PL117438B1 - Method for masking and passivating of semiconductor elementnta - Google Patents
Method for masking and passivating of semiconductor elementnta Download PDFInfo
- Publication number
- PL117438B1 PL117438B1 PL1978204819A PL20481978A PL117438B1 PL 117438 B1 PL117438 B1 PL 117438B1 PL 1978204819 A PL1978204819 A PL 1978204819A PL 20481978 A PL20481978 A PL 20481978A PL 117438 B1 PL117438 B1 PL 117438B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- passivating
- substance
- fragments
- passivating substance
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- YGBGWFLNLDFCQL-UHFFFAOYSA-N boron zinc Chemical compound [B].[Zn] YGBGWFLNLDFCQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób maskowania "i pasywowania elementu pólprzewodnikowego a zwlaszcza sposób odslaniania i pasywacji powierz¬ chni materialu pólprzewodnikowego.Znane srodki pasywu^ace zawieszone w substan- 5 cji wiazacej uzywane sa zwykle w celu wytwo¬ rzenia warstwy przylegajacej do powierzchni pól¬ przewodnika w celu pasywacji wytworzonego zla¬ cza „p—n". Po naniesieniu warstwy pasywujacej substancja wiazaca jest odparowywana a srodek 10 pasywujacy stapiany. Zwykle odparowywanie i sta¬ pianie nastepuje bezposrednio po naniesieniu za¬ wiesiny. W wyniku tego kazda nastepna operacja wykonana na odslonietym materiale wymaga ma¬ skowania, na przyklad przez wytworzenie war- is stwy tlenku krzemu. Musi to nastapic przed wy¬ konaniem kolejnej operacji technologicznej. War¬ stwa maskujaca konieczna jest w celu zabezpiecze¬ nia stopionego srodka pasywujacego przed znisz¬ czeniem podczas nastepnej operacji. Koniecznosc 20 maskowania powoduje, ze srodek pasywujacy na¬ kladany jest jedynie bezposrednio w poblizu pa- sywowanej powierzchni. Faza maskowania nie tylko zwieksza koszty produktu finalnego ale i zwieksza mozliwosc wystepowania defektów beda- »3 cych wynikiem nieprawidlowego ustawienia maski.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wy¬ twarzania elementu pólprzewodnikowego, który nie ma wad sposobów znanych ze stanu techniki.Cel wynalazku zostal osiagniety przez to, ze na 30 warstwe materialu pólprzewodnikowego nanosi sie. warstwe substancji pasywujacej utworzonej przez zwiazek pasywujacy zawieszony w swiatloodpornej substancji wiazacejy wywoluje sie substancje pa- sywujaca w celu odsloniecia fragmentów warstwy materialu, usuwa sie odsloniete fragmenty war¬ stwy materialu a nastepnie wygrzewa sie warstwe substancji pasywujacej w temperaturze powoduja¬ cej stopienie sie substancji pasywujacej ze znaj¬ dujaca sie ponizej warstwa materialu. Po usunie¬ ciu odslonietych fragmentów materialu odparowu¬ je sie substancje zawiesiny w dwóch etapach, naj¬ pierw podnosi sie temperature warstwy substancji pasywujacej do okolo 500°C, nastepnie utrzymuje sie te temperature przez okolo 20 minut, a po za¬ konczeniu wygrzewania warstwe substancji pasy¬ wujacej wyzarza sier Warstwe materialu ulozona na plytce materialu pólprzewodnikowego wykonuje sie z, majacego duza opornosc, krzemu polikrysta¬ licznego naniesionego na poczatku operacji.Podczas wywolywania substancji pasywujacej naswietla sie ja swiatlem ultrafioletowym przez odpowiednia maske fotograficzna a nastepnie war¬ stwe substancji pasywujacej spryskuje sie srod¬ kiem trawiacym w celu odsloniecia fragmentów warstwy polozonej ponizej, który dziala na ma¬ terial tworzacy te warstwe okolo 100 razy szyb¬ ciej niz na warstwe substancji pasywujacej.Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku na którym fig. 1—4 117 4383 117 438 4 przedstawiaja element pólprzewodnikowy w prze¬ kroju w róznych stadiach procesu produkcyjnego wykorzystujacego sposób wedlug wynalazku.Poniewaz sposób wedlug wynalazku moze byc ¦ wykorzystany przy produkcji dowolnych elemen- 5 . tów pólprzewodnikowych, to dla jasnosci opisu wybrany zostal jeden z mozliwych typów, bedacy w tym przypadku przykladem stosowania sposobu wedlug wynalazku.Przedstawiony na figurze 1 element pólprze- 10 wodnikowy 10 ma wykonana z materialu pólprze- * wodnikowego plytke 12 o powierzchni 14. Plytka 12 moze zawierac pewna ilosc obszarów, przykla¬ dowo pierwszy obszar 16 o przewodnictwie typu „n", drugi obszar 18 o przewodnictwie typu „p" 15 polozony w bezposredniej bliskosci pierwszego ob¬ szaru 16 i tworzacy wraz z nim pierwsze zlacze „p—n" 20 powstale na ich styku oraz trzeci ob¬ szar 22 o przewodnictwie typu „n" tworzacy w miejscu styku z drugim obszarem 18, drugie zla- 20 cze typu „p—n" 24.' W przedstawionym przykladzie plytka 12 ma zakrzywione sciany boczne 26 wychodzace w dól i na zewnatrz powierzchni 14. Obecnosc scian bocznych' 26 nie jest warunkiem koniecznym. 25 Pierwsze i drugie zlacze 20, 24 typu „p—n" kon¬ cza sie na scianach bocznych 26 i powierzchni 14.Mozliwe jest równiez aby oba zlacza 20, 24 typu „p—n" konczyly sie jedynie na powierzchni 14.Na powierzchnie 14 nalozona jest co najmniej 30 jedna warstwa 28 substancji. Poniewaz sklad sub¬ stancji tworzacej warstwe 28 nie jest krytyczny dla sposobu wedlug wynalazku, to korzystnym jest, aby w opisanym przypadku skladala sie ona z majacego duza opornosc krzemu polikrystalicz- 35 nego. Okreslenie „majacy duza opornosc" oznacza material o opornosci nie mniejszej niz 1000 Q/cm.Jak przedstawiono na figurze 1 warstwa 30 substancji pasywujacej, majaca postac zawiesiny materialu pasywujacego w swiatloodpornym nos- 40 niku, naniesiona jest na warstwe 28. W celu do¬ kladniejszego zrozumienia i podkreslenia szczegól¬ nych wlasciwosci materialu pasywujacego zawar¬ tego w zawiesinie, warstwa 30 na fig. 1—3 przed¬ stawiona jest jako zakropkowana. Material pasy- 4o wujacy moze zawierac krzemian olowiowo-glinowy, krzemian olowiowo-borowy, krzemian cynkowo- -borowy lub inny podobny zwiazek w postaci pro¬ szku. Ponadto swiatloodporny nosnik moze byc wykonany jako negatyw lub pozytyw. Warstwa 30 50 substancji pasywujacej moze byc naniesiona w do¬ wolny znany sposób na przyklad przez ukladanie za pomoca elektrody miejscowej lub nanoszenie na wirówce. Nanoszenie z jednoczesnym wirowa¬ niem daje lepsze efekty ze wzgledu na latwa moz- 55 liwosc kontrolowania grubosci warstwy 30 przez dobranie lepkosci zawiesiny i ilosci jej nalozen.Ponadto, dzieki wirowaniu warstwa 30 jest bar¬ dziej gladka i posiada bardziej równomierna gru¬ bosc. 60 Nastepnie warstwe 30 materialu pasywujacego naswietla sie przez fotomaske swiatlem ultrafiole¬ towym i wywoluje. Wywolywanie moze byc do¬ konane w dowolny sposób, na przyklad przy uzy¬ ciu preparatu aerozolowego zawierajacego ksylen, w Po wywolaniu element pólprzewodnikowy 10 wy¬ glada tak, jak pokazano na fig. 2. Jak widac, w procesie wywolywania odsloniete zostaly fragmen¬ ty 32 warstwy 28.Nastepnie z elementu" pólprzewodnikowego 10 usuwa sie odsloniete fragmenty 32 warstwy 28.Jak pokazano na fig. 3, jezeli warstwa 28 jest jedyna warstwa oddzielajaca warstwe 30 od po¬ wierzchni 14, to nastapi teraz odsloniecie frag¬ mentów 34 powierzchni 14 elementu pólprzewod¬ nikowego 10. Odsloniete fragmenty 32 warstwy 28 moga byc usuniete w dowolny znany sposób. W przypadku, gdy warstwe 28 stanowi polikrystalicz¬ ny krzem, korzystne jest zastosowanie trawienia plazmowego.W innym przypadku mozliwe jest zastosowanie srodka trawiacego, zawierajacego w równych cze¬ sciach kwasy, azotowy, octowy i fluorowodorowy, reagujacego znacznie szybciej z warstwa 28 niz ze srodkiem wiazacym zawiesiny tworzacej warstwe 30. W przypadku warstwy 28 utworzonej przez ma¬ jacy duza opornosc polikrystaliczny krzem, szyb¬ kosc reakcji srodka trawiacego z warstwa 28 jest okolo 25—100 razy wieksza niz szybkosc reakcji ze swiatloodporna zawiesina.Po usunieciu odslonietych fragmentów 32 war¬ stwy 28 warstwe 30 wygrzewa sie w temperaturze powodujacej odparowanie srodka wiazacego zawie¬ siny. W opisywanym przykladzie konieczne jest utrzymanie temperatury pomiedzy 400°C a 600°C przez okres 5 do 20 minut. Korzystnym jest, aby proces ten przebiegal w temperaturze 500°C przez 20 minut bez dostepu powietrza. Po usunieciu srodka wiazacego, warstwe 30 wygrzewa sie w temperaturze od 700°C — 1000°C przez okres 90 mi¬ nut co ma na celu stopienie srodka pasywujacego.Korzystnym jest aby druga faza wygrzewania równiez przebiegala bez dostepu powietrza. W wy¬ niku drugiego wygrzewania czasteczki srodka pa¬ sywujacego tworzacego warstwe 30 stapiaja sie ze, soba i ze znajdujaca sie ponizej warstwa 28.Zaznaczono to brakiem kropek w warstwie 30 na fig. 4. W tym momencie konczy sie sposób we¬ dlug wynalazku. s W przedstawionym przykladzie, gdy warstwa 23 utworzona jest z polikrystalicznego krzemu, który jak wiadomo ma dzialanie jako chemiczny pasy- wator mozliwe jest nastepnie metalizowanie od¬ slonietych przez wytrawiona warstwe 28 fragmen¬ tów powierzchni 14. Element pólprzewodnikowy 10 moze byc nastepnie wykonany i zamkniety w do¬ wolny znany sposób.Stosowanie sposobu wedlug wynalazku powoduje zmniejszenie ilosci operacji koniecznych do odslo¬ niecia warstwy 28 elementu pólprzewodnikowego 10, lezacej pod warstwa 30 srodka pasywujacego.Tak wiec sposób ten umozliwia odsloniecie war¬ stwy 28 mogacej stykac sie z powierzchnia 14 bez¬ posrednio po naniesieniu warstwy 30 srodka pa¬ sywujacego lecz przed jego stopieniem. Pozwala to na latwe zastosowanie opisanego sposobu w zna¬ nych procesach wytwarzania elementów pólprze¬ wodnikowych zmniejszajac koszt wyrobu finalnego i zmniejszajac ryzyko niepokrywania sie masek w kolejno nastepujacych po sobie operacjach.5 117 438 6 Zastrzezenia patentowe 1. Sposób maskowania i pasywowania elementu pólprzewodnikowego, znamienny tym, ze na war¬ stwe materialu umieszczonego ponad plytka ma¬ terialu pólprzewodnikowego nanosi sie warstwe substancji pasywujacej, utworzonej przez zwiazek -pasywujacy zawieszony w swiatloodpornej substan¬ cji wiazacej, wywoluje sie substancje pasywujaca w celu odsloniecia fragmentów warstwy materialu, usuwa sie odsloniete fragmenty warstwy materia¬ lu a nastepnie wygrzewa sie warstwe substancji pasywujacej w temperaturze powodujacej stopie¬ nie sie substancji pasywujacej ze znajdujaca sie ponizej warstwa materialu. ^ 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po usunieciu odslonietych fragmentów warstwy materialu, odparowuje sie substancje wiazaca za¬ wiesiny a nastepnie dokonuje sie wygrzewania stapiajacego. 