NO119489B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
NO119489B
NO119489B NO149673A NO14967363A NO119489B NO 119489 B NO119489 B NO 119489B NO 149673 A NO149673 A NO 149673A NO 14967363 A NO14967363 A NO 14967363A NO 119489 B NO119489 B NO 119489B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
tool
shaft
tool holder
conical
bore
Prior art date
Application number
NO149673A
Other languages
English (en)
Inventor
J Haenichen
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of NO119489B publication Critical patent/NO119489B/no

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73Bipolar junction transistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/2205Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities from the substrate during epitaxy, e.g. autodoping; Preventing or using autodoping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861Diodes
    • H01L29/866Zener diodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/037Diffusion-deposition
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/043Dual dielectric
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/053Field effect transistors fets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/062Gold diffusion
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/118Oxide films
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914Doping
    • Y10S438/92Controlling diffusion profile by oxidation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/965Shaped junction formation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/981Utilizing varying dielectric thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Gripping On Spindles (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

Innretning til å fastspenne verktøy eller lignende.
Denne oppfinnelse vedrører en innretning til å fastspenne et med et konisk skaft forsynt verktøy eller lignende i en drivdels koniske boring ved hjelp av en på tvers av verktøyet anordnet fastspenningskamaksel, hvis kamskive, som er anordnet i til hinannen hørende utsparinger i verktøyet og i drivdelen, ved dreining av akslen i en retning fastspenner verktøyet. I henhold til oppfinnelsen har kamskiven på akslen en utkastningskant og verktøyet er forsynt med en utkastningsribbe som er således anordnet at utkastningskanten ved dreining av akslen i retning motsatt fastspenningsretningen treffer utkastnings-ribben.
Oppfinnelsen er vist på tegningen, hvor fig. 1 er et lengdesnitt gjennom en drivspindel og viser sett fra siden en verk-tøyholder fastlåst i spindelens koniske
holder eller boring, fig. 2 er et liknende riss med kamakselen dreiet i stilling for holderens frigjøring og utstøtning, fig. 3 og 4 er tverrsnitt henholdsvis efter linjene 3—3 og 4—4 i fig. 1, fig. 5 er et detaljsnitt efter linjen 5—5 i fig. 4, fig. 6 viser sett ovenfra den kombinrte kamlås og utstøter fig. 7 viser verktøyholderen sett ovenfra.
Fig. 8, 9 og 10 er sideriss av verktøyholde-ren som viser dens bruk i forskjllige øye-med, og fig. 11 og 12 viser i snitt forstør-relser av fig. 1 resp. 2 og illustrerer krefte-nes retning ved låsning og utkastning av verktøyholderen.
Verktøyspindelen eller drivdelen, som
generelt er betegnet 11, har en konisk boring 12 avpasset til å oppta den koniske ende 13 på en verktøyholder betegnet generelt 14. Delen 11 kan være drivspindelen
eller hvilkensomhelst annen anordning til å forbindes med en drivspindel. I verktøy-maskinpraksisen er delen 11 drivdelen. Konusvinkelen av boringen 12 og enden 13 av verktøyholderen er fortrinsvis den som er kjent som NMTB-konussen, en standard som er antatt av «National Machine Tool Builders». Denne konus er dannet slik at den ikke skal kile seg fast eller «klebe» men under hensyntagen til den store grad av fasthet og stivhet som er ønskelig i inngrepet mellom disse koniske deler og det faktum at enkelte arbeidere i overdreven grad driver verktøyholderen inn i den koniske boring, og det enkelte ganger vanskelig å frigjøre holderen uten hamring eller drivning som er vel kjent på området.
Oppfinnelsen er imidlertid ikke begrenset til denne spesielle konusvinkel.
Som vist i fig. 4 er drivdelen 11 utstyrt med en tverrgående boring 15 som skjærer den koniske boring 12 og har ved den ene ende en boring 16 med redusert diameter. I denne boring er montert for roterende bevegelse en fastspenningskamaksel 17 som er kombinert låse- og utstøterdel. Denne del 17 har tapper 18 og 19 som er lagret i det største og minste parti av tverrboringen
som vist i fig. 4. En tapp 21 som er gjenget
inn i spindeldelen griper inn i sporet 22 for å holde akselen 17 fast mot aksial for-skyvning. Som vist i fig. 5 har sporet 22 ender 23 og 24 soom begrenser akselens 17 dreiebevegelse ved å støte mot tappen 21. Akselen 17 har en fordypning eller et hull 25 i den ene ende til å oppta en standard
skrunøkkel 20 som operatøren bruker for å dreie akselen 17 i retning for låsning og for å dreie den i motsatt retning for fri-
gjøring og utstøtning av verktøyholderen. ] Disse funksjoner utføres ved de nye an-ordninger som nu vil bli beskrevet.
