NL161922C - Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen.

Info

Publication number
NL161922C
NL161922C NL7116693.A NL7116693A NL161922C NL 161922 C NL161922 C NL 161922C NL 7116693 A NL7116693 A NL 7116693A NL 161922 C NL161922 C NL 161922C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
conductor
adjusting
semiconductor device
switch element
Prior art date
Application number
NL7116693.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL161922B (nl
NL7116693A (xx
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL7116693A publication Critical patent/NL7116693A/xx
Publication of NL161922B publication Critical patent/NL161922B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL161922C publication Critical patent/NL161922C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
    • H01L27/0738—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors in combination with resistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/904—Charge carrier lifetime control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Element Separation (AREA)
NL7116693.A 1971-07-27 1971-12-04 Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen. NL161922C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB3512271 1971-07-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7116693A NL7116693A (xx) 1973-01-30
NL161922B NL161922B (nl) 1979-10-15
NL161922C true NL161922C (nl) 1980-03-17

Family

ID=10374091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7116693.A NL161922C (nl) 1971-07-27 1971-12-04 Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen.

Country Status (11)

Country Link
US (1) US3969744A (xx)
JP (1) JPS5121750B1 (xx)
BE (1) BE776319A (xx)
CA (1) CA933671A (xx)
CH (1) CH544410A (xx)
DE (1) DE2160462C2 (xx)
FR (1) FR2147016B1 (xx)
GB (1) GB1345818A (xx)
IT (1) IT943189B (xx)
NL (1) NL161922C (xx)
SE (1) SE377862B (xx)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4053925A (en) * 1975-08-07 1977-10-11 Ibm Corporation Method and structure for controllng carrier lifetime in semiconductor devices
DE2537559C3 (de) * 1975-08-22 1978-05-03 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung mit einem Junction-Feldeffekttransistor und einem komplementären MIS-Feldeffekttransistor
US4080718A (en) * 1976-12-14 1978-03-28 Smc Standard Microsystems Corporation Method of modifying electrical characteristics of MOS devices using ion implantation
US4257826A (en) * 1979-10-11 1981-03-24 Texas Instruments Incorporated Photoresist masking in manufacture of semiconductor device
JPS5812493A (ja) * 1981-07-14 1983-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラ−テレビジヨンカメラ
US4391651A (en) * 1981-10-15 1983-07-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of forming a hyperabrupt interface in a GaAs substrate
JPS5869124A (ja) * 1981-10-20 1983-04-25 Toshiba Corp 半導体集積回路
US4656493A (en) * 1982-05-10 1987-04-07 General Electric Company Bidirectional, high-speed power MOSFET devices with deep level recombination centers in base region
FR2526587B1 (fr) * 1982-05-10 1987-02-27 Gen Electric Dispositif a transistor a effet de champ a metal oxyde-silicium de puissance, bidirectionnel
DE3605516A1 (de) * 1985-02-21 1986-09-04 Canon K.K., Tokio/Tokyo Optisches funktionselement sowie optische funktionsvorrichtung
US5250445A (en) * 1988-12-20 1993-10-05 Texas Instruments Incorporated Discretionary gettering of semiconductor circuits
JPH0526226A (ja) * 1991-07-23 1993-02-02 Nissan Motor Co Ltd 軸方向移動型ピロボールブツシユ
JPH05275692A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3541958B2 (ja) * 1993-12-16 2004-07-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US6455903B1 (en) * 2000-01-26 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Dual threshold voltage MOSFET by local confinement of channel depletion layer using inert ion implantation
DE10261307B4 (de) * 2002-12-27 2010-11-11 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Herstellung einer Spannungsoberflächenschicht in einem Halbleiterelement
US20080180160A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Infineon Technologies Ag High voltage dual gate cmos switching device and method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3341754A (en) * 1966-01-20 1967-09-12 Ion Physics Corp Semiconductor resistor containing interstitial and substitutional ions formed by an ion implantation method
US3540925A (en) * 1967-08-02 1970-11-17 Rca Corp Ion bombardment of insulated gate semiconductor devices
US3515956A (en) * 1967-10-16 1970-06-02 Ion Physics Corp High-voltage semiconductor device having a guard ring containing substitutionally active ions in interstitial positions
GB1261723A (en) * 1968-03-11 1972-01-26 Associated Semiconductor Mft Improvements in and relating to semiconductor devices
JPS5211199B1 (xx) * 1970-05-27 1977-03-29
JPS4831036A (xx) * 1971-08-26 1973-04-24

Also Published As

Publication number Publication date
AU3637771A (en) 1973-06-07
IT943189B (it) 1973-04-02
US3969744A (en) 1976-07-13
DE2160462C2 (de) 1982-05-13
GB1345818A (en) 1974-02-06
FR2147016B1 (xx) 1976-06-04
JPS5121750B1 (xx) 1976-07-05
FR2147016A1 (xx) 1973-03-09
DE2160462A1 (de) 1973-02-08
CA933671A (en) 1973-09-11
NL161922B (nl) 1979-10-15
NL7116693A (xx) 1973-01-30
BE776319A (fr) 1972-06-06
CH544410A (de) 1973-11-15
SE377862B (xx) 1975-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL161922C (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL158655B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied.
NL163059C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrich- ting, waarbij een op een oppervlak van een halfgeleider- lichaam aangebrachte laag materiaal met ionen wordt ge- bombardeerd.
NL173110C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht.
NL165938C (nl) Inrichting voor het behandelen van een dunne laag mate- riaal.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7611773A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting vervaar- digd door toepassing van een dergelijke werk- wijze.
NL147160B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een plakmiddel en voorwerpen, vervaardigd met behulp van dit plakmiddel.
NL164424B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor met een geisoleerde stuurelektrode, waarbij een door een tegen oxydatie maskerende laag vrijgelaten deel van het oppervlak van een siliciumlichaam aan een oxydatiebehandeling wordt onderworpen ter verkrijging van een althans gedeeltelijk in het siliciumlichaam verzonken siliciumoxydelaag.
NL171309C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140656B (nl) Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL181696C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam.
NL164425B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een koellichaam.
NL163372C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een monokristallijn halfgeleiderlichaam met een door aangroeien vanuit de dampfase verkregen halfgeleidende laag, die een gebied van monokristallijn materiaal en een gebied van polykristallijn materiaal omvat.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
AT315607B (de) Aufspannvorrichtung für Werkstücke od.dgl.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL160988C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL161921C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, omvattende een halfgeleideroppervlaktelaag, die is aan- gebracht op een hoger gedoteerd halfgeleidersubstraat- gebied en halfgeleiderlichaam, vervaardigd volgens de werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
VJC Lapsed due to non-payment of the due maintenance fee for the patent or patent application
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: PHILIPS