3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze odparowania dokonuje sie w dwóch etapach, naj¬ pierw podnosi sie temperature warstwy substancji 10 15 20 pasywujacej do okolo 500°C a nastepnie utrzy¬ muje sie te temperature przez okolo 20 minut. 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po zakonczeniu wygrzewania, warstwe substancji pasywujacej wyzarza sie. i 5. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwe materialu ulozona na plytce materialu pólprzewodnikowego wykonuje sie z majacego duza opornosc krzemu polikrystalicznego naniesionego na- samym poczatku operacji. 6. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podczas wywolywania substancji pasywujacej na¬ swietla sie substancje pasywujaca swiatlem ultra¬ fioletowym przez odpowiednia maske fotograficzna a nastepnie spryskuje sie warstwe substancji pa¬ sywujacej srodkiem trawiacym w celu odsloniecia fragmentów warstwy polozonej ponizej. 7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podczas usuwania odslonietych fragmentów war¬ stwy materialu wytrawia sie ja w srodku trawia¬ cym, dzialajacym na material tworzacy te warstwe okolo 100 razy szybciej niz na warstwe substancji pasywujacej. 30- 28 Fig. I r32 r3V32 r3°r32 wm u///«/ly.Fig. 2 Fig. 4 PL PL PL PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób maskowania i pasywowania elementu pólprzewodnikowego, znamienny tym, ze na war¬ stwe materialu umieszczonego ponad plytka ma¬ terialu pólprzewodnikowego nanosi sie warstwe substancji pasywujacej, utworzonej przez zwiazek -pasywujacy zawieszony w swiatloodpornej substan¬ cji wiazacej, wywoluje sie substancje pasywujaca w celu odsloniecia fragmentów warstwy materialu, usuwa sie odsloniete fragmenty warstwy materia¬ lu a nastepnie wygrzewa sie warstwe substancji pasywujacej w temperaturze powodujacej stopie¬ nie sie substancji pasywujacej ze znajdujaca sie ponizej warstwa materialu. ^2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po usunieciu odslonietych fragmentów warstwy materialu, odparowuje sie substancje wiazaca za¬ wiesiny a nastepnie dokonuje sie wygrzewania stapiajacego.3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze odparowania dokonuje sie w dwóch etapach, naj¬ pierw podnosi sie temperature warstwy substancji 10 15 20 pasywujacej do okolo 500°C a nastepnie utrzy¬ muje sie te temperature przez okolo 20 minut.4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po zakonczeniu wygrzewania, warstwe substancji pasywujacej wyzarza sie. i5. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwe materialu ulozona na plytce materialu pólprzewodnikowego wykonuje sie z majacego duza opornosc krzemu polikrystalicznego naniesionego na- samym poczatku operacji.6. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podczas wywolywania substancji pasywujacej na¬ swietla sie substancje pasywujaca swiatlem ultra¬ fioletowym przez odpowiednia maske fotograficzna a nastepnie spryskuje sie warstwe substancji pa¬ sywujacej srodkiem trawiacym w celu odsloniecia fragmentów warstwy polozonej ponizej.7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podczas usuwania odslonietych fragmentów war¬ stwy materialu wytrawia sie ja w srodku trawia¬ cym, dzialajacym na material tworzacy te warstwe okolo 100 razy szybciej niz na warstwe substancji pasywujacej. 30- 28 Fig. I r32 r3V32 r3°r32 wm u///«/ly. Fig.