Akselen 17 er maskinert for å skaffe J en kamskive 26 med en bred side som ender ( ved 27 og 28 og har en gradvis økende radius som strekker seg fra et lavt punkt 29 til et høyt punkt 31 som vist i fig. 1 og 2. Denne kamskive er avpasset til å ligge an mot den plane, hellende flate 32 som er maskinert ved den ene ende av en fordypning 33 i den koniske ende 13 av verktøyholderen 14. Formen av kamskiven 26 vises best i fig. 11 og er i forhold til akseldreietappen 19 vist med strekede linjer i fig. 4. Ved dreining av delen 17 med urviseren, sett en fig. 1, legger skiven 26 seg an mot flaten 32 og meddeler denne et gradvis tiltagende trykk hvorved den koniske ende 13 drives inn i den koniske boring 12 for å anbringe og fastlåse verktøy-holderen i samme. Dette oppretter ikke bare låseinngrep men også drivinngrep mellom delene 11 og 14. Ved å dreie akselen 17 mot urviseren (fig. 2) vil skiven 26 gradvis føres bort fra flaten 32 for å tillate tilbaketrekning av verktøyholderen 14. Imidlertid griper ufravikelig den koniske ende 13 så fast i boringen 12 at den gjør det vanskelig å bli trukket ut uten bruk av kammer eller en utdrivningskile, som tid-ligere vanligvis ble brukt.
Ifølge oppfinnelsen er det skaffet an-ordninger til å frigjøre og utstøte verktø-holderen 14 fra dens nevnte låste inngrep, hvilke består av en bred utstøterkant 34 som er dannet på akselen 17 ved kampar - tiets høyeste ende og i samvirkende forhold med en utkastningsribbe 35 som er dannet på den koniske ende av verktøyholderen ved den høyeste ende av skråflaten 32. Det vil bemerkes at akselen 17 har en avflat-ning 36 for å skaffe klaring mellom delene 17 og 13 ved visse stillinger av delen 17. For å frigjøre kamskiven fra låsestilling, vist i fig. 1, innsettes nøklen 20 (fig. 4) i sporet 25 og dreies mot urviseren, hvorved skiven 26 trekkes bort fra skråflaten 32. Denne bevegelse av nøkkelen vil bli fort-satt i et hurtig slag for å føre kanten 34 i låseinngrep med ribben 35 for å meddele denne et trykkslag i en retning til å fri-gjøre den koniske ende 13 fra boringen 12 og støte verktøyholderen 14 ut som vist i fig. 2. Akselen 17 dreies herunder omkring 180°. Delene er således konstruert at kanten 34 (se fig. 11, 12) ved denne hurtige manu-elle bevegelse av skrunøkkelen 20 vil ut-føre i verktøyholderens 14 lengderetning en støtkraft som vil løse den tilspissede ende L3 fra boringen 12. Skjønt verktøyholderen 14 da som vist i fig. 2 er blitt løst fra spin-ielen 11 og delvis utkastet, kan den på 51-unn av anlegget mellom kanten 34 og ribben 35 ennu ikke fritt trekkes tilbake derfra. Reaksjonen fra støtkraften vil kaste tilbake akselen 17 noe i urviserens retning og derved trekke tilbake kanten 34 fra arealet innenfor boringen 12. Skulle arbeideren forsinke denne reaksjon, vil han omkaste bevegelsen av skrunøkkelen mot urviserens retning nok til å trekke kanten 34 tilbake og bringe klaringen 36 i hovedsakelig parallell stilling med verk-tøyholderens koniske parti. Dette gir full klaring for tilbaketrekning av verktøy-holderen 14 fra boringen 12. Disse opera-sjoner med låsing og og utkasting av verk-tøyholderen sees tydeligere av fig. 11 og 12. I fig. 11, som viser en forstørrelse av de i fig. 1 viste deler, er akselen 17 blitt beveget til fullstendig låst stilling. I denne stilling utøver akselen 17 en låsekraft i den linje som er betegnet med 46 i fig. 11. Dette skjer ved den omtalte kamskivevirkning, resultatet av den gradvise stigning av kamskiveflaten fra deres begynnelsespunkt 47 til et teoretisk låsepunkt 48. Denne kam-skiveflate fortsetter imidlertid å stige gradvis til omtrent endepunktet 49. Denne til-leggskamskiveflate fra låsepunktet 48 til punktet 49 tjener til å sikre full låsekraft i tilfelle av slitasje av delene eller i tilfelle av variasjoner i fabrikasjon av de samvirkende deler som nødvendiggjør klemvirk-ning utover den teoretisk fullstendige låsning ved 48. Kamskiveflaten kan fortsette til kanten 34. I fig. 12, som er en forstør-relse av de i fig. 2 viste deler, er akselen 17 blitt beveget mot urviserens retning for å trekke kamskiven tilbake fra flaten 32 og bringe kanten 34 i støtanlegg med ribben 35 på en sådan måte at der meddeles en utkastningskraft i den med 51 betegnede retning. Denne utløsning og utkastning av verktøyholderen er uten videre åpenbar for arbeideren, og han gir da skrunøkkelen 20 en liten bevegelse i motsatt retning, hvorved kanten 34 trekkes tilbake til den i fig.
