NL171309C - Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium. - Google Patents
Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.Info
- Publication number
- NL171309C NL171309C NLAANVRAGE7102685,A NL7102685A NL171309C NL 171309 C NL171309 C NL 171309C NL 7102685 A NL7102685 A NL 7102685A NL 171309 C NL171309 C NL 171309C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- silicone
- manufacture
- dioxide layer
- semiconductor body
- monocrystalline
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/24—After-treatment of workpieces or articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
- Y10S117/902—Specified orientation, shape, crystallography, or size of seed or substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/049—Equivalence and options
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/097—Lattice strain and defects
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/115—Orientation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/118—Oxide films
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/973—Substrate orientation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1708470A JPS50182B1 (nl) | 1970-03-02 | 1970-03-02 | |
| US00120289A US3821783A (en) | 1970-03-02 | 1971-03-02 | Semiconductor device with a silicon monocrystalline body having a specific crystal plane |
| US00402306A US3850702A (en) | 1970-03-02 | 1973-10-01 | Method of making superalloy bodies |
| US473407A US3920489A (en) | 1970-03-02 | 1974-05-28 | Method of making superalloy bodies |
| US483837A US3920492A (en) | 1970-03-02 | 1974-06-27 | Process for manufacturing a semiconductor device with a silicon monocrystalline body having a specific crystal plane |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7102685A NL7102685A (nl) | 1971-09-06 |
| NL171309B NL171309B (nl) | 1982-10-01 |
| NL171309C true NL171309C (nl) | 1983-03-01 |
Family
ID=27519889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NLAANVRAGE7102685,A NL171309C (nl) | 1970-03-02 | 1971-03-01 | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US3821783A (nl) |
| DE (1) | DE2109874C3 (nl) |
| FR (1) | FR2084089A5 (nl) |
| GB (1) | GB1318832A (nl) |
| NL (1) | NL171309C (nl) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7306948A (nl) * | 1973-05-18 | 1974-11-20 | ||
| US3975219A (en) * | 1975-09-02 | 1976-08-17 | United Technologies Corporation | Thermomechanical treatment for nickel base superalloys |
| US4050964A (en) * | 1975-12-01 | 1977-09-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Growing smooth epitaxial layers on misoriented substrates |
| US4081295A (en) * | 1977-06-02 | 1978-03-28 | United Technologies Corporation | Fabricating process for high strength, low ductility nickel base alloys |
| US4144100A (en) * | 1977-12-02 | 1979-03-13 | General Motors Corporation | Method of low dose phoshorus implantation for oxide passivated diodes in <10> P-type silicon |
| JPS5694732A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Semiconductor substrate |
| US4916505A (en) * | 1981-02-03 | 1990-04-10 | Research Corporation Of The University Of Hawaii | Composite unipolar-bipolar semiconductor devices |
| US4518442A (en) * | 1981-11-27 | 1985-05-21 | United Technologies Corporation | Method of producing columnar crystal superalloy material with controlled orientation and product |
| US4402767A (en) * | 1982-12-27 | 1983-09-06 | Owens-Corning Fiberglas Corporation | Fabrication of alloys |
| JPS60253268A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS60253269A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
| JP2597976B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US4707216A (en) * | 1986-01-24 | 1987-11-17 | University Of Illinois | Semiconductor deposition method and device |
| US4872046A (en) * | 1986-01-24 | 1989-10-03 | University Of Illinois | Heterojunction semiconductor device with <001> tilt |
| DE3775671D1 (de) * | 1986-09-08 | 1992-02-13 | Bbc Brown Boveri & Cie | Oxyddispersionsgehaertete superlegierung mit verbesserter korrosionsbestaendigkeit auf der basis von nickel. |
| US4865659A (en) * | 1986-11-27 | 1989-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heteroepitaxial growth of SiC on Si |
| US5279701A (en) * | 1988-05-11 | 1994-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the growth of silicon carbide single crystals |
| US5009704A (en) * | 1989-06-28 | 1991-04-23 | Allied-Signal Inc. | Processing nickel-base superalloy powders for improved thermomechanical working |
| US5230768A (en) * | 1990-03-26 | 1993-07-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of SiC single crystals by using a specific substrate crystal orientation |
| US5393483A (en) * | 1990-04-02 | 1995-02-28 | General Electric Company | High-temperature fatigue-resistant nickel based superalloy and thermomechanical process |
| JP2570502B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2750331B2 (ja) * | 1992-04-23 | 1998-05-13 | 株式会社ジャパンエナジー | エピタキシャル成長用基板およびエピタキシャル成長方法 |
| US5569954A (en) * | 1993-01-13 | 1996-10-29 | Sumitomo Chemical Company Limited | Epitaxial Inx Ga.sub.(1-x) As having a slanted crystallographic plane azimuth |
| US5877516A (en) * | 1998-03-20 | 1999-03-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Bonding of silicon carbide directly to a semiconductor substrate by using silicon to silicon bonding |
| JP3690563B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2005-08-31 | 富士通株式会社 | シリコン基板の評価方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2002134374A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェハ、その製造方法およびその製造装置 |
| US20020117718A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-08-29 | Apostolos Voutsas | Method of forming predominantly <100> polycrystalline silicon thin film transistors |
| JPWO2003049189A1 (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-21 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハおよび貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2004119943A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Renesas Technology Corp | 半導体ウェハおよびその製造方法 |
| US8220697B2 (en) * | 2005-01-18 | 2012-07-17 | Siemens Energy, Inc. | Weldability of alloys with directionally-solidified grain structure |