2.Fig. 4 PL PL PL PL PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US77168277A | 1977-02-24 | 1977-02-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL204819A1 PL204819A1 (pl) | 1978-11-06 |
| PL117438B1 true PL117438B1 (en) | 1981-08-31 |
Family
ID=25092629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1978204819A PL117438B1 (en) | 1977-02-24 | 1978-02-22 | Method for masking and passivating of semiconductor elementnta |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53105983A (pl) |
| DE (1) | DE2806567A1 (pl) |
| GB (1) | GB1552758A (pl) |
| IT (1) | IT7819031A0 (pl) |
| PL (1) | PL117438B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2524707B1 (fr) * | 1982-04-01 | 1985-05-31 | Cit Alcatel | Procede d'encapsulation de composants semi-conducteurs, et composants encapsules obtenus |
-
1978
- 1978-01-04 IT IT7819031A patent/IT7819031A0/it unknown
- 1978-02-16 GB GB6177/78A patent/GB1552758A/en not_active Expired
- 1978-02-16 DE DE19782806567 patent/DE2806567A1/de not_active Withdrawn
- 1978-02-20 JP JP1901978A patent/JPS53105983A/ja active Pending
- 1978-02-22 PL PL1978204819A patent/PL117438B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53105983A (en) | 1978-09-14 |
| PL204819A1 (pl) | 1978-11-06 |
| GB1552758A (en) | 1979-09-19 |
| DE2806567A1 (de) | 1978-08-31 |
| IT7819031A0 (it) | 1978-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4133690A (en) | Glass composition for passivating semiconductor surfaces | |
| US3476577A (en) | Antifoulant composition and method | |
| US3901736A (en) | Method of making deep diode devices | |
| US5401690A (en) | Method for making circular diode chips through glass passivation | |
| DE3537584A1 (de) | Verfahren zur verhinderung einer korrosion nach durchfuehrung einer aluminium-aetzung | |
| US3632434A (en) | Process for glass passivating silicon semiconductor junctions | |
| PL117438B1 (en) | Method for masking and passivating of semiconductor elementnta | |
| US3255005A (en) | Masking process for semiconductor elements | |
| CH631291A5 (de) | Verfahren zur stabilisierenden oberflaechenbehandlung von halbleiterkoerpern. | |
| US4159215A (en) | Droplet migration doping using reactive carriers and dopants | |
| US3355291A (en) | Application of glass to semiconductor devices | |
| DE2037524A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines in Glas gekapselten Halbleiterbauelements | |
| CA1165847A (en) | Method of manufacturing photo-voltaic devices | |
| JPS583984A (ja) | クロム・エッチング用の酸性の水性エッチャント組成物 | |
| US3444015A (en) | Method of etching tantalum | |
| JPS54113253A (en) | Bonding method of semiconductor pellet | |
| JPS61179541A (ja) | リフトオフ法によるパタ−ン形成法 | |
| JPS6320377B2 (pl) | ||
| JPS59150427A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS618941A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS54107423A (en) | Selenium material, its manufacture, and photosensor thereof for electronic photograph | |
| JPS604236A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| SU1506481A1 (ru) | Способ изготовлени элемента пам ти дл ППЗУ | |
| Miles et al. | An Electrochemical Method for Stripping Tin From Semiconductor Packages | |
| JPS5914642A (ja) | 半導体における選択的ガラスパツシベ−シヨン方法 |