12 med punktert linje viste stilling, nemlig
til den omtalte klaringsstilling. Ved hjelp av en enkelt del 17 fastlåses således en verk-tøyholder i en drivdel og den kan derefter
frigjøres og støtes ut av samme ganske enkelt ved dreiebevegelse av denne del 17. Ved denne anordning kan en operatør hurtig låse en verktøyholder fast i en spindel eller liknende og like hurtig frigjøre og ut-støte holderen, og disse funksjoner kan ut-føres meget nøyaktig uten å være avhengig
av at operatøren har særlig fagkunnskap eller er omsorgsfull. 1
Drivforbindelsen mellom delene 11 og 14 er utført på kjent måte ved at et eller flere fremspring 37 som på passende måte er stivt festet på spindeldelens 11 endeflate og er anordnet til å passe inn i slisser eller fordypninger 38 i en flens 39 som er utfor-met i ett med verktøyholderen 14. 'De samvirkende sider av fremspringene 37 og slis-sene 38 er fortrinsvis parallelle med delens 11 lengdeakse når de er låst sammen. Med denne konstruksjon vil de samvirkende sider 37—38 tjene til nøyaktig innstilling av verktøyholderen i forhold til spindelen slik at skråflaten 32 vil bli bragt i riktig og nøyaktig forhold til den eksentriske kamskive 26, hvorved enhver uriktig kontakt eller skjevhet i inngrepet mellom de samvirkende kamflater mellom endene 27 og 28 av siden 26 elimineres. En annen fordel er at der skaffes en stor drivdiameter ved hjelp av drivfremspringene 37, hvilken vil gi større dreiemoment enn inngrepet mellom kamflatene 26—32. Denne drift ved fremspringene 37 sikrer en spesiell solid og stiv drivforbindelse og avhjelper slitasje og påkjenning på kamflatene 26—32 og bortskaffer også mulig løsning av disse fla-ter i tilfelle av en mindre skjevhet mellom delene 11 og 14, som kunne oppstå hvis driften 36—37 ikke var anordnet.
Oppfinnelsen er bestemt til bruk på verktøyholdere i sin alminnelighet hvor en konisk del passer inn i en konisk holder eller boring, Som ovenfor beskrevet kan den koniske boring være i en drivspindel eller i en annen drivdel. Det skal fremholdes at verktøyholderdelen som har det koniske endeparti til å passe inn i den koniske boring kan være selve verktøyet, eller det kan være en mellomholder eller en hvilken som helst variant med forskjellige utform-ninger.
I de i fig. 1—4 viste utførelsesformer er delen 14 en verktøyholder. I fig. 8 er
vist en borstang hvor verktøyholderen 41 er utstyrt med et boreverktøy 42. I fig. 9 er vist en mellomholder 43 for en endefres 44. Freser av andre størrelser eller former
kan innskiftes på mellomholderen 43. I fig. 10 er vist en mellomholder 45 utstyrt med en konisk boring 46 til opptagelse av den koniske tange på et verktøy f. eks. et bor eller en fres. Selve verktøyholderen kan også tjene til å holde en verktøy-chuck. Dette illustrerer noen av de typer av verktøyholdere eller mellomholdere ved hvilke oppfinnelsen kan brukes. Det vil derfor være klart at oppfinnelsen er særlig fordelaktig hvor det arbeide som ut-føres krever ombytting av verktøy som f. eks. ved en serie av skjæreoper as joner, der spares megen tid og anstrengelse for operatøren, en best mulig drivforbindelse er opprettet og delene kan så å si øye-blikkelig frakoples lett og uten skade for maskinen.