| JP4797514B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-10-19 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハの製造方法 |
| KR100868758B1 (ko) * | 2007-01-15 | 2008-11-13 | 삼성전기주식회사 | 압저항 센서를 구비한 회전형 ｍｅｍｓ 디바이스 |
| WO2013143995A1 (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | Alstom Technology Ltd | Method for manufacturing components made of single crystal (sx) or directionally solidified (ds) nickelbase superalloys |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL243511A (nl) * | 1959-09-18 | |||
| FR1270844A (fr) * | 1959-09-18 | 1961-09-01 | Philips Nv | Procédé pour la fabrication de cristaux en forme de tiges en matière semiconductrice |
| NL277330A (nl) * | 1961-04-22 | |||
| NL284785A (nl) * | 1961-10-27 | |||
| DE1264419B (de) * | 1961-10-27 | 1968-03-28 | Siemens Ag | Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Silicium-Schicht aus der Gasphase aufeinem Silicium-Einkristall |
| US3346427A (en) * | 1964-11-10 | 1967-10-10 | Du Pont | Dispersion hardened metal sheet and process |
| FR1424690A (fr) * | 1964-02-13 | 1966-01-14 | Hitachi Ltd | Dispositifs semi-conducteurs et leur procédé de fabrication |
| GB1100124A (en) * | 1964-02-13 | 1968-01-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor devices and methods for producing the same |
| US3366515A (en) * | 1965-03-19 | 1968-01-30 | Sherritt Gordon Mines Ltd | Working cycle for dispersion strengthened materials |
| US3480491A (en) * | 1965-11-17 | 1969-11-25 | Ibm | Vapor polishing technique |
| US3476592A (en) * | 1966-01-14 | 1969-11-04 | Ibm | Method for producing improved epitaxial films |
| US3556875A (en) * | 1967-01-03 | 1971-01-19 | Philco Ford Corp | Process for epitaxially growing gallium arsenide on germanium |
| FR1574577A (nl) * | 1967-08-03 | 1969-07-11 | ||
| US3612960A (en) * | 1968-10-15 | 1971-10-12 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor device |
| US3603848A (en) * | 1969-02-27 | 1971-09-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | Complementary field-effect-type semiconductor device |
| US3671223A (en) * | 1969-12-10 | 1972-06-20 | United Aircraft Corp | Anisotropic polyphase structure of multivariant eutectic composition |
| US3639179A (en) * | 1970-02-02 | 1972-02-01 | Federal Mogul Corp | Method of making large grain-sized superalloys |
| US3749612A (en) * | 1971-04-06 | 1973-07-31 | Int Nickel Co | Hot working of dispersion-strengthened heat resistant alloys and the product thereof |
| BE794801A (fr) * | 1972-01-31 | 1973-07-31 | Int Nickel Ltd | Procede de recuit en zones d'alliages |
| US3783032A (en) * | 1972-07-31 | 1974-01-01 | Gen Electric | Method for producing directionally solidified nickel base alloy |
-
1971
- 1971-03-01 NL NLAANVRAGE7102685,A patent/NL171309C/nl not_active IP Right Cessation
- 1971-03-02 DE DE2109874A patent/DE2109874C3/de not_active Expired
- 1971-03-02 FR FR7107147A patent/FR2084089A5/fr not_active Expired
- 1971-03-02 US US00120289A patent/US3821783A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-04-19 GB GB2288671A patent/GB1318832A/en not_active Expired
-
1973
- 1973-10-01 US US00402306A patent/US3850702A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-05-28 US US473407A patent/US3920489A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-06-27 US US483837A patent/US3920492A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2109874B2 (de) | 1976-12-30 |
| US3850702A (en) | 1974-11-26 |
| DE2109874A1 (de) | 1971-09-16 |
| DE2109874C3 (de) | 1984-10-18 |
| NL171309B (nl) | 1982-10-01 |
| GB1318832A (en) | 1973-05-31 |
| NL7102685A (nl) | 1971-09-06 |
| FR2084089A5 (nl) | 1971-12-17 |
| US3920489A (en) | 1975-11-18 |
| US3920492A (en) | 1975-11-18 |
| US3821783A (en) | 1974-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL171309C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium. | |
| NL163059C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrich- ting, waarbij een op een oppervlak van een halfgeleider- lichaam aangebrachte laag materiaal met ionen wordt ge- bombardeerd. | |
| NL147160B (nl) | Werkwijze voor de bereiding van een plakmiddel en voorwerpen, vervaardigd met behulp van dit plakmiddel. | |
| NL161305B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL161302B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL174062B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een uit een polycarbonaat bestaand, bekleed substraat. | |
| NL166361C (nl) | Werkwijze voor het anisotroop etsen van een mono- kristallijn plaatje van silicium. | |
| NL7512514A (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL171795C (nl) | Werkwijze voor de bereiding van een siliciumdioxyde-vrij zilveroxyde-houdend glas en daarmee verkregen voorwerpen. | |
| NL172167C (nl) | Werkwijze voor de bereiding van een plakmiddel. | |
| NL164321C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een enzymatisch actief membraan. | |
| NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL161301C (nl) | Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan. | |
| NL161920C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
| NL7611057A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL161919B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat. | |
| NL154059B (nl) | Werkwijze voor het etsen van siliciumnitride in aanwezigheid van gedoteerd silicium. | |
| NL161921C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, omvattende een halfgeleideroppervlaktelaag, die is aan- gebracht op een hoger gedoteerd halfgeleidersubstraat- gebied en halfgeleiderlichaam, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL7409192A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een basis voor een halfgeleiderinrichting, inrichting voor het toepassen van de werkwijze en basis voor een halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van de werkwijze. | |
| NL173507C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking. | |
| NL7410978A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL149711B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van pillen, alsmede de aldus vervaardigde pillen. | |
| NL7604392A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting met een vlak oppervlak. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |