが1.
5×10-1あり、上述したCD規格を満足することができな
かった。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記
録方法によれば、レーザ光の照射により、CDに光学的に
近似した凹状のピットを形成できると共に、光吸収層の
背後に光反射層を密着することもできることから、CDに
近似する層構造をとることができる。これによって、CD
フォーマットに適合した記録可能な光情報記録媒体が容
易に得られる効果がある。
録方法によれば、レーザ光の照射により、CDに光学的に
近似した凹状のピットを形成できると共に、光吸収層の
背後に光反射層を密着することもできることから、CDに
近似する層構造をとることができる。これによって、CD
フォーマットに適合した記録可能な光情報記録媒体が容
易に得られる効果がある。
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式判断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のトラッキング
方向に断面した拡大断面図、第３図は、第１図の光記録
後のトラッキング方向に断面した拡大断面図、第４図
は、他の実施例を示し光情報記録媒体のトラッキング方
向に断面した拡大断面図、第５図は、その光記録後のト
ラッキング方向に断面した拡大断面図、第６図は、記録
後の光情報記録媒体の透光性基板の表面を示す要部拡大
斜視図、第７図は、上記透光性基板の表面をSTM（Scann
ig Tunneling Microscope）で観察したときのチップの
トラッキング方向に沿う移動距離と高度の関係を示すグ
ラフの例ある。 １……基板、２……光吸収層、３……光反射層、４……
保護層、６……硬質層
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のトラッキング
方向に断面した拡大断面図、第３図は、第１図の光記録
後のトラッキング方向に断面した拡大断面図、第４図
は、他の実施例を示し光情報記録媒体のトラッキング方
向に断面した拡大断面図、第５図は、その光記録後のト
ラッキング方向に断面した拡大断面図、第６図は、記録
後の光情報記録媒体の透光性基板の表面を示す要部拡大
斜視図、第７図は、上記透光性基板の表面をSTM（Scann
ig Tunneling Microscope）で観察したときのチップの
トラッキング方向に沿う移動距離と高度の関係を示すグ
ラフの例ある。 １……基板、２……光吸収層、３……光反射層、４……
保護層、６……硬質層
Claims (4)
- 【請求項１】透光性基板の上に直接または他の層を介し
て、レーザ光の照射により融解、分解し、上記透光性基
板上にピットを形成する光吸収層と、その背後にレーザ
光を反射する光反射層を有する光情報記録媒体におい
て、上記光吸収層と上記光反射層との間に、同基板に比
して熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層が、ロッ
クウェル硬度ASTMD785においてM100以上、熱変形温度AS
TMD648において100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なく
とも一方の特性を有することを特徴とする光情報記録媒
体。 - 【請求項２】透光性基板の上に直接または他の層を介し
て、レーザ光の照射により融解、分解し、上記透光性基
板上にピットを形成する光吸収層と、その背後にレーザ
光を反射する光反射層を有する光情報記録媒体におい
て、上記光反射層のレーザ光が入射する背後側に、同基
板に比して熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層
が、ロックウェル硬度ASTMD785においてM100以上、熱変
形温度ASTMD648において100℃（4.6kg/cm2）以上の何れ
か少なくとも一方の特性を有することを特徴とする光情
報記録媒体 - 【請求項３】透光性基板の上に直接または他の層を介し
て、レーザ光の照射により溶解、分解する光吸収層を有
する光情報記録媒体を用い、上記基板側から入射させた
レーザ光を光吸収層に照射して、上記透光性基板上にピ
ットを形成する光情報記録方法において、上記光反射層
のレーザ光が入射する背後側に、同基板に比して熱変形
しにくい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウェル硬
度ASTMD785においてM100以上、熱変形温度ASTMD648にお
いて100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一方の
特性を有する光情報記録媒体を用い、上記基板側から入
射させたレーザ光を光吸収層に照射して、前記透光性基
板上にピットを形成することを特徴とする光情報記録方
法。 - 【請求項４】透光性基板の上に直接または他の層を介し
て、レーザ光の照射により融解、分解する光吸収層を有
する光情報記録媒体を用い、上記基板側から入射させた
レーザ光を光吸収層に照射して、上記透光性基板上にピ
ットを形成する光情報記録方法において、上記光反射層
のレーザ光が入射する背後側に、同基板に比して熱変形
しにくい硬質層を有し、この硬質層が、ロックウェル硬
度ASTMD785においてM100以上、熱変形温度ASTMD648にお
いて100℃（4.6kg/cm2）以上の何れか少なくとも一方の
特性を有する光情報記録媒体を用い、上記基板側から入
射させたレーザ光を光吸収層に照射して、前記透光性基
板上にピットを形成することを特徴とする光情報記録方
法。
Priority Applications (42)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007511A JPH0827985B2 (ja) | 1988-07-30 | 1989-01-14 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
| US07/340,544 US5155723A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording method and medium |
| US07/340,082 US4990388A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| US07/340,078 US4940618A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| EP89106873A EP0353394B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording method and medium |
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