Claims (1)

  1. Innretning til å fastspenne et med et konisk skaft forsynt verktøy eller lignende
    i en drivspindels koniske boring ved hjelp av en på tvers av verktøyet anordnet fastspenningskamaksel, hvis kamskive, som er anordnet i til hinannen hørende utsparinger i verktøyet og i drivspindelen, ved dreining av akselen i en retning fastspenner verktøyet, karakterisert ved at kamskiven på akselen har en utkastningskant (34) og verktøyet er forsynt med en utkastningsribbe (35) som er således anordnet at utkastningskanten (34) ved dreining av akselen (17) i retning motsatt fastspenningsretningen treffer ut-kastningsribben (35).
NO149673A 1962-08-23 1963-08-08 NO119489B (no)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US218904A US3226611A (en) 1962-08-23 1962-08-23 Semiconductor device
US265736A US3226612A (en) 1962-08-23 1963-03-18 Semiconductor device and method
US265649A US3226613A (en) 1962-08-23 1963-03-18 High voltage semiconductor device
US321070A US3226614A (en) 1962-08-23 1963-11-04 High voltage semiconductor device
US465012A US3309245A (en) 1962-08-23 1965-06-18 Method for making a semiconductor device
US504813A US3309246A (en) 1962-08-23 1965-10-24 Method for making a high voltage semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NO119489B true NO119489B (no) 1970-05-25

Family

ID=27559106

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO149673A NO119489B (no) 1962-08-23 1963-08-08
NO149672A NO115810B (no) 1962-08-23 1963-08-08

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO149672A NO115810B (no) 1962-08-23 1963-08-08

Country Status (9)

Country Link
US (6) US3226611A (no)
BE (2) BE636317A (no)
CH (1) CH439498A (no)
DE (3) DE1295094B (no)
DK (2) DK128388B (no)
GB (2) GB1060303A (no)
NL (3) NL146646B (no)
NO (2) NO119489B (no)
SE (2) SE315660B (no)

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1012519A (en) * 1962-08-14 1965-12-08 Texas Instruments Inc Field-effect transistors
NL297002A (no) * 1962-08-23 1900-01-01
BE637064A (no) * 1962-09-07 Rca Corp
BE639315A (no) * 1962-10-31
US3199756A (en) * 1963-04-09 1965-08-10 Coroga Company Package chain assembly and conveying means
US3319311A (en) * 1963-05-24 1967-05-16 Ibm Semiconductor devices and their fabrication
US3472703A (en) * 1963-06-06 1969-10-14 Hitachi Ltd Method for producing semiconductor devices
NL135876C (no) * 1963-06-11
US3304594A (en) * 1963-08-15 1967-02-21 Motorola Inc Method of making integrated circuit by controlled process
US3366850A (en) * 1963-09-10 1968-01-30 Solid State Radiations Inc P-n junction device with interstitial impurity means to increase the reverse breakdown voltage
DE1228343B (de) * 1963-10-22 1966-11-10 Siemens Ag Steuerbare Halbleiterdiode mit stellenweise negativer Strom-Spannungs-Kennlinie
NL136562C (no) * 1963-10-24
US3313012A (en) * 1963-11-13 1967-04-11 Texas Instruments Inc Method for making a pnpn device by diffusing
DE1250790B (de) * 1963-12-13 1967-09-28 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Verfahren zur Herstellung diffundierter Zonen von Verunreinigungen in einem Halbleiterkörper
GB1094068A (en) * 1963-12-26 1967-12-06 Rca Corp Semiconductive devices and methods of producing them
US3342650A (en) * 1964-02-10 1967-09-19 Hitachi Ltd Method of making semiconductor devices by double masking
US3860948A (en) * 1964-02-13 1975-01-14 Hitachi Ltd Method for manufacturing semiconductor devices having oxide films and the semiconductor devices manufactured thereby
US3361592A (en) * 1964-03-16 1968-01-02 Hughes Aircraft Co Semiconductor device manufacture
US3341755A (en) * 1964-03-20 1967-09-12 Westinghouse Electric Corp Switching transistor structure and method of making the same
US3404304A (en) * 1964-04-30 1968-10-01 Texas Instruments Inc Semiconductor junction device for generating optical radiation
DE1210955B (de) * 1964-06-09 1966-02-17 Ibm Deutschland Verfahren zum Maskieren von Kristallen und zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
US3343049A (en) * 1964-06-18 1967-09-19 Ibm Semiconductor devices and passivation thereof
US3401448A (en) * 1964-06-22 1968-09-17 Globe Union Inc Process for making photosensitive semiconductor devices
USB381501I5 (no) * 1964-07-09
US3341749A (en) * 1964-08-10 1967-09-12 Ass Elect Ind Four layer semiconductor devices with improved high voltage characteristics
CA956038A (en) * 1964-08-20 1974-10-08 Roy W. Stiegler (Jr.) Semiconductor devices with field electrodes
GB1095412A (no) * 1964-08-26
US3379584A (en) * 1964-09-04 1968-04-23 Texas Instruments Inc Semiconductor wafer with at least one epitaxial layer and methods of making same
DE1496870A1 (de) * 1964-10-01 1970-01-08 Hitachi Ltd Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
US3345216A (en) * 1964-10-07 1967-10-03 Motorola Inc Method of controlling channel formation
US3341377A (en) * 1964-10-16 1967-09-12 Fairchild Camera Instr Co Surface-passivated alloy semiconductor devices and method for producing the same
US3328210A (en) * 1964-10-26 1967-06-27 North American Aviation Inc Method of treating semiconductor device by ionic bombardment
DE1439739B2 (de) * 1964-11-06 1973-11-08 Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
US3312577A (en) * 1964-11-24 1967-04-04 Int Standard Electric Corp Process for passivating planar semiconductor devices
US3305708A (en) * 1964-11-25 1967-02-21 Rca Corp Insulated-gate field-effect semiconductor device
US3435302A (en) * 1964-11-26 1969-03-25 Sumitomo Electric Industries Constant current semiconductor device
DE1439478A1 (de) * 1964-12-01 1968-10-31 Siemens Ag Flaechentransistor zum Betrieb in Regelschaltungen
USB421061I5 (no) * 1964-12-24
US3341380A (en) * 1964-12-28 1967-09-12 Gen Electric Method of producing semiconductor devices
BE674294A (no) * 1964-12-28
US3338758A (en) * 1964-12-31 1967-08-29 Fairchild Camera Instr Co Surface gradient protected high breakdown junctions
US3484662A (en) * 1965-01-15 1969-12-16 North American Rockwell Thin film transistor on an insulating substrate
US3491434A (en) * 1965-01-28 1970-01-27 Texas Instruments Inc Junction isolation diffusion
GB1028485A (en) * 1965-02-01 1966-05-04 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor devices
US3268782A (en) * 1965-02-02 1966-08-23 Int Rectifier Corp High rate of rise of current-fourlayer device
US3383568A (en) * 1965-02-04 1968-05-14 Texas Instruments Inc Semiconductor device utilizing glass and oxides as an insulator for hermetically sealing the junctions
US3354006A (en) * 1965-03-01 1967-11-21 Texas Instruments Inc Method of forming a diode by using a mask and diffusion
GB1061506A (en) * 1965-03-31 1967-03-15 Ibm Method of forming a semiconductor device and device so made
US3325707A (en) * 1965-04-26 1967-06-13 Rca Corp Transistor with low collector capacitance and method of making same
US3417464A (en) * 1965-05-21 1968-12-24 Ibm Method for fabricating insulated-gate field-effect transistors
US3394037A (en) * 1965-05-28 1968-07-23 Motorola Inc Method of making a semiconductor device by masking and diffusion
US3411199A (en) * 1965-05-28 1968-11-19 Rca Corp Semiconductor device fabrication
US3365629A (en) * 1965-06-24 1968-01-23 Sprague Electric Co Chopper amplifier having high breakdown voltage
US3434893A (en) * 1965-06-28 1969-03-25 Honeywell Inc Semiconductor device with a lateral retrograded pn junction
US3402081A (en) * 1965-06-30 1968-09-17 Ibm Method for controlling the electrical characteristics of a semiconductor surface and product produced thereby
FR1450654A (fr) * 1965-07-01 1966-06-24 Radiotechnique Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs de détection de radiations ionisantes
US3397449A (en) * 1965-07-14 1968-08-20 Hughes Aircraft Co Making p-nu junction under glass
US3440496A (en) * 1965-07-20 1969-04-22 Hughes Aircraft Co Surface-protected semiconductor devices and methods of manufacturing
US3391287A (en) * 1965-07-30 1968-07-02 Westinghouse Electric Corp Guard junctions for p-nu junction semiconductor devices
US3473093A (en) * 1965-08-18 1969-10-14 Ibm Semiconductor device having compensated barrier zones between n-p junctions
US3418181A (en) * 1965-10-20 1968-12-24 Motorola Inc Method of forming a semiconductor by masking and diffusing
US3426422A (en) * 1965-10-23 1969-02-11 Fairchild Camera Instr Co Method of making stable semiconductor devices
DE1544273A1 (de) * 1965-12-13 1969-09-04 Siemens Ag Verfahren zum Eindiffundieren von aus der Gasphase dargebotenem Dotierungsmaterial in einen Halbleitergrundkristall
US3503813A (en) * 1965-12-15 1970-03-31 Hitachi Ltd Method of making a semiconductor device
US3508125A (en) * 1966-01-06 1970-04-21 Texas Instruments Inc Microwave mixer diode comprising a schottky barrier junction
USB534135I5 (no) * 1966-03-14
US3490964A (en) * 1966-04-29 1970-01-20 Texas Instruments Inc Process of forming semiconductor devices by masking and diffusion
US3457125A (en) * 1966-06-21 1969-07-22 Union Carbide Corp Passivation of semiconductor devices
US3476619A (en) * 1966-09-13 1969-11-04 Motorola Inc Semiconductor device stabilization
US3506890A (en) * 1966-10-31 1970-04-14 Hitachi Ltd Field effect semiconductor device having channel stopping means
US3497407A (en) * 1966-12-28 1970-02-24 Ibm Etching of semiconductor coatings of sio2
GB1140822A (en) * 1967-01-26 1969-01-22 Westinghouse Brake & Signal Semi-conductor elements
US3632433A (en) * 1967-03-29 1972-01-04 Hitachi Ltd Method for producing a semiconductor device
US3510735A (en) * 1967-04-13 1970-05-05 Scient Data Systems Inc Transistor with integral pinch resistor
DE1644003A1 (de) * 1967-04-20 1970-09-24 Siemens Ag Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen
US3532945A (en) * 1967-08-30 1970-10-06 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor devices having a low capacitance junction
US3510728A (en) * 1967-09-08 1970-05-05 Motorola Inc Isolation of multiple layer metal circuits with low temperature phosphorus silicates
US3959810A (en) * 1967-10-02 1976-05-25 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device and the same
US3515956A (en) * 1967-10-16 1970-06-02 Ion Physics Corp High-voltage semiconductor device having a guard ring containing substitutionally active ions in interstitial positions
US3518750A (en) * 1968-10-02 1970-07-07 Nat Semiconductor Corp Method of manufacturing a misfet
US3923562A (en) * 1968-10-07 1975-12-02 Ibm Process for producing monolithic circuits
US3617398A (en) * 1968-10-22 1971-11-02 Ibm A process for fabricating semiconductor devices having compensated barrier zones between np-junctions
US3519897A (en) * 1968-10-31 1970-07-07 Nat Semiconductor Corp Semiconductor surface inversion protection
NL161923C (nl) * 1969-04-18 1980-03-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
NL165005C (nl) * 1969-06-26 1981-02-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
US3582725A (en) * 1969-08-21 1971-06-01 Nippon Electric Co Semiconductor integrated circuit device and the method of manufacturing the same
US3657612A (en) * 1970-04-20 1972-04-18 Ibm Inverse transistor with high current gain
FR2108781B1 (no) * 1970-10-05 1974-10-31 Radiotechnique Compelec
US3719535A (en) * 1970-12-21 1973-03-06 Motorola Inc Hyperfine geometry devices and method for their fabrication
US3776786A (en) * 1971-03-18 1973-12-04 Motorola Inc Method of producing high speed transistors and resistors simultaneously
US3842490A (en) * 1971-04-21 1974-10-22 Signetics Corp Semiconductor structure with sloped side walls and method
US3772575A (en) * 1971-04-28 1973-11-13 Rca Corp High heat dissipation solder-reflow flip chip transistor
US3677280A (en) * 1971-06-21 1972-07-18 Fairchild Camera Instr Co Optimum high gain-bandwidth phototransistor structure
DE2241600A1 (de) * 1971-08-26 1973-03-01 Dionics Inc Hochspannungs-p-n-uebergang und seine anwendung in halbleiterschaltelementen, sowie verfahren zu seiner herstellung
JPS4974486A (no) * 1972-11-17 1974-07-18
NL161301C (nl) * 1972-12-29 1980-01-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
US3895392A (en) * 1973-04-05 1975-07-15 Signetics Corp Bipolar transistor structure having ion implanted region and method
CA1025034A (en) * 1973-06-01 1978-01-24 Herman Statz Semiconductor devices with isolation between adjacent regions and method of manufacture
US3986752A (en) * 1974-04-11 1976-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resilient center bearing assembly
GB1499845A (en) * 1975-03-26 1978-02-01 Mullard Ltd Thyristors
JPS5211872A (en) * 1975-07-18 1977-01-29 Toshiba Corp Semiconductor device
US4124863A (en) * 1977-04-12 1978-11-07 Harris Corporation Positively biased substrate IC with thermal oxide guard ring
US4105476A (en) * 1977-05-02 1978-08-08 Solitron Devices, Inc. Method of manufacturing semiconductors
US4225874A (en) * 1978-03-09 1980-09-30 Rca Corporation Semiconductor device having integrated diode
JPS55123157A (en) * 1979-03-16 1980-09-22 Oki Electric Ind Co Ltd High-stability ion-injected resistor
JPS5627935A (en) * 1979-08-15 1981-03-18 Toshiba Corp Semiconductor device
US4412242A (en) * 1980-11-17 1983-10-25 International Rectifier Corporation Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions
US4757363A (en) * 1984-09-14 1988-07-12 Harris Corporation ESD protection network for IGFET circuits with SCR prevention guard rings
US8324713B2 (en) * 2005-10-31 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Profile design for lateral-vertical bipolar junction transistor
TW201330282A (zh) * 2012-01-09 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 齊納二極體結構及其製造方法
FR3049770B1 (fr) * 2016-03-31 2018-07-27 Stmicroelectronics (Tours) Sas Composant de puissance vertical
US10211326B2 (en) * 2016-03-31 2019-02-19 Stmicroelectronics (Tours) Sas Vertical power component

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA667423A (en) * 1963-07-23 Northern Electric Company Limited Semiconductor device and method of manufacture
US2462218A (en) * 1945-04-17 1949-02-22 Bell Telephone Labor Inc Electrical translator and method of making it
US2666814A (en) * 1949-04-27 1954-01-19 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translating device
US2703296A (en) * 1950-06-20 1955-03-01 Bell Telephone Labor Inc Method of producing a semiconductor element
US2748325A (en) * 1953-04-16 1956-05-29 Rca Corp Semi-conductor devices and methods for treating same
US2816847A (en) * 1953-11-18 1957-12-17 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor signal translating devices
BE534505A (no) * 1953-12-30
US2743200A (en) * 1954-05-27 1956-04-24 Bell Telephone Labor Inc Method of forming junctions in silicon
NL202404A (no) * 1955-02-18
NL121810C (no) * 1955-11-04
US3091701A (en) * 1956-03-26 1963-05-28 Raytheon Co High frequency response transistors
US2819990A (en) * 1956-04-26 1958-01-14 Bell Telephone Labor Inc Treatment of semiconductive bodies
US3024160A (en) * 1956-08-31 1962-03-06 Process Methods Corp Paper, particularly printing paper, and method of making same
US2954307A (en) * 1957-03-18 1960-09-27 Shockley William Grain boundary semiconductor device and method
US3007090A (en) * 1957-09-04 1961-10-31 Ibm Back resistance control for junction semiconductor devices
DE1243278B (de) * 1958-03-27 1967-06-29 Siemens Ag npn- bzw. pnp-Leistungstransistor aus Silizium
US2899344A (en) * 1958-04-30 1959-08-11 Rinse in
NL111773C (no) * 1958-08-07
AT214485B (de) * 1958-09-30 1961-04-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von pn-Übergängen in einem Grundkörper aus vorwiegend einkristallinem Halbleitermaterial
US3099591A (en) * 1958-12-15 1963-07-30 Shockley William Semiconductive device
US2997604A (en) * 1959-01-14 1961-08-22 Shockley William Semiconductive device and method of operating same
US2967793A (en) * 1959-02-24 1961-01-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices with bi-polar injection characteristics
US3097308A (en) * 1959-03-09 1963-07-09 Rca Corp Semiconductor device with surface electrode producing electrostatic field and circuits therefor
DE1105069B (de) * 1959-04-25 1961-04-20 Siemens Ag AEtzverfahren eines pn-UEberganges bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung
US3140438A (en) * 1959-05-08 1964-07-07 Clevite Corp Voltage regulating semiconductor device
NL251527A (no) * 1959-05-12
US2953486A (en) * 1959-06-01 1960-09-20 Bell Telephone Labor Inc Junction formation by thermal oxidation of semiconductive material
DE1414438A1 (no) * 1959-11-13 1970-04-23
FR1279484A (fr) * 1959-11-13 1961-12-22 Siemens Ag Dispositif semi-conducteur à monocristal
US3114864A (en) * 1960-02-08 1963-12-17 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor with multi-regions of one conductivity-type and a common region of opposite conductivity-type forming district tunneldiode junctions
US3085033A (en) * 1960-03-08 1963-04-09 Bell Telephone Labor Inc Fabrication of semiconductor devices
NL265382A (no) * 1960-03-08
NL258408A (no) * 1960-06-10
US3158788A (en) * 1960-08-15 1964-11-24 Fairchild Camera Instr Co Solid-state circuitry having discrete regions of semi-conductor material isolated by an insulating material
NL267831A (no) * 1960-08-17
US3117229A (en) * 1960-10-03 1964-01-07 Solid State Radiations Inc Solid state radiation detector with separate ohmic contacts to reduce leakage current
US3183129A (en) * 1960-10-14 1965-05-11 Fairchild Camera Instr Co Method of forming a semiconductor
NL270369A (no) * 1961-01-16
FR1288168A (fr) * 1961-02-08 1962-03-24 Perfectionnements aux transistors à charges d'espace mitoyennes
DE1138481C2 (de) * 1961-06-09 1963-05-22 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
FR1337348A (fr) * 1961-09-08 1963-09-13 Pacific Semiconductors Transistors de couplage
US3197681A (en) * 1961-09-29 1965-07-27 Texas Instruments Inc Semiconductor devices with heavily doped region to prevent surface inversion
US3183128A (en) * 1962-06-11 1965-05-11 Fairchild Camera Instr Co Method of making field-effect transistors
NL297002A (no) * 1962-08-23 1900-01-01

Also Published As

Publication number Publication date
CH439498A (fr) 1967-07-15
BE636317A (no) 1900-01-01
GB1060303A (en) 1967-03-01
DE6609659U (de) 1972-08-24
BE636316A (no) 1900-01-01
US3226613A (en) 1965-12-28
US3226611A (en) 1965-12-28
GB1059739A (en) 1967-02-22
NL146646B (nl) 1975-07-15
NL302804A (no) 1900-01-01
NO115810B (no) 1968-12-09
NL297002A (no) 1900-01-01
US3309245A (en) 1967-03-14
DK128388B (da) 1974-04-22
US3226614A (en) 1965-12-28
US3226612A (en) 1965-12-28
US3309246A (en) 1967-03-14
SE338619B (no) 1971-09-13
SE315660B (no) 1969-10-06
DE1295093B (de) 1969-05-14
DK126811B (da) 1973-08-20
DE1295094B (de) 1969-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO119489B (no)
US2816770A (en) Tool holder and adapter
US7506877B1 (en) Bit or tool extension and method of making same
AU2012245003B2 (en) Chuck tool and bits arrangement
US9073129B2 (en) Cutting tool having replaceable cutting insert and replaceable cutting insert therefore
US3171666A (en) Positive drive chuck
US3410160A (en) Adjustable boring bar
US2667357A (en) Toolholder
US4076443A (en) Cutting tool assembly
US3254567A (en) Machine tool power drawbolt
US3656859A (en) Reamer with reversible blade
US4265460A (en) Tool holder
US2847225A (en) Tool holder and ejector
US8944726B2 (en) Countersinking tool
US2223041A (en) Boring head
US20130263706A1 (en) Multi form screw driver and screw driver bit
US3468197A (en) Apparatus for the production of round openings in workpieces
US748398A (en) Drill-chuck.
US2488933A (en) Driver and extractor for stud bolts and the like
US2141786A (en) Friction chuck and driver
US2108035A (en) Centralizer for drill steels
CN215902738U (zh) 一种便于拆卸的车刀装置
US1092070A (en) Drill-press.
US2193764A (en) Device for producing grooves in the walls of bores
NO20171891A1 (no) Adapter for hullsag